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研发客服2月22日，美国氮化镓（GaN）功率半导体厂商Transphorm正式在纳斯达克上市交易，股票代码“TGAN”。
资料显示，Transphorm成立于2007年，部位于美国加州戈利塔，并在戈利塔和日本会津设有制造工厂，致力于设计、制造和销售用于高压电源转换应用的高性能、高可靠性的氮化镓半导体功率器件，其产品已广泛应用于服务器电源、游戏机、电动汽车等大功率电源上，拥有超过1000项专利组合。
据悉，Transphorm是业界率先生产经JEDEC和AEC-Q101认证的GaN FET的IDM企业之一。2021年12月，Transphorm为45W至300W的电源配接器和快速充电器应用出货超过100万个SuperGaN Gen IV FET。
业绩方面，2022财年第三季度，Transphorm产品营收实现8个季度的连续增长，同比达到创纪录的360万美元季营收，同比增长220%。
近年来，随着5G基站、消费性电子、新能源车等需求推动，以氮化镓和碳化硅为代表的的第三代半导体市场需求也同步增加。据TrendForce集邦咨询此前预测，GaN整个市场规模将会从2020年的4800万美元增长到2025年的13.2亿美元。
尽管市场前景可观，但GaN的市场还处于一个初期阶段，集邦咨询分析师龚瑞娇此前曾表示，“目前氮化镓在消费市场快速起量，我们也认为GaN确实需要从消费电子做一个过渡，反复验证它的可靠性，然后建立一个产能和生态的格局，方便以后推向工业级以及车规级”。
在此情况下，众多初创企业都有望在氮化镓市场分得一杯羹。事实是，不管是国内企业还是国外企业，均采取了上市策略，希望通过资本市场的运作抢夺氮化镓市场先机。
Transphorm的总裁及联合创始人Primit Parikh亦表示，上市对于Transphorm而言是一个重要的里程碑，将提高Transphorm在资本市场的知名度，公司有望获得更多全球机构投资者的青睐，同时增强股票流通性。
封面图片来源：拍信网
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