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下一代半导体：一路向宽，一路向窄(2021-09-28)
铝镓等，都被视为新一代半导体材料的重要方向。从带隙宽度来看，锑化物属于窄带半导体，而氧化镓、金刚石、氮化铝属于超宽禁带半导体。新一代半导体材料，将一路向宽，还是一路向窄？
超宽禁带半导体：“上天......
海康机器人推出DP2000和DP3000系列3D激光轮廓传感器(2023-08-29)
了检测的效率和效果。
3C行业中，海康机器人3D解决方案主要应用集中在消费类电子产品的平整度、共面度、缝隙宽度......
电机内部结构磁场分布速览(2023-09-15)
所得定子铁芯无槽情况下的一个极距气隙磁场分布。其中，永磁体厚度10mm，永磁体长度50mm，气隙宽度5mm，极距69mm。与有限元法的计算结果相比较，解析法的计算结果是较为准确的，这为定子铁芯矩形开槽情况下的气隙磁场分布解析计算，奠定......
电机内磁场（气隙磁场、主磁通和漏磁通）速览(2023-10-08)
所得定子铁芯无槽情况下的一个极距气隙磁场分布。其中，永磁体厚度10mm，永磁体长度50mm，气隙宽度5mm，极距69mm。与有限元法的计算结果相比较，解析法的计算结果是较为准确的，这为......
SiC 与半导体垂直整合的复兴，先进 SiC 解决方案的需求不断增长(2023-02-16)
械臂、飞行器等多个工业领域。其应用的范围也在不断地普及和深化，是一种应用 前景非常广泛、非常具有价值的材料。
第三代半导体材料禁带宽度远大于前两代。第一代和第二代半导体都是窄带隙 半导体，而从......
MAX5652数据手册和产品信息(2024-11-11 09:20:26)
/MAX5651内置精密的低漂移(10ppm/°C)带隙电压基准，而MAX5652需要外部基准。MAX5650采用+5V单电源供电，具有+4.096V内部基准。MAX5651可采用+3V或+5V单电......
波峰焊接(Wave soldering)工装夹治具设计原则与技术要点！(2024-10-30 06:45:37)
及规范：
二、波峰焊工装治工具设计规范说明：
1、PCB板边与治具配合须预留0.5mm的间隙宽度(双边),以防......
蔡司工业CT三维扫描仪汽车电池解决方案(2023-09-14)
，识别由电池模组热变形造成的间隙宽度变化。最后，通过模拟展示托盘、模组和车身线束的虚拟装配，预测装配过程的质量。分析涵盖电池托盘生产的所有重要步骤：从铝挤压到铸造和焊接，再到铣削、钻孔和铆接过程。
光学......
还在为用氮化镓设计高压电源犯难？试试这两个器件(2023-03-29)
硅器件正在迅速接近其理论极限。
因此设计者需要考虑基于宽带隙 (WBG) 材料的器件，如氮化镓 (GaN)。GaN 器件的开关速度比硅器件快，能处理更高的电压和功率水平，在既定功率水平下体积小得多，而且......
SiC 半导体功率器件对能源效率的重要性(2023-02-16)
SiC 半导体功率器件对能源效率的重要性;
电力电子新技术的发展已将工业市场引向其他资源以优化能源效率。硅和锗是当今用于生产半导体的两种主要材料。损耗和开关速度方面的有限发展已将技术引向新的宽带隙......
英飞凌推出新型适用于电机和电源转换的MCU PSOC Control系列(2024-08-02)
主要规格包括高达 180 MHz 的时钟速度、高性能模拟数字转换器 (ADC)、高分辨率 (<100 ps) 脉冲宽度调制 (PWM) 和集成 CORDIC 加速器，用于从 CPU 卸载......
英飞凌推出新型适用于电机和电源转换的MCU PSOC Control系列(2024-08-05 10:16)
主要规格包括高达 180 MHz 的时钟速度、高性能模拟数字转换器 (ADC)、高分辨率 (<100 ps) 脉冲宽度调制 (PWM) 和集成 CORDIC 加速器，用于从 CPU 卸载......
