SK 海力士、三星电子有望于年内先后启动 1c 纳米 DRAM 内存量产

发布时间:2024-04-09  

4 月 9 日消息,据韩媒 Businesskorea 报道,SK 海力士、三星电子有望于年内先后启动 1c 纳米 DRAM 内存的量产。

进入 20~10nm 制程后,一般以 1 + 字母的形式称呼内存世代,1c nm 即对应美光的 1-gamma nm 表述,为第六个 10+ nm 制程世代。三星方面称呼上一世代 1b nm 为“12nm 级”。

三星近期在行业会议 Memcon 2024 上表示,其计划在今年年底前实现 1c nm 制程的量产;

而近日据行业消息人士透露,SK 海力士内部已制定在三季度量产 1c nm DRAM 内存的路线图。

SK 海力士计划提前做好准备,在 1c nm 内存通过行业验证后立即向微软、亚马逊等主要客户供货。

对于三星电子和 SK 海力士,其下代内存产品有望提升 EUV 光刻使用量,在减小线宽、提升速率同时带来更好能效;

参考IT之家此前报道,美光将在 1-gamma 纳米节点首次引入 EUV 技术,预计 2025 年量产,目前已进行了试产。

台企南亚则正在研发其首代 DDR5 内存产品,有望今年推出。


文章来源于:电子工程世界    原文链接
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