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开关电源整流滤波电路和钳位保护电路设计(2024-06-03)
％。
(2)整流二极管的一次导通过程，可视为一个“选通脉冲”，其脉冲重复频率就等于交流电网的频率(50Hz)。
(3)为降低中500kHz以下的传导噪声，有时用两只普通硅整流管(例如1N4007) 与两只快恢复二极管......
RS瑞森半导体-PCB LAYOUT中ESD的对策与LLC方案关键物料选型分享(2022-12-02)
D1，须选用超快恢复二极管，如Trr小于75ns，类型推荐US、ES等系列。
（三）自举二极管D4，须选用快恢复二极管，配合RSC6105S-RSC6107S时，选用Trr小于250ns，类型......
RS瑞森半导体-大功率开关电源的应用(2022-12-19)
有更高的功率密度，可广泛应用于服务器电源、大功率电源上。
瑞森半导体提供的BV为600V、 650V的超结MOS同时带有FRD完全可用于谐振电路上,具有高速快恢复二极管（FRD），短的反向恢复......
德欧泰克|SiC和硅基组件在电动汽车充电电路中的应用(2024-02-28)
充电确实是一个有价值的功能，硅碳化物器件在其效率方面发挥了重要作用。SiC提供的提高效率可以归因于其对磁性元素的影响。图1 显示基于硅的超快恢复二极管的开关损耗充电电池需要高电流，通常需要大型线圈。为了最小化体积，解决......
基础知识之SiC功率器件(2024-03-21)
增加。 不易发生热失控，所以可以放心地并联使用。
3. SiC-SBD的恢复特性
Si的快速PN结二极管（FRD:快速恢复二极管）在从正向切换到反向的瞬间会产生极大的瞬态电流，在此......
Nexperia发布用于汽车和工业应用的650 V超快恢复整流管(2022-11-22)
Nexperia发布用于汽车和工业应用的650 V超快恢复整流管;奈梅亨，2022年11月22日：基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今天宣布，旗下......
Nexperia发布用于汽车和工业应用的650 V超快恢复整流管(2022-11-22 13:34)
Nexperia发布用于汽车和工业应用的650 V超快恢复整流管;不断扩大的CFP功率二极管产品组合再添新产品2022年11月22日：基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今天宣布，旗下......
Nexperia发布用于汽车和工业应用的650 V超快恢复整流管(2022-11-22)
Nexperia发布用于汽车和工业应用的650 V超快恢复整流管;
【导读】基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今天宣布，旗下面向工业和汽车领域的铜夹片FlatPower......
Vishay推出新型第三代650 V SiC肖特基二极管，提升开关电源设计能效和可靠性(2023-05-23)
降低了导通损耗，确保系统轻载和空载期间的高能效。与超快恢复二极管不同，第三代器件几乎没有恢复拖尾，从而能够进一步提升效率。
与击穿电压相当的硅二极管相比，SiC二极管热导率高，反向电流低，反向恢复时间短。二极管反向恢复......
对标C4D40120D，1200V SiC肖特基二极管B2D40120HC1让车载充电机更高效(2023-10-24)
的拓扑结构为LLC谐振，如下图所示：
SiC二极管在LLC电路的应用
在上述PFC电路和LLC电路中，二极管的导通损耗和开关损耗越小、反向漏电流和反向恢复时间越小，开关频率就可以做到更高。反向耐压越高，工作电压选择就可以......
Vishay推出新型第三代1200 V SiC肖特基二极管，提升开关电源设计能效和可靠性(2024-06-28)
系统轻载和空载期间的高能效。与超快恢复二极管不同，第三代器件几乎没有恢复拖尾，从而能够进一步提升效率。
碳化硅二极管典型应用包括FBPS和LLC转换器AC/DC功率因数校正（PFC）和 DC/DC超高频输出整流，适用......
AOS 推出 95mohm 和 125mohm, 600V 快恢复体二极管aMOS5™ 超结MOSFET;
【导读】日前，集设计研发、生产和全球销售一体的著名功率半导体及芯片供应商（AOS......
安芯电子冲刺科创板IPO 募资3.95亿元投建高端功率半导体等项目(2021-09-28)
10月，主营业务为功率半导体芯片、功率器件和半导体关键材料膜状扩散源的设计制造与销售。芯片产品涵盖快速恢复二极管（FRD）芯片、外延式快速恢复二极管（FRED）芯片、瞬态抑制二极管（TVS）芯片、超高压整流二极管......
