资讯
电机控制中载波频率设定的五个因素(2023-02-03)
模块温升，这期主要讲讲与这几个因素有关的原因。
1载波频率与什么有关?
载波频率的选择与基波频率、硬件限制、谐波电流、内部软件的实现、功率模块温升有关：
1.1、基波频率：
由电......
碳化硅风头正劲，小心！氧化镓蓄势待发(2023-04-17)
材料氧化镓蓄势待发
从第一代半导体材料到第四代半导体材料，禁带宽度逐渐变大，从而愈发能在极端环境下使用。
△四代半导体材料及其禁带宽度......
碳化硅风头正劲，小心！氧化镓蓄势待发(2023-04-14)
受到资本青睐？未来氧化镓是否能取代碳化硅？
第四代半导体材料氧化镓蓄势待发
从第一代半导体材料到第四代半导体材料，禁带宽度逐渐变大，从而愈发能在极端环境下使用。
△四代半导体材料及其禁带宽度......
电动汽车OBC分类及其大功率PFC技术分析(2024-04-19)
进展
固体的能带理论
禁带宽带（Eg）：半导体的禁带宽度与晶格原子之间的化学键相关，更强的化学键意味着电子很难从一个位置跳跃到下一个位置，因此，较大的禁带宽度的半导体......
下一代半导体：一路向宽，一路向窄(2021-09-28)
可用于制造大功率的紫外光源。
在超宽禁带半导体中，氮化铝镓（氮化铝和氮化镓的合金材料）、氧化镓、金刚石是较有代表性的几个方向。
与氧化镓、金刚石等禁带宽度相对固定的材料不同，氮化铝镓的禁带宽度......
无锡吴越半导体展出GaN晶体 全球首次厚度突破1厘米？(2021-12-16)
的氮化镓晶体，并与君联资本、新投集团签署A轮融资战略框架协议。
公开资料显示，第三代半导体GaN是由氮和镓组成的一种半导体材料，相比于硅材料，GaN具备决定性的优势。由于其禁带宽度大于2.2eV, 因此又被称为宽禁带半导体......
功率半导体，未来怎么卷(2023-09-06)
材料，以氧化镓（Ga2O3）、氮化铝（AlN）和金刚石为代表。 二代半本身禁带宽度与硅相近，但电子迁移率更高，所以一般用在高频的射频应用中；三代半和四代半的禁带宽度更宽，用更通用的说法就是宽禁带......
三菱电机入局最强半导体，氧化镓将在10年后打败第三代半导体(2023-08-07)
特性会更优。
作为超宽禁带半导体材料的一种，氧化镓禁带宽度达到4.9eV，超过第三代半导体材料（宽禁带半导体材料）的碳化硅（3.2eV）和氮化镓（3.39eV）。更宽的禁带宽度......
SiC 与半导体垂直整合的复兴，先进 SiC 解决方案的需求不断增长(2023-02-16)
械臂、飞行器等多个工业领域。其应用的范围也在不断地普及和深化，是一种应用 前景非常广泛、非常具有价值的材料。
第三代半导体材料禁带宽度远大于前两代。第一代和第二代半导体都是窄带隙 半导体，而从第三代半导体......
从原理到实例：GaN为何值得期待？(2021-11-30)
）等宽禁带材料升级，使得功率器件体积和性能均有显著提升。
那么什么是第三代半导体GaN呢？它是由氮和镓组成的一种半导体材料，由于其禁带宽度大于2.2eV, 因此又被称为宽禁带半导体材料。
功率半导体......
从手机充电器到汽车充电器，氮化镓开启逆袭之路(2023-10-08)
着怎样的新思路。
先回顾 GaN 氮化镓的优势
氮化镓（GaN）是一种「宽禁带」（WBG）材料，其禁带宽度是硅的 3 倍多。禁带宽度......
【活动预告】09.27双箭齐发---蓉矽半导体碳化硅MOSFET线上发布会(2022-09-23)
【活动预告】09.27双箭齐发---蓉矽半导体碳化硅MOSFET线上发布会;
重磅新品：碳化硅NovuSiC® MOSFET(G1)和(G2)
碳化硅作为第三代半导体材料，具有较宽的禁带宽度、高击......
氧化镓：10年后将直接与碳化硅竞争(2023-01-09)
材料的代表。目前，各国的半导体企业都争先恐后布局氧化镓，氧化镓正在逐渐成为半导体材料界一颗冉冉升起的新星。
性能优越的氧化镓
氧化镓是一种超宽禁带材料，超越了目前已经商用器件的禁带宽度，达到了4.2电子......
第四代半导体氧化镓，被忽略的商机(2023-07-31)
开发和销售氧化镓晶圆的日本公司。
以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)为代表的宽禁带半导体材料，凭借耐高温、抗高压、开关速度快、效率高、节能、寿命长等特点，近年来业界热度一路飙升。然而，在宽禁带半导体材料发展势如破竹的同时，学术界和科研界不约而同地展望下一代半导体......
