资讯
日本佳能推出纳米压印半导体制造设备(2023-10-16)
将结构转移到其他任何材料上。它就像盖章一样，把栅极长度只有几纳米的电路刻在印章上，再将印章盖在橡皮泥上，得到与印章相反的图案，经过脱模就能够得到一颗芯片。在行业中，这个......
“中国芯片标准”发布第6天，国产4纳米芯片传来好消息，这太快了(2022-12-22)
制造分为两个环节，分别是前道工艺和后道工艺，前道环节决定了一颗芯片的制造工艺水平，也就是所谓的几纳米。
而后道环节则是将给芯片做好“包装”，这样芯片才能被应用到各种电子设备当中，因此从历史来说，传统......
2D纳米薄片可在一分钟内制成(2023-05-24)
薄膜，有望催生制造出各种类型纳米设备的工艺。相关研究刊发于最新一期美国化学学会《应用材料与界面》杂志。
纤薄的纳米片具有不同于传统大块材料的电学、透明......
2纳米先进制程已近在咫尺！(2024-03-11)
内最先进的先进制程量产技术是3纳米工艺，由三星电子和台积电制造。随着英特尔拿下ASML的首台光刻机并更新最新代工版图，以及Rapidus与IBM合作日益密切，目前2纳米先进制程的竞争者以明显扩大为台积电、英特......
2纳米先进制程已近在咫尺！(2024-03-11)
级）工艺性能相比较，两家大厂各执一词。
英特尔首席执行官Pat Gelsinger强调，18A 和 N2都利用GAA晶体管(RibbonFET)，但是1.8
纳米级节点将采用BSPND，一种......
爆iPhone 16机型可能在2024年使用第一代3纳米芯片(2022-11-26)
万块。其中大部分将被苹果公司用于2024年的iPhone芯片。
这是因为台积电为苹果这样的客户准备了几种不同种类的3纳米工艺，每个迭代都比之前的好。假设该公司推出四款新iPhone的计......
纳米压印光刻，能让国产绕过 ASML 吗(2023-03-20)
际上它的原理并不难理解。压印是古老的图形转移技术，活字印刷术便是最初的压印技术原型，而纳米压印则是图形特征尺寸只有几纳米到几百纳米的一种压印技术。
打个比方来说，纳米压印光刻造芯片就像盖章一样，把栅极长度只有几纳米的......
华为海思：让工程师等待是极大的浪费(2022-12-29)
提高集成度、增加功能、提升性能，才能满足市场发展提出的新需求。
夏禹举了几个例子来做说明。在终端设备侧，以智能手机为代表的高性能移动设备用芯片仍然紧跟摩尔定律脚步，从40纳米......
硅光芯片为何能突破数据传输难题，与光子集成技术有很大关系(2023-09-07)
在硅上的每个III-V族层都产生了应变。只添加几纳米的III-V族薄膜，晶体就会开始出现缺陷，释放出累积的应变。这些“错配”缺陷会沿着穿透整个III-V族层的线形成。缺陷包括开放的晶体键线和局部晶体畸变，这两......
芯片战争2.0：“失效”的摩尔定律(2017-06-01)
看到这一次升级换代的步伐似乎放缓了很多，比原计划要晚一年半。”
确实，作为芯片行业的“老大”，英特尔的10纳米芯片的量产却经历了几次“跳票”。
英特尔正在不断调整制程工艺方面的衡量标准，从而......
挣足钱的三星进攻下一代存储，MRAM成为目标？(2017-04-28)
如此，台湾的一些研究机构还针对MRAM的生产制造做出了一些改进。早期的MRAM采用的是横向水平排列，这样的工艺虽然可以完成，但是在体积上不太容易缩小。因此......
苹果开始在美国生产芯片 成台积电美工厂首个客户(2024-09-18)
芯片使用了N4P工艺，和台积电在中国台湾地区生产A16芯片使用的工艺一样。不过，N4P有时被称为4纳米工艺，有时被称为5纳米，但实际上它属于5纳米工艺系列。台积电将其称为5纳米的增强版。
目前，台积......
