资讯
MOS管基础及选型指南(2024-03-20)
MOS管基础及选型指南;，即金属（Metal）—氧化物（Oxide）—半导体（Semiconductor）场效应晶体管，是一种应用场效应原理工作的半导体器件。本文引用地址：
和普......
涨知识！氮化镓（GaN）器件结构与制造工艺(2024-06-17)
涨知识！氮化镓（GaN）器件结构与制造工艺;功率器件与硅基功率器件的特性不同本质是外延的不同，本文通过深入对比HEMT与硅基MOS管的外延，再对增强型和耗尽型的HEMT进行对比，总结......
RS瑞森半导体低压MOS在小家电的应用(2022-11-28)
按导电方式也可将MOS管分为耗尽型与增强型，如下图所示：
二、产品应用及特点
低压MOS管的器件主要应用于家电领域，如：榨汁机、果汁杯、暖奶瓶、打蛋器、吸尘器等。
产品特点：成熟的Trench设计......
Littelfuse宣布推出采用改进型SOT－223－2L封装的 800V N沟道耗尽型MOSFET(2023-10-17 15:33)
MOSFET系列的新成员，采用新型SOT-223-2L封装，对于要求高达800V宽输入电压范围的应用来说，是绝佳解决方案。”供货情况CPC3981Z耗尽型MOSFET产品......
Littelfuse宣布推出采用改进型SOT－223－2L封装的 800V N沟道耗尽型MOSFET(2023-10-17 15:33)
MOSFET系列的新成员，采用新型SOT-223-2L封装，对于要求高达800V宽输入电压范围的应用来说，是绝佳解决方案。”供货情况CPC3981Z耗尽型MOSFET产品......
要求高达800V宽输入电压范围的应用来说，是绝佳解决方案。”
供货情况
CPC3981Z耗尽型MOSFET产品订购代码为CPC3981ZTR，提供卷带包装，每卷数量为3,000个。 可通......
Littelfuse推出采用改进型SOT-223-2L封装的800V N沟道耗尽型MOSFET(2023-10-13)
要求高达800V宽输入电压范围的应用来说，是绝佳解决方案。”
供货情况
CPC3981Z耗尽型MOSFET产品......
Littelfuse宣布推出采用改进型SOT-223-2L封装的800V N沟道(2023-10-17)
新型SOT-223-2L封装，对于要求高达800V宽输入电压范围的应用来说，是绝佳解决方案。”
供货情况
CPC3981Z耗尽型MOSFET产品订购代码为CPC3981ZTR，提供卷带包装，每卷......
一种低电压、低功耗模拟电路设计方案(2024-07-23)
驱动MOS晶体管的原理类似于结型场效应晶体管，也就是一个耗尽型器件，它可以工作在负、零、甚至略微正偏压条件下[2].由于衬底电压影响与反型层(即导电沟道)相连的耗尽层厚度，通过MOS晶体......
蔚来资本增持晶湛半导体，氮化镓前景广阔(2023-09-01)
涵盖了200V, 650V, 1200V甚至更高压的应用场景，并能提供耗尽型（D-mode）与增强型（E-mode）两种外延结构。
资料显示，氮化镓因具备宽禁带、高频率、低损耗、抗辐射强等优势，可以满足各种应用场......
年产新增1万片氮化镓外延片，晶湛半导体项目获新进展(2022-08-02)
半导体是一家提供GaN外延解决方案的专业外延代工商。在电力电子方面，主要提供各种不同尺寸硅晶圆上GaN HEMT外延片，广泛涵盖了200V, 650V, 1200V甚至更高压的应用场景，并能提供耗尽型（D-mode......