频谱分析仪的技术参数(2023-03-22)
谱仪在一次分析过程中所显示的频率范围，扫描宽度与分析时间之比就是扫频速度。
3、扫描时间
扫描时间也称分析时间，指进行一次全频率范围的扫描并完成测量所需要的时间。一般都希望测量速度越快越好，即扫描时间越短越好，但扫描时间与许多因素有关......
抢占竞争制高点？国内氧化镓功率器件研发取得重要进展(2022-08-31)
器件的最高值。
氧化镓（β-Ga2O3）是超宽禁带半导体的典型代表，禁带宽度高达（~4.8 eV），临界击穿场强高达（~8 MV/cm），是研制高耐压、大功率和高效节能半导体器件的理想半导体......
低碳化成半导体强劲增长点 吉林华微电子进入新赛道(2024-01-22)
市场增长的动力点，全球各大供应商分别推出了相关产品和解决方案。吉林华微电子抓住新的增长机遇，积极迈进“低碳”路线，努力为其发展铺就一条硬科技绿色通道。
众所周知，宽禁带半导体具有禁带宽度宽、临界击穿电场强度大、饱和......
很快，氮化镓电源将会是你低碳台式机电脑的标配！(2023-04-13)
调侃甚至是电源的热量能够把鸡蛋蒸熟。再有就是转换效率低而浪费能源的问题，电源中，禁带宽度决定了电子器件的电压耐压和最高工作温度。禁带宽度越大，电子器件能够承受的温度和电压越高。
那么，有没有什么......
克服碳化硅制造挑战，助力未来电力电子应用(2024-10-24)
局限性变得越来越明显。
随着行业不断探索解决方案，宽禁带(WBG)材料，包括(SiC)和氮化镓(GaN)，被视为解决之道。禁带宽度描述了价带顶部和导带底部之间的能量差。硅的禁带宽度......
新洁能拟定增募资不超14.5亿 用于第三代半导体功率器件等项目(2021-11-12)
具有禁带宽度大、击穿电场强度高、电子迁移率高、热导电率大、介电常数小和抗辐射能力强等特点，具有强大的功率处理能力、较高的开关频率、更高的电压驱动能力、更小的尺寸、更高的效率和更高速的散热能力，可满......
钻石，颠覆传统芯片(2023-12-25)
性和使用寿命。」华为专利主要就是利用金刚石的高散热性。
第二，5.5eV 的禁带宽度。金刚石是一种超宽禁带半导体材料，其禁带宽度是 Si 的 5 倍；载流子迁移率也是 Si 材料的 3 倍，理论上金刚石的载流子迁移率比现有的宽禁带半导体......
专注于大尺寸SiC衬底，超芯星半导体完成亿元B轮融资(2023-01-04)
于大尺寸SiC衬底，2020年3月被江北新区重点引进，是南京市唯一的第三代半导体衬底生产企业，该公司已于2019年10月推出大尺寸碳化硅单晶产品。
碳化硅是由碳元素和硅元素组成的一种化合物半导体材料，因其禁带宽度......
特斯拉Model3搭载SiC，宽禁带半导体迎来爆发(2023-02-01)
巨头未完成垄断，国内有条件追赶
目前来看，对第三代半导体材料SiC和GaN的研究相对成熟，和前两代半导体材料相比，SiC在禁带宽度等方面有明显优势，也更耐高温、更抗辐射，在大功率、高温、高辐......
特斯拉 Model3 搭载 SiC，宽禁带半导体迎来爆发(2023-02-02)
材料相比，SiC 在禁带宽度等方面有明显优势，也更耐高温、更抗辐射，在大功率、高温、高辐射应用场景中尤其适用。GaN 材料则更耐压、更耐热、更耐腐蚀，在发光器件中比较适用。基于性能上的明显优势，国内外相关企业都在积极发展宽禁带半导体......
半导体器件击穿机理分析及设计注意事项(2023-09-25)
结耗尽区反向电场增加，耗尽区中电子（或者空穴）从电场中获得的能量增加。当电子（或者空穴）与晶格发生碰撞时传递给晶格的能量高于禁带宽度能量（Eg），迫使被碰撞的价带电子跃迁到导带，从而......
基础知识之激光二极管(2024-03-20)
包层之间的有源层(发光层) 和2片镜片端面构成。
由于包层材料的禁带宽度比有源层宽，因此将载体（电子和空穴）能量性的封闭起来。并且，由于包层材料的折射率比有源层小，因此光也封闭在有源层内。(与光......