三星公布芯片制造技术路线图，增强AI芯片代工竞争力(2024-06-13)
，三星还公布了基于AI设计的GAA处理器（(Gate-All-Around，全环绕栅极)，其中第二代3纳米的GGA计划在今年下半年量产，并在即将推出的2纳米工艺中提供GAA。该公司还确认其1.4纳米的......
成本几十万元，俄罗斯自研光刻机又突破了？(2023-10-11)
除了这张路线图，为什么会这样？
制程工艺发展路线及潜在技术[18]
纳米压印是一种采用传统机械模具微复型原理的光刻技术。简单来说，就是大力出奇迹，就像盖章一样，把栅极长度只有几纳米的电路刻在印章上，再将......
英特尔在IEDM 2022上公布了最新的突破性研究，为未来芯片设计奠定了基础(2023-01-24)
多芯片(或多瓦)设计的大众市场客户处理器，每个芯片组都将使用不同的工艺技术制造。英特尔的Meteor
Lake产品将包括四块芯片：使用英特尔4号工艺技术(又称7纳米EUV)制造的计算芯片(CPU......
看似“落后”的28纳米工艺怎么突然又火了？(2021-05-12)
年就已实现量产的工艺节点，在台积电推出5纳米的时代，28纳米有何迷人之处？为何几家代工大厂均将扩产的目光投在这个工艺节点之上？
代工大厂纷纷扩产28纳米
近日，台积......
SOI与finFET工艺对比，谁更优？(2017-02-06)
计生态系统也在持续壮大之中，并且在28nm和22nm的工艺节点上进展尤为迅猛。众多电子设计自动化(EDA)公司正积极研发与FD-SOI相关的IP。目前已有多家IC设计厂商公开表示全面拥抱这项技术，其中一些宣布将在未来的开发路线图中采用......
超导量子比特首次通过贝尔测试，有望促进量子计算和量子加密技术发展(2023-05-12)
人员此前已经确定，成功进行无漏洞贝尔测试的最短距离约为33米，因为光粒子在真空中行进该距离需要大约110纳秒，比研究人员进行实验所花费的时间多了几纳秒。
在最新研究中，ETF科学......
主宰半导体世界的摩尔定律这回真的走到终点了？(2017-08-17)
们设计出各种技术手段来跟上摩尔定律曲线的步伐。90纳米工艺中用到了应变硅；45纳米工艺用到了新材料来提高硅上的每个晶体管的电容。而22纳米则使用了三栅极晶体管来保持持续的缩小。
然而，纵使......
聊聊台积电与三星的4nm工艺“造假”事件(2022-08-29)
工艺来发布”。
此前似乎有消息说骁龙8 Gen 1采用的乃是一种名为4LPX的工艺——而不是三星公开宣传中的4LPE。TechInsights认为4LPX在物理尺寸上（physically）和5LPE......
小米流片3nm手机系统级芯片，是否会引起某国关注？(2024-10-21)
上次小米澎湃S1发布，相隔了7年多时间。
2017年，小米公司宣布了其首款自主研发的移动处理芯片“澎湃S1”， 8核64位处理器，采用了28纳米的制造工艺，最高运行频率可达2.2GHz。该处理器采用了......
未来三年内投资 1000 亿美元扩大其芯片制造能力，并计划在 2025 年生产 2nm芯片(2022-12-07)
未来三年内投资 1000 亿美元扩大其芯片制造能力，并计划在 2025 年生产 2nm芯片;
1nm芯片指的是采用1nm制程的芯片。芯片采用一定的工艺，把一个电路中所需的晶体管、电阻、电容......
半导体工艺迎变局｜5nm芯片进入汽车有戏否？(2023-01-11)
在某些情况下弄清楚如何处理这么多数据方面，问题越来越多。”
5纳米的唯一
2020年6月，恩智浦成为首家采用台积电5纳米工艺技术的汽车芯片公司，为下......
