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150亿晶体管!苹果A15仿生芯片登场,iPhone 13系列“香不香”?;9月15日凌晨,苹果秋季新品发布会如期而至。发布会上,苹果正式发布iPhone 13系列智能手机,包括iPhone 13......
台积电首提 1nm A10 工艺,计划到 2030 年实现 1 万亿晶体管的单个芯片封装;12 月 28 日消息,据 Tom's Hardware 报道,在本月举行的 IEDM 2023 会议......
半导体大厂万亿晶体管技术路线曝光,1nm芯片2030年完成?;在近日举办的IEEE国际电子元件会议(IEDM)上,台积电分享了一个包含1万亿晶体管的芯片封装路线。据悉,这或成为行业2030年以......
台积电首提1nm工艺,实现1万亿晶体管的单个芯片封装; 业内消息,近日在IEDM 2023会议上制定了提供包含1万亿个的路线,来自单个上的3D封装小芯片集合,与此......
2nm技术来源主要是IBM,他们在2021年就率先宣布研发出了2nm工艺。 据了解,IBM的2nm工艺使用了GAA环绕栅极晶体管技术,密度可达3.33亿晶体管/mm2,几乎是台积电5nm的两倍,也比......
新思科技公布了1.6纳米背面布线项目;近日,新思科技(Synopsys)披露了1.6纳米背面电源布线项目,这将是万亿晶体管芯片的关键。 目前,新思科技和台积电正在开发支持台积电A16 1.6......
2080亿晶体管!英伟达推出最强AI芯片GB200:今年上市; 3月19日消息,在GTC 2024大会上,英伟达CEO黄仁勋宣布推出新一代 Blackwell。 第一款Blackwell名为......
AMD Zen4 IO内核首次揭秘,902亿晶体管; Zen4架构和CCD计算内核设计已经没什么秘密了,但是做辅助的IOD输入输出内核一直比较神秘。 直到最近的IEEE ISSCC......
英伟达GPU弱爆了!世界第一AI芯片升级4万亿晶体管、90万核心;3月14日消息,Cerebras Systems发布了他们的第三代晶圆级AI加速芯片“WSE-3”(Wafer Scale......
英特尔:让每个晶体管物尽其用; 虽然摩尔定律在放缓,但集成度仍然不断增加,消费类产品旗舰设备所用的处理器动辄集成数十亿晶体管,如果......
报道,AMD还透露,Instinct MI300能将ChatGPT、DALL•E等大模型的训练时间,从几个月缩短到几周。 Ryzen 7040性能超越苹果M2 除了祭出1460亿晶体管......
高达920亿晶体管!苹果发布M3系列PC芯片,采用3nm工艺;近日,苹果公司(Apple)正式发布M3、M3 Pro和M3 Max芯片,是首款采用3nm工艺技术的个人电脑芯片。三款......
和二维材料 晶体管技术的进步一直以来都是英特尔的主业之一,英特尔的目标是到2030年实现一万亿晶体管的宏伟目标。 Intel展示了其在Gate-All-Around(GAA......
量产芯片“龙鹰一号”。本文引用地址:“龙鹰一号”由吉利旗下自研,该芯片采用工艺,拥有87层电路和88亿晶体管,芯片面积仅83平方毫米,拥有8核心CPU和14核GPU,集成了安谋科技自研的、可编程的NPU......
首搭中国首款自研车规级7纳米量产芯片“龙鹰一号”。 “龙鹰一号”由吉利旗下芯擎科技自研,该芯片采用7nm工艺,拥有87层电路和88亿晶体管,芯片面积仅83平方毫米,拥有8核心CPU和14核GPU,集成......
1530 亿晶体管!AMD 全新 AI 芯片欲单杀英伟达; 据业内信息报道,昨天在美国旧金山举行的数据中心与人工智能技术发布会上, 正式发布了新一代的面向AI及HPC领域的GPU产品......
