资讯
北京大学研究团队在氧化物半导体器件方向取得系列重要进展(2023-02-21)
（IGZO）为代表的非晶氧化物半导体具有极佳的综合性能，是后道兼容逻辑器件与存储器件的主要候选材料。
北京大学集成电路学院/集成电路高精尖创新中心吴燕庆研究员-黄如院士团队在过去五年中面向单片三维集成中的半导体......
中韩科研人员在新型半导体材料和器件领域取得重大突破(2024-04-11)
P型(空穴)半导体器件，突破该领域二十余年的研究瓶颈。这一突破将进一步推动现代信息电子学和大规模互补金属氧化物半导体(CMOS)技术的发展。
相比于多晶半导体，非晶体系具有诸多优势，如低......
TrendForce集邦咨询: 2025年手机中高端背板技术渗透率在折叠屏手机推动下或突破60%(2024-08-26)
画面分割且刷新率不同的效果，兼顾画面多任务模式和节能效果。LTPO技术是在LTPS的基础上增加氧化物半导体，以优化显示性能，包括改善驱动画面时的漏电流问题，并根据显示内容调整屏幕刷新率。然而，由于LTPO......
折叠屏手机推动，2025年手机中高端背板技术渗透率或突破60%(2024-08-28)
Polycrystalline Oxide)背板技术，而屏幕尺寸更大的折叠手机中，可以透过LTPO达成画面分割且刷新率不同的效果，兼顾画面多任务模式和节能效果。LTPO技术是在LTPS的基础上增加氧化物半导体......
晶旭半导体获睿悦控股集团亿元战略投资(2024-02-04 10:03)
，睿悦投资对晶旭半导体战略投资亿元人民币，助力其实现年产75万片氧化镓外延片、12亿颗滤波器芯片的落成达产。资料显示，福建晶旭半导体是一家拥有5G通信中高频体声波滤波芯片（BAW）全链条核心技术、以......
OLED在行动电脑显示器中的渗透率将在2028年达到14%(2023-04-18)
型电脑显示器和平板电脑显示器。对两种显示器而言，关键需求包括轻薄、省电、高解析度及高画质等项。
非晶硅、氧化物半导体等 LCD 和 LTPS TFT LCD 长期......
集成高 k 钙钛矿氧化物和二维半导体的新型晶体管(2023-01-04)
集成高 k 钙钛矿氧化物和二维半导体的新型晶体管;
二维(2D)半导体，如二硫化钼和黑磷，可以与硅技术竞争，因为它们的原子级厚度，优异的物理性能，并与经典的互补金属氧化物半导体(CMOS)技术......
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板(2024-11-05)
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板;
【导读】苹果公司计划于2025年推出iPhone 17系列手机，所有机型均采用低温多晶氧化物（LTPO）OLED面板......
意法半导体触屏控制器支持新一代AMOLED节能显示器(2022-07-19)
让智能手机更加省电，续航时间更长。
低温多晶氧化物 (LTPO) AMOLED 显示器和类似的专有显示器是根据屏幕使用情况动态控制显示器刷新率，在运行要求不高的应用程序时屏幕刷新速度较慢，在执......
意法半导体触屏控制器支持新一代AMOLED节能显示器(2022-07-19)
让智能手机更加省电，续航时间更长。
低温多晶氧化物 (LTPO) AMOLED 显示器和类似的专有显示器是根据屏幕使用情况动态控制显示器刷新率，在运行要求不高的应用程序时屏幕刷新速度较慢，在执......
意法半导体触屏控制器支持新一代AMOLED节能显示器(2022-07-19)
让智能手机更加省电，续航时间更长。
低温多晶氧化物 (LTPO) AMOLED 显示器和类似的专有显示器是根据屏幕使用情况动态控制显示器刷新率，在运行要求不高的应用程序时屏幕刷新速度较慢，在执......
