资讯
摊牌了，MOS管的真面目！(2025-01-01 18:07:51)
半导通状态时间也越长，在半导通状态内阻较大，发热也会增大，极易损坏MOS，所以高频时栅极串的电阻不但要小，一般是需要加前置驱动电......
电路设计基础：上拉电阻、下拉电阻分析(2025-01-09 12:40:09)
特性。
下拉电阻的设定原则与上拉电阻一样，OC门输出高电平时是一个高阻态，其上拉电流要由上拉电阻来提供，设输入端每端口不大于100uA,设输出口驱动电流约500uA，标准工作电压是5V......
直流电动机的工作原理简述 直流电机工作原理图 直流电机有几种类型(2024-07-12)
在这个电压值范围内才认为转速与电压成正比。
电机线圈是有铜导线绕线而成的，所以其电机电枢绕组电阻一般都是非常小这样回路中电流一般都是比较大的。这对我们电机驱动设计有很大的影响。
另外，电机......
三极管和MOS管下拉电阻的作用(2024-04-17)
三极管和MOS管下拉电阻的作用;关于本文引用地址：简单讲解一下，如果工作在饱和区（完全导通），Rce≈0，Vce≈0.3V，且这个0.3V，我们就认为它直接接地了。那么就需要让Ib大于等于1mA，若......
MOS驱动好不好，波形一看就知道(2024-03-01)
完美。
2、MOS驱动波形略微震荡
描述：肉眼可见这也是方波，上升沿和下降沿都比较陡峭，开关速度比较快，管子损耗小，只是管子有略微的震荡。
解决手段：适度加大栅极驱动电阻。
3、MOS驱动......
MOS管基础及选型指南(2024-03-20)
，MOS管可以被制构成P沟道增强型、P沟道耗尽型、N沟道增强型、N沟道耗尽型4种类型产品。
一般主板上使用最多的是增强型MOS管，NMOS最多，一般多用在信号控制上，其次是PMOS，多用......
MOS管开通过程的米勒效应及应对措施(2023-02-14)
引起积分过充振荡，要想解决解决这个米勒振荡，在频率和电压不变的情况下，一般可以提高MOS管的驱动电阻，减缓开关的边沿速度，其次比较有效的方式是增加Cgs电容。在条件允许的情况下，可以在Cds之间......
MOS管驱动电流估算(2024-04-02)
，就可以得到最快105ns的开关速度。
当然这也只能估算出驱动电流的数值，还需进一步测试的过冲波形。在设计驱动电路的时候，一般在前面串一个10Ω左右的电阻（根据测试波形调整参数）。
这里......
MOS管防护电路解析实测(2023-12-20)
有可能造成功率管遭受过高的di/dt而引起误导通。为避免上述现象的发生，通常在MOS驱动器的输出与MOS管的栅极之间串联一个电阻(R509)，电阻的大小一般选取几十欧姆。该电阻可以减缓Rds从无穷大到Rds(on)(一般......
MOS管子又炸，分享几种常见的MOS管驱动波形的判断(2024-10-16 11:40:39)
知识
一般认为三极管是电流驱动型，所以驱动三极管，要在基极提供一定的电流。
一般认为MOS管是电压驱动型，所以驱动MOS管，只需要提供一定的电压，不需......
MOS管驱动电路有几种，看完就明白了(2024-11-01 12:17:03)
MOS管一般都是慢开快关。在关断瞬间驱动电路能提供一个尽可能低阻抗的通路供MOSFET栅源极间电容电压快速泄放，保证......
MOS管的导通条件和MOS驱动电流计算(2023-12-20)
MOS管的导通条件和MOS驱动电流计算;**1. 关于的极限参数说明：**本文引用地址：
在以上图中，我们需要持续关注的参数主要有：
a. **ID（持续漏极电流）**：该参......
电源设计必学电路之驱动篇(2024-04-22)
制核心输出低电平时，三极管Q1截止，电阻R3和R4对电源（V+）分压，MOS管导通并达到饱和状态。G极电压为:
2）推挽驱动电路
当电源IC驱动能力不足时可使用推挽驱动电路。推挽驱动电......
H桥电机驱动解析(2024-03-04)
路详解
1、简介
在学习此部分之前，需要先掌握基础H桥驱动的工作原理，具体可参看此篇博客：电机驱动芯片（H桥、直流电机驱动方式）
自行搭建的H桥驱动电路一般都包括两个部分：半桥/全桥驱动芯片和MOS管......
