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比亚迪e5高压电控总成内IGBT模块技术分析(2024-09-25)
未触发状态下用万用表的二极管挡测量上桥臂“+”与“～”之间的正向导通性，显示导通，压降为0.34 V。在IGBT未触发状态下用万用表的二极管挡测量上桥臂“+”与“～”之间的反向导通性，显示不导通......
牛人剖析功率MOS，从入门到精通(2024-11-18 19:30:30)
的关系曲线可从制造商的手册中获得。
二、功率MOSFET的反向导通等效电路(1)
(1)等效电路(门极......
纳芯微全新推出GaN相关产品NSD2621和NSG65N15K(2023-02-05)
驱动电压版本，适用于各类品牌的GaN开关管器件。 3. NSD2621超短传输延时有利于减小GaN死区损耗，并且内置可调死区时间功能，可有效避免发生桥臂直通。
GaN器件可以反向导通，其反向导通......
纳芯微全新推出GaN相关产品NSD2621和NSG65N15K(2023-02-03)
效避免发生桥臂直通。
GaN器件可以反向导通，其反向导通特性代替了普通MOSFET体二极管的续流作用，但在负载电流较大时其较高的反向导通压降会造成较大损耗，降低了系统效率。为了减小GaN反向导通损耗，应设......
纳芯微全新推出GaN相关产品NSD2621和NSG65N15K(2023-02-06 09:46)
驱动电压版本，适用于各类品牌的GaN开关管器件。3. NSD2621超短传输延时有利于减小GaN死区损耗，并且内置可调死区时间功能，可有效避免发生桥臂直通。GaN器件可以反向导通，其反向导通......
一文解析MOS管/三极管/IGBT之间的关系(2024-11-09 00:48:11)
图：
此时P区多子“空穴”在电场的作用下向N区运动，N区多子电子相反，使耗尽层变窄至消失，正向导电OK，也可以理解成外加电场克服耗尽层内电场，实现导电，该电压一般为0.7V或0.3V。二极管正向导通......
纳芯微全新推出GaN相关产品NSD2621和NSG65N15K(2023-01-29)
效避免发生桥臂直通。
GaN器件可以反向导通，其反向导通特性代替了普通MOSFET体二极管的续流作用，但在负载电流较大时其较高的反向导通压降会造成较大损耗，降低......
干货 | 图解二极管单向导通的原因(2024-10-28 19:03:53)
的原因;
二极管是电子电路中很常用的元器件，非常常见，二极管具有正向导通，反向......
讲透三极管(2024-06-13)
，从而产生了Ic，而是不恰当地侧重强调了Vc的高电位作用，同时又强调基区的薄。这种强调很容易使人产生误解。以为只要Vc足够大基区足够薄，集电结就可以反向导通，PN结的单向导电性就会失效。其实......
变频器主回路中驱动电路和保护电路设计(2023-08-25)
保持高电平，三极管不导通，FO为高电平;若IGBT发生短路故障，CE间电压VCE增大，导致A点电平升高，达到反向器的翻转电平，从而使F点为低，三极管导通，FO输出为低，从而产生故障信号，同时B点也......
讨论下电动汽车的发电模式(2023-07-10)
在沟道完全开启的情况下，由于体二极管的分流，阻抗比正向导通还要低！）
计算下，此时的Vsd≤Rdson乘以Id=2.7mΩ×360A=0.972V ！！！
而此时IGBT的压降是1.4V！
也就是说，SiC......
全面升级！安森美第二代1200V SiC MOSFET关键特性解析(2024-04-09)
共封装或反并联，IGBT是单向器件，除非它是反向导通IGBT技术。因此，IGBT在共封装二极管的选择上有更多的选择，如低VF 二极管、快速恢复二极管或碳化硅SBD。无论是体二极管还是共封装二极管，都需要用于从相反的直流输入连接旁路反向......
纳芯微全新发布1200V系列SiC二极管，布局SiC生态系统(2023-07-11)
管相较于传统硅基二极管具备明显优势
1.几乎零反向恢复电流
如下图所示，SiC二极管的反向恢复电流几乎为零，明显优于Si基并且该电流的大小不受正向导通电流、关断速度（di/dt）和结......
变频空调器的主要器件--模块(2022-11-28)
方式。
(3)压缩机变频模块的好坏检测方法如下图 所示是压缩机变频功率模块的正常测试数据。变频模块U、V、w三个输出端对电源正(P)、负(N)端均呈现二极管特性，即正向导通，反向截止(这个......
【干货】二极管限幅电路理论分析，工作原理+作用(2024-06-25)
信号出现在输出端。当输入电压超过V B2时，二极管开始导通，输出端出现电池电压V B2 。
六、使用齐纳二极管的限幅电路
齐纳二极管是一种特殊类型的二极管，它不仅可以正向导电（0.7V 压降），而且当电压超过齐纳击穿电压时也可以反向导......