还在为用氮化镓设计高压电源犯难？试试这两个器件(2023-03-29)
还在为用氮化镓设计高压电源犯难？试试这两个器件;面对社会和监管要求，电源效率一直是电子系统的优先事项。特别是对于从电动汽车 (EV) 到高压通信和工业基础设施的应用，电源......
pHEMT功率放大器的有源偏置解决方案(2023-10-30)
pHEMT功率放大器的有源偏置解决方案;假晶高电子迁移率晶体管()是耗尽型器件，其漏源通道的电阻接近0 Ω。此特性使得这些器件可以在高开关频率下以高增益运行。然而，如果栅极和漏极偏置时序不正确，漏极......
pHEMT功率放大器的有源偏置解决方案(2023-11-13)
都必须接地。
结语
耗尽型GaAs放大器因其宽带宽和高动态范围而广泛用于RF应用。但是，此类放大器需要负偏置电压，并且必须小心控制其电源时序。可以使用固定的负栅极电压来偏置这种放大器。其好处是电流消耗是动态的，随着......
X-FAB增强其180纳米车规级高压CMOS代工解决方案(2024-05-21)
高压EPI技术解决方案，基于低掩模数5V单栅极核心模块，支持-40°C至175°C的宽温度范围，并提供一系列可选的器件和模块——包括高增益双极器件、标准和高电容密度MIM电容器、多阈值（Vt）选项、肖特基二极管和耗尽型......
NMOS和PMOS详解(2023-12-19)
极管一样，既可以用来放大电路，也可以当作开关使用。
MOS管可分为耗尽型和增强型，每种类型又分为P沟道和N沟道。
增强型MOS管，栅极与衬底之间不加电压时，栅极下面没有沟道存在，耗尽型，栅极......
IU5706 12V升36V大功率同步升压控制器IC解决方案(2023-08-09)
压芯片，集成度高，外围元器件少。但是在更大功率的应用场合，如车载升压应用、户外大功率拉杆音箱等，需要升压电路将12V电源升压至24V~36V或以上，实现更大功率输出，内置MOS的升压芯片显然无法满足应用......
IU5706 12V升36V大功率同步升压控制器IC解决方案(2023-08-09)
度高，外围元器件少。但是在更大功率的应用场合，如车载升压应用、户外大功率拉杆音箱等，需要升压电路将12V电源升压至24V~36V或以上，实现更大功率输出，内置MOS的升压芯片显然无法满足应用要求。
深圳......
Transphorm GaN技术引领氮化镓革命(2024-06-26 17:08)
拓展及市场营销高级副总裁Philip Zuk接受了中电网的采访，深入探讨了Transphorm氮化镓（GaN）产品的独特特点、技术优势及其在高性能领域的应用前景。他称：“Transphorm的常闭耗尽型D......
上海贝岭“功率器件&电源IC”在PD快充中的应用(2024-09-20)
管需要有承受较大电流的能力。
贝岭型号推荐：
四、贝岭电源IC器件在PD应用的产品推荐
4.1 ME8138: 高性能电流模式 GaN驱动控制器
应用场合：
应用于PD快充、适配器、充电器、开放......
Akamai推出Shield NS53，扩展混合DNS基础架构安全防护能力(2024-04-15)
Akamai推出Shield NS53，扩展混合DNS基础架构安全防护能力;Akamai Shield NS53 保护本地和混合 DNS 基础架构免受资源耗尽型攻击的侵扰
2024年 4月15日......
从内部结构到电路应用，这篇文章把MOS管讲透了。(2024-04-29)
于预先形成了不能导通的沟道，严格讲应该是耗尽型了，好处是明显的，应用时抛开了负电压。
解释7：寄生电容
上图的栅极通过金属氧化物与衬底形成一个电容，越是高品质的mos，膜越薄，寄生电容越大，经常mos管的寄生电容达到nF级，这个......
SOI与finFET工艺对比，谁更优？(2017-02-06)
个同等数量的市场。
所以,FDSOI与finFET技术是各有各的应用场合，那些确有低功耗等需要的应用,采用FD SOI技术也是合乎情理。所以FD SOI技术需要有一个市场的培育过程。
业界......