事关存储器，华为公布新专利(2024-04-11)
存储器。只要处于上电状态，SRAM中写入的信息就不会消失，不需要刷新电路。传统的硅(Si)基SRAM包括6个金属氧化物半导体场效应品体管。
在计......
Kioxia 将于 IEDM 2024 揭晓新兴存储器技术(2024-10-24 10:46)
存储器而定制的尖端技术： (1) 一种利用氧化物半导体的新型 DRAM，重点是降低功耗，(2) 适用于更大容量 SCM 应用的 MRAM，以及 (3) 具有......
走出科幻的透明电子器件，未来发展轨迹晶莹剔透(2023-01-10)
结作为高透明、轻量化薄膜太阳能电池的活性层具有巨大潜力。
用氧化物半导体制造透明电子器件
阿卜杜拉国王科技大学从事新材料和新工艺开发的科学工程教授Husam N......
Kioxia 将于 IEDM 2024 揭晓新兴存储器技术(2024-10-23)
将揭晓针对这三种半导体存储器而定制的尖端技术： (1) 一种利用氧化物半导体的新型 DRAM，重点是降低功耗，(2) 适用于更大容量 SCM 应用的 MRAM，以及 (3) 具有......
延续摩尔定律，新型半导体研发实现新突破(2022-06-07)
实现几乎无限的材料组合。
研究人员表示，他们创造的晶体管可用于制造高性能和低功耗互补金属氧化物半导体逆变器电路。未来，他们的设备可以大规模制造，用于开发低功耗的逻辑电路和微芯片。
值得一提的是，除了......
Microsemi扩展高频率垂直扩散金属氧化物半导体MOSFET产品系列(2013-09-16)
Microsemi扩展高频率垂直扩散金属氧化物半导体MOSFET产品系列;Microsemi宣布扩展高频率垂直扩散金属氧化物半导体(VDMOS) MOSFET产品系列，两款更大功率、更高电压(V......
SK启方半导体推出HVIC工艺技术，扩大高压代工服务组合(2024-10-25 08:55)
扩大和增强了高压代工服务组合。SK启方半导体的HVIC工艺特点在于，它可以在一个工艺中实现5V逻辑、25V高压器件、650V+ nLDMOS（横向双扩散金属氧化物半导体）以及650V以上自举二极管，这使......
SK启方半导体推出HVIC工艺技术，扩大高压代工服务组合(2024-10-24)
扩大和增强了高压代工服务组合。
SK启方半导体的HVIC工艺特点在于，它可以在一个工艺中实现5V逻辑、25V高压器件、650V+ nLDMOS（横向双扩散金属氧化物半导体）以及650V以上自举二极管，这使......
闪存大厂铠侠即将发布三大创新研究成果(2024-10-24)
解，此次发布包括三大创新技术，分别是氧化物半导体通道晶体管DRAM（OCTRAM）、高容量交叉点MRAM（磁阻随机存取存储器）技术、具有水平单元堆叠结构的下一代3D存储技术。
氧化物半导体......
历经9年力积电今日重返上市(2021-12-06)
的产能，已经全部被客户包走了，显示半导体景气的成长趋势，主要是汽车电子的需求量非常的大。
此前黄崇仁曾指出，力积电有三大策略方向，首先是第四代氧化物半导体IGZO（氧化铟镓锌），第二是逻辑、内存......
全固态电池，“鸿沟”难跨(2023-06-20)
种电解质中目前理论上最佳的固态电解质材料，其优势是能量密度可以轻松超过三元电池的3倍，被认为发展潜力最大。
硫化物由氧化物固体电解质衍生而来（硫元素替换氧元素），同样，它也分为晶态和非晶态两种，晶态最典型的是Thio-LISICON型......
iPhone 15 全系 OLED 屏都将采用三星最新的 M12(2023-04-11)
两款型号才有 LTPO(低温多晶氧化物)。
除此之外，预计明年有较大概率会直接跳过第十三代 M13 转而采用更先进的第十四代 M14
材料，据说这显示专门为开发的一套新型材料，改材......
