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绝缘栅双极晶体管（IGBT）是主要形成电子开关的三端功率半导体器件。它是为了将高效率与快速切换相结合而开发的。IGBT结合了功率MOSFET的简单栅极驱动特性和双极晶体管的高电流和低饱和电压能力。IGBT用于中到高功率应用，如开关电源、牵引电机控制和感应加热。IGBT由四层半导体制成，形成PNPN结构。集电极（C）连接到P层，而发射极（E）连接在P层和N层之间。P+衬底用于IGBT的构造。在其上放置N层以形成PN结J1。IGBT将用于控制输入的隔离栅极FET和作为开关的双极功率晶体管组合在单个器件中。您可以将IGBT看作是BJT和MOSFET之间的融合，这些组件具有BJT的输入特性和MOSFET的输出特性。东芝解释说，IGBT代表绝缘栅双极晶体管。它是一个带有绝缘栅极端子的双极晶体管。IGBT将MOSFET的简单栅极驱动特性与双极晶体管的高电流和低饱和电压能力结合在一个器件中。

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器等 电机控制器壳体内有水道，壳体外有进、出水管接头。散热器下方的出水管连接水泵，水泵将冷却液送入电机控制器，冷却IGBT元件，然后流入电机，再流回散热器上方的回水管 上层元器件 下层元器件 二......
体材料有限公司（以下简称“聚能晶源”）成立，注册资本为1亿元人民币，该公司经营范围包括电子专用材料研发；电子专用材料制造；电子专用材料销售；电子元器件制造；电子元器件批发；电子元器件零售；技术服务、技术......
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