资讯
MOS管基础及选型指南(2024-03-20)
的，所以NMOS又被称为绝缘栅型场效应管。
当栅极G和源极S之间不加任何电压，即VGS=0时，由于漏极和源极两个N+型区之间隔有P型衬底，相当于两个背靠背连接的PN结，它们......
重庆万国造出自研自产 IGBT 元件，预计今年内实现量产(2022-08-12)
Transistor，BJT）双极型三极管和绝缘栅型场效应管（Metal Oxide Semiconductor，MOS）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有（Metal-Oxide......
RS瑞森半导体低压MOS在小家电的应用(2022-11-28)
RS瑞森半导体低压MOS在小家电的应用;
一、分类
MOSFET是集成电路中带有绝缘层的栅型场效应管，主要分为N沟道和P沟道两大类。其中N沟道MOS管电路中BEEP引脚......
浅析基本放大电路！(2024-10-05 18:03:02)
频信号加到共射极三极管VT1的基极，经放大后，由集电极输出并直接送到VT2的发射级，经VT2放大后，由视频信号VT2的集电极输出，送往显像管的阴极。
2、绝缘栅型场效应管......
吉利科技旗下晶能微电子自研首款车规级 IGBT 产品成功流片(2023-03-16)
(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由（Bipolar Junction Transistor，BJT）双极型三极管和绝缘栅型场效应管（Metal......
双面散热汽车IGBT器件热测试评估方式创新(2023-03-06)
Transistor，BJT）双极型三极管和绝缘栅型场效应管（Metal Oxide Semiconductor，MOS）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件， 兼有（Metal-Oxide......
伺服系统构成及其工作原理(2024-06-03)
%以上。IGBT即绝缘栅双极型晶体管，是由双极型三极管和绝缘栅型场效应管组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，兼有金氧半场效晶体管的高输入阻抗和电力晶体管的低导通压降两方面的优点，用于......
揭秘十大常用电子元器件背后的那些门道！(2024-10-20 21:14:56)
获得一般晶体管很难达到的性能。
2、场效应管分成结型和绝缘栅型两大类，其控制原理都是一样的。
3、场效应管与晶体管的比较
(1)场效应管......
科普丨十大最常用电子元器件介绍(2024-10-22 09:33:32)
晶体管具有较高输入阻抗和低噪声等优点，因而也被广泛应用于各种电子设备中。尤其用场效管做整个电子设备的输入级，可以获得一般晶体管很难达到的性能。
2、场效应管分成结型和绝缘栅型两大类，其控制原理都是一样的。如图1-1-1......
指针式万用表对场效应管进行判别方法(2023-02-08)
指针式万用表对场效应管进行判别方法;（1）用测电阻法判别结型场效应管的电极
根据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象，可以判别出结型场效应管的三个电极。具体方法：将万用表拨在R×1k档上，任选......
用指针万用表检测场效应管的方法(2023-02-07)
用指针万用表检测场效应管的方法;用指针式万用表检测场效应管的一些方法，判断电极、检查好坏、无标志场效应管的检测以及放大能力的检测
1、用测电阻法判别结型场效应管的电极
根据场效应管的PN结正、反向......
介绍用指针万用表检测场效应管的方法(2023-03-07)
介绍用指针万用表检测场效应管的方法; 用指针式万用表检测场效应管的一些方法，判断电极、检查好坏、无标志场效应管的检测以及放大能力的检测
１、用测电阻法判别结型场效应管的电极
根据场效应管......
车规级IGBT有多重要？(2024-03-11)
双极型晶体管，它由绝缘栅型场效应管和双极型三极管两个部分组成，其兼具MOSFET输入阻抗高、控制功率小、驱动电路简单、开关速度快和BJT通态电流大、导通压降低、损耗小等优点，是功......
igbt在电动汽车上的作用(2023-09-28)
igbt在电动汽车上的作用; igbt在电动汽车上的作用
IGBT是一种由控制电路控制、是否导电的半导体；由BJT（双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成......