几种常用的驱动电路！(2024-12-20 15:49:48)
几种常用的驱动电路！;
MOS管因为其导通内阻低，开关......
电机控制器中的MOS驱动(2024-10-18 15:10:10)
：
MOS管驱动电路设计细节
。在设计汽车风机
、水泵、油泵等电机驱动
控制器时，使用车规MCU+车规预驱+车规N......
必看！IGBT基础知识汇总！(2024-01-03)
）栅电压IGBT工作时，必须有正向栅电压，常用的栅驱动电压值为15～187，最高用到20V， 而棚电压与栅极电阻Rg有很大关系，在设计IGBT驱动电路时， 参考IGBT Datasheet中的额定Rg值......
从内部结构到电路应用，这篇文章把MOS管讲透了。(2024-04-29)
率均大幅的下降。
由于MOS管和大功率晶体三极管在结构、特性有着本质上的区别，在应用上驱动电路也比晶体三极管复杂，致使维修人员对电路、故障的分析倍感困难，此文即针对这一问题，把MOS管及其应用电路作简单介绍，以满......
NMOS和PMOS详解(2023-12-19)
存在，这样电流就会在这个电阻上消耗能量，这部分消耗的能量叫做导通损耗。选择导通电阻小的MOS管会减小导通损耗。现在的小功率MOS管导通电阻一般在几十毫欧左右，几毫欧的也有。
MOS在导通和截止的时候，一定......
IGBT在新能源汽车上的应用(2024-10-22 08:01:16)
就实现了MOS管的高输入阻抗和晶体管的低导通电阻特性，可以当做开关应用在大功率的驱动电路中。
图片来源：华秋......
MOS管驱动电路设计(2023-09-30)
好处是提升电流提供能力，迅速完成对于栅极输入电容电荷的充电过程。这种拓扑增加了导通所需要的时间，但是减少了关断时间，开关管能快速开通且避免上升沿的高频振荡。
加速关断驱动
MOS管一般都是慢开快关。在关断瞬间驱动电......
世微宽电压 9-100V 2.6A 降压恒流驱动IC LED车灯方案(2024-05-11)
需要紧挨着端口布局。
◆MOS 管选择
MOS 管耐压选择要高于 输入电压的 1.2 倍以 上； MOS 管电流 IDS 选择一般要求是电感最大峰值 电流的 2 倍以上。MOS 管的导通电阻 RDSON 越 小，损耗......
三相直流无刷电机驱动电路图解(2023-04-25)
母线电压采样电路
霍尔编码器驱动电路
1.三相逆变全桥电路
三相逆变桥电路采用IR2101S加MOS驱动方式。IR2101S本身是半桥驱动，采用上桥跟下桥驱动方式，也就是一路驱动需要1个IR2101S和2......
牛人剖析功率MOS，从入门到精通(2024-11-18 19:30:30)
：
功率 MOSFET 正向导通时可用一电阻等效，该电阻与温度有关，温度升高，该电阻变大;它还与门极驱动电压的大小有关，驱动电压升高，该电阻变小。详细......
基于STM32F0的SPI通信的FLASH程序分析(2023-09-26)
端相当于三极管的集电极。 要得到高电平状态需要上拉电阻才行。 适合于做电流型的驱动，其吸收电流的能力相对强（一般20ma以内）。
推挽结构一般是指两个三极管分别受两互补信号的控制，总是......
stm32单片机GPIO端口的特点及应用解析(2023-09-26)
端相当于三极管的集电极。 要得到高电平状态需要上拉电阻才行。 适合于做电流型的驱动，其吸收电流的能力相对强（一般20ma以内）。
推挽结构一般是指两个三极管分别受两互补信号的控制，总是在一个三极管导通的时候另一个截止。
要实......
如何用单片机控制220V交流电的通断(2024-01-17)
、对于阻性负载
比如普通的灯泡，一般是30到40W左右，如果用220V交流电来控制通断，简单点的就用一个双向可控硅直接控制，BT137电流达到7A，耐压值600V，驱动灯泡足够了
也可......
电机驱动芯片A4950及H桥电路分析(2023-08-15)
的栅极电压会比打开低端NMOS所需的栅极电压大很多(要高于驱动电源电压)。(因为开启需要条件Vgs>Vth，而高端MOS导通后的源极电位较高，几乎接近电源电压，此时如果栅极电压仍为电源电压，则又关断)
驱动电......