说辞,Intel 4 HP 高性能库的晶体管密度可达 1.6 亿 / mm2,是目前 Intel 7 工艺的 2 倍,高于台积电的 5nm 工艺的 1.3 亿 / mm2,接近台积电 3nm 的 2.08 亿晶体管......
首搭中国首款自研车规级7纳米量产芯片“龙鹰一号”。 “龙鹰一号”由吉利旗下芯擎科技自研,该芯片采用7nm工艺,拥有87层电路和88亿晶体管,芯片面积仅83平方毫米,拥有8核心CPU和14核GPU,集成......
让数百台服务器能够像一个拥有统一内存的巨型 GPU 那样的方式高效运行。 所以,由于 AI 应用的推动,硅光子技术将成为半导体行业中最为关键的技术之一。 迈向一万亿晶体管 GPU 当前用于 AI 训练的 GPU 芯片,约有......
高功率效率的同时实现性能的指数级增长。传统上对摩尔定律的依赖已不再足够,因为最近的节点转换不再能持续实现预期的两倍性能、功率和面积改进。 随着我们在本世纪末向万亿晶体管系统迈进,这些......
英特尔继续推进摩尔定律,为在2030年打造出万亿晶体管芯片铺平道路;在IEDM 2022(2022 IEEE国际电子器件会议)上,发布了多项突破性研究成果,继续探索技术创新,以在......
最高存储和工作温度: -65 至 +150 ℃ 五、TIP147测试方法 1、用万用表测试 打开万用表并将测量刻度设置为“二极管测试”。 将黑色万用表探头放在晶体管的基极引线上。如果将晶体管......
,龍鷹一号定位智能座舱芯片,采用ARM CPU/GPU和安谋科技(中国)自研“周易”NPU架构设计,集成87层电路,拥有88颗亿晶体管。此外还整合VPU、ISP、DPU、DSP集群,并内......
英特尔继续推进摩尔定律,为在2030年打造出万亿晶体管芯片铺平道路;在晶体管诞生75周年之际,英特尔在IEDM 2022上宣布将把封装技术的密度再提升10倍,并使用厚度仅三个原子的新材料推进晶体管......
英特尔继续推进摩尔定律,为在2030年打造出万亿晶体管芯片铺平道路; 在IEDM 2022(2022 IEEE国际电子器件会议)上,英特尔发布了多项突破性研究成果,继续探索技术创新,以在......
集成电路工艺已经受到很大挑战,物理、化学很多方面都达到了极限。以7nm工艺节点为例,在每平方毫米要做1亿晶体管,这相当于在指甲盖上造一座大规模的城市。” 朱一明认为,集成......
Pro 和 M2 Max。根据苹果的官方数据显示,M2 Pro采用第二代5纳米制程工艺,继承约400亿晶体管,支持最高12核CPU和最高19核GPU,并支持最高32GB统一内存以及200GB/s统一......
M2 Max。 根据苹果的官方数据显示,M2 Pro采用第二代5纳米制程工艺,继承约400亿晶体管,支持最高12核CPU和最高19核GPU,并支持最高32GB统一内存以及200GB/s统一......
英伟达在芯片设计过程中用上聊天机器人;10月31日消息,周一,制造商发布了一项新研究成果,他们在设计过程中使用,以提高沟通和测试效率。本文引用地址:现代是由上千亿晶体管组成的大规模集成电路,将它......
亿晶体管,单芯每秒可进行147万亿次FP16计算,每秒可完成上百路摄像头视频通道的人工智能处理,性能达市场主流产品的两倍。 天数智芯总部位于上海张江,是中国第一家专注于GPGPU芯片......
高端智能制造示范工厂。 亿晶光电成立于2003年,注册资本212,946万元,现有员工3500余人,占地面积2500余亩,是中国专业光伏产品制造商之一。主营业务为高效晶体硅太阳能电池及组件的研发、生产和销售,具备......
