资讯

多个芯片概念股涨停!涉及第三代半导体等领域;2月23日上午,媒体报道当日芯片板块强势拉升,芯源微、北方华创、安集科技、江丰电子等多个半导体概念股涨停,涉及半导体设备、第三代半导体......
产品和高频设备的核心设备。 公开资料显示,氮化镓是第三代半导体材料的代表之一,具备易散热,体积小,损耗小,功率大等诸多优点,被业内寄予厚望。可被应用于光电、功率和射频等多个领域,同时能满足高功率密度、低能耗、高频......
格芯获3500万美元资金补贴,加速制造下一代氮化镓芯片;近日,格芯(GlobalFoundries)宣布已获得美国提供的3500万美元联邦资金,以加速其位于佛蒙特州Essex Junction的工厂在硅半导体上制造差异化氮化镓......
料产业以及物流产业等领域进行全方位合作。 根据协议,双方将合作建设以氮化镓半导体为核心的第三代半导体产业基地、以金属铜为原料向下游延伸建设5G新材料产业基地,同时搭建金属和新材料等大宗商品交易平台,建设......
飓芯科技有限责任公司(以下简称“广西飓芯科技”)董事长、北京大学教授胡晓东,副市长汤振国,广西飓芯科技总经理宗华,市政府秘书长刘伯臣共同见证。 2021年,第三代半导体写入“十四五”规划,并被提升至国家战略高度,作为第三代半导体中最有代表性的氮化镓......
。 格芯佛蒙特州半导体制造工厂表示,继续朝着大规模生产用于航空航天和国防、蜂窝通信、工业物联网和汽车的下一代氮化镓芯片迈进。 格芯总裁兼CEO Thomas Caulfield表示:“硅基氮化镓......
资额近18亿元。其中,包括国联万众二期、晶格领域二期、特思迪半导体二期、铭镓半导体扩产项目等6个产业项目。 资料显示,国联万众成立于2015年,由中国电子科技集团公司第十三研究所控股,主营业务为第三代半导体氮化镓......
产品,年产芯片6万片。建设期1.5年,预计2025年7月试生产。 二期工程计划投资20亿元,建设4/6英寸第三代化合物半导体氮化镓GaN和碳化硅SiC生产线,主要生产功率半导体......
在功率领域的技术潜力,”博世创投投资合伙人及中国区业务负责人孙晓光表示,“对致能科技的投资将进一步丰富我们在第三代半导体领域的布局。”氮化镓材料的BFOM(Baliga Figure of Merit,系用于评价功率半导体......
已经走到了摩尔定律的极限,每向前一步都是巨大的荆棘。幸运的是,第三代化合物半导体的发现给产业带来了新的创新路径。 第三代化合物半导体包括碳化硅SiC、氮化镓GaN、氮化铝AlN、氧化锌ZnO等,具有更优的电子迁移率、带隙......
第三代半导体项目遍地开花;近日,多个项目迎来最新进展。其中,重投天科项目、山东菏泽砷化镓半导体晶片项目投资资金超30亿。本文引用地址:总投资32.7亿元,重投天科项目在深圳宝安启用 据滨......
亿美元 氮化镓是第三代半导体核心材料之一,具备开关频率高、禁带宽度大、更低的导通电阻等优势,这种材料通常应用于LED(照明、显示)、射频通讯与高频功率器件领域,手机快充是氮化镓......
第三代半导体项目遍地开花;近日,多个第三代半导体项目迎来最新进展。其中,重投天科第三代半导体项目、山东菏泽砷化镓半导体晶片项目投资资金超30亿。 总投资32.7亿元,重投天科第三代半导体......
个上下游企业代表参与了该发布会。 发布会上,氮化镓半导体产业奠基人之一的酒井士郎教授(誉鸿锦半导体总工)与观众分享氮化镓(GaN)半导体技术的历史沿革、现状发展和未来机会。誉鸿锦提出“第三代化合物半导体......
