资讯
mini2440的SDRAM分析(2024-08-01)
较慢。
SRAM:它是一种具有静止存取功能的内存,不需要刷新电路即能保存它内部存储的数据。因此其存取速度快,但是体积较大,功耗大,成本高,常用作存储容量不高,但存取速度快的场合,比如CPU的L1......
RAM、SRAM、SDRAM、ROM、EPROM、EEPROM、Flash存储器概念(2024-08-05)
存储器)和DRAM(Dynamic RAM/动态存储器)。SRAM 是利用双稳态触发器来保存信息的,只要不掉电,信息是不会丢失的。DRAM是利用MOS(金属氧化物半导体)电容存储电荷来储存信息,因此......
AI新星Groq横空出世,带动SRAM概念爆火(2024-02-25)
。
与DRAM相比,SRAM的优点是速度快(高存取速度),但缺点同样明显,那就......
STM32上的SDRAM硬件电路设计(2024-03-08)
数据时,是通过在时钟的上升沿同步获取控制、数据信号,所以叫做同步动态随机存取器。
SDRAM在时钟CLK上升沿时同步获取控制、数据信号
DRAM和SRAM优缺点:
SRAM读写速度快,DRAM读写速度......
OK6410内存及启动流程(2024-07-19)
Access Memory)掉电数据丢失,但存取速度快,常用作内存 3.RAM还分为SRAM静态随机存储器(不用不断刷新就可以读取数据,速度快但是造价也高和DRAM动态随机存储器(要不......
stm32体系架构详解(2023-07-03)
SRAM的优点就是速度快,不必配合内存刷新电路,可提高整体的工作效率.SRAM的缺点是集成度低,功耗较大,相同的容量体积较大,而且价格较高,所以少量用于关键性系统以提高效率。像程序的变量,堆栈......
浅谈STM32单片机命名规则和体系架构(2023-09-05)
要很大的体积,所以在主板上SRAM存储器要占用一部分面积。
当然SRAM的优点就是速度快,不必配合内存刷新电路,可提高整体的工作效率。
SRAM的缺点是集成度低,功耗较大,相同的容量体积较大,而且......
STM32 芯片架构(2024-07-31)
):用于存放运算的中间结果、数据暂存及数据缓冲等。可以随机读入或读出,读写速度快,读写方便;但是断电或复位会丢失数据。可以认为是计算机的内存。
总线矩阵:总线矩阵用于主控总线之间的访问仲裁管理,提高......
ok6410内存初始化(2024-08-16)
ok6410内存初始化;•DRAM:它的基本原件是小电容,电容可以在两个极板上保留电荷,但是需要定期的充电(刷新),否则数据会丢失。缺点:由于要定期刷新存储介质,存取速度较慢。
•SRAM:它是......
直流电机的调速电路原理图解(2023-03-27)
过整流电路变为直流110伏。三个按钮开关控制三个速度,当按下SB2的时候,接触器KM1自锁,这时候等于电机串了R1R2两个电阻,是最低速状态。
最低速的电流走向
如果想增加速度,可以按下按钮开关SB3,这时......
南亚科:10纳米级制程将于2022年导入量产(2022-01-01)
段DRAM需求状况仍不错,公司对DRAM市场后市不悲观。
另外,能减少能耗与电压的DDR5产品,以一般功率计算,约能降低16%至35%,是一个速度增加、功耗降低,对环境永续有益处的产品。
报道......
抱紧汽车大腿,存储芯片何时能上岸?(2023-05-28)
、NOR Flash、FRAM等。
图表:全球半导体观察不完全统计
先从易失性存储器DRAM和SRAM来讲,含义上,DRAM是动态随机存取存储器,是与CPU直接交换数据的内部存储器,简称内存,其处理速度......
嵌入式存储器的前世今生(2017-06-19)
类则是非挥发性存储器。挥发性存储器是指掉电后数据会丢失,主要包括速度快、功耗低的SRAM和高密度的DRAM。而非挥发性存储器则刚好相反,其在实际应用中主要包括eFlash、EEPROM以及eMRAM、eRRAM......
一文了解新型存储技术(2023-01-03)
前主流的存储器技术中,DRAM虽然速度快,但功耗大、容量低、成本高,且断电无法保存数据,使用场景受限;NAND Flash读写速度低,存储密度明显受限于工艺制程。
为了突破DRAM、NAND Flash......
内存变革将至,DRAM 后谁扛大旗?MRAM、FERAM 和 ReRAM 摩拳擦掌(2024-02-22)
Arthur Sainio、Tom Coughlin 和 Jim Handy 专家表示,以 SK 海力士和美光研制的铪铁电随机存取内存为例,其运行速度已经达到现代 DRAM 的水平,但目......