二极管限幅电路理论分析，工作原理+作用，几分钟搞定(2024-12-19 17:54:04)
电（0.7V 压降），而且当电压超过齐纳击穿电压时也可以反向导电。反向电流流动，而其两端的电压保持恒定。因此，齐纳二极管可以充当偏置二极管，而无需使用另一个偏置源。
1、半波......
二极管选型指南(2024-04-08)
向特性的起始部分，正向电压很小，不足以克服PN结内电场的阻挡作用，正向电流几乎为零。当正向电压大到足以克服PN结电场时，二极管正向导通，电流随电压增大而迅速上升。
反向特性：外加反向电压不超过一定范围时，通过二极管的电流是少数载流子漂移运动所形成反向......
二极管导通AB两端的控制条件藏在A中，而三极管却是藏在C中。(2024-01-15)
清晰地呈现了二极管的闭合条件：超过阈值电压0.7V，两极的电流陡然增加，通了！同时，也呈现了损坏条件：给足反向电压，同样会使PN结导通（反向导通），对普通二极管而言，这是一种不可逆转的破坏。
正向导通，称为正偏，此时......
英诺赛科推出100V双向导通器件，支持48V BMS应用(2023-10-12)
特性
● 支持双向导通，双向截止，无反向恢复
● 极低的栅极电荷
● 超低的导通电阻 100V/3.2mΩ
● 超小的封装体积 FCQFN......
东芝最新款分立IGBT将大幅提高空调和工业设备的效率(2023-03-09)
能打印机等）
特性：
-行业领先[2]的低开关损耗（关断损耗）：由最新工艺实现的Eoff＝0.35mJ[3]（典型值）
-采用反向导通（RC）结构的内置续流二极管（FWD）
-快速开关时间（下降......
东芝最新款分立IGBT将大幅提高空调和工业设备的效率(2023-03-09)
：
- 行业领先[2]的低开关损耗（关断损耗）：由最新工艺实现的Eoff＝0.35mJ[3]（典型值）
- 采用反向导通（RC）结构的内置续流二极管（FWD......
电源防反接和防倒灌 - 使用MOS 管和运放实现理想二极管(2024-10-21 20:54:06)
管的功耗不可接受。一种方案是所谓的理想二极管，就是功能和二极管一样，可以反向截止，实现防反接和防倒灌保护，又没有二极管的正向压降。只不过专用的理想二极管芯片太贵了，赶得上一片STM32，规格也太高，车规、上百......
OBC DC/DC SiC MOSFET驱动选型及供电设计要点(2022-12-06)
利用碳化硅SiC MOSFET高频开关、反向恢复低和导通电阻小的优势，大大提升系统效率和功率密度，如图2所示。
Figure 2. 400V系统单相图腾柱PFC拓扑中SiC MOSFET应用场景
图腾......
二极管可以设计出好玩的电路(2024-04-18)
，正向导通。此时，
VOUT会被钳位在0.7V上。
而当VIN小于0.7V时二极管是截止状态，在负半周期时相当于电流反向，二极管也是截至状态，此时VOUT=VIN，VOUT波形跟随VIN变化。
限辐......
东芝最新款分立IGBT将大幅提高空调和工业设备的效率(2023-03-09)
新工艺实现的Eoff＝0.35mJ[3]（典型值）
- 采用反向导通（RC）结构的内置续流二极管（FWD）
- 快速开关时间（下降时间）：tf＝40ns（典型值）（TC＝25℃、IC＝15A、RG......
单片机中如何用二极管实现不同电压的输出(2023-01-06)
大于等于0.7V，二极管正向导通。此时，VOUT会被钳位在0.7V上。
而当VIN小于0.7V时二极管是截止状态，在负半周期时相当于电流反向，二极管也是截至状态，此时VOUT=VIN，VOUT波形......
二极管还能这么玩？(2024-10-24 22:13:35)
二极管还能这么玩？;
利用二极管的单向导电性可以......
二极管直流稳压、温度补偿、控制电路及故障处理(2022-12-23)
分析细节说明关于上述二极管简易直流电压稳压电路分析细节说明如下。（1）在电路分析中，利用二极管的单向导电性可以知道二极管处于导通状态，但是并不能说明这几只二极管导通后对电路有什么具体作用，所以只利用单向导......
CGD新型ICeGaN GaN功率IC使数据中心、逆变器和工业开关电源的实现超高效率(2024-06-11)
成为这些应用的绝佳选择。”
ICeGaN 功率 IC 集成了米勒箝位以消除高速开关过程中的击穿损耗，并实现了0V关断从而最大限度地减少反向导通损耗，其性能优于分立 eMode GaN 和其......
