资讯
基础电路学习（6）-- 从深度饱和谈三极管的开关响应(2022-12-07)
？
7.三极管会受温度影响吗？
8. 有哪些常用的三极管？
1. 三极管饱和与截止判断条件是什么......
一文读懂碳化硅设计中的热管理(2023-10-11)
减少开关损耗。
这些新器件的 ID 额定电流高达 118 A，可提高整体系统效率并改善EMI，同时允许设计人员使用更少（和更小）的无源元件。如果需要处理更高电流，这些器件可以配置为并联工作，因为它们具有正温度系数而不受温度影响......
了解RET的开关特性(2023-02-03)
全可靠
RET 是一种相对简单的器件，非常适合开关应用。尽管如此，设计人员必须了解影响其运行的参数，包括开关电压和电流，以及其受温度影响的情况。本篇博客文章提供了一些设计技巧，目的......
Nexperia针对要求严苛的电源转换应用推出先进的650 V碳化硅二极管(2023-04-20)
Nexperia针对要求严苛的电源转换应用推出先进的650 V碳化硅二极管;合并PIN肖特基结构可带来更高的稳健性和效率
奈梅亨，2023年4月20日：基础半导体器件......
搞不懂去耦电容PCB 布局，一定要看这一文，配置+选型，一文搞定(2024-10-06 22:10:45)
。
由于电容中的介质参数受温度变化的影响，因此电容的容值值也随温度变化。不同的介质有不同的温度变化规律，有的电容在温度升高时电容量会下降70%以上......
从原理到实例：GaN为何值得期待？(2021-11-30)
仁者见仁。
图1 主流GaN的两种结构
由于GaN器件对寄生参数极其敏感，因此相较于传统的Si基半导体器件的驱动电路，GaN的驱动要求更为严苛，因此对其驱动电路的研究很有意义。在实际的高压功率GaN器件......
Nexperia针对要求严苛的电源转换应用推出先进的650 V碳化硅二极管(2023-04-20)
Nexperia针对要求严苛的电源转换应用推出先进的650 V碳化硅二极管;
【导读】基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今日宣布推出650 V碳化硅(SiC)肖特......
Nexperia针对要求严苛的电源转换应用推出先进的650 V碳化硅二极管(2023-04-20 11:10)
Nexperia针对要求严苛的电源转换应用推出先进的650 V碳化硅二极管;
合并PIN肖特基结构可带来更高的稳健性和效率基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今日宣布推出650 V......
半导体行业眼中的工业4.0(2023-10-27)
器负责从真实的物理世界收集数据，之后将它们转换成数字信号，再在数字领域中进行处理（见图1）。
图1. 智能工厂信号链
新需求有哪些？
随着价值链的发展，市场需求将需要改变。这就是为什么半导体......
Vishay推出新款汽车级IHDM电感器具有出色的感值及饱和稳定性(2020-03-17)
于铁氧体的解决方案相比，IHDM-1008BC-3A在+125°C以上温度条件下，额定电流和饱和电流分别提高30%。电感器具有软饱和特性，因此电感值在达到饱和电流以后是可预期的感值下降而非感值的突降，并且电感值不受温度影响......
电磁流量计的特点与工作原理(2023-06-26)
在管道两侧的电极上产生感应电势。
电磁流量计整体结构简单，可靠，无移动部件，使用周期长，无截流阻流部件，无压力损失和流体堵塞。可用于自动检测、调节和程控系统，无机械惯性，响应快，稳定性好。测量准确度不受物理量参数的影响，如温度......
T3Ster的瞬态热测试技术2大亮点(2023-03-22)
方面是加强散热，使环境温度和过载引起的热量全部散掉，产品可靠性一样可以提高。如何做到散热能力的提升，涉及的方方面面非常多，其中一个重要的方向是如何获得器件封装的热特性参数。
T3Ster作为一款先进的半导体器件......
浅谈车规级功率模块测试(2023-10-17)
级可靠性测试标准有哪些
目前备客户所认可的功率半导体器件可靠性测试标准有两种，即AQG-324与AEC-Q101，分别代表着模块与单管两种器件的测试要求。
至于其他由国内各单位、团体......
功率模块IPM、IGBT及车用功率器件(2024-04-29)
功率模块IPM、IGBT及车用功率器件;功率半导体器件在现代电力控制和驱动系统中发挥着重要作用。IGBT模块和IPM模块是其中两个最为常见的器件类型。它们......