一文了解新型存储技术(2023-01-04)
一文了解新型存储技术;在当前主流的存储器技术中,DRAM虽然速度快,但功耗大、容量低、成本高,且断电无法保存数据,使用场景受限;NAND Flash读写速度低,存储密度明显受限于工艺制程。
为了......
ISSCC上公布了两款有意思的处理器——基因和3D渲染处理器(2023-02-21)
、512Gb DRAM和FPGA加速器的服务器上,同样的任务得分相似:98.54–99.79%的精度和98.14–98.75%的灵敏度,但耗时从至少90分钟到最多28小时。这意味着该IC的速度快了3......
单片机外扩专用SPI SRAM存储芯片(2024-07-09)
是从降低成本的方向考虑,这里介绍一种伪静态的SPI SRAM,只需要SPI接口或者QPI接口,就可以简简单单实现单线、4线和8线的方式操作SRAM。这种产品的速度快20MHz~200MHz,功耗......
挣足钱的三星进攻下一代存储,MRAM成为目标?(2017-04-28)
久
相比目前的DRAM或者SRAM,MRAM的优势还是非常明显的。包括它的高可制造性、高数据密度、高速度、非易失性和耐久性等,都吸引着研发人员的目光。
高可制造性
MRAM是比......
九种计算机内存类型(2024-01-25)
更庞大,每个单元中有六个晶体管。因此,SRAM 仅少量使用,并且几乎总是作为高速缓存来协调设备的主 RAM 和 CPU 之间的通信,并缩小时钟速度的差距。SRAM 最快且最小的实现方式是作为 CPU......
这种新型存储,国内要爆发了?(2023-10-16)
都会做一些。 SRAM虽快,但容量极低;DRAM结构简单,但也被易失性所困;非易失性、大容量的Flash则耐久有限,同时随着制程逐步逼近极限而无限触碰极限。 而MRAM有着介于SRAM和DRAM两种易失性存储技术之间的速度......
什么是5g网络?5g网络有什么特殊?(2023-03-31)
五代移动通信网络,其峰值理论传输速度可达20Gbps,合2.5GB每秒,比4G网络的传输速度快10倍以上。举例来说,一部1G的电影可在4秒之内下载完成。随着5G技术的诞生,用智能终端分享3D电影、游戏......
PCI-E与SATA SSD究竟如何选:秒懂(2016-10-11)
的说,我们可以把两种通道理解成两辆相同的汽车,PCI-E通道的汽车就像是在高速上行驶,而SATA通道的汽车就像是在崎岖山路上行驶,你说哪个速度快?
不同接口固态硬盘速度表
从上图中我们可以看到,目前......
2024全球AI芯片峰会收官:架构创新群雄混战,边端较劲大模型,两大榜单公布(2024-09-12)
兴存储介质。
戴瑾称这些存储介质都不理想,各有优劣。如SRAM兼容逻辑工艺、速度快,但容量低、容易漏电;NOR Flash工艺成熟、节能,但无法使用先进工艺节点,且受擦写速度和擦除次数所限,只能用于推理;DRAM......
随机存取存储器有哪些特点?寄存器和存储器有什么区别?(2022-12-30)
存储器在断电时将丢失其存储内容,故主要用于存储短时间使用的程序。按照存储单元的工作原理,随机存储器又分为静态随机存储器(英文:StaticRAM,SRAM)和动态随机存储器(英文DynamicRAM,DRAM)。
随机......
UCLA教授Subramanian S. Iyer:用新型封装延续摩尔定律(2017-02-07)
算机中,DRAM存储密度高,但是访问速度受限,而且由于接口问题处理器访问DRAM的带宽也受限。另一方方面,CPU的片上SRAM访问速度快,带宽大,但是存储密度低,这就导致了很难在CPU上集成很大的存储器。那么......
STM32F7系统配置控制器(SYSCFG)及复位和时钟控制(RCC)(2023-03-06)
高速时钟信号由内部的16MHz的RC振荡器生成,系统复位后都默认选择内部高速时钟作为系统的时钟。HIS RC振荡器的优点是成本比较低、启动速度快,但是它的精度相对于外部高速时钟来说要低一点。
内部......
清华团队发布3D DRAM存算一体架构!(2024-08-12)
应用开始工作时,就需要不断地在内存中来回传输信息,这在时间和精力上都有着较大的性能消耗。越靠近运算单元的存储器速度越快,但受功耗、散热、芯片面积的制约,其相应的容量也越小。如SRAM响应时间通常在纳秒级,DRAM则一......