CGD新型ICeGaN GaN功率IC使数据中心、逆变器和工业开关电源的实现超高效率(2024-06-11)
的栅极驱动器设计和降低的系统成本，再加上先进的高性能封装，使 P2 系列 IC 成为这些应用的绝佳选择。”
ICeGaN 功率 IC 集成了米勒箝位以消除高速开关过程中的击穿损耗，并实现了0V关断从而最大限度地减少反向导通......
SiC MOSFET用于电机驱动的优势(2023-12-22)
它更适合电机驱动应用？
首先，从开关特性角度看，功率器件开关损耗分为开通损耗和关断损耗。
关断损耗
IGBT是双极性器件，导通时电子和空穴共同参与导电，但关断时由于空穴，只能通过复合逐渐消失，从而......
车载OBC的发展趋势(2023-05-04)
直接向汽车电池充电，双向则电池也可以反向将能量回馈到电网。
目前车载充电机OBC发展迅速，KW级已经实现多种量产‘
单向OBC:3.3KW,6.6KW,11KW,22KW;
双向OBC:3.3KW......
IGBT在电磁炉中的应用及解决方案(2024-02-26)
提高了系统的整体效率。
反向导通IGBT（RC-IGBT），在单个芯片上集成了IGBT和续流二极管（FWD）。它有比普通IGBT更低的损耗，较低的损失意味着烹饪时消耗的能源较少，从而降低消费者的运营成本。由于......
一文教你读懂桥式整流电路(2024-06-05)
电压或 PIV 可以定义为当二极管在整个负半周期内以反向偏置条件连接时来自二极管的最高电压值。桥式电路包括四个二极管，如 D1、D2、D3 和 D4。
在正半周期中，两个二极管（如 D1 和 D3）处于导通......
汽车级大功率IGBT现状及未来趋势研究 (2024-07-14)
- 区。由于载流子的注入，本来相对高阻的 N - 区的导电率迅速上升。这个过程称之为电导调制效应，它会显著降低 IGBT 的正向导通压降。IGBT 的 Vcesat 低于MOSFET 的扩......
【分析】电机正反转控制系统(2024-09-20)
机的正极接线端流出后经过K1继电器的公共端（COM），再流过K1继电器的常闭（NC）触点回到电源的负极，此时电机反向导通，即电机反转。
情景4：
K1与K2两组线圈都导通时，K1与K2继电器的公共端（COM）与常......
东芝最新款分立IGBT将大幅提高空调和工业设备的效率(2023-03-09 14:13)
值）- 采用反向导通（RC）结构的内置续流二极管（FWD）- 快速开关时间（下降时间）：tf＝40ns（典型值）（TC＝25℃、IC＝15A、RG＝56Ω）- 低二极管正向电压：VF＝1.2V（典型值）（TC......
资深工程师分享7种常见二极管应用电路解析(2024-11-30 17:23:02)
上述二极管简易直流电压稳压电路分析细节说明如下。
1）在电路分析中，利用二极管的单向导电性可以知道二极管处于导通状态，但是并不能说明这几只二极管导通后对电路有什么具体作用，所以只利用单向导......
一文搞懂IGBT的损耗与结温计算(2023-02-20)
组成部分
根据电路拓扑和工作条件，两个芯片之间的功率损耗可能会有很大差异。IGBT 的损耗可以分解为导通损耗和开关（开通和关断）损耗，而二极管损耗包括导通和关断损耗。准确......
全波整流电路详细分析(2024-01-03)
向电压，所以VD1导通。电流I1经过二极管VD1，流过电阻RL,形成回路，进而导致RL上的压降U也是上正下负的状态。但是对于整流二极管VD2来说，U3是反向电压，因此VD2是处于反向截止状态的，不会......
飞兆半导体的100V BOOSTPAK解决方案提高了可靠性，降低了LED应用中的系统成本(2013-06-05)
生产，这一先进工艺专用于最小化导通电阻，同时保持卓越的开关性能。 NP二极管为超快速整流器，带低正向导通压降，具有出色的开关性能。与肖特基二极管相比，其泄漏电流更低，改进......
变频器中的器件选取(2023-08-25)
隔离二极管
如下图：
二极管的基本特性就是单向导通，下图中改进的模块驱动保护电路中二极管D5、D3就是起反向隔离的作用，D5和IGBT的C极相连用于VCE保护，耐压是1000V，防止......
TI推出250W氮化镓IPM，比IGBT更小巧更高效(2024-06-26)
MOSFET。
至于开关损耗，氮化镓FET的损耗则比MOSFET和IGBT低得多，原因如下：
氮化镓具有零反向恢复特性。借助零反向恢复特性，可以以非常高的电流斜率 (di/dt) 和电压斜率 (dv/dt......