三星公布芯片制造技术路线图，增强AI芯片代工竞争力(2024-06-13)
有助于公司赢得更多人工智能相关芯片的外包制造订单。
此外，三星还公布了基于AI设计的GAA处理器（(Gate-All-Around，全环绕栅极)，其中第二代3纳米的GGA计划在今年下半年量产，并在即将推出的2纳米工艺......
三星、恩智浦、京瓷、蔡司...半导体海外大厂最新动态(2023-04-06)
厂将生产用于芯片制造机械的精细陶瓷部件，以及先进半导体的包装材料。预计该工厂在2028财年的产值将达到250亿日元。这将是该公司自2005年在京都县开设绫部工厂以来的第一个国内工厂。
随着半导体节点缩小到几纳米大小，其生产需要越来越复杂的工艺......
10nm良率噩耗 三星S8、骁龙835抱头痛哭(2016-12-26)
良率都不咋样，10纳米可能和之前20纳米一样都是过度技术，还是16/14/12纳米的工艺更靠谱。”
这里的12nm来自台积电，今年11月首次曝光，据说就是第四代16nm的马甲（因为改良幅度达、漏电......
瓴盛发布首款芯片，采用三星11纳米工艺聚焦AIoT大视觉市场(2023-01-07)
。
JA310采用三星11纳米工艺，据瓴盛科技首席营销官成飞介绍，相比市场上同类型采用28纳米的产品，JA310功耗可以降低70%；集成专业安防级别ISP，支持两路30帧每秒2K视频，或单路30帧每......
X-FAB率先向市场推出110纳米BCD-on-SOI代工解决方案(2023-06-02)
度数字逻辑和模拟功能可以更容易地集成至单个芯片。
X-FAB采用首个110纳米BCD-on-SOI技术实现下一代汽车应用
通过转移到较低的工艺节点，X-FAB XT011产品的标准单元库密度达到其成熟的XT018 180纳米......
ASML正计划搬离荷兰？向外扩张转移业务成为最优解(2024-03-14)
佳能可能解决了这些问题。
纳米压印是一种微纳加工技术，它采用传统机械模具微复型原理，能够代替传统且复杂的光学光刻技术。简单而言，像盖章一样造芯片，把栅极长度只有几纳米的电路刻在印章上，再将印章盖在橡皮泥上，得到......
X-FAB率先向市场推出110纳米BCD-on-SOI代工解决方案(2023-06-02)
首个110纳米BCD-on-SOI技术实现下一代汽车应用
通过转移到较低的工艺节点，X-FAB XT011产品的标准单元库密度达到其成熟的XT018 180纳米BCD-on-SOI半导体平台的两倍；对于......
X－FAB率先向市场推出110纳米BCD－on－SOI代工解决方案(2023-06-02 16:25)
首个110纳米BCD-on-SOI技术实现下一代汽车应用
通过转移到较低的工艺节点，X-FAB XT011产品的标准单元库密度达到其成熟的XT018 180纳米BCD-on-SOI半导体平台的两倍；对于......
三星：3nm 代工市场 2026 年将达 242 亿美元规模(2022-12-12)
表了演讲。本文引用地址：他表示，到 2026 年，全球 3 纳米工艺节点市场将达到 242 亿美元规模，较今年的 12 亿美元增长将超 20 倍。
目前，电子是唯一一家宣布成功量产 3 纳米的公司，随着......
一文读懂台积电上海技术论坛(2023-06-27)
源效率在十年间以15%的年复合增长率提升，以支持半导体产业的惊人成长。同时，台积电先进工艺技术的产能年复合增长率在2019年至2023年间将超过40%。
作为第一家于2020年开始量产5纳米的晶圆厂，台积......
日本入局，全球2纳米制程争夺战升级！(2022-06-16)
结构过渡到GAAFET结构技术节点的迹象，台积电方表示，3纳米的架构将会沿用FinFET结构，而三星则选择采用GAAFET结构。
而2纳米制程的推进，则将这一趋势贯彻到底。业内消息透露，台积......
2022年末实现3nm制程芯片的量产，原规划打算在9月正式量产(2023-01-15)
纳米工艺制程生产，而台积电在原先的规划中打算在9月正式量产，但是因为一些原因延期到12月份。
据报道，南科芯片18厂是台积电5纳米以及3纳米芯片的生产基地，其中芯片18厂5至9期则是3纳米的......