X-FAB率先向市场推出110纳米BCD-on-SOI代工解决方案(2023-06-02)
-Essonnes）工厂制造。量产将于2023年下半年启动。
缩略语：
BCDBipolar-CMOS-DMOS
CMOS互补金属氧化物半导体
DTI深槽隔离
EDA电子设计自动化
SOI绝缘......
三菱电机开始提供用于xEV的SiC-MOSFET裸片样品(2024-11-15)
）电驱逆变器的碳化硅（SiC）金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）裸片样品。这是三菱电机首款标准规格的SiC-MOSFET功率半导体芯片，将助力公司应对xEV逆变器的多样化需求，并推动xEV的日......
iDEAL推出SuperQ技术，开创硅功率器件性能新时代(2023-05-17 09:57)
术最初针对高达850伏(V)的电压，为系统工程师提供改进的功率半导体器件，例如二极管、金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)、绝缘栅双极晶体管(IGBT)和集成电路(IC)。 例如，基于SuperQ的......
iDEAL推出SuperQ™技术，开创硅功率器件性能新时代(2023-05-17)
原子水平的科学和工程实现，SuperQ提供了创纪录的单位面积电阻(RSP)。 该技术最初针对高达850伏(V)的电压，为系统工程师提供改进的功率半导体器件，例如二极管、金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)、绝缘......
台积电首座欧洲晶圆厂8月20日举行动土典礼，规划月产能达4万片(2024-08-19)
位于德国德累斯顿，预计导入 28/22nm 平面互补金属氧化物半导体（CMOS）技术，以及 16/12nm 鳍式场效晶体管（FinFET）制程，规划初期月产能约 4 万片。
据了解，台积电董事长魏哲家将率团前往，包括......
上海雷卯推出稳定性和效率兼备的MOSFET新产品(2023-09-04)
上海雷卯推出稳定性和效率兼备的MOSFET新产品;
【导读】MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)是一种常用的半导体器件，由源(Source)、漏(Drain)和栅(Gate)三个......
X-FAB率先向市场推出110纳米BCD-on-SOI代工解决方案(2023-06-02)
半年启动。
缩略语：
BCD Bipolar-CMOS-DMOS
CMOS 互补金属氧化物半导体
DTI 深槽隔离
EDA 电子设计自动化
SOI......
X－FAB率先向市场推出110纳米BCD－on－SOI代工解决方案(2023-06-02 16:25)
语：BCD Bipolar-CMOS-DMOSCMOS 互补金属氧化物半导体DTI 深槽隔离EDA 电子设计自动化SOI 绝缘体上硅SONOS 硅-氧化物-氮化物......
宁夏一半导体晶圆芯片项目动工建设(2024-05-13)
值达到30亿元以上，新增设备152余台（套），年设计生产沟道金属氧化物半导体势垒肖特基二极管晶圆60万片，规划总占地面积约296.27亩，建构筑物占地面积81851.49平方米，总建......
北大集成电路学院PEALD设备采购项目中标结果公示(2022-05-17)
离子体增强原子层沉积设备，货物品牌为PicosunOy，中标金额328.98万元。
据该项目招标公告，所采购的设备用于国家重点研发计划项目、国家自然科学基金项目，用于研究新结构氧化物半导体......
ADRF5301数据手册和产品信息(2024-11-11 09:19:45)
加到 VDD 引脚的 3.3 V 单一正电源供电。该器件采用兼容互补金属氧化物半导体 (CMOS)/低电压晶体管至晶体管逻辑 (LVTTL) 的控制。
ADRF5301 采用符合 RoHS 标准......
北方华创携手睿科微赋能全球首颗嵌入式RRAM显示驱动芯片(2024-08-28 08:50)
，是混合技术集成电路，结合了双极型晶体管、CMOS（互补金属氧化物半导体）和DMOS（双扩散金属氧化物半导体）的优点，常用于功率放大器和电源管理电路。[5] 信息来源：英飞凌官网......