中科大在氧化镓功率电子器件领域取得重要进展(2022-05-27)
型半导体NiO由于禁带宽度大及可控掺杂的特点，是目前较好的选择。
该课题组基于NiO生长工艺和异质PN的前期研究基础，设计了结终端扩展结构（JTE），并优化退火工艺，成功......
摩尔定律对半导体行业的加速度已经明显放缓(2023-03-27)
了人们的视野。GaN和SiC同属于第三代高大禁带宽度的半导体材料，和第一代的Si以及第二代的GaAs等前辈相比，其在特性上优势突出。由于禁带宽度大、导热率高，GaN器件可在200℃以上的高温下工作，能够......
史上最全第三代半导体产业发展介绍(2017-07-27)
染环境，InP甚至被认为是可疑致癌物质，这些缺点使得第二代半导体材料的应用具有很大的局限性。
第三代半导体材料主要包括SiC、GaN、金刚石等，因其禁带宽度（Eg）大于或等于2.3电子伏特（eV），又被称为宽禁带半导体......
如何选择合适的高压探头？(2023-06-27)
正确高压探头实例
要测试的电路是一个全桥拓扑结构，使用四个宽禁带(在本例中为 GaN)金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)。需要测量的是确定 MOSFET 的开关损耗。有两个下侧MOSFET......
“终极功率半导体”获突破性进展！金刚石成下一代半导体材料(2023-01-30)
器件和集成电路的电子材料。耐高压、大射频、低成本、耐高温，多重特性助推金刚石成下一代。金刚石禁带宽度5.5eV超现有氮化镓、碳化硅等，载流子迁移率也是硅材料的3倍，同时......
镓仁半导体成功研制氧化镓超薄6英寸衬底(2024-09-13)
微米。
镓仁半导体指出，氧化镓（β-Ga2O3）具有禁带宽度大、击穿场强高、Baliga品质因数大等优势，在高压、大功率、高效率、小体积电子器件方面具有巨大的应用潜力，能够......
晶盛机电：已成功生长出8英寸碳化硅晶体(2022-09-02)
材料端的竞争力。
晶盛机电称，碳化硅作为第三代半导体材料的典型代表，具有高禁带宽度、高电导率、高热导率等优越物理特征，在新能源汽车、新能源发电、轨道交通、航天航空、国防......
“终极功率半导体”获突破性进展！金刚石成下一代半导体材料(2023-01-29)
成为人造卫星等所必需的构件。
半导体材料是制作半导体器件和集成电路的电子材料。耐高压、大射频、低成本、耐高温，多重特性助推金刚石成下一代半导体材料。金刚石禁带宽度5.5eV超现有氮化镓、碳化硅等，载流......
【成电协·会员行】优秀的第三代半导体氮化镓芯片公司——氮矽科技(2022-08-11)
，又被称为宽禁带半导体，和第一代的硅（Si）以及第二代的砷化镓（GaAs）等前辈相比，其在特性上有突出的优势：由于禁带宽度大、导热率高，氮化镓器件可在200°C以上的高温下工作，能够......
频谱分析仪重要性能指标解析(2023-02-28)
幅度精度和相对幅度精度由许多因素决定。 绝对幅度精度是满量程信号的指标，它受输入衰减，IF增益，分辨率带宽，比例保真度，频率响应和校准信号本身精度的影响。 相对幅度精度与测量方法有关，在理想条件下，只有......
频谱分析仪的七大性能指标解析(2023-02-01)
幅度精度和相对幅度精度由许多因素决定。 绝对幅度精度是满量程信号的指标，它受输入衰减，IF增益，分辨率带宽，比例保真度，频率响应和校准信号本身精度的影响。 相对幅度精度与测量方法有关，在理想条件下，只有......
氮化镓器件和集成电路先进封装技术研究中心在广东签约(2023-07-07)
电子器件及其模块的研制进程，力争快速实现产品工程化。
公开资料显示，第三代半导体氮化镓材料具备更宽的禁带宽度、更高的击穿电场、更高的热导率、更高的电子饱和速率及更优的抗辐照能力，使得......
氮化镓器件和集成电路先进封装技术研究中心在广东签约(2023-07-07)
电子器件及其模块的研制进程，力争快速实现产品工程化。
公开资料显示，第三代半导体氮化镓材料具备更宽的禁带宽度、更高的击穿电场、更高的热导率、更高的电子饱和速率及更优的抗辐照能力，使得......
基础知识之LED（发光二极管)(2024-03-27)
针对代表性的特性变化进行说明。
光强
LED的Tj上升，则光通量变少。 这是因为阻碍发光的电子和空穴再结合运动增加了。
波长
与光强变化相同，温度变化引起发光波长发生变化。 主要是温度变化引起半导体的禁带宽度......
涨知识！氮化镓（GaN）器件结构与制造工艺(2024-06-17)
、Vth、Rdson以及BV（击穿电压）等。
二、器件的材料对比
（一）半导体材料特性对比
禁带宽度在2.2eV以上的半导体称为宽禁带半导体（第三代半导体）。
表 4 半导体材料的特性对比
禁带宽度......