基于MP4021的LED照明驱动电源设计(2024-07-22)
针对LED而设计，集成PFC，功率因数很高。工作在临界导通模式，降低了开关管的开关损耗;省去光耦和相关电路，降低了成本;采用独特的开关管控制技术，对开关管和快恢复二极管的要求大大降低，与一些必须选择昂贵开关管和二极管......
Vishay推出新型第三代1200 V SiC肖特基二极管，提升开关电源设计能效和可靠性(2024-07-01 09:46)
电容电荷低至28 nC，正向压降减小为1.35 V。此外，器件25 °C下典型反向漏电流仅为2.5 µA，因此降低了导通损耗，确保系统轻载和空载期间的高能效。与超快恢复二极管不同，第三代器件几乎没有恢复......
电源维修：开关电源中ntc电阻的作用？(2024-11-14 11:24:55)
短路电流，这对电容和整流二极管的瞬间抗浪涌电流承受较大应力，影响二极管和电容的寿命，还会对电网产生干扰。
为了限制这种冲击电流，就要限制一下瞬间的充电电流，在整流桥输入一段串联一个普通的功率电阻可以......
Nexperia的锗化硅 (SiGe)整流器兼具一流的高效率、热稳定性，能够节省空间(2020-05-27)
了一系列反向电压为120 V、150 V和200 V的新锗化硅(SiGe)整流器，兼具肖特基整流器的高效率与快速恢复二极管的热稳定性。
新款1-3 A SiGe整流器以汽车、通信基础设施和服务器市场为目标市场，尤其......
Nexperia推出新款600 V单管IGBT，可在电源应用中实现出色效率(2023-07-05)
IGBT之间自由选择。这些IGBT采用非常紧密的参数分布设计，允许多个器件安全地并联连接。此外，与竞品器件相比其热阻更低，因此能够提供更高的输出功率。这些IGBT还并联了全电流反向软快恢复二极管。这意......
功率MOS管总烧毁，看看是不是这些原因？(2024-09-27 19:49:51)
续流电流完全绕过 mos 管 和肖特基二极管。
这确保了 mos 管 体二极管永远不会被驱动导通，续流电流由快恢复二极管处理，快恢复二极管较少出现“击穿”问题。
七......
Vishay推出新型第三代650 V SiC肖特基二极管，提升开关电源设计能效和可靠性(2023-05-23 15:21)
源能效重要优值系数（FOM），相比上一代解决方案降低17%。与接近的竞品解决方案相比，二极管室温下典型反向漏电流低30%，高温下低70%。因此降低了导通损耗，确保系统轻载和空载期间的高能效。与超快恢复二极管......
Vishay推出新型第三代1200 V SiC肖特基二极管(2024-07-02)
µA，因此降低了导通损耗，确保系统轻载和空载期间的高能效。与超快恢复二极管不同，第三代器件几乎没有恢复拖尾，从而能够进一步提升效率。
碳化硅二极管......
Littelfuse：光伏逆变器应用方案(2022-08-16)
组串式逆变器的系统整合模式更受市场青睐，越来越成为主流应用架构。在组串式逆变器设计中，Littelfuse的功率MOSFET、IGBT、整流二极管、快恢复二极管、栅极驱动器、TVS二极管、保险丝、压敏......
Vishay推出新型第三代650 V SiC肖特基二极管，提升开关电源设计能效和可靠性(2023-05-23)
%。
与接近的竞品解决方案相比，二极管室温下典型反向漏电流低30%，高温下低70%。因此降低了导通损耗，确保系统轻载和空载期间的高能效。与超快恢复二极管不同，第三代器件几乎没有恢复......
碳化硅将推动车载充电技术随电压等级的提高而发展(2023-09-18)
理电网停电（V2L：车辆到负载）。
传统的功率因子校正方法涉及到结合使用二极管整流桥与升压转换器。整流桥将交流电压转换为直流电压，而升压转换器则负责升高电压。该基本电路的增强版本采用交错式升压拓扑，通过......
碳化硅将推动车载充电技术随电压等级的提高而发展(2023-09-18)
动态平衡电网负载（V2G：车辆到电网）或管理电网停电（V2L：车辆到负载）。
传统的功率因子校正方法涉及到结合使用二极管整流桥与升压转换器。整流桥将交流电压转换为直流电压，而升压转换器则负责升高电压。该基......
SiC如何推动车载充电技术向800V迈进？(2023-11-09)
系统让电动汽车能够提供从电池到电源的反向功率流，以支持各种用途，例如动态平衡电网负载（V2G：车辆到电网）或管理电网停电（V2L：车辆到负载）。
传统的功率因子校正方法涉及到结合使用二极管整流桥与升压转换器。整流桥......