个上下游企业代表参与了该发布会。 发布会上,氮化镓半导体产业奠基人之一的酒井士郎教授(誉鸿锦半导体总工)与观众分享氮化镓(GaN)半导体技术的历史沿革、现状发展和未来机会。誉鸿锦提出“第三代化合物半导体......
关键材料领域的隐形冠军安集微电子、打破国外刻蚀机技术封锁的中微半导体将在金桥综保区扩产。此外,主攻第三代氮化镓材料及5G射频器件的芯跃半导体等企业将新入驻金桥综保区。 据介绍,金桥综保区去年4月揭牌,是浦......
设备领跑者ASML的合作,加快了英诺赛科产品推向市场的速度,助力蓬勃发展的氮化镓半导体行业。 资料显示,英诺赛科科技有限公司成立于2015年12月,是一家致力于第三代半导体硅基氮化镓芯片制造的企业。公司......
【成电协·会员行】优秀的第三代半导体氮化镓芯片公司——氮矽科技;  氮化镓(GaN)属于第三代半导体,又被称为宽禁带半导体,和第一代的硅(Si)以及第二代的砷化镓(GaAs)等前辈相比,其在......
了一份股份认购协议,并成为氮化镓公司新一轮融资的战略投资者。氮化镓公司募集到的融资,将用于加速氮化镓技术在汽车、消费者、工业和企业市场的开发和应用。 资料显示,氮化镓公司是一家领先的功率半导体公司,从事第三代半导体氮化镓......
到了新能源汽车产业链的青睐。受此鼓励,国内厂商也开始重视以碳化硅和氮化镓为首的第三代半导体,进行全方位布局,推动第三代半导体器件的在汽车领域的发展。 当然,第三代半导体......
国际龙头忙扩产,国内第三代半导体相关厂商发展如何?;在新能源、5G基站的需求持续推动下,以碳化硅和氮化镓为代表的第三代半导体产业迎来了投资热潮。而近期,不少......
度的连续增长,同比达到创纪录的360万美元季营收,同比增长220%。 近年来,随着5G基站、消费性电子、新能源车等需求推动,以氮化镓和碳化硅为代表的的第三代半导体市场需求也同步增加。据TrendForce......
安徽企业在解决“卡脖子”难题中,勇挑重担、创新发展的一个缩影;更是六安市落实省委省政府制造强省战略,加快现代化美好安徽建设的生动实践。 “后来者居上”的第三代半导体材料氮化镓......
这才是第三代半导体的最佳应用场景;今年年初,小米公司推出的氮化镓(GaN)快速充电器引爆了第三代半导体概念。实际上,除了在消费电子领域备受期待的氮化镓之外,第三代半导体的另一个重要产品碳化硅(SiC......
更高的成本效益。• GaN Systems 作为推动电源产业更新换代的先驱角色,承诺持续开发高性价比的能源转换解决方案。全球氮化镓功率半导体领导厂商GaN Systems 今推出全新第四代氮化镓平台 (Gen 4......
具有绝对优势的开关及传导损耗,进一步验证氮化镓功率半导体在消费电子、数据中心、光伏、工业及电动车市场的应用优势。 • 大幅优化效率及功率密度,解锁降低整体系统成本的密码,相较硅、碳化硅 (SiC)、甚至其他氮化镓......
年产能的建设。广东光大第三代半导体科研制造中心1区(松山湖)项目 项目由东莞市中晶松湖半导体科技有限公司、东莞市中镓半导体科技有限公司投资44亿元,占地面积约202亩,建筑面积约19万平方米,建成......
是中国科大首次以第一作者单位在IEEE IEDM上发表论文。 2 第四代半导体“呼啸而来” 近年来,以碳化硅、氮化镓为主的第三代半导体材料市场需求爆发,成功赢得了各大厂商的青睐。而与此同时,第四代半导体......
