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碳化硅风头正劲，小心！氧化镓蓄势待发(2023-04-14)
和销售的科技型企业。
为满足日益增长的多元需求，半导体从以硅、锗为代表的第一代材料，以砷化镓、磷化铟为代表的第二代材料，以碳化硅、氮化镓为代表的第三代材料，发展至以氧化镓为代表的第四代半导体材料。氧化镓是什么？为何......
碳化硅风头正劲，小心！氧化镓蓄势待发(2023-04-17)
为代表的第三代材料，发展至以氧化镓为代表的第四代半导体材料。氧化镓是什么？为何受到资本青睐？未来氧化镓是否能取代碳化硅？
第四代半导体材料氧化镓......
重点研发“卡脖子”项目，同济大学氧化镓材料项目签约江苏无锡(2023-06-21)
共服务平台，建立院士工作站，挂牌“同济大学人工晶体研究院”等项目内容。
氧化镓是提升集成电路产业市场竞争力、实现产业跨越式技术进步的重要材料，正在逐渐成为半导体材料界一颗冉冉升起的新星，市场......
氧化镓：10年后将直接与碳化硅竞争(2023-01-09)
性质各有千秋。目前研究比较多的是β相（热稳定性最佳，禁带宽度~4.8eV），而α相（高禁带宽度~5.3eV）和ε相（极化率十倍于氮化镓，适合于高电子迁移率晶体管）方面的研究也逐渐增加。所以从材料属性来说，氧化镓是......
三菱电机入局最强半导体，氧化镓将在10年后打败第三代半导体(2023-08-07)
。
氧化镓的禁带宽公开报道是4.9eV，砷化镓的禁带宽为1.6eV，氮化镓是3.36eV。另据报道，硅的禁带宽为1.1eV，如果干瘪的数字不好比较，那我们就打一个比方：假如4.9eV与3.36eV......
国产4英寸氧化镓晶圆衬底技术获突破！(2022-12-09)
说不具备大尺寸主面（001）晶相氧化镓晶体的生长工艺，氧化镓市场应用端推动过程将极为困难。
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氧化镓是“何方神圣”？
氧化镓，是继Si、SiC及GaN后的第四代宽禁带半导体材料，以β-Ga2O3单晶......
什么是晶体管呢？ 世界需要更好的晶体管吗？(2022-12-15)
管同时荣获诺贝尔物理学奖。肖克利也被誉为晶体管之父。
芯片有如此强大的功能，为什么晶体管可以胜任呢?
我们知道，对于数字电路来讲，逻辑是其精髓所在，所有的功能归根结底，都可以说是逻辑功能。而逻......
第四代半导体氧化镓，被忽略的商机(2023-07-31)
（极化率十倍于氮化镓，适合于高电子迁移率晶体管）方面的研究也逐渐增加。
所以从材料属性来说，氧化镓是一种很有希望的超宽禁带材料。氧化镓的优势不仅是材料性能高，更重要的是成本较低。2019年有......
西安邮电大学成功在8英寸硅片上制备出了高质量的氧化镓外延片(2023-03-13)
成果标志着我校在超宽禁带半导体研究上取得重要进展。
据陈海峰教授介绍，氧化镓是一种超宽禁带半导体材料，具有优异的耐高压与日盲紫外光响应特性，在功率器件和光电领域应用潜力巨大。硅上氧化镓异质外延有利于硅电路与氧化镓......
涨知识！氮化镓（GaN）器件结构与制造工艺(2024-06-17)
-氧化层-半导体-场效晶体管，简称金氧半场效晶体管，是一种电压控制器件。MOSFET有两种类型，“p沟道”和“n沟道”，这两种类型都可以处于增强或耗尽模式，因此共有四种不同类型的MOSFET......
氧化镓商业化脚步临近，或将与碳化硅直接竞争(2023-09-22)
杂的块状单晶。
具体而言，氧化镓是一种多变的半导体材料，它有六种不同的晶相，其中最稳定的是β相。β相氧化镓可以通过熔融法生长出大尺寸的单晶衬底，这对......
我国成功制备6英寸氧化镓单晶，第四代半导体正式“撒网”(2023-03-01)
晶圆在国际尚属首次。
中国科大国家示范性微电子学院教授龙世兵课题组于2023年初首次研制出氧化镓垂直槽栅场效应晶体管。而就此前不久，龙世兵课题组相关研究论文成功被世界顶级技术论坛IEEE......
