据 21ic 信息报道,的第一代 3nm 工艺(N3)仍采用鳍式场效应晶体管架构制程工艺,在去年最后的几天在南科厂正式投入开始商业量产,随后产能在不断提升。有报道称已经量产了一个季度的台积电 3nm(N3)制程工艺目前的良率约为 63%,正在追赶自家 4nm 良率。
3nm是目前半导体制程工艺的前沿之作,台积电选择将其放在南部科学工业园区而不是亚利桑那凤凰城,也向外界表明了先进制程留在中国台湾和不放弃大本营的原则。目前在代工领域最大的对手就是三星,三星的晶圆代工事业部之前就表示要在上半年率先量产出 3nm工艺。
台湾南部科学工业园区的台积电 18 厂就是本次 3nm 制程工艺的主要量产工厂,台积电最新的 3nm 制程工艺不仅是现阶段 5nm 制程工艺之后的一代全新制程,更是细分了多个节点工艺,比如 N3E、N3P 等。
根据台积电的财报数据,去年各制程的营收占比数据为:5nm 营收占比提升至 26%,7nm 营收占比则降至 27%,16nm 营收占比为 13%,28nm 营收占比为 10%,7nm 及以下先进制程占比已经达到了 53%。
台积电总裁魏哲家预计,在高性能计算和智能手机等应用的推动下,3nm 产品将在今年实现市场平稳增长,第二代 3nm(N3E)制程工艺将于今年第三季度量产,预估今年 N3+N3E 将合计贡献大约 5% 的营收。
据悉,台积电 3nm 首发客户目前只有苹果一家,高通、联发科、英伟达、AMD 等其他客户都认为报价太高,均表示并不急于推出 3nm 产品,至少要等到 2024 年下半年,由此也可推断今年上半年 N3 带给台积电的营收增幅并不会很多。
根据外媒的报道,目前 3nm(N3)制程工艺的良率相比于早投产的 4nm 还是有差距,但随着量产时间的延长,良率会逐渐攀升,未来有望达到甚至超过 4nm 工艺的水平。目前并不清楚三星 3nm 制程工艺的良率,但三星的 4nm 制程工艺良率有明显提升,缩小了和台积电的差距。
有市场分析师指出,预计今年下半年台积电 3nm(N3)制程工艺的良率和产能都将获得较大提升,但届时 3nm(N3E)可能也会准备就绪,这将使得在高性能计算、智能手机以及定制芯片等的客户可能会尝试台积电的 N3/N3E。
业内传闻台积电为了刺激客户使用其 3nm(N3 和 N3E)制程工艺,正在考虑降低该系列制程的报价,尤其是后者,因为该制程最多只使用 19 层 EUV光刻流程,制造复杂度略低,这也使得其成本较低,这将使得台积电可以在不损害获利能力的情况下进一步降低N3E制程的生产报价。此外,称 N3/N3E 均有多家客户下单,量产的第一、第二年流片的数量是 5nm 同期的两倍以上。