纳微发布第三代快速碳化硅MOSFETs， 促进AI数据中心功率提升，加快电动汽车充电速度(2024-06-13 10:04)
场上其他厂商的碳化硅产品的寿命长3倍。“沟槽辅助平面栅”技术vs平面栅与沟槽栅“沟槽辅助平面栅”技术能使碳化硅MOSFETs的RDS(ON)受温度影响小，在整个运行范围内的功率损失降到最低。在高温的运行环境下中，搭载......
电容的参数_种类_应用(2024-10-15 14:49:34)
容值能做到几十微法。但是这种材质受温度影响和直流偏压（直流电压会致使材质极化，使电容量减小）影响很严重。下面我们看一下 几种材质电容容值受环境温度和直流工作电压的影响......
浪涌电流是什么意思？如何抑制浪涌电流？4种浪涌电流抑制电路(2024-06-24)
抑制
另一种是采用带软启动电路的有源开关来限制浪涌电流。如下所示，MOS管通过软启动电路缓慢开启，因此，可以限制启动期间的浪涌电流，优点是不影响系统效率，不受缓解温度影响。缺点是需要外接电路，整体......
STM32使用内部晶振还是外部晶振(2024-01-18)
环境等可靠性要求严格的时候，需要考虑使用外部晶振。 毕竟，内部晶振受环境影响比较大（内部晶振的叫法不是很严谨，准确的说内部是RC振荡器，鉴于阻容器件尤其电容大小受温度影响较大，因此温度、电压等对其影响较大，如下......
中国团队在FeRAM新型存储器领域取得新进展(2023-07-25)
中国团队在FeRAM新型存储器领域取得新进展;基于HfO2的铁电存储器（FeRAM）由于其高速、良好的可微缩性和CMOS工艺兼容性备受关注。
但FeRAM的特性对温度极其敏感，性能受温度影响......
如此重要！R型变压器保护装置解读！(2023-08-09)
如此重要！R型变压器保护装置解读！;作为机械设备的重要组成部分，R型变压器安全正常运行非常重要。一旦出现异常情况，整个设备将无法正常运行。所以我们在日常选择R型变压器时，除了确定好自己需要使用的参数......
为什么芯片供应反弹如此缓慢？(2023-02-27)
减少的有限供应之外，采矿和采购业务关闭，制造业放缓，产量几乎不存在。
这不一定能解释为什么半导体供应链事后复苏缓慢。那些经济停摆现在大部分已经结束，事情......
功率半导体在电动汽车充电中的作用(2022-11-28)
的工作原理以及发展情况，不过在了解功率半导体之前，我们先要知道为什么电动汽车充电那么慢。
为什么电动汽车充电慢？
电池的充电过程，其实是电池内部的一系列的氧化/还原反应。目前......
Nexperia首创交互式数据手册，助力工程师随时随地分析MOSFET行为(2023-05-11 14:54)
Nexperia首创交互式数据手册，助力工程师随时随地分析MOSFET行为;无需人工计算，参数可随用户输入动态响应基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今天宣布推出与功率MOSFET配套......
Nexperia首创交互式数据手册，助力工程师随时随地分析MOSFET行为(2023-05-11)
Nexperia首创交互式数据手册，助力工程师随时随地分析MOSFET行为;无需人工计算，参数可随用户输入动态响应
基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今天宣布推出与功率MOSFET......
功率半导体设计挑战都有哪些？(2024-02-21)
增加了成本和上市时间。 这是功率器件设计人员转向碳化硅 (SiC) 和氮化镓 (GaN) 的原因之一； 这些材料的电阻率较低，可以在较小的封装中实现更高的效率。
设计功率半导体器件的最大挑战
毫不奇怪，效率既是功率器件......
矢量网络分析仪校准为什么这么重要(2023-03-14)
矢量网络分析仪校准为什么这么重要;网络分析仪可用于表征射频(RF)器件。尽管最初只是测量 S 参数，但为了优于被测器件，现在的网络分析仪已经高度集成，并且非常先进。
射频......
如何选择合适的高压探头？(2023-06-27)
高压差分探头是采用传统设计的高质量高压差分探头，选择指南指示该探头可能可用(黄色)。
每个选项附带的注释提供了结果的简要原因，在标有字母“i”的按钮后面提供了更多信息。
Q为什么功率半导体器件测量面临很大的挑战，为什么选择DL-ISO探头......