中国宣布出口限制之后，美国如何采购镓？(2023-08-17)
材料用于制造半导体功率器件, 也可以用于制造射频元件和发光二极管（LED）。氮化镓技术展示出它可以在功率转换、射频及模拟应用中，替代硅基半导体技术。本文引用地址：氧化镓（Ga2O3）是镓最稳定的氧化物，是一种白色的晶体......
突破！西安高校团队从 8 英寸硅片制备出氧化镓外延片~(2023-03-17)
外延片，标志着在超宽禁带半导体研究上取得重要进展。
据悉，该研究成果出自西安邮电大学新型半导体器件与材料重点实验室的陈海峰教授团队。
陈海峰教授表示，氧化镓是......
为什么晶振不集成到芯片内部去？(2024-06-19)
为什么晶振不集成到芯片内部去？;原因1、早些年，芯片的生产制作工艺也许还不能够将晶振做进芯片内部，但是现在可以了。这个问题主要还是实用性和成本决定的。
原因2、芯片和晶振的材料是不同的，芯片 （集成......
“半导体口粮”出口管制影响多大？上市公司回应来了(2023-07-05)
”。
部分公司影响稍大
根据公告显示，我国决定对镓、锗相关物项实施出口管制，并从今年8月1日起正式实施。据了解，镓相关物项包括金属镓（单质）、氧化镓、氮化镓、磷化镓、砷化镓等，而锗相关物项包括金属锗、磷锗......
英飞凌对英诺赛科提出专利侵权诉讼(2024-03-14)
美国进口各种产品侵犯了英飞凌的上述专利，这些产品包括应用于汽车、数据中心、太阳能、电机驱动、消费电子产品的氮化镓晶体管，以及在汽车、工业和商业应用中使用的相关产品。
英飞凌电源与传感系统事业部总裁Adam White表示......
中国研发再突破！15亿美元的氧化镓市场如何引发多国博弈？(2022-05-12)
晶圆的晶面具有特异性，使得制作的功率器件具有较好的性能；
二是由于采用了熔体法新路线，减少了贵金属铱的使用，使得氧化镓生长过程不仅更简单可控，成本也更低，具有更大的产业化前景。
经检测，科创中心采用新技术路线研制出的这批氧化镓晶圆的导电类型......
8月1日起！中国正式限制镓、锗等芯片关键材料出口(2023-08-01)
中指出，镓相关物项包含氮化镓、砷化镓、铟镓砷等;锗相关物项包含磷锗锌、锗外延生长衬底、二氧化锗等。
此举也引发了海外厂商囤货，因为没有这些是生产的关键材料，没有将没办法生产。
与铜......
中国科大首次研制出氧化镓垂直槽栅场效应晶体管(2023-02-28)
中国科大首次研制出氧化镓垂直槽栅场效应晶体管;近日，中国科学技术大学微电子学院龙世兵教授课题组联合中科院苏州纳米所加工平台在氧化镓功率电子器件领域取得重要进展，分别采用氧气氛围退火和N离子......
日本团队采用新技术制备氧化镓晶体(2024-08-02)
日本团队采用新技术制备氧化镓晶体;作为一种新兴的超宽禁带半导体材料，氧化镓具备大禁带宽度（4.8eV）、高临界击穿场强（8MV/cm）和良好的导通特性，与碳化硅和氮化镓相比，氧化镓......
一篇看懂！伺服电机适合什么晶振(2024-09-25)
一篇看懂！伺服电机适合什么晶振;#01
伺服机与晶振联系
伺服电机是工业机器人最核心的部件之一，指在伺服系统中控制机械元件运转的发动机，将电信号转换成电动机轴上的角位移或角速度输出。
伺服......
国内首批！铭镓半导体实现4英寸氧化镓晶圆衬底技术突破(2023-03-13 14:40)
单晶衬底生长技术公司之一。
铭镓半导体工作人员在做相关试验。
北京铭镓半导体有限公司创始人、董事长陈政委向记者介绍，稳态氧化镓晶体为单斜结构，存在（100）和（001）两个解理面，主面（001）晶体......
misc设备驱动模型及实例解析(2024-09-18)
.在使用过程中我们主要是通过次设备号来区分各个设备。这一点不难理解，内核将所有注册为misc的设备都归为一大类。
3、结构体中的list_head结构体类型的list成员的作用是什么......
中科大在氧化镓功率电子器件领域取得重要进展(2022-05-27)
作为新一代功率半导体材料，禁带宽带大、抗极端环境强，有望在未来功率器件领域发挥极其重要的作用。
但氧化镓功率半导体器件推向产业化仍然有很多问题，包括边缘峰值电场难以抑制、增强型晶体管难以实现。针对......
