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内存模组的两倍,并计划于今年年底开始量产。 三星电子存储器事业部内存开发组执行副总裁SangJoon Hwang表示:在三星最新推出的12纳米级32Gb内存的基础上,三星可以研发出实现1TB内存......
同封装尺寸下,容量是 16Gb 内存模组的两倍。 三星电子存储器事业部内存开发组执行副总裁 SangJoon Hwang 表示:在三星最新推出的 12 纳米级 32Gb 内存的基础上,三星可以......
进入1x nm时代,DRAM产业举步维艰; 随着美光把台湾南亚科技纳入囊中,DRAM内存产业基本上只有三星、SK Hynix及美光三家在玩了。目前三大厂商的主力制程工艺已经进入20nm,其中三星......
无奈进行全球大召回措施,期望借由迅速应对,对爆炸事件进行止血,只是没想到韩国 Note 7 用户更换新机后,又传出电池仍旧出包。 之前曾传出,为了挽救 Note 7 召回对获利的冲击,三星可......
团意味着它将利用其产品,包括 SoC、PMIC 和安全解决方案,整合到一个供客户使用的单一平台中。通过这种方式,三星可以在没有晶圆厂的情况下为其客户设计定制解决方案。三星......
运动训练方面与健身专门企业合作,让用户穿着机器人运动,取得个人训练(PT)的效果,医疗方面可以用于用户复健。不过由于目前成本过高,因此暂时无法推向大众市场使用,预计三星会为此展开高价营销。目前,三星......
SK海力士全球首发8GB LPDDR4X内存:安卓还会卡吗?;去年,三星和SK海力士先后推出了8GB LPDDR4内存,华硕也在进入2017年伊始就完成了一个新的跨越:首款8GB内存......
级工艺,四层堆叠,在提升Die密度的同时,减少厚度,提高耐热性三星电子今日宣布其业内最薄的12纳米(nm)级LPDDR5X DRAM(内存)开始量产,支持12GB和16GB容量。这将进一步巩固三星......
级工艺,四层堆叠,在提升Die密度的同时,减少厚度,提高耐热性三星电子今日宣布其业内最薄的12纳米(nm)级LPDDR5X DRAM(内存)开始量产,支持12GB和16GB容量。这将进一步巩固三星......
布的10nm 工艺的56nm 栅极间距,声称其明年计划生产的节点具有行业领先的密度。观察家已经开始建议台积电和三星可能会反超英特尔,后者已经放慢了发布新工艺技术的步伐,因为......
最新推出的12纳米级32Gb内存的基础上,三星可以研发出实现1TB内存模组的解决方案,这有助于满足人工智能和大数据时代对于大容量DRAM内存日益增长的需求。 2024存储......
10采集卡吗?其通过单个 10GbE 链路支持多达四个 1080p 视频通道,并带有第二个 10GE 端口以实现无缝保护切换,可以从主机 CPU 中卸载整个 ST 2110 IP 网络堆栈。或者,如果......
改进机器学习、照片、语音识别等功能,增加优势。 为何三星可能成为第二代Tensor处理器的唯一供应商?外媒wccftech猜测,这涉及许多因素,先前高通选择三星可能也是这一个考量,因为......
导致了手机爆炸。 如果三星的官方结果也与 Instrumental 一致的话,三星 Note 7 的电池供应商三星 SDI 、 ATL 则可以松一口气了。不过,三星可能会在一段时间里,承受......
售。三星与LG的合作中,三星可以为想要购买OLED电视的客户提供更多选择,而LG显示则可以收获三星这一新客户,实现双赢。 据亚......
消息来源指出,由于在目前的设计中,指纹识别屏幕的辨识准确率仍有误差,因此三星可能不会在 Galaxy S8 上抢先启用新技术,而是在机身背后设计一款标准的指纹识别器。 尽管三星已经在 Galaxy S7 上让手机可以......
分析师:三星Q2或将出现近15年来的首次季度亏损; 【导读】据报道,分析师周日表示,由于芯片低迷和移动需求下降,三星可能在第二季度出现运营亏损,这将是其近15年来......
