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150亿晶体管!苹果A15仿生芯片登场,iPhone 13系列“香不香”?;9月15日凌晨,苹果秋季新品发布会如期而至。发布会上,苹果正式发布iPhone 13系列智能手机,包括iPhone 13......
台积电首提 1nm A10 工艺,计划到 2030 年实现 1 万亿晶体管的单个芯片封装;12 月 28 日消息,据 Tom's Hardware 报道,在本月举行的 IEDM 2023 会议......
半导体大厂万亿晶体管技术路线曝光,1nm芯片2030年完成?;在近日举办的IEEE国际电子元件会议(IEDM)上,台积电分享了一个包含1万亿晶体管的芯片封装路线。据悉,这或成为行业2030年以......
台积电首提1nm工艺,实现1万亿晶体管的单个芯片封装; 业内消息,近日在IEDM 2023会议上制定了提供包含1万亿个的路线,来自单个上的3D封装小芯片集合,与此......
2nm技术来源主要是IBM,他们在2021年就率先宣布研发出了2nm工艺。 据了解,IBM的2nm工艺使用了GAA环绕栅极晶体管技术,密度可达3.33亿晶体管/mm2,几乎是台积电5nm的两倍,也比......
2080亿晶体管!英伟达推出最强AI芯片GB200:今年上市; 3月19日消息,在GTC 2024大会上,英伟达CEO黄仁勋宣布推出新一代 Blackwell。 第一款Blackwell名为......
AMD Zen4 IO内核首次揭秘,902亿晶体管; Zen4架构和CCD计算内核设计已经没什么秘密了,但是做辅助的IOD输入输出内核一直比较神秘。 直到最近的IEEE ISSCC......
英特尔:让每个晶体管物尽其用; 虽然摩尔定律在放缓,但集成度仍然不断增加,消费类产品旗舰设备所用的处理器动辄集成数十亿晶体管,如果......
英伟达GPU弱爆了!世界第一AI芯片升级4万亿晶体管、90万核心;3月14日消息,Cerebras Systems发布了他们的第三代晶圆级AI加速芯片“WSE-3”(Wafer Scale......
报道,AMD还透露,Instinct MI300能将ChatGPT、DALL•E等大模型的训练时间,从几个月缩短到几周。 Ryzen 7040性能超越苹果M2 除了祭出1460亿晶体管......
高达920亿晶体管!苹果发布M3系列PC芯片,采用3nm工艺;近日,苹果公司(Apple)正式发布M3、M3 Pro和M3 Max芯片,是首款采用3nm工艺技术的个人电脑芯片。三款......
量产芯片“龙鹰一号”。本文引用地址:“龙鹰一号”由吉利旗下自研,该芯片采用工艺,拥有87层电路和88亿晶体管,芯片面积仅83平方毫米,拥有8核心CPU和14核GPU,集成了安谋科技自研的、可编程的NPU......
首搭中国首款自研车规级7纳米量产芯片“龙鹰一号”。 “龙鹰一号”由吉利旗下芯擎科技自研,该芯片采用7nm工艺,拥有87层电路和88亿晶体管,芯片面积仅83平方毫米,拥有8核心CPU和14核GPU,集成......
说辞,Intel 4 HP 高性能库的晶体管密度可达 1.6 亿 / mm2,是目前 Intel 7 工艺的 2 倍,高于台积电的 5nm 工艺的 1.3 亿 / mm2,接近台积电 3nm 的 2.08 亿晶体管......
1530 亿晶体管!AMD 全新 AI 芯片欲单杀英伟达; 据业内信息报道,昨天在美国旧金山举行的数据中心与人工智能技术发布会上, 正式发布了新一代的面向AI及HPC领域的GPU产品......
首搭中国首款自研车规级7纳米量产芯片“龙鹰一号”。 “龙鹰一号”由吉利旗下芯擎科技自研,该芯片采用7nm工艺,拥有87层电路和88亿晶体管,芯片面积仅83平方毫米,拥有8核心CPU和14核GPU,集成......
让数百台服务器能够像一个拥有统一内存的巨型 GPU 那样的方式高效运行。 所以,由于 AI 应用的推动,硅光子技术将成为半导体行业中最为关键的技术之一。 迈向一万亿晶体管 GPU 当前用于 AI 训练的 GPU 芯片,约有......
英特尔继续推进摩尔定律,为在2030年打造出万亿晶体管芯片铺平道路;在IEDM 2022(2022 IEEE国际电子器件会议)上,发布了多项突破性研究成果,继续探索技术创新,以在......
最高存储和工作温度: -65 至 +150 ℃ 五、TIP147测试方法 1、用万用表测试 打开万用表并将测量刻度设置为“二极管测试”。 将黑色万用表探头放在晶体管的基极引线上。如果将晶体管......
,龍鷹一号定位智能座舱芯片,采用ARM CPU/GPU和安谋科技(中国)自研“周易”NPU架构设计,集成87层电路,拥有88颗亿晶体管。此外还整合VPU、ISP、DPU、DSP集群,并内......