工业电源模块对功率器件的要求(2024-01-02)
可以在给定的额定电压下工作，并可大大降低导通电阻。而且其具有更高的导热性，从而在横截面积上产生更高的电流密度。SiC二极管和FET通常被称为宽带隙（WBG）器件，因其带隙宽，高温下的漏电流低，所以也是作为AC/DC......
这几个设计指南PCB工程师需要知道(2024-11-13 23:32:04)
阶段对您的设计工作进行双重和三重检查可能意味着制造是成功还是失败。
为了帮助完成质量控制过程，我们始终建议您从电气规则检查（ERC）和设计规则检查（DRC）开始，以验证您的设计是否完全满足所有的规则及约束。使用这两个系统，您可以轻松进行间隙宽度......
高压SiC MOSFET研究现状与展望(2023-02-06)
器件主要基于 4H-SiC 材料。Si、4H-SiC 2 种半导体材料的主要特性如图 1 所示，其中 Si 的带隙宽度为 1.12 eV、热导率为 1.5 W/ (cm·℃)、击穿场强 Ec 为 2.5×105 V......
上海微系统所在Nature Electronics报道新型碳基二维半导体材料基本物性研究重大进展(2021-11-02)
上海微系统所在Nature Electronics报道新型碳基二维半导体材料基本物性研究重大进展;以石墨烯为代表的碳基二维材料自发现以来受到了广泛关注。然而，石墨烯的零带隙......
不同电压和功率等级的三菱电机SiC功率器件介绍(2024-03-08)
优越的物理性能将节省更多的电能，并使电力电子转换器更加紧凑，从而减少宝贵材料和资源的消耗。
SiC半导体和经典硅之间的主要区别在于更高的带隙。这使得SiC材料的临界场强提高了10倍。因此，对于相同的阻断电压能力，SiC芯片......
很快，氮化镓电源将会是你低碳台式机电脑的标配！(2023-04-13)
调侃甚至是电源的热量能够把鸡蛋蒸熟。再有就是转换效率低而浪费能源的问题，电源中，禁带宽度决定了电子器件的电压耐压和最高工作温度。禁带宽度越大，电子器件能够承受的温度和电压越高。
那么，有没......
24.5%！我国科研团队刷新大面积全钙钛矿光伏组件光电转化效率世界纪录(2024-02-26)
矿光伏组件更轻、更薄，具有可弯曲、半透明等良好特性，应用场景更丰富。近年来，谭海仁课题组一直致力于研究钙钛矿，取得小面积电池光电转化效率28%、大面积叠层组件光电转化效率21.7%等成果。
“叠层组件由带隙......
计算机视觉加速半导体分析(2024-06-18)
显示出复杂的成分依赖特性，如带隙和降解。
该研究使用高通量喷墨打印平台在一小时内将200个独特的钙钛矿样品沉积在玻璃基板上，创建了甲脒（FA）和甲基铵（MA）阳离子的组成梯度。这些样品具有可变的形态，与现......
共模半导体推出40V，3ppm／℃低噪声、高精度基准电压GM7400，可替代ADI的ADR01等产品(2024-06-06 09:38)
款精密基准电压源，该器件兼具稳健的工作特性和极低的漂移与低噪声。利用先进的曲率补偿，该带隙基准电压源可实现 3ppm/°C 的漂移和可预知的温度特性，以及±0.04% 的初始电压准确度。该器......
ADR01等产品
『共模半导体』推出40V，3ppm/℃低噪声、高精度基准电压GM7400，GM7400是一款精密基准电压源，该器件兼具稳健的工作特性和极低的漂移与低噪声。利用先进的曲率补偿，该带隙......
运用计算机视觉新方法——电子材料筛选速度提升八十五倍(2024-06-12)
术自动分析印刷半导体样品图像，并快速估计每个样品的两个关键电子属性：带隙（衡量电子激活能的指标）和稳定性（衡量寿命的指标）。这项新技术对电子材料的准确表征比传统方法提升了85倍。
提高太阳能电池、晶体管、LED和电......