纳微发布第三代快速（G3F）650V和1200V碳化硅MOSFETs产品系列(2024-06-12)
辅助平面栅”技术能使碳化硅MOSFETs的RDS(ON)受温度影响小，在整个运行范围内的功率损失降到最低。在高温的运行环境下中，搭载这一技术的碳化硅MOSFETs，与竞争对手相比，RDS......
中国科学院微电子研究所在铁电存储器可靠性研究方面取得进展(2023-07-20)
中国科学院微电子研究所在铁电存储器可靠性研究方面取得进展;基于HfO2的铁电存储器（FeRAM）由于其高速、良好的可微缩性和CMOS工艺兼容性备受关注。但FeRAM的特性对温度极其敏感，性能受温度影响......
减速机调速与变频调速的区别及变频器的知识和应用(2024-07-04)
，且发热比较严重。
变频器的知识和应用
1、什么是变频调速器？
变频器是利用电力半导体器件的通断作用将工频电源变换为另一频率的电能控制装置。
2、PWM和PAM的不同点是什么？
PWM是英......
基础回顾：电阻、电容、电感、二极管、三极管、mos管(2024-06-03)
有关，还与导体长度、横截面积、材料有关。衡量电阻受温度影响大小的物理量是温度系数，其定义为温度每升高1℃时电阻值发生变化的百分数。多数（金属）的电阻随温度的升高而升高，一些半导体......
4200A-SCS参数分析仪的功能特点及应用范围(2023-04-07)
其可选的4200A-CVIV多通道开关模块，可轻松地在I-V和C-V测量之间切换，而无需重新布线或抬起探针。4200A-SCS是最高性能的分析仪，可加快用于材料研究、半导体器件设计、工艺开发或生产的复杂器件的......
二极管选型指南(2024-04-08)
固有可靠性。
14
容差设计
设计单板时，应放宽器件的参数允许变化的范围（包括制造容差、温度漂移、时间漂移），以保证器件的参数在一定范围内变化时，单板能正常工作。
15
禁止......
CODACA推出CPEA系列超级大电流电感(2023-04-21)
的软饱和特征，且直流偏置特性(饱和电流)受温度影响小，能够有效抑制瞬间高尖峰电流而不饱和，也适合在各种大功率设计方案中作为储能电感应用。
● 紧凑型屏蔽结构设计，抗干......
仿真微调：提高电力电子电路的精度(2024-04-29)
电压、RDSon、击穿电压、电容等参数，会因晶圆厂内的物理特性不同而有所差异。这会显著影响被测器件的能量损耗、导通损耗和温度行为，因而捕获这些相关的参数差异非常重要，尤其是在系统层面。
为此，安森......
仿真微调：提高电力电子电路的精度(2024-04-29)
表
安森美开发的 SSPMG 工具包含了代表电子产品不同制造条件的“边界模型”。其中，阈值电压、RDSon、击穿电压、电容等参数，会因晶圆厂内的物理特性不同而有所差异。这会显著影响被测器件的......
仿真微调：提高电力电子电路的精度(2024-04-29)
表
安森美开发的 SSPMG 工具包含了代表电子产品不同制造条件的“边界模型”。其中，阈值电压、RDSon、击穿电压、电容等参数，会因晶圆厂内的物理特性不同而有所差异。这会显著影响被测器件的......
新能源汽车解析丨什么是IGBT？结构与拆解(2023-10-08)
模具尺寸
SIDC130D170H
1700A
235A
16.3×8mm 2
图 10.二极管图这么薄的半导体材料能有千伏的电压和几百安培的电流通断，很了不起。这就是为什么大功率半导体器件的......
封装设计解惑：如何使用数据表中的稳态热特性参数(2023-03-15)
”上代表点的温度；使用任何基于此值的参数时，代表点的位置必须明确定义。
结温 TJ
半导体器件内部最热点的温度。
ψ-JT
热特性参数，在结至外壳顶部 (TT) 之间测量
ψ-Jx......
泰克TSP-2000-SOLAR半导体器件的多组太阳能电池I-V测试系统方案(2023-05-30)
泰克TSP-2000-SOLAR半导体器件的多组太阳能电池I-V测试系统方案;太阳能电池或光伏PV电池是从光源中吸收光子然后释放电子的器件，当太阳能电池与负载相连时，可以引起电流流动。太阳......