BOE（京东方）高刷新率显示技术获2021年度北京市科学技术进步奖一等奖(2022-12-30)
端显示的视觉效果提升到全新境界，并率先实现量产，对推进显示产业技术飞越，夯实半导体显示产业全球领先者地位具有重要意义。
BOE（京东方）本次获奖的 “基于超维场技术的高刷新率显示技术研发与产业化”技术成果，创新研发出业内领先的高迁移率氧化物......
蓝海华腾采用硫化物路线！近期，多家企业明确固态电池技术路线！(2024-10-16 14:24)
家公司公布了固态电池技术路线：
德赛电池：原位聚合和氧化物
欣旺达：聚合物复合全固态电池
冠盛股份：聚合物半固态磷酸铁锂电池
南都电源：氧化物
鹏辉能源：氧化物复合电解质......
下一代半导体：一路向宽，一路向窄(2021-09-28)
下一代半导体：一路向宽，一路向窄;随着以氮化镓、碳化硅为代表的第三代半导体步入产业化阶段，对新一代半导体材料的探讨已经进入大众视野。走向产业化的锑化物，以及国内外高度关注的氧化镓、金刚石、氮化......
ADUM341E数据手册和产品信息(2024-11-11 09:19:32)
ADUM341E数据手册和产品信息;ADuM340E/ADuM341E/ADuM342E 是基于 ADI 公司 iCoupler® 技术的四通道数字隔离器。这些隔离元件结合了高速、互补金属氧化物半导体......
基础知识之图像传感器(2024-03-12)
CCD图像传感器中，像素由p 掺杂 金属氧化物半导体(MOS)电容器表示。这些MOS 电容器是 CCD 的基本构建模块，在图像采集开始时偏置高于反转阈值，从而允许在半导体-氧化物......
北方华创携手睿科微赋能全球首颗嵌入式RRAM显示驱动芯片(2024-08-27)
] 双极CMOS DMOS，是混合技术集成电路，结合了双极型晶体管、CMOS（互补金属氧化物半导体）和DMOS（双扩散金属氧化物半导体）的优点，常用于功率放大器和电源管理电路。
[5] 信息来源：英飞......
半导体所等在氮化物外延方法及新型器件研究中取得系列进展(2022-10-19)
半导体所等在氮化物外延方法及新型器件研究中取得系列进展;中国科学院半导体研究所研究员刘志强等与北京大学、北京石墨烯研究院等单位合作，在氮化物外延及热电能源器件领域取得系列研究进展，验证了氮化物......
42亿项目落户，广州加速化合物半导体产业发展布局(2022-09-02)
项目研发及产业化，建设6-8英寸及以上SiC芯片生产线，支持建设硅基/碳化硅基GaN功率/射频器件生产线，实现工业级、车规级的IGBT（绝缘栅双极型晶体管）、MOSFET（金属-氧化物半导体场效应晶体管）电力......
建造全国首条第四代半导体生产线 山西锑化物半导体项目已进入试运行阶段(2021-09-03)
建造全国首条第四代半导体生产线 山西锑化物半导体项目已进入试运行阶段;9月3日，据山西经济日报消息，由晋城市光机电产业研究院引进的锑化物半导体项目目前已经进入试运行阶段。预计该项目明年将达到1万支......
2024年度中国第三代半导体技术十大进展揭晓(2024-11-22 17:57)
中缺陷相关的声子模式分辨，并为氮化物半导体器件的热管理技术发展提供了新的思路。相关成果发表在《Nature Communications》上。
（六）千伏级氧化镓垂直槽栅晶体管
中国科学技术大学团队针对氧化......
传苹果OLED iPad Air/mini将于2026年开发(2024-05-27)
幕尺寸可能从8.3英寸增加到8.7英寸。
与苹果最新的iPad Pro型号采用两层低温多晶氧化物（LTPO）OLED面板不同，iPad mini和iPad Air可能......