氧化镓：10年后将直接与碳化硅竞争(2023-01-09)
一代半导体材料的代表。目前，各国的半导体企业都争先恐后布局氧化镓，氧化镓正在逐渐成为半导体材料界一颗冉冉升起的新星。
性能优越的氧化镓
氧化镓是一种超宽禁带材料，超越了目前已经商用器件的禁带宽度，达到了4.2电子......
中国宣布出口限制之后，美国如何采购镓？(2023-08-17)
中国宣布出口限制之后，美国如何采购镓？;氮化镓（GaN）是一种宽带隙。由于具有更高的击穿强度、更快的开关、更高的热导率和更低的导通电阻，氮化镓基功率器件明显比硅基器件更优越。氮化......
RS瑞森半导体碳化硅二极管在光伏逆变器的应用(2023-01-03)
RS瑞森半导体碳化硅二极管在光伏逆变器的应用;碳化硅 (SiC) 是一种由硅 (Si) 和碳 (C) 组成的半导体化合物，属于宽带隙 (WBG) 材料系列。它的物理结合力非常强，使半......
被“玩坏”的石墨烯，这回真能造芯片了？(2024-01-04)
曾经的纳米水、光催化和负氧离子空气净化器一样，一度让人们认为石墨烯的产品都是“骗人的”。可以说，石墨烯早就被营销“玩烂了”。 而且，更为重要的是，直到去年为止，石墨烯都没有“带隙”，带隙是0意味着，石墨......
适用于运输领域的SiC：设计入门(2023-04-19)
适用于运输领域的SiC：设计入门;简介
在这篇文章中，作者分析了运输辅助动力装置（APU）的需求，并阐述了SiC MOSFET、二极管及栅极驱动器的理想静态和动态特性。
为什么使用宽带隙（WBG......
QSPICE发明者随笔——利用宽带隙FET简化高压调节(2023-09-27)
QSPICE发明者随笔——利用宽带隙FET简化高压调节;Charley Moser拥有EE博士学位，是我最早的模拟设计导师之一。从他那里，我学到了很多知识——混合pi晶体管建模、用于......
我国科研团队成功突破新型太阳能电池制备难题(2024-08-05)
’成宽带隙的钙钛矿薄膜。但由于钙钛矿材料里的组分多样、晶种相态复杂，导致‘长’出的薄膜不均匀。”北理工前沿交叉科学研究院教授陈棋说，团队创新提出宽带隙钙钛矿结晶控制策略，在前驱液中添加长链烷基胺，促使......
ADALM2000实验：生成负基准电压(2023-06-06)
靠近运算放大器。
电路描述
理论上，此电路可以利用几乎任何三端基准电压源电路和低噪声、低失调运算放大器来构建。为了基于带隙概念构建负基准电压源，我们原本需要高质量PNP晶体管，但当前IC工艺中普遍使用的PNP，其质......
自动执行宽禁带SiC/GaN器件的双脉冲测试(2023-09-05)
，几乎所有道路运输都将实现电气化，预计将导致全球电力需求激增 27%。这一趋势凸显了电气解决方案在遏制温室气体排放和塑造更具可持续性的未来方面的重要意义。
越来越多的氮化镓 () 和碳化硅 () 等宽带隙......
自动执行宽禁带 SiC/GaN 器件的双脉冲测试(2023-09-05)
所有道路运输都将实现电气化，预计将导致全球电力需求激增 27%。这一趋势凸显了电气解决方案在遏制温室气体排放和塑造更具可持续性的未来方面的重要意义。
越来越多的氮化镓 (GaN) 和碳化硅 (SiC) 等宽带隙......
给SiC FET设计PCB有哪些注意事项？(2023-09-22)
给SiC FET设计PCB有哪些注意事项？;SiC FET（即SiC JFET和硅MOSFET的常闭共源共栅组合）等宽带隙半导体开关推出后，功率转换产品无疑受益匪浅。此类......