ST重复电涌保护器优化设计(2013-06-14)
过热、性能降低，为帮助工程师防护重复浪涌，意法半导体电涌保护器提供了高温钳位电压和0－2A峰流，可让工程师避免扩大保护器件的尺寸。该器件还提供了有助于评估印刷电路板金属化对温度影响的数据资料，而传......
cpu的nm级越来越小，为什么不通过增大面积来提高性能？(2017-06-20)
看貌似很有道理的样子，通过增大芯片面积，一个芯片中可以放下更多的晶体管，更多的晶体管可以实现功能更复杂，性能更高的芯片呢。为什么半导体行业却没有这么发展呢？
首先我们看一下，一颗......
什么是车规级？车规级半导体/元器件认证(2023-10-20)
什么是车规级？车规级半导体/元器件认证;因为汽车电动化、智能化和网联化的来袭，全球性的汽车芯片缺货，以及国内汽车芯片产业的兴起。汽车芯片产业获得了前所未有的关注度。汽车电子产品的价格普遍比较贵，其中......
压控振荡器特性改良的研究(2024-01-17)
准确的模型参数以调整校正网络。用此法构成的系统是一开环系统，对各种变化和扰动没有抑制能力。随着元器件的老化，器件的各参数在不断变化，校正网络需要不定期进行调整。此外，变容二极管的结电容受温度变化影响......
Live活动查看该新技术的实际应用 https://www.nexperia.com/power-live
关于Nexperia
Nexperia，作为生产大批量基础半导体器件的专家，其产......
电热水壶里的热敏电阻(2023-10-09)
越高时电阻值越大，负温度系数热敏电阻器（NTC）在温度越高时电阻值越低，它们同属于半导体器件。
热敏电阻因灵敏度高；工作温度范围宽；体积小；稳定性好，过载能力强等特点，不仅可以作为作为测量元件，还可......
车用芯片为什么那么缺？车规：我太难了(2021-04-08)
间内其他厂商无法快速通过认证，补上缺口。
那么，这些缺货涨价的汽车芯片，主要集中在哪几类上？为什么车规级的芯片，就那么难做呢？
缺了哪一类汽车芯片？
汽车半导体器件主要包含MCU、功率半导体（IGBT、MOSFET等）、传感器和各类模拟器件......
科普丨十大最常用电子元器件介绍(2024-10-22 09:33:32)
的电阻越大，表示导体对电流的阻碍作用越大。不同的导体，电阻一般不同，电阻是导体本身的一种特性。电阻元件是对电流呈现阻碍作用的耗能元件。
电阻元件的电阻值大小一般与温度有关，衡量电阻受温度影响大小的物理量是温度......
Nexperia首创交互式数据手册，助力工程师随时随地分析MOSFET行为(2023-05-11)
Nexperia首创交互式数据手册，助力工程师随时随地分析MOSFET行为;无需人工计算，参数可随用户输入动态响应
奈梅亨，2023年5月11日：基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia......
Nexperia首款SiC MOSFET提高了工业电源开关应用的安全性、稳健性和可靠性标准(2023-11-30 10:00)
Nexperia首款SiC MOSFET提高了工业电源开关应用的安全性、稳健性和可靠性标准;1200 V分立器件提供出色的性能，有助于加速全球能源转型基础半导体器件......
相关企业
;歙县星光半导体器件厂;;星光半导体器件厂是晶闸管芯片KP,KS的圆片生产厂，是专业生产加工可控硅芯片的私营独资企业,是模块，固态继电器或者是焊接式单管器件的心脏元件。我们竭诚为我们的电力半导体功率器件
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;汕头半导体器件厂;;汕头半导体器件厂成立于1965年，系地方国营企业，国家定点的半导体专业生产厂家。
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;珠海市矽格电子科技有限公司;;珠海市矽格电子科技有限公司座落于美丽的海滨城市珠海，公司由一群资深半导体器件工程师和应用工程师组成，立志于新型半导体器件的研发和应用推广，为客
;汕头半导体器件厂林岳忠;;汕头半导体器件厂是一家专业生产三极管的厂家。
;无锡新洁能功率半导体;;无锡新洁能功率半导体有限公司（NCE Power Semiconductor）是中国现代大功率半导体器件的领航设计与销售企业，专业从事各种大功率半导体器件与功率集成器件
;深圳市盛明半导体器件有限公司;;深圳市盛明半导体器件有限公司成立于2006年
;上海奇亿半导体有限公司;;上海奇亿半导体有限公司是专门从事电力半导体器件的开发与生产的专业化工厂。主要产品有：KP、ZP、KK、KS、KG、ZK、MT、MD、MB、KBPC、GTO、GTR