当前全球DRAM厂商数量不到10家,三星电子(韩)、SK海力士(韩)、美光(美)三足鼎立(2022-11-26)
的缓存空间代表同时可处理和储存的数据更多,属与设备必须的组成部分。
易失性存储器在断电状态下数据会丢失,包括动态随机存储器(DRAM)和静态随机存储器(SRAM)。SRAM的读写速度......
存储控制器FSMC与触摸屏介绍(2024-02-22)
钟周期内可以表示 2数据,在时钟频率同样的情况下,提高了一倍的速度。
DDRII和 DDRIII,它们的通讯方式并没有区别主要是通讯同步时钟的频率提高了。
3.SRAM存储器:静态随机存储器 SRAM的存......
s3c2440 SDRAM(2024-08-21)
它可以用来做内存。
RAM按照硬件设计的不同,随机存储器又分为DRAM(Dynamic RAM)动态随机存储器和SRAM(Static RAM)静态随机存储器。
DRAM:它的基本原件是小电容,电容......
【STM32H7教程】第47章 STM32H7的FMC总线基础知识和HAL库API(2023-04-07)
controller),跟F429和H7带的FMC区别是不支持SDRAM,也就是差在字母static,使用FMC可以动态刷新SDRAM,来保持电量。
FMC控制SRAM型存储器和NAND型存......
三星闪存每个季度都要涨价20%(2023-11-03)
三星闪存每个季度都要涨价20%;据多位半导体产业人士透露,三星将在今年第四季度将NAND闪存芯片的报价提高10-20%,明年第一和第二季度分别还要涨20%。
按照这个速度下去,预计一年之后,三星......
虽然存储行情继续下跌,但万亿空间仍在,新老技术竞争愈发激烈(2023-06-14)
读取隧道电流的大小以指示存储的是“一”还是“零”。场切换 MRAM 可能是最接近理想的“通用存储器”的,因为它是非易失性的、快速的并且可以无限循环。因此,它可以用作 NVM 以及 SRAM 和 DRAM......
S3C2440 SDRAM驱动配置编程(2024-06-06)
SRAM:它是一种具有静止存取功能的内存,不需要刷新电路即能保存它内部存储的数据。因此其存取速度快,但是体积较大,功耗大,成本高,常用作存储容量不高,但存取速度快的场合,比如CPU的L1......
美光推出采用 232 层 NAND 技术的全球最先进客户端 SSD(2022-12-15)
测试中创造了新的类别记录。与竞品相比,2550 SSD 文件传输速度快112%,办公应用运行速度快67%,主流游戏加载速度快57%,内容创建应用运行速度快 78%。该产品还具有高达每秒 5GB 的极......
美光推出采用 232 层 NAND 技术的全球最先进客户端 SSD(2022-12-15)
® 10 [2]基准测试中创造了新的类别记录。与竞品相比,2550 SSD 文件传输速度快 112%,办公应用运行速度快 67%,主流游戏加载速度快 57%,内容创建应用运行速度快 78%。该产......
基于ARM和FPGA的硬件平台实现了具有高开放性特征的嵌入式数控系统(2023-01-30)
ARM和FPGA的接口设计
为使系统能够按照预期设计良好工作,首先要从硬件上实现ARM和FPGA之间的可靠通信。本文采用的方案是在FPGA上实现SRAM时序,将FPGA作为......
S3C2440存储系统-SDRAM驱动(2024-08-21)
, DDR, DDR2, DDR3等,缺点:由于要定期刷新存储介质,存取速度较慢。
l SRAM:它是一种具有静止存取功能的内存,不需要刷新电路即能保存它内部存储的数据。因此其存取速度快,但是......
为什么单片机内存那么少?(2023-03-27)
是说断电就会丢失存储数据。
RAM有一些常见特点:
随机存取
易失性
对静电敏感
访问速度块
······
随着需求的提高,技术的进步,RAM又发展了像SRAM、DRAM、SDRAM等多种类型的RAM存储......
【STM32H7教程】第28章 STM32H7时间关键代码在ITCM执行的超简单方法(2023-04-23)
重要。
TCM : Tightly-Coupled Memory 紧密耦合内存 。ITCM用于指令,DTCM用于数据,特点是跟内核速度一样(400MHz),而片上RAM的速度基本都达不到这个速度......
s3c2440裸机-内存控制器3-SDRAM原理-cpu是如何访问sdram的(2024-07-08)
平有效,SDRAM 和 SRAM 的寻址方式不同,SDRAM 按照行、列来确定某个具体的存储区域。因此就有行地址和列地址之分,行地址和列地址共同复用同一组地址线,要访问某一个地址区域,必须......
cc2530内部存储结构图(2024-01-15)
-KB SRAM映射到DATA存储空间和部分XDATA存储空间。8-KB SRAM是一个超低功耗的SRAM,即使数字部分掉电(供电模式2 和3)也能保留其内容。这是......