从内部结构到电路应用，这篇文章把MOS管讲透了。(2024-04-29)
从内部结构到电路应用，这篇文章把MOS管讲透了。;管学名是场效应管，是金属-氧化物-半导体型场效应管，属于绝缘栅型，本文就结构构造、特点、实用电路等几个方面用工程师的话详细描述。本文引用地址：其结......
SiC功率器件崛起，新能源汽车迎来性能革命！(2024-03-19)
能源汽车中的应用
IGBT是一种由BJT（双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，具有驱动容易、控制简单、开关频率高、导通电压低、通态电流大、损耗小等优点。在新......
储能系统的关键零部件——IGBT介绍(2024-10-08 17:04:04)
源变换与传输的核心器件
IGBT可以通俗的理解为是带阀门控制的能控制电子双向（多向）流动的晶体管。IGBT是由BJT双极型三极管和绝缘栅型场效应管MOS组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有 MOSFET金氧半场效......
集体爆发！实现33%国产化率，国产IGBT半导体龙头跻身全球前五！(2024-06-03)
型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点，被誉为是电力电子行业的“CPU”。
目前IGBT大规......
必看！IGBT基础知识汇总！(2024-01-03)
必看！IGBT基础知识汇总！;
01 是什么？本文引用地址：
，绝缘栅双极型，是由（BJT）双极型三极管和绝缘栅型场效应管（MOS）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有（MOSFET......
H桥电机正反转换控制电路图(2024-11-01 11:31:00)
H桥电机正反转换控制电路图;
电机控制电路
所谓的H桥电路就是控制电机正反转的。下图①就是一种简单的H桥电路，它由2个P型场效应管Q1、Q2与2个N型场效应管Q3......
什么是H桥？介绍H桥电机驱动电路(2023-10-30)
，下图就是这种H桥电路。它由2个P型场效应管Q1、Q2与2个N型场效应管Q3、Q4组成，桥臂上的4个场效应管相当于四个开关。 相对于前文4个N型MOS管的H桥电路，此电......
介绍H桥电机驱动电路(2024-11-05 11:58:11)
MOS管的H桥，另外还有包含2个N型、2个P型MOS管的H桥，
下图就是这种H桥电路。它由2个P型场效应管Q1、Q2与2个N型场效应管Q3、Q4组成，桥臂上的4个场效应管......
泰克先进半导体开放实验室再升级，开启功率器件测试新篇章(2024-05-16)
具备极高的灵活性，适配多种测试标准。
SPT1000A 静态参数测试系统
SPT1000A静态参数测试系统可用于各类二极管、三极管、绝缘栅型场效应管、结型场效应管、单向和双向可控硅、普通和高速光耦、整流桥、共阴......
30V MOS管N沟道PKC26BB替代料SVG032R4NL5(2023-09-26)
LVMOS工艺技术制造是100A、30VN沟道增强型场效应管，可兼容替代尼克森PKC26BB。
PKC26BB替代料SVG032R4NL5特点
■ 100A,30V,RDs(on)(典型值)=2.0mΩ......
纯直流场效应管功放电路(2023-06-20)
纯直流场效应管功放电路;【电路原理】这款场效应管功放，适合那些倾心于电子管音色，因而各种原因无法自制出靓声的胆后级发烧友。此款双极型场效应管功放与电子管的输出特性极为相似，频率特性好，音色......
e络盟扩充东芝场效应管产品系列，满足全球市场日益增长的需求(2023-11-16)
列产品基于东芝最新一代工艺，采用了超级结结构，被广泛认为是功率场效应管的最新分水岭。新型场效应管的RDS(on)仅为55毫欧，性能较东芝DTMOSIV-H系列的同类器件提升了13%。
TPH9R00CQ5功率场效应管......
e络盟扩充东芝场效应管产品系列，满足全球市场日益增长的需求(2023-11-17)
基站及许多工业用途。
•DTMOSVI系列：TK055U60Z1功率场效应管是600V DTMOSVI系列的第一款产品，该系列产品基于东芝最新一代工艺，采用了超级结结构，被广泛认为是功率场效应管的最新分水岭。新型场效应管......