镓仁半导体氧化镓二期工厂正式启用(2024-11-20)
镓仁半导体氧化镓二期工厂正式启用;据镓仁半导体官微消息，镓仁半导体氧化镓二期工厂近日正式启用。新工厂在晶体生长、晶圆加工和外延生长等关键环节引入了先进的产业化设备，预计将显著提升产能，以满足全球市场对氧化镓......
12英寸氮化镓，新辅助？(2024-09-10)
剂法和多点晶种法，兼具高质量及易扩径的优点。此外，以该技术为基础，他们将开发兼容8英寸或更大尺寸的晶体生长设备，用于未来进一步开发大尺寸衬底。
02氮化镓：第二次电力电子学革命催化剂
从原理上看，氮化镓是......
单片机中晶振的工作原理是什么？(2024-10-16 16:19:20)
单片机中晶振的工作原理是什么？;
晶振在单片机中是必不可少的元器件，只要用到CPU的地方就必定有晶振的存在，那么晶......
新能源汽车解析丨什么是IGBT？结构与拆解(2023-10-08)
和作为开关的双极功率晶体管组合在单个器件中。3、IGBT的用途是什么？IGBT 在单个器件中结合了具有MOS 结构的控制输入和用作输出开关的双极功率晶体管。IGBT 适用于高电压、高电流应用。它们......
全球芯片正在破局...(2024-07-15)
球半导体观察不完全统计，今年来共有超30项关键技术取得重要进展，涉足类脑芯片、光子芯片、人工智能芯片、第三/四代半导体（碳化硅/氮化镓/氧化钾/金刚石等），以及光刻胶材料、存储器、晶体......
铭镓半导体预计2023年底完成扩产计划，将建成氧化镓完整产业线(2022-08-04)
衬底年产量可达2000片左右，主要应用于新能源汽车、光伏、风电等行业。
消息指出，此次，氧化镓扩大加工线及洁净室落地工宇园区是铭镓半导体扩产的第一步，2023年底完成扩产计划后，铭镓半导体将建成国内首条集晶体......
宜普电源转换公司起诉竞争对手英诺赛科，要求保护新兴氮化镓（GaN）技术专利(2023-05-25)
成为一个可大批量生产的替代硅产品。使用氮化镓器件的晶体管和集成电路，较使用硅基器件而言更高效，更轻巧且成本更低。
宜普公司位于美国加利福尼亚州的埃尔塞贡多（El Segundo），将氮化镓......
GaN激光雷达普及加速 | 氮化镓技术如何推动ToF激光雷达产业的加速发展？(2022-02-11)
) 基于氮化镓器件的激光雷达解决方案
是什么？
飞行时间(ToF)激光雷达的应用案例
驱动设计与控制
杂散电感的影响
使用氮化镓器件的优势
3) 激光雷达专用eToF GaN集成电路(EPC21601......
智能穿戴产品对晶振的要求(2024-05-13)
智能穿戴产品对晶振的要求;智能穿戴行业如火如荼,那么这些有着特殊功能的手表,它们用的是什么晶振呢？用于这些科技智能产品的晶振到底有哪些普通晶振没有的特性？今天小编就带与您一起了解一下：
材料......
GaN在射频功率领域会所向披靡吗？(2017-08-01)
式天线系统和一些微波链路：砷化镓MMIC在这些市场的优势是射频功率低，TriQuint 半导体T2G4005528-FS(图1)是GaN竞争的典型代表，这种碳化硅衬底的氮化镓HEMT(高电子迁移率晶体管)工作......
铭镓半导体在氧化镓材料开发及应用产业化方面实现新突破(2024-06-06)
材料，包括第四代半导体材料氧化镓、高频磷化铟晶体和大尺寸掺杂光学晶体。
封面图片来源：拍信网......
改变未来游戏规则，英特尔展示GaN新技术(2023-12-17)
想法最终成为向个人电脑和数据中心供电的行业标准，如今，DrMOS无处不在。
为什么要将驱动器和功率器件集成在一起呢？因为这种集成提供了更高密度的解决方案，具有极低的寄生参数，因此可以让半导体行业使用硅晶体......
改变未来游戏规则，英特尔展示GaN新技术(2023-12-18 10:06)
想法最终成为向个人电脑和数据中心供电的行业标准，如今，DrMOS无处不在。为什么要将驱动器和功率器件集成在一起呢？因为这种集成提供了更高密度的解决方案，具有极低的寄生参数，因此可以让半导体行业使用硅晶体......