测试共源共栅氮化镓 FET(2024-04-09)
的共源共栅）的独特结构有关。本文引用地址：
图 1：关闭时的振荡可能会损坏器件和外围电路。
图 2：开启时的大振荡。
图 3：高压耗尽型 GaN 器件的共源共栅结构。
图 1 中看......
能华半导体技术研讨会圆满落幕，行业专家齐聚一堂共话未来(2024-06-18)
球为数不多同时掌握增强型GaN技术、耗尽型GaN技术以及耗尽型GaN直驱方案的半导体公司，自成立至今已获得专利100多项。总部位于江苏苏州，在加州硅谷、深圳均设有研发基地和市场销售中心。
......
意法半导体为MCU开启FD-SOI时代(2024-03-29)
其高性能、低功耗、高集成度和良好的热稳定性，FDSOI在移动设备、物联网和人工智能等领域具有广泛的应用前景。此次ST将FD-SOI率先引入领域，很重要的一个原因得益于ST在FD-SOI技术......
GaN， “镓”驭全功率 ——高压大功率应用，氮化镓前景可期(2024-06-17)
量轻。高效率意味着可以采用更小的散热装置，而在高频下运行则意味着电感器和电容器也可以非常小，大大降低整体的系统成本。
GaN技术路线的选择
当然，如果你选定了GaN技术，并想在最终的应用......
恩智浦发布i.MX RT600跨界微控制器系列(2020-03-03)
持四组 32x32 MAC。
多达4.5MB 片上 SRAM，支持关键指令和数据的“零等待”访问。
28nm FD-SIO （耗尽型绝缘硅）工艺，提供更低的工作电流和漏电流。
内置......
Qorvo助力简化GaN PA偏置(2022-06-14)
）今日宣布推出 ，这是一款 GaN 功率放大器 (PA) 偏置参考设计，可加强 Qorvo GaN PA 的设计与测试。
GaN 器件是耗尽型 FET，运行时需要施加负栅极电压。在使用 GaN PA......
MOS管防护电路解析实测(2023-12-20)
MOS管防护电路解析实测;自身拥有众多优点，但是MOS管具有较脆弱的承受短时过载能力，特别是在高频的应用场合，所以在应用对必须为其设计合理的保护电路来提高器件的可靠性。本文引用地址：
保护......
一文看懂MOS器件的发展与面临的挑战(2017-07-10)
载流子形成的现象称为热载流子注入效应。随着MOS器件的特征尺寸不断缩小到亚微米，热载流子注入效应变得越来越严重，为了改善热载流子注入效应，半导体业界通过利用LDD （Lightly Doped Drain – LDD）结构改善漏端耗尽......
AD7293数据手册和产品信息(2024-11-11 09:21:09)
个引脚名称或引脚的单个功能表示；例如ALERT1即表示仅与此功能相关。
产品聚焦
四个独立的闭环漏极电流控制器。 内置监控、时序和报警功能。 与耗尽型和增强型功率放大器兼容。
应用......
如何利用IT2800源表快速实现MOSFET器件的I-V特性测试？(2023-03-17)
驱动电路简单，驱动功率小，开关速度快，工作频率高、热稳定性高于GTR等优点。按导电沟道功率MOSFET可分为P沟道和N沟道。按栅极电压幅值可分为;耗尽型;当栅极电压为零时漏源极之间就存在导电沟道，增强型;对于......
电子工程师必备！40个模拟电路小常识！(2024-12-15 01:50:33)
才能起作用（开启电压Vt），耗尽型FET则不需要栅源电压，在正的Vds作用下，就有较大的漏极电流流向源极（如果加负的Vgs，那么可能出现夹断，此时的电压成为夹断电压Vp***重要特性***：可以......