储能逆变器带动哪电力电子器件？(2024-10-18 17:33:25)
作用就是变压、变频、交变转换等
，是储能应用中不可缺少的器件。
IGBT是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成......
e络盟扩充东芝场效应管产品系列，满足全球市场日益增长的需求(2023-11-17 15:24)
的最新分水岭。新型场效应管的RDS(on)仅为55毫欧，性能较东芝DTMOSIV-H系列的同类器件提升了13%。
• TPH9R00CQ5功率场效应管：基于U-MOS X-H沟槽工艺，这种新型功率场效应管......
e络盟扩充东芝场效应管产品系列，满足全球市场日益增长的需求(2023-11-17)
的最新分水岭。新型场效应管的RDS(on)仅为55毫欧，性能较东芝DTMOSIV-H系列的同类器件提升了13%。
TPH9R00CQ5功率场效应管：基于U-MOS X-H沟槽工艺，这种新型功率场效应管......
简述8051单片机结构与原理(2024-01-15)
.x脚输出为0。
P1口工作原理——只用作通用I/O口
输入：分为“读锁存器”和“读引脚”
①读“锁存器”，输出Q状态经输入缓冲器BUF1进入内部总线；
②“读引脚”，先向锁存器写1，使场效应管......
8051单片机的结构与原理(2024-01-15)
.x脚输出为0。
P1口工作原理——只用作通用I/O口
输入：分为“读锁存器”和“读引脚”
①读“锁存器”，输出Q状态经输入缓冲器BUF1进入内部总线；
②“读引脚”，先向锁存器写1，使场效应管......
关于8051单片机基础结构解析与工作原理及电路结构(2024-02-03)
，场效应管导通，P1.x脚输出为0。
P1口工作原理——只用作通用I/O口
输入：分为“读锁存器”和“读引脚”
①读“锁存器”，输出Q状态经输入缓冲器BUF1进入内部总线；
②“读引脚”，先向......
详解：8051单片机的结构与原理(2023-03-28)
，下方场效应管截止，输出为漏极开路，此时，必须外接上拉电阻才能有高电平输出；②当D锁存器为0时，下方场效应管导通，P0口输出为低电平。
P0口工作原理——用作通用I/O口输入：两种读入方式：“读锁存器”和......
4个常用的单片机防反接电路(2022-12-08)
本不高。
缺点：一旦接反需要更换保险丝，操作比较麻烦。
3、正接反接都可正常工作的电路
优点：输入端无论怎样接，电路都可以正常工作。
缺点：存在两个二极管的压降，适用于小电流电路。
4、N沟道增强型场效应管......
防反接常用单元电路，收藏了(2024-10-26 11:31:16)
于小电流电路。
04
N沟道增强型场效应管......
日本电产理德推出半导体高速检测装置“NATS-1000”(2022-12-23)
-MOSFET（Silicon Carbide：碳化硅 Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor：金属-氧化物半导体场效应管）等小型模块。由此，使该......
硬件工程师的哲学人生~(2024-10-17 22:45:34)
你爱一个男生，非常笃定的话就和他结婚吧，男生的爱情就像绝缘栅场效应管，一般不可以测，所以，你千万别用你的闺蜜好友啥的来试他，男生的防线就如模电老师形容那管子一样，一测试就坏，而且，就算坏了，你还......
基础知识之IGBT(2024-03-22)
（半导体氧化物）- Semiconductor（半导体）的三层结构的Field-Effect Transistor（场效应晶体管）。
BIPOLAR 是指使用了双极性元件，将称为p型和n型的两种......