特尔签署联合开发协议,共同研发2nm制造工艺。今年5月,IBM率先发布全球首个2nm制造工艺。实现在芯片上每平方毫米集成3.33亿个晶体管,远超此前三星5nm工艺的每平方毫米约1.27亿晶体管数量,极大......
英特尔继续推进摩尔定律,为在2030年打造出万亿晶体管芯片铺平道路;在晶体管诞生75周年之际,英特尔在IEDM 2022上宣布将把封装技术的密度再提升10倍,并使用厚度仅三个原子的新材料推进晶体管......
英特尔继续推进摩尔定律,为在2030年打造出万亿晶体管芯片铺平道路;在晶体管诞生75周年之际,英特尔在IEDM 2022上宣布将把封装技术的密度再提升10倍,并使用厚度仅三个原子的新材料推进晶体管......
帮助这家半导体巨头支持他们之前关于到2030年交付基于芯片的万亿晶体管处理器。 英特尔的新晶体管和封装技术研究主要集中在推进CPU的性能和效率,缩小传统单片处理器和基于芯片的新设计之间的距离。提交......
多小芯片放在一颗大芯片上成了主流做法。 除了在宏观层面上的大,芯片巨头们也追求微观中的大。 IEDM 2022上,英特尔提到,到2030年做到单芯片集成1万亿个晶体管的目标,而在最近,台积电也放出到2030年实现1万亿晶体管......
可在发生短路的情况下防止负载损坏。供货OptiMOS线性场效应晶体管现可供货,有三个电压等级:100 V、150 V和200 V。它们可采用D2PAK或D2PAK 7pin封装。这些行业标准封装兼容简易替换元件。......
)的联发科技(Mediatek);这些厂商透过收购来为先进的MCU或处理器组件添加电源管理技术。   对一家以14纳米制程打造内含50亿晶体管之组件的处理器制造商来说,要客......
芯片光刻。 因为每种芯片都要经历多次曝光,所以光刻中使用的掩膜数量不尽相同。NVIDIA H100(台积电4N工艺,800亿晶体管)需要89张掩膜,Intel的14nm CPU需要50多张掩膜。 此前......
%,整体 GPU 核心增加了 20%,且由于工艺制程的进步,A17 Pro芯片的整体面积略有缩小,但晶体管数量来到了新高,为190亿,对比上代的160亿晶体管,增加了近20%,能够完成如此大的升级,台积......
在 TSMC N16 上有一个 100 亿晶体管的芯片,其中 40% 是 SRAM,60% 是逻辑晶体管,假设其芯片面积约为 255mm²,其中 45mm²(或 17.6%) 为 SRAM,而将......
新思科技携手台积公司助力万亿晶体管时代的人工智能和多芯片系统设计;经过优化的 EDA 和 IP 全面解决方案为台积公司 N2 和 A16 工艺带来强化的计算性能、功耗和工程生产力 摘要: 由......
新思科技携手台积公司助力万亿晶体管时代的人工智能和多芯片系统设计;经过优化的 EDA 和 IP 全面解决方案为台积公司 N2 和 A16 工艺带来强化的计算性能、功耗和工程生产力摘要:• 由......
垂直GaN JFET的动态性能;美国弗吉尼亚理工学院、州立大学和NexGen电力系统公司首次对垂直(GaN)功率晶体管的动态电阻( RON)和阈值电压(VTH)稳定性进行了实验表征。研究......
ST最新的双极功率晶体管媲美MOSFET的能效且具备紧凑封装;意法半导体的3STL2540提供双极晶体管的成本优势和硅面积使用效率,同时兼具同级MOSFET的能效,为设......
GTC大会上发布了新自动驾驶芯片——Thor。Thor的特点:一是超高AI性能,拥有770亿晶体管,而上一代的Orin是170亿晶体管。如果是INT8格式,估计可以达到4000TOPS。二是支持FP8......