解读关于STM32问题集之BOOT0和BOOT1的作用(2023-09-12)
解读关于STM32问题集之BOOT0和BOOT1的作用;一、功能及目的
在每个STM32的芯片上都有两个管脚BOOT0和BOOT1,这两个管脚在芯片复位时的电平状态决定了芯片复位后从哪个......
【STM32H7教程】第27章 STM32H7的TCM,SRAM等五块内存的动态内存分配实现(2023-04-23)
【STM32H7教程】第27章 STM32H7的TCM,SRAM等五块内存的动态内存分配实现;27.1 初学者重要提示
学习本章节前,务必优先学习第25章,了解TCM,SRAM等五......
内存科普:深入浅出,带你深入了解内存各项参数,附科赋CJR颗粒内存超频实战(2020-12-25)
谁决定频率呢?
内存本身是没有频率的,我们常说的频率是CPU访问内存的频率。CPU每访问内存一次,都会向内存条带来或带走一些数据。CPU每秒访问内存的次数越多,单位时间内产生的数据量也就越多,也可以简单的理解为内存条的读写速度快......
清华研发出“全球首颗”,这种芯片要火了?(2023-10-11)
一系列次级物理效应,包括栅隧穿泄漏、载流子界面散射、强场速度饱和、源漏寄生电阻占比增大等,导致功耗密度快速上升。
当我们打破两堵墙,数据就不用来回搬运处理,也不会“交通堵塞”,此时整体功耗就更低了,说白了,就是......
美光推出采用 232 层 NAND 技术的全球最先进客户端 SSD(2022-12-15 15:05)
57%,内容创建应用运行速度快 78%。该产品还具有高达每秒 5GB 的极速顺序读取性能和每秒 4GB 的顺序写入性能,相比上一代 SSD 分别提升了 43% 和 33%。美光......
美光推出采用232层NAND技术的全球最先进客户端SSD(2022-12-15)
]基准测试中创造了新的类别记录。与竞品相比,2550 SSD 文件传输速度快 112%,办公应用运行速度快 67%,主流游戏加载速度快 57%,内容创建应用运行速度快 78%。该产......
FinFET晶体管尺寸的量化一直是主要挑战,并迫使高密度6T(2022-12-22)
Memory,DRAM)
而言的。后者由于存储位元是基于电容器的电荷量进行存储,电荷量会随着时间和温度的变化而减少,因此需要定期刷新来保持原有的记忆信息。但无论是SRAM还是DRAM,都属于易失性存储器,在断......
相关企业
;SZYL ELECTRONIC CO.,LTD;;几年从事SRAM DRAM FLASH
:A Email:itvsd@126.com收购新旧好坏ARM、SRAM、DRAM、SDRAM、DDR、FLASH、电脑集成、通信芯片、存储芯片、裸片晶圆 硅片 芯片 ic 原器件 内存卡 各种成品半成品,工厂
;深圳市恒天星科技有限公司;;深圳市恒天星科技有限公司位于鼎城国际大厦2317室,柜台新亚洲2A103,大量现货库存供求。主要经营SS**子的FALES,MCU和SRAM,SDRAM,并为
;深圳市福田区山拓微电子商行;;山拓电子一直专注于半导体电子元器件独立分销事业。主要经营电子元器件,公司在现货市场拥有多年的经营经验。主要产品包括:DRAM、DDR、Mobile DRAM
芯片 FLASH SDRAM SRAM DRAM 我公司以“现货库存,薄利多销”的经营方式,欢迎广大客户商洽谈。
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;朱爱平;;迈高达科技有限公司,创建于 2001年,专业设计、生产、销售液晶显示模块现有产品上百种,其产品具有对比度好,响应速度快、视角宽、功耗低等优点。广泛应用于 MP3、PHS 和 GSM手机
Components and Semiconductors specializing in commodities such as: SRAM, DRAM, DDR, and Flash memory
;创兴;;本公司专营系列IC ~SRAM ``DRAM `~FLASH ~~SDRAM~~ 长期备有大量现货库存,坚持以“现货经营、薄利多销”的经营理念向客户提供全方位的优质服务,经过