不同的电平信号的MCU怎么通信(2023-01-09)
放大系数是（跨导gm）当栅极电压改变一伏时能引起漏极电流变化多少安培。晶体三极管是电流放大系数（贝塔β）当基极电流改变一毫安时能引起集电极电流变化多少。
3、场效应管栅极和其它电极是绝缘的，不产......
不同的电平信号的MCU串口通信(2024-10-24 15:47:14)
三极管是电流放大系数（贝塔β）当基极电流改变一毫安时能引起集电极电流变化多少。
3、场效应管栅极和其它电极是绝缘的，不产生电流；而三......
不同的电平信号的MCU怎么通信？(2024-10-22 16:01:50)
极电流改变一毫安时能引起集电极电流变化多少。
3、场效应管栅极和其它电极是绝缘的，不产生电流；而三极管工作时基极电流IB决定集电极电流IC。因此场效应管......
手持万用表的原理介绍(2023-02-07)
可控硅的维持电流时要使用低量程，为其提供最大的测试电流。测试绝缘栅型的场效应管GBT管或高压硅堆时，要使用Rx10K量程，才能为其栅极提供5V以上的门坎电压。测量发光二极管或光电耦合器的二极管时，如果......
【泰克应用分享】 FET 生物传感器的直流I-V 特性研究(2023-11-17)
【泰克应用分享】 FET 生物传感器的直流I-V 特性研究;由于半导体生物传感器的低成本、迅速反应、检测准确等优点，对于此类传感器的研究和开发进行了大量投入。特别是基于场效应晶体管 (FET) 的生物传感器或生物场效应管......
日本电产理德推出半导体高速检测装置“NATS-1000”(2022-12-23)
加灵活地支持SiC-MOSFET（Silicon Carbide：碳化硅 Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor：金属-氧化物半导体场效应管......
【干货】抛开教材，从实用的角度聊聊MOS管(2022-11-29)
CHAO
在大部分的教材里都会告诉你长长的一段话：
全称金属氧化半导体场效应晶体管，英文名Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，属于绝缘栅极场效......
干货分享丨太厉害了，终于有人能把IGBT讲得明明白白！(2024-10-21 17:53:55)
双极型晶体管）
，是由 BJT(双极结型晶体三极管) 和 MOS(绝缘栅型场效应管) 组成的复合全控型-电压驱动式-功率半导体器件,其具有自关断的特征。简单讲，是一个非通即断的开关，IGBT没有放大电压的功能，导通......
日本电产理德推出半导体高速检测装置“NATS-1000”(2022-12-23)
硅 Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor：金属-氧化物半导体场效应管）等小型模块。由此，使该检测装置可支持如电机、EV用变频器、高速......
NMOS和PMOS详解(2023-12-19)
较麻烦，需采用隔离电压设计。
NMOS PMOS CMOS
CMOS门电路由PMOS场效应管和NMOS场效应管以对称互补的形式组成，先介绍MOS管，然后再介绍由CMOS组成的门电路。
MOS......
国产IGBT渗透率显著提升，产业链23家企业将受益！(2020-01-09)
Bipolar Transistor)即绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，具有高频率、高电压、大电流、易于......
相关企业
;深圳市华坤伟业电子经营部;;IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor），绝缘栅极型功率管，是由BJT（双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成
;结型场效应管 柯永俊;;
;结型场效应管 詹欣龙;;◇◇◇喜逢信
;结型场效应管 深圳市沃��德科技有限公司;;
;结型场效应管 尼博集团有限公司;;尼博集
;结型场效应管 深圳市佰�N电子有限公司;;
;结型场效应管 深圳市福田区华捷盛电子商行;;
;结型场效应管 深圳市龙皓科技有限公司;;深圳市
;结型场效应管 深圳市德普微电子有限公司;;深圳市
;结型场效应管 深圳市鑫欧迪电子有限公司;;深圳市鑫