智芯是国内领先的通用GPU高端芯片及超级算力系统提供商。其天垓100 GPU芯片采用7纳米制程工艺和2.5D CoWoS晶圆封装技术,集成240亿晶体管,支持多精度数据类型标准或混合训练,提供片间互联扩展,AI算力......
业界最先进的5nm工艺,单芯片容纳高达600亿晶体管;在芯片架构上,基于最新的ARMv9架构,内含128核CPU,主频最高达到3.2GHz,能同时兼顾性能和功耗。在内存和接口方面,集成业界最领先的DDR5......
段,极小(纳米)与超大(万亿晶体管)制造工艺的极限组合已经成为主流,该组合对芯片的制造工艺提出了更高的要求。 从技术层面来看,我国芯片制造的技术基础薄弱,产业技术储备匮乏。世界龙头企业作为先行者,早期......
深圳地方级领军人才和孔雀人才构成的稳定研发团队,具备大规模量产和技术研发经验。FL6031FL6031是全球第一颗量产的高分辨率大面阵SPAD芯片,是一颗包含数亿晶体管的SOC,完美结合了SPAD器件和Logic电路,把激......

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;上饶市亿晶光学有限公司;;江西亿晶光学有限公司是专业加工光学透镜、光学球面透镜、平凸透镜、锗透镜、光学元件、美国进口ZnSe材料、透镜、晶体透镜、红外透镜、月牙透镜、反射镜、棱镜、等产品。公司
;安丘市科威电子有限公司;;我公司已有13年半导体器件生产历史,设备先进,测试仪器齐全,例行实验设施完善。主要产品有:1.NPN硅低频大功率晶体管 3DD1-3DD12,3DD21
;东莞灿域电子有限公司;;我司是一家生产代理.二三极管 .产品系列有各种封装的 晶体管 场效应管 可控蛙 三端稳压IC等品种达800遇种. 产品用于;显示器 电源 音响 电话机 电脑 玩具 节能
;szwtron;;分布式组件、集成电路、电子组件、被动组件等。主动组件:小信号晶体管、功率晶体管、场效应晶体管、IGBT、线性IC、逻辑处理IC、LCD驱动IC、、MP3IC、DVDIC、工业
主要产品是江苏供应长电全系列二/三极管,晶体管,MOS管,压敏电阻,TVS管,整流管,稳压管,双晶体管,数字晶体管,镇流器专用开关晶体管等被动元器件。 公司秉承想客户之所想,急客户之所急的经营思路,快速,高效,灵活
类电子元器件,主要产品包括:高频中、小功率晶体管、玻璃封装硅功率二极管、高压硅堆、单相、三相桥式硅整流器、高频大功率晶体管、低频大功率PNP、NPN晶体管、功率晶体开关管、达林顿PNP、NPN功率晶体管、功率MOS
;深圳市雄基电子器材有限公司;;是深圳老牌的电子产品供应商,公司位于华强北电子大厦。主要产品:稳压电路 .稳压二极管 1瓦 . 集成电路 . 稳压二极管 .To-92双极型晶体管 . 贴片
;瀚博(香港)集团有限公司;;瀚博集团有限公司是专业提供被动电子元器件供应商。致力为您提供专业化的服务。全面满足广大用户多方位的需求。公司主要产品是全系列二/三极管,晶体管,MOS管,TVS管,整流
;瀚博集团有限公司;;瀚博集团有限公司是专业提供被动电子元器件供应商。致力为您提供专业化的服务。全面满足广大用户多方位的需求。公司主要产品是全系列二/三极管,晶体管,MOS管,压敏电阻,TVS管
;安丘市中惠电子有限公司;;安丘市中惠电子有限公司,毗邻美丽的世界风筝都-潍坊,是国内生产半导体分离器件的专业厂家。主要生产高、低频大功率晶体管,高频小功率晶体管,高反压大功率晶体管、三极管、达琳顿晶体管