ADR293数据手册和产品信息(2024-11-11 09:20:32)
ADR293数据手册和产品信息;ADR293是一款低噪声、微功耗、精密基准电压源，采用XFET®（外加离子注入场效应管）基准电压源电路。与传统的带隙和嵌入式齐纳二极管基准电压源相比，XFET架构......
电动汽车充电站：技术的发展和未来市场趋势(2022-12-05)
是在高功率应用中。这些应用中的一个相关因素是半导体提供的带隙或能隙。当带隙高时，使用的电子设备可以更小、工作更快、更可靠。它还可以在比其他半导体更高的温度、电压和频率下工作。虽然硅的带隙约为
1.12eV，但......
了解模拟电路设计(入门级)(2024-04-17)
滤波器也可以被设计为高通RC滤波器，下图为低通RC滤波器）。
带隙基准设计
带隙基准一般是要形成一种与温度无关的基准源，可以通过将正温度系数电压和负温度系数电压叠加来实现。所以带隙......
自动执行宽禁带 SiC／GaN 器件的双脉冲测试(2023-09-06 10:16)
所有道路运输都将实现电气化，预计将导致全球电力需求激增 27%。这一趋势凸显了电气解决方案在遏制温室气体排放和塑造更具可持续性的未来方面的重要意义。
越来越多的氮化镓 (GaN) 和碳化硅 (SiC) 等宽带隙......
自动执行宽禁带 SiC/GaN 器件的双脉冲测试(2023-09-06)
所有道路运输都将实现电气化，预计将导致全球电力需求激增 27%。这一趋势凸显了电气解决方案在遏制温室气体排放和塑造更具可持续性的未来方面的重要意义。
越来越多的氮化镓 (GaN) 和碳化硅 (SiC) 等宽带隙......
隆基绿能国产钙钛矿电池转化率跻身世界前三(2023-05-24)
表中国在该项电池技术领域的最高水平。
据了解，叠层电池的原理是宽带隙顶部电池吸收高能量光子，窄带隙底部电池提高光子利用率，二者合作能突破单结电池的理论效率极限，理论转化效率高达40%+，因此转化效率可突破传统的天花板。
而且......
科索（COSEL）推出新一代工业用超紧凑高效率电源(2023-11-03)
科索（COSEL）推出新一代工业用超紧凑高效率电源;
【导读】COSEL株式会社今天宣布推出新一代工业用高紧凑电源TE系列。TE系列采用宽带隙氮化镓半导体、高频......
2亿美元，安世半导体德国基地扩产(2024-06-28)
2亿美元，安世半导体德国基地扩产;6月27日，半导体制造商Nexperia（安世半导体）宣布，计划投资2亿美元（约合人民币14.5亿元）开发碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）等下一代宽带隙......
MAX1422数据手册和产品信息(2024-11-11 09:18:39)
比(SNR)。全差分输入级具有400MHz小信号-3dB带宽，可以采用单端输入。
2.048V内部精密带隙基准电压源用来设置ADC的满量程范围。灵活......
美国能源部拨款4200万美元来增强电网的可靠性、弹性和可承受性(2023-11-24)
发一种光隔离的功率集成构建模块，该构建模块将增强对电力电子转换器的控制，从而实现更高效、更可靠的电网。 （(奖励金额：306万美元）
佐治亚理工学院（佐治亚州亚特兰大）将利用宽带隙 III 族氮......
功率逆变器应用采用宽带隙半导体器件时，栅极电阻选型注意事项(2023-09-22)
功率逆变器应用采用宽带隙半导体器件时，栅极电阻选型注意事项;本文为大家介绍氮化镓 (GaN) 和碳化硅 (SiC) 等宽带隙半导体器件用作电子开关的优势，以及如何权衡利弊。主要......
第四代半导体氧化镓蓄势待发！(2024-08-26)
出元件优异的高压耐受性能。
资料显示，氧化镓作为第四代半导体材料代表，具备禁带宽度大、临界击穿场强高、导通特性好（几乎是碳化硅的10倍）、材料生长成本低等优势，这些......