英特尔继续推进摩尔定律,为在2030年打造出万亿晶体管芯片铺平道路;在晶体管诞生75周年之际,英特尔在IEDM 2022上宣布将把封装技术的密度再提升10倍,并使用厚度仅三个原子的新材料推进晶体管......
英特尔继续推进摩尔定律,为在2030年打造出万亿晶体管芯片铺平道路; 在IEDM 2022(2022 IEEE国际电子器件会议)上,英特尔发布了多项突破性研究成果,继续探索技术创新,以在......
集成电路工艺已经受到很大挑战,物理、化学很多方面都达到了极限。以7nm工艺节点为例,在每平方毫米要做1亿晶体管,这相当于在指甲盖上造一座大规模的城市。” 朱一明认为,集成......
Pro 和 M2 Max。根据苹果的官方数据显示,M2 Pro采用第二代5纳米制程工艺,继承约400亿晶体管,支持最高12核CPU和最高19核GPU,并支持最高32GB统一内存以及200GB/s统一......
M2 Max。 根据苹果的官方数据显示,M2 Pro采用第二代5纳米制程工艺,继承约400亿晶体管,支持最高12核CPU和最高19核GPU,并支持最高32GB统一内存以及200GB/s统一......
亿晶体管,单芯每秒可进行147万亿次FP16计算,每秒可完成上百路摄像头视频通道的人工智能处理,性能达市场主流产品的两倍。 天数智芯总部位于上海张江,是中国第一家专注于GPGPU芯片......
英伟达在芯片设计过程中用上聊天机器人;10月31日消息,周一,制造商发布了一项新研究成果,他们在设计过程中使用,以提高沟通和测试效率。本文引用地址:现代是由上千亿晶体管组成的大规模集成电路,将它......
特尔签署联合开发协议,共同研发2nm制造工艺。今年5月,IBM率先发布全球首个2nm制造工艺。实现在芯片上每平方毫米集成3.33亿个晶体管,远超此前三星5nm工艺的每平方毫米约1.27亿晶体管数量,极大......
英特尔继续推进摩尔定律,为在2030年打造出万亿晶体管芯片铺平道路;在晶体管诞生75周年之际,英特尔在IEDM 2022上宣布将把封装技术的密度再提升10倍,并使用厚度仅三个原子的新材料推进晶体管......
英特尔继续推进摩尔定律,为在2030年打造出万亿晶体管芯片铺平道路;在晶体管诞生75周年之际,英特尔在IEDM 2022上宣布将把封装技术的密度再提升10倍,并使用厚度仅三个原子的新材料推进晶体管......
帮助这家半导体巨头支持他们之前关于到2030年交付基于芯片的万亿晶体管处理器。 英特尔的新晶体管和封装技术研究主要集中在推进CPU的性能和效率,缩小传统单片处理器和基于芯片的新设计之间的距离。提交......
多小芯片放在一颗大芯片上成了主流做法。 除了在宏观层面上的大,芯片巨头们也追求微观中的大。 IEDM 2022上,英特尔提到,到2030年做到单芯片集成1万亿个晶体管的目标,而在最近,台积电也放出到2030年实现1万亿晶体管......
可在发生短路的情况下防止负载损坏。供货OptiMOS线性场效应晶体管现可供货,有三个电压等级:100 V、150 V和200 V。它们可采用D2PAK或D2PAK 7pin封装。这些行业标准封装兼容简易替换元件。......
)的联发科技(Mediatek);这些厂商透过收购来为先进的MCU或处理器组件添加电源管理技术。   对一家以14纳米制程打造内含50亿晶体管之组件的处理器制造商来说,要客......
%,整体 GPU 核心增加了 20%,且由于工艺制程的进步,A17 Pro芯片的整体面积略有缩小,但晶体管数量来到了新高,为190亿,对比上代的160亿晶体管,增加了近20%,能够完成如此大的升级,台积......
芯片光刻。 因为每种芯片都要经历多次曝光,所以光刻中使用的掩膜数量不尽相同。NVIDIA H100(台积电4N工艺,800亿晶体管)需要89张掩膜,Intel的14nm CPU需要50多张掩膜。 此前......
在 TSMC N16 上有一个 100 亿晶体管的芯片,其中 40% 是 SRAM,60% 是逻辑晶体管,假设其芯片面积约为 255mm²,其中 45mm²(或 17.6%) 为 SRAM,而将......
垂直GaN JFET的动态性能;美国弗吉尼亚理工学院、州立大学和NexGen电力系统公司首次对垂直(GaN)功率晶体管的动态电阻( RON)和阈值电压(VTH)稳定性进行了实验表征。研究......
ST最新的双极功率晶体管媲美MOSFET的能效且具备紧凑封装;意法半导体的3STL2540提供双极晶体管的成本优势和硅面积使用效率,同时兼具同级MOSFET的能效,为设......
GTC大会上发布了新自动驾驶芯片——Thor。Thor的特点:一是超高AI性能,拥有770亿晶体管,而上一代的Orin是170亿晶体管。如果是INT8格式,估计可以达到4000TOPS。二是支持FP8......
智芯是国内领先的通用GPU高端芯片及超级算力系统提供商。其天垓100 GPU芯片采用7纳米制程工艺和2.5D CoWoS晶圆封装技术,集成240亿晶体管,支持多精度数据类型标准或混合训练,提供片间互联扩展,AI算力......