日本团队采用新技术制备氧化镓晶体(2024-08-02)
镓单晶。
韩国方面，7月22日，韩国化合物半导体公司Siegtronics宣布，其已开发出可应用于高速开关的氧化镓肖特基势垒二极管（SBD）。Siegtronics表示，其通过“开发具有低缺陷特性的高级氧化......
三菱电机发布商用手持双向无线电用6.5W硅射频高功率MOSFET样品(2024-03-05)
三菱电机发布商用手持双向无线电用6.5W硅射频高功率MOSFET样品;
【导读】三菱电机集团近日（2024年2月27日）宣布，将于2月28日开始提供其新型6.5W硅射频（RF）高功率金属氧化物半导体......
ADRF5141数据手册和产品信息(2024-11-11 09:19:43)
8 GHz 至 11 GHz 时的插入损耗为 0.9 dB。
ADRF5141 在 +3.3 V 的正电源上消耗 13 μA 的低电流，在 -3.3 V 的负电源上消耗 360 μA 的低电流。该套件采用兼容互补金属氧化物半导体......
ADUM252N数据手册和产品信息(2024-11-11 09:19:42)
ADUM252N数据手册和产品信息;ADuM250N/ADuM251N/ADuM252N是采用ADI公司iCoupler®技术的5通道数字隔离器。这些隔离器件将高速、互补金属氧化物半导体(CMOS......
相关企业
定性和低衰减性能，获得了广泛的应用和好评，并已成功进入台湾、韩国和欧美市场。 中村宇极的氮氧化物荧光粉多次获得国家权威技术部门的认可。半导体照明用氮氧化物黄色荧光粉在2010年“南海杯”国家半导体
in 2009.;为Aptina，形象就是一切。该公司是一家在CMOS（互补金属氧化物半导体）影像技术的领导者。其数字图像传感器元件和处理器仍然使用标准数字和视频相机，以及摄像机内置到手机，电脑，监控
稳定的气敏传感器。TP系列常温型半导体气敏传感器广泛应用于各种电子检测装置上，能有效检测如天然气、液化石油气、一氧化碳、汽油、氢气、丁烷、丙烷、丙酮及氨、硫化物、氮氧化物等可燃、有害气体。在这
;巩义市城区永泰耐磨材料厂;;巩义市城区耐磨材料厂河南省巩义市城区永泰耐磨材料厂是一家以生产特种工业陶瓷为主的企业.主要产品有：微晶耐磨氧化铝瓷球、微晶氧化铝衬砖、新型高效陶瓷小球蓄热体、等静压氧化
;深圳市戴维莱传感技术开发有限公司;;深圳市戴维莱传感技术开发有限公司成立于2001年，是一家专业从事常温型非加热半导体气敏传感器研发和批量生产的厂家，并致
;深圳市戴维莱传感技术开发有限公司 市场部;;深圳市戴维莱传感技术开发有限公司成立于2001年，是一家专业从事常温型非加热半导体气敏传感器研发和批量生产的厂家，并致
;深圳戴维莱传感技术开发有限公司;;深圳市戴维莱传感技术开发有限公司成立于2001年，是一家专业从事常温型非加热半导体气敏传感器研发和批量生产的厂家，并致
;深圳市戴维莱传感技术开发有限公司市场技术部;;深圳市戴维莱传感技术开发有限公司成立于2001年，是一家专业从事常温型非加热半导体气敏传感器研发和批量生产的厂家，并致
;西安东太科技实业有限公司;;氧化锌（ZnO）陶瓷体线性电阻产品简介 氧化锌陶瓷体线性电阻是我公司根据进口国外同类产品基础上研制成功的一种新材料新概念陶瓷体超大功率电阻，是一种高新技术半导体
、氧化铝、氧化硅、氮化锶、氮化钡、氮化硅、AB胶、芯片、支架、PCB等产品专业生产加工的有限责任公司,公司总部设在大连开发区董家沟光谷路11号半导体工业园1号楼B座西一层,大连