是中国科大首次以第一作者单位在IEEE IEDM上发表论文。 2 第四代半导体“呼啸而来” 近年来,以碳化硅、氮化镓为主的第三代半导体材料市场需求爆发,成功赢得了各大厂商的青睐。而与此同时,第四代半导体......
保护。新的GaNFast功率芯片的RDS(ON)范围为120至450毫欧,采用5 x 6 mm或6 x 8 mm PQFN封装,具有GaNSense保护电路和无损电流感应。作为纳微第三代氮化镓......
GaN Systems推出第四代氮化镓平台;全球氮化镓功率半导体领导厂商GaN Systems 今推出全新第四代氮化镓平台 (Gen 4 GaN Power Platform),不仅......
百思特达氮化镓半导体芯片项目竣工,进入试生产阶段;据盘锦高新技术产业开发区消息,目前,辽宁百思特达半导体科技有限公司(以下简称“百思特达”)的氮化镓半导体芯片项目已经进入产品试生产阶段。 消息......
百斯特达氮化镓半导体芯片项目建成,将增加10条氮化镓外延生产线;据盘锦日报报道,5月9日,盘锦高新技术产业开发区的氮化镓半导体芯片项目现场,工程施工人员正在接通水电气,辽宁百思特达半导体......
GaNFast功率芯片的RDS(ON)范围为120至450毫欧,采用5 x 6 mm或6 x 8 mm PQFN封装,具有GaNSense保护电路和无损电流感应。作为纳微第三代氮化镓功率芯片,针对......
GaNFast功率芯片的RDS(ON)范围为120至450毫欧,采用5 x 6 mm或6 x 8 mm PQFN封装,具有GaNSense保护电路和无损电流感应。作为纳微第三代氮化镓功率芯片,针对......
GaNFast功率芯片的RDS(ON)范围为120至450毫欧,采用5 x 6 mm或6 x 8 mm PQFN封装,具有GaNSense保护电路和无损电流感应。作为纳微第三代氮化镓功率芯片,针对......
GaNFast功率芯片的RDS(ON)范围为120至450毫欧,采用5 x 6 mm或6 x 8 mm PQFN封装,具有GaNSense保护电路和无损电流感应。作为纳微第三代氮化镓功率芯片,针对......
单晶衬底及外延材料研发、生产和销售的科技型企业。 为满足日益增长的多元需求,半导体从以硅、锗为代表的第一代材料,以砷化镓、磷化铟为代表的第二代材料,以碳化硅、氮化镓为代表的第三代......
和销售的科技型企业。 为满足日益增长的多元需求,半导体从以硅、锗为代表的第一代材料,以砷化镓、磷化铟为代表的第二代材料,以碳化硅、氮化镓为代表的第三代材料,发展至以氧化镓为代表的第四代半导体材料。氧化镓是什么?为何......
。根据行业预测,到2025年,氮化镓芯片在电动汽车中的市场机会总值将超过25亿美元/年。根据第三代半导体产业联盟CASA的数据,碳化硅产业的年复合增长率预计将接近37.5%,到2026年将达到245亿......
配套实验室。 消息称 ,位于中关村顺义园的顺义科创集团积极盘活存量国有资产,腾退工宇园区闲置低效企业,用于铭镓半导体氧化镓项目的扩产与研发,延长第三代半导体上下游产业链条,加快......
产业、新材料产业以及物流产业等领域进行全方位合作。 图片来源:大连天健网 报道指出,根据协议,双方将合作建设以氮化镓半导体为核心的第三代半导体产业基地、以金......
质量较好,关键技术指标已达领域内的先进水平。 氧化镓行业前景广阔,多国争抢15亿美元市场 当前,以碳化硅、氮化镓为主的第三代半导体材料迅速发展,但不容忽视的是,以氧化镓和锑化镓为主的第四代半导体......
