台积电于 12 月 29 日在台南科学园区举办 3nm 量产暨扩厂典礼,正式宣布启动 3nm 大规模生产。虽然三星早在半年前就已经开启了 N3(3nm)工艺芯片制造,但由于刚刚采用 GAA 的原因似乎生产良率有严重下滑。
当然,三星也没有坐以待毙,此前业界称其已经联合 IBM、Silicon Frontline Technology 等公司合作提高 3nm 成品率,希望为自家手机争取到部分高通骁龙 8 Gen3 的订单。
根据台积电自己的说法来看,其 3nm 和 5nm 问世之初的良率基本一致。对比之下,三星 3nm GAA 刚投产时,良率仅有可怜的 20%,废片率高得离谱。不过最近还有消息称,三星 3nm 良率已经大幅提高,目前已经“接近完美”。
据韩国每日经济新闻报道,三星一位高管在受访时表示,相比于此前受困的良率问题,三星第一代的 3nm 制程良率已接近完美,第二代 3nm 芯片技术也迅速展开。此外,此前传闻的中 90% 的台积电 3nm 良率过于夸张,实际可能在 50% 以上。
台积电已经在去年年底踩点开始 3nm FinFET 芯片量产。Business Next 发表的一份报告称,根据专门从事半导体研究的专家描述,台积电当时 3nm 工艺的成率估计约为 60-70%,在某些情况下可以超过 70%。
韩媒报道进一步指出,在三星与台积电都进入 3nm 制程的时代之后,未来 3nm 制程将会成为晶圆代工市场的主流。因此,预计到 2025 年之际,3nm 制程市场的产值将会高达 255 亿美元,超越当时 5nm 制程预估的 193 亿美元产值。
根据市场调查单位 TrendForce 的调查数据显示,2022 年第三季,在全球晶圆代工市场中,台积电仍以 53.4% 市场份额稳居第一,排名第二的三星市场份额仅 16.4%。所以,在市场烈竞争下,也使得 3nm 制程将成为未来两家公司主要竞争的关键。
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