三星7nm工艺揭秘，摩尔定律还能继续(2017-03-13)
材料中发生大的改变是在90纳米工艺，那时全球工业界开始引入应变硅材料。芯片制造商采用外延工艺在PMOS晶体管形成中集成了SiGe的应变硅，或者称让晶格结构发生畸变。这样......
第一代3纳米芯片，iPhone 15 Pro 的芯片给 iPhone 16 用？(2022-11-27)
将把其尖端节点的生产能力从每月8万块晶圆降至6万块。其中大部分将被苹果公司用于2024年的iPhone芯片。
这是因为台积电为苹果这样的客户准备了几种不同种类的3纳米工艺，每个迭代都比之前的好。假设......
从苹果iPhone 16到三星Galaxy S24系列；2024年最受期待的5款(2024-01-04)
载高通骁龙8 Gen 3处理器，采用先进的5纳米工艺。CPU采用Kryo 780架构，主核心时钟频率为3.2GHz，三个金核心时钟频率为2.7GHz，四个银核心时钟频率为2.0GHz。这得益于Adreno......
从苹果iPhone 16到三星Galaxy S24系列；2024年最受期待的5款智能手机发布(2024-01-04 13:54)
载高通骁龙8 Gen 3处理器，采用先进的5纳米工艺。CPU采用Kryo 780架构，主核心时钟频率为3.2GHz，三个金核心时钟频率为2.7GHz，四个银核心时钟频率为2.0GHz。这得......
为什么你买不到最新半导体技术的自动驾驶汽车？(2023-07-24)
了激光雷达行业的发展趋势。如今，市场上绝大多数激光雷达产品都采用1,550纳米技术。当然，在某些情况下，一些公司仍在追求905纳米，但IDTechEx认为，整体上看，该行业正在突破1,550纳米的藩篱。
自动......
5G手机中的低功耗内存有多重要？(2020-09-17)
超清或者蓝光将成为可能，这时候应用空间需要达到20-40G左右。这些全新的技术挑战需要存储器厂商更好的提升存储容量密度和读取速度。
提升存储密度最好的办法是采用更为先进的工艺，例如美光在LPDDR5产品中采用了......
华为芯片背后的神秘大佬，「拯救」了摩尔定律(2023-10-30)
的技术突破之旅。基于此，2013 年海思团队决定跳过 20 纳米制程，直接采用 16 纳米 FinFET 工艺。这个决定对于当时的华为来说非常不易，但最终他们成功了。
在 2013 年寒冷的冬日，海思......
考究：三星到底有没有偷台积电技术？(2017-04-19)
纳米制程的另一个原因，在于FinFET(鳍式场效应电晶体) 先进制程上的命名惯例被三星打破。
当初台积电刚采用立体设计的FinFET 工艺时，原本计画按照与Intel 一致的测量方法、称为20 纳米......
英特尔发布硅自旋量子芯片：用上EUV工艺(2023-06-16)
半导体工艺就能生产。
日前英特尔宣布推出名为Tunnel
Falls的量子芯片，有12个硅自旋量子比特，进一步提升实用性，这也是英特尔迄今为止研发的最先进的硅自旋量子比特，利用了......
关于光谱共焦传感器的精密测量方案(2023-03-15)
°/s)的速度。50nm（50μ°)的位置可重复性是工业生产线的最高标准。
【大行程范围】ECS系列定位器，采用了基于attocube惯性驱动技术的驱动机构，该驱动机构专门对大行程范围为厘米的、环境......
欧空局推出硬币大小的MEMS火箭推进器(2023-10-11)
Laboratory）内采用了他们开发的MEMS工艺制造而成的。他们通过反应离子刻蚀（Reactive Ion Etching，RIE）技术刻蚀难溶金属来构建推进器的结构。接着溅射沉积铱层，铱层......