功率半导体器件的设计与制造工艺的核心环节，且这些创新技术专利已成功将基于氮化镓的功率器件从一个研究项目，发展成为一个可大批量生产的替代硅产品。使用氮化镓器件的晶体管和集成电路，较使用硅基器件而言更高效，更轻巧且成本更低。
宜普......
宜普电源转换公司（EPC）在美国国际贸易委员会起诉竞争对手英诺赛科，要求保护新兴氮化镓（GaN）技术专利(2023-05-25 14:28)
功率半导体器件的设计与制造工艺的核心环节，且这些创新技术专利已成功将基于氮化镓的功率器件从一个研究项目，发展成为一个可大批量生产的替代硅产品。使用氮化镓器件的晶体管和集成电路，较使用硅基器件而言更高效，更轻巧且成本更低。宜普......
全新MASTERGAN1，让GaN晶体管更具说服力和直观性(2024-12-11 10:52)
为实尽管有这些理论知识，但要说服决策者可能依然困难重重。虽然GaN晶体管并不是什么新鲜事物，但是它们在大批量产品电源中的使用仍然是新颖的。要使GaN和MASTERGAN1的功能展示变得更加简单，必须......
科学家发现水基电池的储存能力有着高达1000%的差异(2023-04-17)
是驱动这种水和溶剂注入的力量。"
"有了这种新的储能技术，这是对无锂电池的一种推动。"Tabor说："我们对是什么让一些电池电极比其他电池电极工作得更好有了更好的分子水平的描述，这为我们在材料设计方面的进展提供了强有力的证据。"
......
专注四代半，杭州镓仁半导体开业(2024-01-04)
设计、晶体生长、晶体加工等全套的关键技术，有望破解氧化嫁材料的“卡脖子”难题。
氧化镓在5G通信、轨道交通、国家电网、新能源汽车、国防军工等领域有重要应用前景。中国科学院院士、浙江......
“白菜化”的有源相控阵雷达(2024-01-12)
能在世界之中一骑绝尘呢？
首先，我国的镓储量十分丰富，全世界68%的镓储量都在我国；其次，镓是电解铝的副产物，虽然电解铝并不是什么困难的技术，但是规模化的电解铝耗电巨大，难的......
抢占竞争制高点？国内氧化镓功率器件研发取得重要进展(2022-08-31)
器件在相同耐压情况下具有更低的导通电阻，应用于电能转换领域将实现更低的功耗和更高的转换效率。因此，近年来，氧化镓半导体已成为半导体国际研究热点和大国技术竞争制高点。
西安电子科技大学研究团队通过一系列技术创新实现了氧化镓功率二极管和功率晶体......
中国首颗6英寸氧化镓单晶成功制备，第四代半导体呼啸而来(2023-02-28)
科大国家示范性微电子学院教授龙世兵课题组于2023年初首次研制出氧化镓垂直槽栅场效应晶体管。而就此前不久，龙世兵课题组相关研究论文成功被世界顶级技术论坛IEEE IEDM大会接收，这也......
中国首颗6英寸氧化镓单晶成功制备，第四代半导体呼啸而来(2023-02-28)
科大国家示范性微电子学院教授龙世兵课题组于2023年初首次研制出氧化镓垂直槽栅场效应晶体管。而就此前不久，龙世兵课题组相关研究论文成功被世界顶级技术论坛IEEE IEDM大会接收，这也......
第三代半导体科普，国产任重道远(2017-05-15)
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这里要特别说明一下氮化镓GaN材料。
镓是地球上存在的一种贵金属材料，大约排名第十左右，中国储量全球第一。作为三代半导体材料当家花旦的氮化镓,近二十年来，由于LED照明产业的发展推动，已成......
巨光东来第三代砷化镓太阳能电池项目签约天津(2024-10-31 14:17)
冀产业链供应链重点项目签约仪式上，咸水沽镇人民政府与巨光东来新能源有限公司就第三代（砷化镓）光伏发电系统及钠离子电池产业化项目进行签约。
砷化镓是光电及通信领域不可或缺的原材料，广泛应用于制造高频、高速、大功率、低噪......
格芯获3500万美元资金补贴，加速制造下一代氮化镓芯片(2023-10-20)
Thomas Caulfield表示：“硅基氮化镓是新兴市场高性能射频、高压功率开关和控制应用的理想技术，对于6G无线通信、工业物联网和电动汽车非常重要。”
格芯......
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机械行业----的重点扶持企业之一，主要从事高性能的轻型工程及建筑机械的研发、生产、销售及服务工作。二、我们的目标是什么？我们的目标是提供一种能帮助用户快速高效完成其任务的服务，高性