常见三相PFC结构的优缺点分析，一文get√(2023-12-28)
且电流与此开关的正常开关电流相比以“反向”方向流动时，也可以从体二极管导通。像IGBT这样的双极器件就是这种情况。使用MOSFET等单极器件，如果需要，可以打开开关以减少导通损耗。
图9.T−NPC升压PFC原理图
开关Qxy......
关于IGBT 安全工作区 你需要了解这两个关键(2023-12-15)
需要在安全工作区内使用IGBT，还需对其所在区域实施温度降额。安全工作区分为正向偏置安全工作区（FB, Forward Bias Safe Operating Area）和反向偏置安全工作区（RBSOA, Reverse......
满足高度紧凑型1500-V并网逆变器需求的新型ANPC功率模块(2022-12-09)
出的调制方案（图1b），IGBT仅用于变换基本输出电压的极性，并且根据电网频率（50/60 Hz）进行开关。因此，可以通过优化IGBT最大限度降低导通损耗。就这一点而言，可以利用新推出的1200-V......
Ameya360：平面MOSFET与超级结MOSFET区别(2023-03-13)
表示处理各功率晶体管的功率与频率范围。可以看出，Si-MOSFET在这个比较中，导通电阻与耐压略逊于IGBT和SiC-MOSFET，但在低～中功率条件下，高速工作表现更佳。
平面MOSFET与
Si......
单片机I/O的常用驱动与隔离电路的设计(2024-10-30 16:05:15)
端保护电路
为了防止外界尖峰干扰和静电影响损坏输入引脚，可以在输入端增加防脉冲的二极管，形成电阻双向保护电路，如图3所示。二极管D1、D2、D3的正向导通压降UF≈0.7 V，反向......
防反接电路、防倒灌电路、过流保护电路(2024-09-14 14:51:48)
二极管（齐纳二极管）的正向导通和反向击穿特性可实现最基础的ESD保护电路
如果来了ESD PAD1和PAD3形成回路
版权声明：本文为博主原创文章，遵循 CC......
市场一片火热，第三代半导体——碳化硅究竟用在哪？(2021-07-29)
70kHZ、80kHZ甚至更高的频率设计，这对IGBT和FRD提出了越来越高的高频要求。目前已有空调厂家开始选用碳化硅二极管，比传统硅快回复二极管具有更小的正向导通压降，更高的耐温及高温稳定性，PFC效率......
相关企业
IKW40N120T2 两支替代一个50A1200V2单元的模块 同样可以使用IGBT提到mos，电压600v、1200v电流6A以上硬开关频率低于100K用IGBT具有高性价比 IGBT焊机
管模块,IGBT模块,THRYSITOR晶闸管模块,大电流肖特基模块等产品,其模块产品一直应用于日本国的高铁,动车系统,在日本二极管及模块市场点有47％的份额.现由于市场的需要,在中国开拓内地市场.以优
路视频光端机，2路视频光端机，4路视频光端机，8路视频光端机，16路视频光端机,32路视频光端机，64路视频光端机，24路视频光端机，12路视频光端机，128路视频光端机，1路视频光端机+1路反向
路视频光端机，2路视频光端机，4路视频光端机，8路视频光端机，16路视频光端机,32路视频光端机，64路视频光端机，24路视频光端机，12路视频光端机，128路视频光端机，1路视频光端机+1路反向数据，单路
管整流模块,肖特基大电流模块用于电焊机,UPS等,晶闸管模块,IGBT模块.可代替富士,三社,INFINEON等公司产品.参数如下: PAT1508 二晶闸管反向并联模块800V/150A
国独立生产半导体的厂商。产品种类超过40多种封装形式和10000多种型号。产品分为稳压二极管、肖特基、可控硅二极管、ＴＶＳ.桥式整流器等.瞬变(瞬态)抑制二极管简称TVS器件,在规定的反向应用条件下,当承
;深圳市龙芯世纪反向研究事业部;;深圳市龙芯世纪反向研究事业部http://www.bjicjm.com是PCB抄板行业、芯片解密行业的先驱。在上世纪80年代PCB抄板、反向研发、逆向
电路设计、PCB Layout、专业为国内外客户提供电子产品完整解决方案的高科技企业。公司无论是反向研究或是正向研发都有着多年的专业经验。我们的正向设计团队，可为客户提供多元化的选择，例如，某些方案我们既可以做正向设计也可以做反向
;深科特反向研究中心;;
的芯片解密技术小组拥有一批具有芯片解密行业多年从业经验的精英骨干，能够快速解密目前国内市场99％以上的芯片，并提供芯片反向设计，帮助客户开发产品新功能从而把握市场主动权，同时我们也可以