国内首条氮化镓半导体激光器芯片量产产线投产;据北部之窗消息,3月22日,飓芯科技氮化镓半导体激光器芯片产线举行投产仪式。这意味着国内首条氮化镓半导体......
近年开始供应客户晶圆,使得日本在第三代化合物半导体竞赛中再度拔得头筹。 值得注意的是,日本田村于2019年实现4英寸氧化镓的批量产业化,同年该公司还突破了6英寸氧化镓材料技术。目前的产业进度已有6英寸导模法衬底+6英寸......
是结构,还是集成程度,厂商都已做到极致,作为对制程敏感度更低的功率IC,材料成为成倍加强功率半导体的神兵利器。所以厂商才不遗余力地投入在SiC(碳化硅)、GaN(氮化镓)等第三代半导体和Ga2O3(氧化镓......
基碳复合材料生产线项目;二期投资2亿元用于扩大再生产。 此外,近日,金普新区管委会与深圳正威集团签署总投资达300亿元的战略合作协议。根据协议,双方将合作建设以氮化镓半导体为核心的第三代半导体......
-ONEHP 非常适合与意法半导体的单封装集成了公司的第三代氮化镓 (GaN) 功率晶体管和优化的栅极驱动器的MasterGaN芯片一起使用。与传统的硅晶体管相比,该SiP解决......
-ONEHP 非常适合与意法半导体的单封装集成了公司的第三代氮化镓 (GaN) 功率晶体管和优化的栅极驱动器的MasterGaN芯片一起使用。与传统的硅晶体管相比,该SiP解决......
控制器有64KByte 闪存,可以存储定制功率转换固件。 ST-ONEHP 非常适合与意法半导体的单封装集成了公司的第三代氮化镓 (GaN) 功率晶体管和优化的栅极驱动器的MasterGaN芯片一起使用。与传......

相关企业

manufacturing in Taiwan. ; EPC设计,开发,市场,销售基于氮化镓的电源管理设备,采用成熟的晶圆代工厂。使最高效的能源转换,利用优越的半导体材料,EPC是率先推出增强型氮化镓
期主要从事外延片生产及芯片封装,装配外延片生产线(MOCVD)20条,芯片生产线12条,芯片封装生产线14条,共投资7亿元;第三期是在第一期和第二期的基础上,根据企业发展的需要,生产半导体照明材料,装配砷化镓氮化镓
and passive components and unique in our ability to provide integrated solutions.;TriQuint 半导体公司采用砷化镓
;飞捷电子有限公司;;飞捷电子是最专业的功率器件分销商,致力于全面推广IR国际整流器件,无锡硅动力,INTERSIL,三菱电机,安森美,英飞凌,意法半导体,FUJI,仙童
兆龙; 【氮化镓】: 英诺赛科、GaN systems; 【单片机】: GA (格安电子)、HK (航顺芯片)、RENESAS 分销IR、ON、ST、NXP、INFINEON、CREE等半导体电子元器j件。
;无敌科技有限公司;;山东省第三代受到撒旦阿斯顿撒旦撒旦撒旦爱上倒萨倒萨的撒倒萨倒萨的撒的是第三代撒旦是
;洪湖市第三建筑公司;;长期从事半导体研究
能光滑表面缺陷分析仪;        5、微型光纤光谱仪、中红外光谱仪、积分球及系统、光谱仪附件; 6、半导体材料,氮化镓外延片、裸片,二维半导体材料等;
;广州千视电子有限公司;;深圳千视电子专业生产开发第三代红外灯板。品种多,开发能力强,目前已经开发1-32颗灯珠的第三代红外 灯板,有(75单灯/90单灯/90双灯/护罩双灯/护罩四灯/大海
氧化物、氧化铝、氧化硅、氮化锶、氮化钡、氮化硅、AB胶、芯片、支架、PCB等产品专业生产加工的有限责任公司,公司总部设在大连开发区董家沟光谷路11号半导体工业园1号楼B座西一层,大连