谈谈几种常用的MOSFET驱动电路(2024-04-22)
管子导通的速度就比较慢。如果驱动能力不足，上升沿可能出现高频振荡，即使把图1中Rg减小，也不能解决问题！IC驱动能力、MOS寄生电容大小、MOS管开关速度等因素，都影响驱动电阻阻值的选择，所以Rg并不能无限减小。
2、电源IC......
stm32 GPIO(2024-08-19)
pull-up ，MOSFET到GND。IC内部仅需很下的栅极驱动电流。2. 一般来说，开漏是用来连接不同电平的器件，匹配电平用的，因为开漏引脚不连接外部的上拉电阻时，只能输出低电平，如果......
NMOS 、 PMOS管 原理、选型、应用（非常实用值得参考）(2024-11-04 21:17:04)
小于开启电压时，内部沟道截止;
Vgs电压越高，内部场强越大，导通程度越高，导通电阻Ron越小,注意，Vgs电压不能超过芯片允许的极限电压;NMOS管一般作为低端驱动器件，源级......
不同的电平信号的MCU怎么通信？(2024-10-22 16:01:50)
图中的2、3引脚）截止，2N7002里面的二极管3-->2方向不通。那么MCU2 RX被VCC2上拉
为3.3V。相关推荐：
MOS管驱动电......
解析开关电源的冲击电流的几种控制方法(2024-06-10)
上的功耗也较大，一般不用此方法。
3.2 有源冲击电流限制法
3.2.1 利用MOS管限制冲击电流
利用MOS管控制冲击电流可以克服无源限制法的缺陷。MOS管有导通阻抗Rds_on低和驱动简单的特点，在周......
STM32F0单片机 PWM + ADC 控制有刷电机(2023-03-14)
源正极，然后 Vgs 需要一个负电压来打开电流通道，而 N 沟道的 S 极一般接电源的负极，Vgs 需要一个正电压来打开电流通道。
资料来源于 IOR 公司数据手册
我们先从一个最简单的驱动电......
变频器的辅助电源设计(2023-08-25)
载较大者应在副边整流二极管两端并联阻容吸收电路，注意吸收电容的耐压值要高，这里取R=100Ω，瓷片电容C=470pF，耐压1kV。
开关电源原边电路参数的计算
原边电路图如下：
①驱动电阻Rdrv的选取
这里Vcc>15V，当开关管Q的G极电......
不同的电平信号的MCU串口通信(2024-10-24 15:47:14)
广泛的采用场效应管。
8、输入阻抗高，驱动功率小：由于栅源之间是二氧化硅（SiO2）绝缘层，栅源之间的直流电阻基本上就是SiO2绝缘电阻，一般......
不同的电平信号的MCU怎么通信(2023-01-09)
栅源之间是二氧化硅（SiO2）绝缘层，栅源之间的直流电阻基本上就是SiO2绝缘电阻，一般达100MΩ左右，交流输入阻抗基本上就是输入电容的容抗。由于输入阻抗高，对激励信号不会产生压降，有电压就可以驱动，所以驱动功率极小（灵敏......
使用IIC去驱动MPU6050时为什么总读取失败(2024-07-03)
是高电平， 则可以占用。
这就是IIC通信开漏输出的原因。上拉电阻的原因就是由于开漏输出的特性，需要上拉电阻在输出1时，提高驱动力。
05最后补充
最后说一下为什么之前使用推挽输出的IIC读取RTC没有......
七种MOS管栅极驱动电路(2024-10-30 00:55:57)
七种MOS管栅极驱动电路;
在使用mos管驱动电路设计开关电源或者马达驱动电路的时候，大部分人都会考虑mos的导通电阻，最大电压等，最大电流等，也有......
STM32中需要了解并熟练应用I/O口的8种工作模式(2022-12-27)
，其吸收电流的能力相对强(一般20mA以内)。开漏形式的电路有以下几个特点：
1、利用外部电路的驱动能力，减少IC内部的驱动。当IC内部MOSFET导通时，驱动电流是从外部的VCC流经上拉电阻......
STM32单片机的GPIO模式解析(2024-04-19)
收电流的能力相对强（一般20mA以内）。开漏形式的电路有以下几个特点：
1、利用外部电路的驱动能力，减少IC内部的驱动。当IC内部MOSFET导通时，驱动电流是从外部的VCC流经上拉电阻、MOSFET到GND。IC内部仅需很小的栅极驱动电......
STM32io口输入输出的理解(2024-08-12)
能力，减少IC内部的驱动。当IC内部MOSFET导通时，驱动电流是从外部的VCC流经上拉电阻、MOSFET到GND。IC内部仅需很小的栅极驱动电流。
2、一般来说，开漏......