业界最先进的5nm工艺,单芯片容纳高达600亿晶体管;在芯片架构上,基于最新的ARMv9架构,内含128核CPU,主频最高达到3.2GHz,能同时兼顾性能和功耗。在内存和接口方面,集成业界最领先的DDR5......
段,极小(纳米)与超大(万亿晶体管)制造工艺的极限组合已经成为主流,该组合对芯片的制造工艺提出了更高的要求。 从技术层面来看,我国芯片制造的技术基础薄弱,产业技术储备匮乏。世界龙头企业作为先行者,早期......
晶体管的高动态范围混频器电路分享;混频器应具有低噪声和高动态性能。大多数标准混频器使用反相运算放大器。不幸的是,许多运算放大器的噪声系数很差。噪声......
发布全球首个2nm制造工艺。实现在芯片上每平方毫米集成3.33亿个晶体管,远超此前三星5nm工艺的每平方毫米约1.27亿晶体管数量,极大地提升了芯片性能。 随着5G、高性能计算、人工智能的发展,市场......
率较低,输出阻抗也较低。 150 瓦功率放大器电路图: 功率放大器电路设计: AB 类放大器级的设计: 晶体管的选择:  这里所需的输出功率为 150W。考虑到晶体管的功率耗散,我们假设所需功率约为 200W......
IR推出坚固可靠的全新1200V超高速绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 系列;IR推出坚固可靠的全新1200V超高速绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 系列,针对工业电机驱动及不间断电源 (UPS) 应用......
出了其首款高性能人工智能推理芯片——含光800,基于12nm工艺与自研架构,集成了170亿晶体管,性能峰值算力达820 TOPS。在业界标准的ResNet-50测试中,推理性能达到78563 IPS,能效比达500 IPS......
功率半导体市场放缓,报告称中国大陆企业转向 12 英寸晶圆和 IGBT 晶体管;11 月 28 日消息,根据集邦咨询发布的最新报告,在功率半导体市场减速的大背景下,中国大陆企业在 12 英寸......
出电流约为 50mA,由于我们使用的是低基极电流晶体管 BC547,因此需要约 150 欧姆的电阻。使用的变压器是 230/12V 变压器。变压器的初级连接到 230V 交流电源,次级连接到整流器。 如何......

相关企业

;上饶市亿晶光学有限公司;;江西亿晶光学有限公司是专业加工光学透镜、光学球面透镜、平凸透镜、锗透镜、光学元件、美国进口ZnSe材料、透镜、晶体透镜、红外透镜、月牙透镜、反射镜、棱镜、等产品。公司
;安丘市科威电子有限公司;;我公司已有13年半导体器件生产历史,设备先进,测试仪器齐全,例行实验设施完善。主要产品有:1.NPN硅低频大功率晶体管 3DD1-3DD12,3DD21
;东莞灿域电子有限公司;;我司是一家生产代理.二三极管 .产品系列有各种封装的 晶体管 场效应管 可控蛙 三端稳压IC等品种达800遇种. 产品用于;显示器 电源 音响 电话机 电脑 玩具 节能
;szwtron;;分布式组件、集成电路、电子组件、被动组件等。主动组件:小信号晶体管、功率晶体管、场效应晶体管、IGBT、线性IC、逻辑处理IC、LCD驱动IC、、MP3IC、DVDIC、工业
主要产品是江苏供应长电全系列二/三极管,晶体管,MOS管,压敏电阻,TVS管,整流管,稳压管,双晶体管,数字晶体管,镇流器专用开关晶体管等被动元器件。 公司秉承想客户之所想,急客户之所急的经营思路,快速,高效,灵活
类电子元器件,主要产品包括:高频中、小功率晶体管、玻璃封装硅功率二极管、高压硅堆、单相、三相桥式硅整流器、高频大功率晶体管、低频大功率PNP、NPN晶体管、功率晶体开关管、达林顿PNP、NPN功率晶体管、功率MOS
;深圳市雄基电子器材有限公司;;是深圳老牌的电子产品供应商,公司位于华强北电子大厦。主要产品:稳压电路 .稳压二极管 1瓦 . 集成电路 . 稳压二极管 .To-92双极型晶体管 . 贴片
;瀚博(香港)集团有限公司;;瀚博集团有限公司是专业提供被动电子元器件供应商。致力为您提供专业化的服务。全面满足广大用户多方位的需求。公司主要产品是全系列二/三极管,晶体管,MOS管,TVS管,整流
;瀚博集团有限公司;;瀚博集团有限公司是专业提供被动电子元器件供应商。致力为您提供专业化的服务。全面满足广大用户多方位的需求。公司主要产品是全系列二/三极管,晶体管,MOS管,压敏电阻,TVS管
;安丘市中惠电子有限公司;;安丘市中惠电子有限公司,毗邻美丽的世界风筝都-潍坊,是国内生产半导体分离器件的专业厂家。主要生产高、低频大功率晶体管,高频小功率晶体管,高反压大功率晶体管、三极管、达琳顿晶体管