曝英特尔1.8nm工艺明年量产，NVIDIA后成为其客户(2023-05-31)
曝英特尔1.8nm工艺明年量产，NVIDIA后成为其客户;
据最新消息，Intel计划在2025年之前推出1.8纳米的工艺。然而，目前尚未有官方消息证实该工艺是否能够在明年量产。NVIDIA未来......
三星发布2nm计划，晶圆代工竞争走向新节点(2021-10-11)
指标尚不清楚。不能轻易判断是否也一个大节点。然而根据台积电的工艺细节详情3nm晶体管密度已达到了2.5亿个/mm2，与5nm相比，功耗下降25%～30%，功能提升了10%～15%。2纳米的......
重庆抛光硅片项目产品下线，打破技术壁垒(2016-10-29)
毫米的切片一般采用线切割，以降低所谓的kerf loss （刀刃切口上的材料损耗）。
倒角工艺是可以减少硅片边缘碎裂所引起的表面质量下降的问题，也有......
3D DRAM时代即将到来，泛林集团这样构想3D DRAM的未来架构(2023-08-07)
处更改，在减小硅区域的同时为电容器的工艺处理提供更多空间，从而缩小纳米薄片的面积。
首先，我们将位线移到了纳米薄片的另一侧，使电流通过晶体管栅极穿过整个纳米薄片，这能够从总体上增加电容器工艺......
相关企业
;上海市奥科电子有限公司;;作为一家新型的频率元器件开发与制造的企业，奥科汇集了一批频率类元器件开发及工艺方面的专家，采用了先进的生产及测试设备，采用最佳的工艺，向用户提供性能稳定、品质可靠的产品。
功效强且安全性和功能性均达到国内同类产品的先进水平。 “天道酬勤，商道酬信”，本公司同仁愿为客户提供最优质的产品和最优质的的服务，为您打造一个洁净清新的室内环境。 引用了国际先进纳米技术，采用德国精湛生产工艺，严格按照国际标准。
公司的产品:一、纳米粉体1.1 氧化锌粒度小、大小均匀、分散好，广泛应用于塑料、橡胶、涂料、油墨、陶瓷、电子器械等领域。本公司对产品采用了先进的后处理技术，其质量居国内领先地位。1.2 白碳黑颗粒分散好，广泛
丰富的设计开发和制造经验。公司是由来自沈变工艺处、沈变电工设备公司的设计开发人员及生产管理的骨干人员为核心，组成了以科技为先导，质量为生命的变压器工艺装备制造企业。本公司除采用了二维CAD设计外，还引用了较先进的三维CAD设计
～20000HZ 连续可调;独特方面： 宝辰牌开关电源有三大特点： 1、高效：。产品核心部件采用“甲壳虫” 纳米变压器，磁芯采用纳米软磁材料制成，采用无接缝处理，铜损极小，转换率高达99.5
频率: 0～20000HZ 连续可调; 独特方面： 宝辰牌开关电源有三大特点： 1、高效：。产品核心部件采用“甲壳虫” 纳米变压器，磁芯采用纳米软磁材料制成，采用无接缝处理，铜损
美好的明天。我厂生产的FJ系列高频电镀电源，是以逆变技术与纳米材料应用为主要特征的高科技产品。该产品以进口大功率绝缘栅双极型晶体管“IGBT”模块为主功率器件，以超微晶（又称纳米晶）软磁合金材料为主变压器铁芯，主控制电路系统采用了
、QLM-200型气流粉碎机3、纳米搅拌磨，可生产200纳米的产品4、高精度粒度检测仪。5、瓷球生产线。6、先进的机加工设备7、IR-2型红外线检测设备8、X光衍射9、原子吸收分光光度计10、稀土
;苏州拉奇纳米科技有限公司;;“拉奇企业有限公司”（La Chi Enterprise Co .,Ltd.）创立于1984年，在随后的发展中公司经历了几次的生产设备扩充，2001年成
;深圳市中望达科技有限公司;;公司集研发、生产、销售于一体，专业生产销售非晶、纳米晶磁环及元器件。公司自创建以来，采用先进的工艺技术及优质的原材料，开发制造了具有优良品质的各类型磁性产品。 公司