Vishay汽车和电动汽车解决方案亮相2024慕尼黑上海电子展(2024-07-08)
于减少元器件数量，提高功率密度的集成式半桥MOSFET
标准、肖特基，快恢复（FRED Pt® ）二极管和整流器，瞬态抑制二极管（TVS），采用紧凑型DFN封装，提高功率密度并改进热阻。此外，还有......
瑞能半导体亮相2022慕尼黑华南电子展(2022-11-17 09:22)
重点展示，设计的产品就包括了瑞能650V（600V）/1200V 快恢复二极管，800V/1200V/1600V标准整流二极管，1200V可控硅，650V/1200V 碳化硅二极管, 1200V......
Vishay推出新款FRED Pt® Ultrafast恢复整流器增强可靠性，提高AOI能力(2020-02-18)
扩充其Fred Pt® Ultrafast恢复整流器产品，新型整流器采用eSMP®系列SlimSMAW（DO-221AD）封装，高度低至0.9 mm。Vishay Semiconductors二极管与常见SOD......
Nexperia成功增强其CFP功率二极管的范围(2022-10-13)
防反应用中提供低导通损耗和高效率，实现经济高效的DC-DC转换器。这些二极管件还有低漏电流版本，配备超低反向电流和出色的高温工作性能，可提供优异的稳健性，防止热失控。8个200 V单通道快恢复整流二极管......
电机为什么要用整流桥 电机整流桥的作用和原理是什么(2024-04-22)
实现电机速度和转矩的控制。
总结起来，电机整流桥的作用是将交流电转换为直流电供给电机，其原理是通过四个二极管的组合，将交流电信号转换为单向的直流电信号。
电机整流桥怎么测量好坏
要测量电机整流桥的好坏，可以采取以下几种方法：
1......
Nexperia推出新款600 V单管IGBT，可在电源应用中实现出色效率(2023-07-05 09:51)
非常紧密的参数分布设计，允许多个器件安全地并联连接。此外，与竞品器件相比其热阻更低，因此能够提供更高的输出功率。这些IGBT还并联了全电流反向软快恢复二极管。这意味着它们适用于逆变器,整流......
Nexperia成功增强其CFP功率二极管的范围(2022-10-12)
件还有低漏电流版本，配备超低反向电流和出色的高温工作性能，可提供优异的稳健性，防止热失控。8个200 V单通道快恢复整流二极管（PNE200xxEPE/-Q系列）携带4-10 A的平......
斯达半导35亿定增结果出炉，14家知名机构认购(2021-11-16)
为主的功率半导体芯片和模块的设计研发和生产，并以IGBT模块形式对外实现销售。IGBT模块的核心是IGBT芯片和快恢复二极管芯片，公司自主研发设计的IGBT芯片和快恢复二极管......
Vishay汽车和电动汽车解决方案亮相2024慕尼黑上海电子展(2024-07-08)
（FRED Pt® ）二极管和整流器，瞬态抑制二极管（TVS），采用紧凑型DFN封装，提高功率密度并改进热阻。此外，还有第7代超快恢复二极管（FRED Pt® Hyperfast），快速恢复......
Vishay汽车和电动汽车解决方案亮相2024慕尼黑上海电子展(2024-07-08 14:36)
基，快恢复（FRED Pt® ）二极管和整流器，瞬态抑制二极管（TVS），采用紧凑型DFN封装，提高功率密度并改进热阻。此外，还有第7代超快恢复二极管（FRED Pt® Hyperfast），快速恢复......
常见的二极管组件（整流桥、高压硅堆、二极管排）(2024-12-07)
的一半封在一起，用两个半桥可组成一个桥式整流电路，一个半桥也可以组成变压器带中心抽头的全波整流电路， 选择整流桥要考虑整流电路和工作电压。02【高压硅堆】
高压硅堆又叫硅柱。它是一种硅高频高压整流二极管......
总投资5.1亿元 捷捷微电拟投建功率半导体6英寸晶圆及器件封测生产线建设项目(2021-07-05)
及填充工艺、高压等平面终端工艺。主要产品为快恢复二极管芯片及器件，IGBT模块配套用高电压大通流整流 芯片，低电容、低残压等保护器件芯片及器件，中高电压功率集成芯片，平面可控硅芯片及其他芯片产品等。
该项......
℃温度条件下，产品的正向压降最大为1.4V，正向导通压降低，反向电流的典型值为8uA，反向电流小，系统功耗低。
5、采用TO-247-3封装，利于设计。
二次侧整流二极管通常使用FRD（快速恢复二极管......