电机驱动电路的两种设计方案解析(2023-01-12)
机两端电压来对电机进行制动，我们可以采用飞思卡尔半导体公司的集成桥式驱动芯片 MC33886。MC33886 最大驱动电流为 5A，导通电阻为 140 毫欧姆，PWM 频率小于 10KHz，具有短路保护、欠压保护、过温......
基于栅极驱动、运放的家用空调电源解决方案(2023-08-09)
是集成 700V 高压 MOS 的 SSR 功率开关管系列产品，包含 KP36673、KP36674 和 KP36675。它内置 700V 高压启动 JFET，可以省去启动电阻，降低......
在ROS学习平台中常常使用到的直流电机控制原理与驱动电路(2023-09-18)
-ON-PWM。我通常使用的为HPWM-LON方式即上管PWM，下管导通。
直流有刷电机驱动电路
H桥电路采用4颗大电流NMOS管，栅极100欧姆电阻起到抑制浪涌电流的作用，10K电阻......
MCU晶振谐振电容的计算方法(2024-11-13 14:29:38)
情况下用户不需要在外部电路再加入OSC1和OSC2的并联电阻，但还是可以在需要的情况下通过在外部并联电阻（一般来说阻值为M级）来对放大器的工作点进行微调。还有一个方法是在晶振的放大器输出管脚上串一个电阻。这个电阻一般......
stm32单片机gpio工作原理是怎样的呢？看完立马学会了(2023-10-12)
输入电平的状态
2.可以提高芯片的抗干扰能
3.当单片机的IO口作输出时，如果不接上拉电阻只能提供灌电流。无法输出电流驱动外接设备。这时也需要考虑上拉电阻。这样才可以使IO输出高电平
GPIO模拟......
STM32的GPIO功能框图讲解(2023-02-23)
，上方的二极管导通，当引脚电压低于VSS 时，下方的二极管导通，防止不正常电压引入芯片导致芯片烧毁。尽管有这样的保护，并不意味着STM32 的引脚能直接外接大功率驱动器件，如直接驱动电机，强制驱动......
教你如何配置STM32引脚(2023-04-06)
流是从外部的VCC流经上拉电阻、MOSFET到GND。IC内部仅需很小的栅极驱动电流。2、一般来说，开漏是用来连接不同电平的器件，匹配电平用的，因为开漏引脚不连接外部的上拉电阻时，只能输出低电平，如果......
STM32中GPIO是如何工作的？想知道吗？(2024-04-22)
。当IC内部MOSFET导通时，驱动电流是从外部的VCC流经上拉电阻、MOSFET到GND。IC内部仅需很小的栅极驱动电流。
2、一般来说，开漏是用来连接不同电平的器件，匹配电平用的，因为开漏引脚不连接外部的上拉电阻......
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;深圳市德力普光电股份有限公司;;深圳市德力普光电股份有限公司具有一般纳税人资格，是一家的LED驱动电源专业生产制造商。德力普®在LED驱动电源市场中具有领先地位。创立于2006年，致力
;深圳市福田区亨鑫电子商行;;深圳市亨鑫电子有限公司专业销售:IC、二三极管、场效应MOS管、光耦、电容电阻、电感、驱动IC、电源IC、DC/DC升压芯片、LDO稳压IC、低压检测 复位IC、背光驱动
;深圳市诚为通电子有限公司;;深圳诚为通电子有限公司是LED驱动IC、MOS，LED驱动电源等产品专业生产加工的,专业从事管理IC和低压MOSFET的供应商。产品适用LED手电筒，LED射灯，LED
导体对电流的阻碍作用越大。不同的导体，电阻一般不同，电阻是导体本身的一种性质。 导体的电阻通常用字母R表示，电阻的单位是欧姆（ohm），简称欧，符号是Ω（希腊字母，音译成拼音读作 ōu mì gǎ ）。比较
;深圳市鑫未来科技有限公司;;深圳市鑫未来科技有限公司是集成电路、IC、LED驱动电源、电源管理IC、LED驱动方案、MOS、其他集成电路等产品专业生产加工的公司，拥有完整、科学的质量管理体系。深圳
门类齐全，涵盖范围广阔。能够开展包括接受委托设计在内的半导体各相关业务。产品覆盖单片机开发；芯片设计，制造；LED七彩控制电路、led大功率驱动电路；红外感应电路；定时驱动电路；音频功放电路；LCD显示驱动电