宽带隙技术发展现状 不断演变的宽带隙半导体技术(2023-10-10)
宽带隙技术发展现状 不断演变的宽带隙半导体技术;
简介
几乎所有采用电气控制、通信、电力、驱动和传感的技术系统都已实现了电气化以及电气连接。从20世纪50年代开始，硅(Si) 一直......
英飞凌GaN解决方案赋能欧姆龙社会解决方案公司的全新车联网（V2X）充电系统(2024-02-28)
先功率解决方案与欧姆龙的创新电路拓扑和控制技术相结合，欧姆龙社会解决方案开发出了日本最小、最轻的（V2X）充电系统。此次合作将进一步推动电源宽带隙材料的创新，在帮助加快向可再生能源、和过渡的同时，推动......
科索（COSEL）推出新一代工业用超紧凑高效率电源(2023-10-31)
科索（COSEL）推出新一代工业用超紧凑高效率电源;2023年10月31日
采用宽带隙氮化镓（GaN）功率级和平面磁性元件
1x2.3英寸高功率密度设计（TEP45F、65F）
45W和65W......
科索（COSEL）推出新一代工业用超紧凑高效率电源(2023-11-03 11:51)
科索（COSEL）推出新一代工业用超紧凑高效率电源;
• 采用宽带隙氮化镓（GaN）功率级和平面磁性元件• 1x2.3英寸高功率密度设计（TEP45F、65F）• 45W和65W安装......
相关企业
也降低了对音圈线的绝缘等及要求。磁液对音圈的中心校正效应允许采用较窄的磁间隙宽度，使得以较小的磁铁，也可以达到同样的气隙磁通量，同时产品合格率的提高和售后服务费用的减少都有助于节省成本。
;厦门凯达兴电子科技有限公司;;我司产品类型：1.单/双面单/双留边铝金属化聚酯AT（厚度1.9um―15um 宽度4.5mm―110mm 留边0.4mm-5.0mm） 2. 单面
薄膜类 聚酰亚胺薄膜、PI膜、KAPTON薄膜、金手指薄膜（颜色有金黄色、棕色、古铜色、黑色等，宽度为0-900MM，厚度0.015-0.25MM） PET离型膜、硅离型膜（颜色有白色、透明、磨砂、黑色
;铝板古同金属有限公司;;本公司经营的产品：纯铝板、合金板、镜面铝板、防锈铝板 牌号、状态、厚度、宽度 1、纯铝板/卷：1100、1200、1050、1060、1070； 2、铝合金板/卷：3003
有质量第一，服务第一，我们从事国内。我们快速发展，伸缩门轨道是杭泰特钢的主要型钢产品之一，该产品采用强度好、耐磨擦的优质钢坯热而成。目前生产的伸缩门轨道“工”字形有三种规格：A、上端宽度18mm，下端宽度
;宜兴市新申特种橡塑制品有限公司;;、纯镍带 厚度有0.02mm－3mm，宽度2mm－180mm，主要用于制造镍镉、镍氢、锂电池、组合电池及仪器仪表，电讯、电真空、特种灯泡等行业。 3、普通
、0.8MM、1.0MM. 规格为915＊1830MM. 2.透明PC卷材:厚度有0.375MM、0.5MM、0.65MM. 宽度400MM 3.磨砂PC卷材:厚度有0.175MM、0.25MM
;扬州市圣达塑料包装有限公司;;本公司主要经营PVC片材板材,A4装订封面、彩盒透明窗口膜，PVC卷筒片、PET卷筒薄片等。可以按客户要求生产各种厚度及宽度的PVC、PET、PP片材板材，厚度
有:PVC、PP层压板(厚度2-40mm,规格：1m*2m)、各种挤出板：PVC软板及硬板、ABS、PP、HIPS、HDPE、LDPE、PMMA等(厚度2-35mm,宽度最大1.5m)。挤出管材有PVC
;Henan Oneworld Industrial Co., Ltd.;;我们公司提供的铝箔规格如下： -厚度 0.006mm-0.2mm -宽度 75-1420mm -内芯 75mm