牛人剖析功率MOS，从入门到精通(2024-11-18 19:30:30)
/COMFET;
-- 高频功率器件：如MOSFET，快恢复二极管，萧特基二极管，SIT 等
(4)按额......
干货 | 聊聊开关电源的传导与辐射(2024-12-27 16:58:16)
电流在VD1、VD2 两端产生比较高的电压峰值，由于快恢复二极管的反向恢复电流在几十nS，所以峰值电压的频率较高，其基波频率在几十MHz，由于频率很高，辐射能力很强，下图8 是整流......
电机驱动电路的优选IGBT单管(2023-10-23)
FHF20T60A的IGBT单管的原因是除了高可靠性和反向并行的快恢复二极管特性外，还拥有拖尾电流非常短、关断损耗低、出色的Vcesat饱和压降以及正温度系数等特点。
从这一款20A、600V电流、电压......
数字万用表的测量原理介绍(2023-02-09)
电阻的阻值也随着下降从无穷大慢慢又变回了保险。这也就是我们俗称的自恢复保险。
电容挡保护与电流挡保护设计相同也是使用双向限幅二极管，电阻挡保护电路设计有的是使用保险管做电阻挡保护，其次可以使用限流电阻，或保险电阻做电阻挡保护电路。
我们......
意法半导体推出具超强散热能力的车规级表贴功率器件封装ACEPACK SMIT(2023-01-16)
途灵活性有助于设备厂商简化库存管理和采购选型。
STTH60RQ06-M2Y是一个600V、60A 全波整流桥车规模块，由软恢复超快二极管组成，可提供PPAP文档。
STTD6050H-12M2Y是一个1200V、60A......
意法半导体推出具超强散热能力的车规级表贴功率器件封装ACEPACK SMIT(2023-01-16)
的提高了热耗散功率，提升整机效率。多用途灵活性有助于设备厂商简化库存管理和采购选型。
STTH60RQ06-M2Y是一个600V、60A 全波整流桥车规模块，由软恢复超快二极管组成，可提供PPAP文档......
电工知识：4个二极管做桥式整流怎么接？实物加电路图(2024-06-05)
电工知识：4个二极管做桥式整流怎么接？实物加电路图;怎么用4个二极管做一个整流电路，首先我们要分辨一下二极管的正负极。本文引用地址：整流二极管
从上图可以看出，整流二极管的一端有白色的银边，这端......
Vishay推出四款新系列200 V FRED Pt超快恢复整流器(2023-06-21)
Vishay推出四款新系列200 V FRED Pt超快恢复整流器;
【导读】美国 宾夕法尼亚 MALVERN、中国 上海 — 2023年6月21日 — 日前，Vishay......
电路设计中经常用到整流电路，而整流桥堆是常用的器件，实际应用中会出现整流桥堆载流及温升超标的情况~(2024-12-26 11:43:33)
就会造成两个桥堆发热功耗不一致。
一般实际应用，都会使用上图3的方法2，图3的方法是将同一个桥堆的2个二极管并联使用，通常认为在一个封装内的两个二极管是相对匹配的，是可以均流的，所以......
常见三相PFC结构的优缺点分析，一文get√(2023-12-28)
括中间的公共接地）都有一个“升压”整流二极管 (DxBy)。然后，有一个， 由一个全波二极管整流桥（DxPy和DxZy）和其中的单向开关 (Qx)组成。我们得到如下原理图。
图7. Vienna PFC......
的方案中提到基本半导体的SiC半导体器件，可为车载电源转换系统提供最高的功率密度和耐用性，非常适合车外充电和其他户外应用。
电动车充电
如下图所示，将快速恢复二极管或肖特基二极管作为整流二极管使用。
电动......
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： IGBT模块 整流二极管 可控硅等品牌的电子元气件 IXYS 整流桥 快恢复二极管模块 可控硅模块 TYCO PIM模块 DW IGBT模块 快恢复二极管 APT IGBT模块 MOSFET模块
;宏辉电子商行;;宏辉电子是专业销售拆机电子元器件;电解电容;肖特基二极管;快恢复二极管;整流二极管;场效应管;三极管;安规电容;整流桥堆、、、
;深圳市安裕达电子;;二极管、三极管、开关二极管、肖特基三极管、瞬变二极管、PIN结二极管、大/中/小功率三极管、高频管、带阴三极管、复合管、整流二极管、快恢复二极管、稳压二极管、整流桥、射频
;上海傲兴电子有限公司;;公司主营SEMIKRON西门康、Tyco泰科全系列产品，包括IGBT模块，可控硅模块，整流桥模块，二极管模块，整流桥模块等； 以及DACO大科快恢复二极管、肖特基二极管
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