这40个模拟电路基础知识太有用了！(2024-06-06)
,门一样的存在，和基极的作用差不多>其中P型衬底一般与栅极g相连。
21、增强型FET必须依靠栅源电压Vgs才能起作用(开启电压Vt)，耗尽型FET则不需要栅源电压，在正的Vds作用下，就有......
90%的工程师会忽略的 40 个实用模拟电路小常识，你是其中之一吗？(2024-10-20 23:26:13)
的英文名称是gate,门一样的存在，和基极的作用差不多>其中P型衬底一般与栅极g相连。
21、增强型FET必须依靠栅源电压Vgs才能起作用（开启电压Vt），耗尽型FET则不......
90%的人会忽略的40个实用模拟电路小常识(2024-11-30 17:23:02)
P型衬底一般与栅极g相连。
21、增强型FET必须依靠栅源电压Vgs才能起作用（开启电压Vt），耗尽型FET则不需要栅源电压，在正的Vds作用......
获64亿补贴，三星将在得克萨斯建2nm晶圆厂！(2024-04-16)
斯汀扩建现有半导体设施，扩大 FD-SOI（全耗尽型绝缘体上硅）工艺产能。
电子此次投资将在未来 5 年为美国创造超过 17000 个建筑行业工作岗位和 4500 多个高薪制造业工作岗位。作为......
22nm大战一触即发，新的甜蜜节点？(2017-04-28)
了移动电荷，使掺杂剂原子离子化。这些原子的电荷与栅极功能一起决定了阈值电压。耗尽区的深度控制着静电。耗尽区下面是中性硅，有很多移动载流子。”
解决问题的一种方法是迁移到完全耗尽型晶体管，即finFET和......
MOS管的导通条件和MOS驱动电流计算(2023-12-20)
N沟道增强型MOS，只要VGS>VGSth，mos管DS之间就会出现反型层（即mos管已经导通，并在DS间形成了一条通道，该通道形成是因为栅极电压VGS的增大，将电子吸引至耗尽层形成），然后......
CEA、Soitec、格芯和意法半导体共推下一代 FD-SOI技术发展规划(2022-04-25)
公司计划联合制定行业的下一代 FD-SOI(全耗尽型绝缘体上硅)技术发展规划。半导体器件和 FD-SOI技术创新对法国和欧盟以及全球客户具有战略价值。FD-SOI 能够......
一文解析MOS管/三极管/IGBT之间的关系(2024-11-09 00:48:11)
子注入理论阐明了BJT的工作原理，并提出了可实用化的结型晶体管概念。
发展到现在，MOSFET主要应用于中小功率场合如电脑功率电源、家用电器等，具有门极输入阻抗高、驱动......
适配于氮化镓开关器件的高频小体积照明电源方案(2023-12-19)
以及平板电视等要求高PF值、低THD的应用场合。
NCP13992作为安森美LLC谐振半桥控制器家族的一员，在NCP1399优异表现的基础上，创新的增加了轻载工作模式（LL mode）,Quiet SKIP模式，显著......
适配于氮化镓开关器件的高频小体积照明电源方案(2023-12-19)
、低THD的应用场合。
NCP13992作为安森美LLC谐振半桥控制器家族的一员，在NCP1399优异表现的基础上，创新的增加了轻载工作模式（LL mode）,Quiet SKIP模式，显著......
Normally-off D-Mode 氮化镓晶体管的根本优势(2023-10-16)
Normally-off D-Mode 氮化镓晶体管的根本优势;常闭耗尽型 (D-Mode) 与增强型 (E-Mode) 氮化镓晶体管本质优势对比之简短指南
氮化......
Soitec 公布 2023 财年第一季度财报，同比增长 12%(2022-07-28)
。
本季度主要事件
CEA、Soitec、格芯和意法半导体协力助推新一代 FD-SOI 路线图发展，促进 FD-SOI 在汽车、物联网和移动应用中的应用
2022 年 4 月 8 日，全球......