自家二代3nm良率仅20%!三星Exynos系列恐转投台积电代工; 11月14日消息,据媒体报道,三星最新的二代3nm工艺良率仅为20%,而且由于需求疲弱,三星可能被迫与最大竞争对手合作,由台......
可独立运行,消息称三星将于今年秋季推出扩展现实(XR)头显设备;根据荷兰科技媒体 Galaxy Club 报道,三星即将推出一款扩展现实(XR)头显设备,可以同时显示虚拟现实(VR)和增强现实(AR......
由 MoneyDJ新闻 授权转载) 延伸阅读: LG 传加快研发可折叠智能手机,拼量产就赚钱 三星可折叠手机技术已成熟,2017 年发布非梦事 三星可折叠手机传 2017 年问世,5 寸手机可变身 7 寸平......
代新闪存将采用新的堆叠架构,底部是CMOS层加逻辑电路,上边是145层闪存阵列,再上边又是145层闪存阵列。这种方法虽然更复杂,但是良品率可以得到很好的保障,而且可以轻松进一步拓展。按照三星的规划,2025年下......
汽车DRAM。 今年2月,三星官方表示其基于极紫外(EUV)光刻技术的1z-nm工艺的DRAM已完成了量产。业界消息显示,三星还将继续为下一代DRAM增加EUV步骤,其三星的P3工厂......
可独立运行,消息称三星将于今年秋季推出扩展现实(XR)头显设备;IT之家 3 月 10 日消息,根据荷兰科技媒体 Galaxy Club 报道,即将推出一款扩展现实()头显设备,可以......
三星传缩减晶圆代工投资 冲击三大硅晶圆厂接单; 【导读】半导体景气寒冬持续,韩媒披露韩国科技巨擘三星可能缩减晶圆代工投资支出,伴随台积电、铠侠、SK海力士、南亚......
消息称三星电子确认平泽 P4 工厂 1c nm DRAM 内存产线投资,目标明年 6 月投运;8 月 12 日消息,韩媒 ETNews 报道称,三星电子内部已确认在平泽 P4 工厂建设 1c nm......
在印度古尔冈拥有全球最大的智能手机工厂之一,而且三星还在印度生产电视等产品。通过这项投资,三星可以申请印度的生产相关激励 (PLI) 计划,该计划将为符合条件的企业提供 4% 至 7% 的激励以鼓励 3C 电子产品的本土制造。 据称,三星......
发工作延后了 2 周。 虽然,时间延后的时间不是很大。不过,三星可能因此错过原定的发布时间。以前,三星每年 2 月或者 3 月初,都会在世界移动通信大会 (MWC) 上发布新款 Galaxy S 系列手机。因此......
发工作延后了 2 周。 虽然,时间延后的时间不是很大。不过,三星可能因此错过原定的发布时间。以前,三星每年 2 月或者 3 月初,都会在世界移动通信大会 (MWC) 上发布新款 Galaxy S 系列手机。因此......
内存的量产。 进入 20~10nm 制程后,一般以 1 + 字母的形式称呼内存世代,1c nm 即对应美光的 1-gamma nm 表述,为第六个 10+ nm 制程世代。三星方面称呼上一世代 1b......
将进一步地扩大用户可自助维修的设备范畴。 据《SamMobile》报道,三星将这项专利描述为“用于智能手表、平板电脑、手机,以及耳机”的自行安装与维护手机应用程序,这款应用程序将可以......
内部调整需要时间)。 Note 7用户需要先到售后服务点开具检测单,并凭借检测单到三星专卖店进行退/换货服务。更换S7 Edge的话,可以获得300元红包。 退货时,专卖店会按照实际销售价格(发票价格)进行退款,如果......
一直在努力通过英伟达对 HBM3 和 HBM3E 的测试。据两位知情人士透露,三星 8 层和 12 层 HBM3E 芯片的失败测试结果于 4 月份公布。 目前尚不清楚这些问题是否可以很快解决,但三位消息人士表示,未能......
,不仅可以减少表面积并降低高度,同时避免了缩小时通常会发生的单元间的干扰。 通过3D缩放技术,三星可显著提升每片晶圆的存储密度。基于最新NAND闪存标准Toggle DDR 5.0接口的三星第8代V......
