韩媒近日在报道中表示,在开始量产3nm制程芯片的时间点,电子已经大幅提高了3nm制程芯片的生产良率,已经达到了完美水准,同时认为台积电的3nm制程良率不超过50%。
根据业内的惯例,各大晶圆代工厂商3nm制程工艺的良率都非常保密。前不久台积电董事长刘德音在南方科技园3nm量产暨扩厂典礼致词表示,除了市场需求非常强劲外,台积电3nm制程良率已经和同期5nm量产相当。
据悉,台积电作为全球晶圆代工龙头,也是全球首家宣称3nm量产良率已和5nm初期相当的厂商,实际量产技术能力并在良率稳健才持续扩产,预期良率远优于对手。
由于先进制程判断良率基本均采用的是平均缺陷密度即D0值,业界去年曾传出晶圆代工D0值非常大,即良率低于60%。
根据董事长刘德音在南方科技园的说法,3nm良率已经和同期5nm量产相当,半导体业内预估良率大约在80%。
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