第三代半导体、元宇宙写入上海电子信息产业发展十四五规划(2022-01-05)
显示，第三代半导体是指禁带宽度大于2.2eV的半导体材料，也称为宽禁带半导体材料，当前以SiC和GaN为代表，具备高热导率、高击穿场强、高饱和电子漂移速率等物理特性，因此在高温、高功率、高压、高频......
如何判断电机散热是否正常(2024-08-27)
如何判断电机散热是否正常;温升取决于电动机运行中发热情况和散热情况，经常根据温升判断电动机的散热是否正常，温升是电动机重要的性能指标，那么一台电动机的温升究竟与什么因素有关，一起来了解下。
电机......
为规避美国半导体禁令后续潜在风险，驱动芯片供应链有分流迹象(2022-11-23)
为规避美国半导体禁令后续潜在风险，驱动芯片供应链有分流迹象;
【导读】11月21日消息，市场研究机构TrendForce近日表示，美国逐步扩大的针对中国大陆的半导体禁......
12英寸氮化镓，新辅助？(2024-09-10)
镓是由镓（原子序数31）和氮（原子序数7）结合而来的化合物，是拥有稳定六边形晶体结构的宽禁带半导体材料。这里的禁带，是指电子从原子核轨道上脱离所需要的能量。而氮化镓的禁带宽度为3.4eV，是硅的3倍多......
探讨一下汽车数据中占据半壁江山的差分信号(2024-01-24)
）传输速率与带宽的关系
带宽实际上是个物理概念，它是指占用频谱的宽度，一个系统，你打算支持多大的数据速率？采用什么调制方式？用什么编码方式？等等综合考虑了以后，这些指标决定了你的信道需要多少带宽，一般......
英唐智控宣布筹建6英寸碳化硅产线，全产业链布局再进一步(2021-07-12)
化硅者得天下!
SiC是第三代半导体材料，作为宽禁带半导体材料的一种，与硅的主要差别在禁带宽度上，这让同性能的SiC器件尺寸缩小到硅基的十分之一，能量损失减少了四分之三，成为制备高压及高频器件新的衬底材料。
SiC......
晶盛机电宣布成功研发出8英寸N型SiC晶体(2022-08-16)
显示，碳化硅一种宽禁带化合物半导体材料，相对于传统的硅材料来说，碳化硅属于第三代半导体材料的典型代表，其拥有禁带宽度宽、耐高温、耐高压、高频、大功率、抗辐射等特点，具有开关速度快、效率高的优势， 可大......
中国宣布出口限制之后，美国如何采购镓？(2023-08-17)
种白色的晶体粉末，具有两性。氧化镓，禁带宽度为 4.9eV，远高于碳化硅（3.2eV）和氮化镓（3.39eV），仅次于金刚石（5.5eV）和氮化铝（6.2eV）。氧化镓具有适合日盲紫外波段的禁带宽度......
华为哈勃加持，这家碳化硅龙头离上市一步之遥！(2021-09-09)
的主要材料是碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN），凭借其更宽的禁带宽度、高温、高压、高频率和大功率等优异性能，近年来产业迅猛增长。
据机构预测，第三代半导体市场规模预计将从2020......
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;全盛电子科技发展有限公司;;我公司代理5大欧美知名品牌，意法半导体（ST）,（安森美）ON等知名品牌电源,单片机,二极管等电子元器件，是意法半导体（ST）一级代理商, （安森美）ON 一级
我们能够为客户定制方案，帮助客户快速开发出适合市场的产品。 我们和一些国际优质上游渠道保持稳定的合作关系，目前合作的品牌有: Freescale （飞思卡尔）--原来的MOTORALA半导体,ATMEL（爱特
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司竭力向国内外客户提高符合环保要求、质量稳定优良、价格合理的半导体元器件。如果你有什么需求，现在就和我们的业务代表联系吧。
理为效益，以人求发展，以创新求活力”的经营理念，用诚信、务实、高效的合作态度与广大客户建立长远的合作伙伴关系。 关于首尔半导体 首尔半导体乃韩国最大的LED环保照明技术生产商, 并且是全球八大生产商之一。首尔半导体
;明信达科技有限公司;;本公司专业销售世界各品牌的电子IC元器件。主要包括电容，电阻，二三极管，军工产品，半导体，零配器件等的出口。 我们秉着诚实，平等的原则，我们的宗旨是质量第一，客户第一。真诚
;粤港（中国）科技有限公司;;我公司代理5大欧美知名品牌，包括英特矽尔（Intersil）,POWER,德州仪器（TI），意法半导体（ST）,（安森美）ON等知名品牌电源,单片机,二极
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