到这一点,必须开发出能与其他竞争者相抗衡的芯片。而且,目前三星在晶圆代工领域落后于台积电。不过,有传言称,在 2024 年下半年将会出现采用第二代 3nm GAA 工艺批量生产的芯片,三星可以......
开发出能与其他竞争者相抗衡的芯片。而且,目前三星在晶圆代工领域落后于台积电。不过,有传言称,在 2024 年下半年将会出现采用第二代 3nm GAA 工艺批量生产的芯片,三星可以......
了解,2.5D 封装技术可以将多个芯片,例如 CPU、GPU、I / O 接口、HBM 等,水平放置于中间层上。台积电将这种封装技术称为 CoWoS,而三星则称之为 I-Cube。英伟达的 A100 和 H100......
八颗及以上 HBM 芯片的封装,三星正在研发一种“面板级封装”技术。 业界推测,英伟达选择三星可能是由于其人工智能芯片需求激增,导致台积电的 CoWoS 产能不足。拿下英伟达的订单也可能为三星......
比台积电落后大约两年,而其 3nm 工艺则比台积电落后大约一年。 不过,Kye Hyun Kyung 也表示,但等到 2nm 就会发生变化,并大胆预测:“我们可以在五年内超越台积电。” 三星可......
的半导体代工部门正在快速推进其 2 纳米生产计划,三星正整合优势资源,加速 2nm 技术的研发。一些业内人士甚至在猜测,三星可能会跳过 3 纳米生产,直接跨入 2 纳米制造工艺。 IT之家今年 6 月报道,三星......
换个颜色还远远不够。 或许三星可以考虑来个升级版的S7 Edge+,引入USB Type-C接口什么的。 S7 Edge归来 珊瑚蓝Note 7 责任编辑:mooreelite......
顺序已被改变。有传言称,鉴于对HBM和其他用于AI服务器的先进存储产品的稳定需求,三星可能决定将P4专门用于制造存储芯片。 另外,三星......
的封装,三星正在研发一种“面板级封装”技术。 业界推测,英伟达选择三星可能是由于其人工智能芯片需求激增,导致台积电的 CoWoS 产能不足。拿下英伟达的也可能为三星带来后续的 HBM 。 ......
三星平泽P4确认生产第六代DRAM,预计明年6月投运;三星电子已确认正准备在其平泽P4工厂引入DRAM处理设备,建设1c nm DRAM内存产线,并计划于明年6月开始运营,旨在提升HBM4内存......
计划在2024年推出采用1c nm制程技术的DDR内存,该技术能够提供具有32Gb颗粒容量的产品;到2026年,三星将推出其最后一代10nm级工艺的1d nm DDR内存,同样提供最大32Gb的颗粒容量;展望......
面板的公司。 据悉,兼容性注册是制造、销售和进口广播和通信设备(如电视)所需的程序,许多产品在注册后三个月内推出。 报道称,通过此次结盟,三星可以大幅提升其OLED电视的销量,而LG......
将他的表述解读为,三星表达了对收购Arm的强烈意愿。但现实是,要成功并购并不容易,因为三星也是半导体行业中的佼佼者,要跨越各国政府的反垄断审查似乎很难。 有人观察到三星可能将以“联合收购”的形......
消息称,三星可能会重新设计部分1a DRAM电路,以增强其HBM竞争力。 三星电子正遭遇重大挑战,尤其是在半导体业务方面。除了......
半年将比上半年更强劲。Kyung说道,但到了春末,情况变得明朗起来了,需求不仅没有回升,反而会显著放缓。 尽管市场增长放缓,Kyung表示,三星将继续扩大投资和研发支出。他建议,三星可以......
电将会陆续推出几项全新的工艺,这其中就包括将在2019年推出的首款7nm EUV工艺。 10 nm: 三星还在不断推进 众所周知,2016年11月份,三星已经开始将10LPE制造......
机正面都是屏幕,即三星要把它的屏幕四个边缘都换上曲面屏,让其成为真正全屏幕智能手机。 三星可长点心吧。 责任编辑:mooreelite......

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