一只脚迈进交通领域，另一脚踩进数据中心，氮化镓比碳化硅更出彩(2023-10-10)
现高亮度水平和宽色域。
5G基站也是GaN的应用领域，主要产品为GaN功率放大器和微波射频器件。GaN材料在耐高温、耐高压及承受大电流方面具备优势，与传......
一文了解SiC MOS的应用(2024-06-19)
-DC电源、轨道牵引机等，需要高压、高频、高效率的应用场景。
二、竞争格局
调研机构Yole报告显示，由于SiC MOS晶圆的产能限制，头部SiC品牌如意法半导体（ST）、英飞凌科技（Infineon......
一文了解SiC MOS的应用(2024-06-19)
一文了解SiC MOS的应用;作为第三代半导体产业发展的重要基础材料，碳化硅MOSFET具有更高的开关频率和使用温度，能够减小电感、电容、滤波器和变压器等组件的尺寸，提高系统电力转换效率，并且......
迎接汽车电动化时代的来临，安世半导体引领MOSFET技术革命(2023-11-21)
SOA（安全操作区）和雪崩能力上都有所增强，而且对 V GS(th)（门源阈值电压）的严格限制使得 MOSFETs的并联应用更为简便。它的应用场景广泛，包括12V汽车系统、48V DC/DC 转换......
相关企业
，输入电压范围为6V~22V） ◎多灯驱动（MP1024: 驱动2个灯管，典型应用：15“, 17”液晶显示器 MP1038: 适用于4到30灯应用场合，典型应用：15“以上
;苏州斯凯弗精工机电有限公司;;苏州斯凯弗精工机电有限公司是日本TSUBAKI（椿本）单向离合器产品的特约代理商。主要负责椿本凸轮离合器（单向轴承）产品在大陆市场的推广与销售服务,凸轮离合器也跟据其不同的应用场合
;广州新特珑会议系统中控有限公司;;产品广泛应用于多媒体会议室、培训中心/电教室、学术报告厅、多功能电子会议室、多功能厅、国际会议中心、监控调度指挥中心等AV应用场合和智能家居领域。
;厦门唯恩电气有限公司;;厦门唯恩电气有限公司专业生产工业连接器,广泛用于建筑机械、纺织机械、包装印刷机械、烟草机械、电力机车及石化电力等需要进行电气和信号连接的应用场合，目前
突破性设计技术平台紧密合作，为客户提供新型高速MOSFETs（增强型和耗尽型VDMOS）和面向功率管理领域的新型BCD集成电路技术应用。其新型高速中低压MOSFETs具有行业中最佳Ron＊Qg 以及Ron＊Qgd 参数，特有
;瑞安市鑫昊工控设备商贸行;;瑞安市鑫昊工控设备商贸行是一家集生产销售服务于一体的专业工控设备供应商，从事电磁铁、气动元件行业十几年工作经验，熟悉各种电磁铁应用特性。特别擅长各类非标电磁铁的应用场合
道及石化电气等 进行电气和信号连接的应用场合。目前已成为国际通用的标准电气连接元器件。 奥尔森重载连接器在设计，制造过程中充分引入了世界工业连接器行业最先进的理念及工艺，并严格按照DIN VDE0110，DIN
道及石化电气等 进行电气和信号连接的应用场合。目前已成为国际通用的标准电气连接元器件。 奥尔森重载连接器在设计，制造过程中充分引入了世界工业连接器行业最先进的理念及工艺，并严格按照DIN VDE0110，DIN
;广州亲创商贸有限公司;;品牌:玉声牌,实现牌,得胜牌,小黄鹂牌. 主要使用场合:老师上课,导游讲解,促销员讲解,以及工厂等嘈杂环境中使用.
）应急电源：使用场合市电中断时各类一级和特别重要负荷的交流应急供电，如各类重要计算机系统的供电；各类建筑的工作供电和消防供电；医院、宾馆、商场等安全供电；交通系统高速公路、隧道、地铁、轻轨、民用