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半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今天宣布推出首批支持低电压(100/150 V)和高电压(650 V)应用的E-mode（增强型）功率GaN FET。Nexperia在其......
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Nexperia推出支持低压和高压应用的E-mode GAN FET; 【导读】基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今天宣布推出首批支持低电压(100/150 V)和高......
镓器件的供应商基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今天宣布推出首批支持低电压(100/150 V)和高电压(650 V)应用的E-mode（增强型）功率GaN FET。Nexperia在其级联型氮化镓产品系列上增加了七款新型E-mode器件，从......
发开源硬件平台方面实力雄厚，BeagleV®-Ahead的引入使e络盟在促进技术创新和协作的承诺更有分量。通过使RISC-V 架构面向更广泛的受众，BeagleV®-Ahead 让开发人员能够探索新的可能性，加快......
e络盟扩充产品组合，引入BeagleV®-Ahead单板计算机;BeagleV®-Ahead是BeagleBoard最新发布的首款大规模生产的专业RISC-V SBC板 中国上海，2023年......
e络盟扩充产品组合，引入BeagleV－Ahead单板计算机;BeagleV®-Ahead是BeagleBoard最新发布的首款大规模生产的专业RISC-V SBC板安......
单板计算部门主管Romain Soreau表示：“BeagleBoard在开发开源硬件平台方面实力雄厚，BeagleV®-Ahead的引入使e络盟在促进技术创新和协作的承诺更有分量。通过使RISC-V 架构......
e络盟扩充产品组合，引入BeagleV®-Ahead单板计算机;BeagleV®-Ahead是BeagleBoard最新发布的首款大规模生产的专业RISC-V SBC板 安富......
e络盟现货供应新款BeagleV－Fire单板机; 【导读】安富利旗下全球电子元器件产品与解决方案分销商e络盟宣布其单板机产品组合增加新成员，引入了BeagleBoard新推......
我们能够推出900 V 平台、并正在开发1 200 V 平台的原因。1 200 V 的电压使氮化镓成为电动出行应用中极具吸引力的解决方案，因而对碳化硅（SiC）技术构成挑战。目前还没有任何一家e......
Vishay推出小型顶侧冷却PowerPAK®封装的600 V E系列功率MOSFET; 【导读】日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市......
e络盟现货供应新款BeagleV®-Fire单板机;具有颠覆性的BeagleV®-Fire单板机拥有强大性能和新的连接选项 安富利旗下全球电子元器件产品与解决方案分销商e络盟......
利旗下全球电子元器件产品与解决方案分销商e络盟宣布其单板机产品组合增加新成员，引入了BeagleBoard新推出的BeagleV®-Fire单板机。作为开源单板机领先企业，BeagleBoard致力于为更广泛的受众提供RISC-V架构......
e络盟现货供应新款BeagleV－Fire单板机;具有颠覆性的BeagleV®-Fire单板机拥有强大性能和新的连接选项安富利旗下全球电子元器件产品与解决方案分销商e络盟......
Vishay推出具有业内先进水平的小型顶侧冷却PowerPAK 封装的600 V E系列功率MOSFET;第四代器件，额定功率和功率密度高于D2PAK 封装产品，降低导通和开关损耗，从而......
Vishay推出具有业内先进性能水平的新款650 V E系列功率MOSFET; 日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新型第四代650 V E系列......
Vishay推出具有业内先进性能水平的新款650 V E系列功率MOSFET;第四代器件，提高额定功率和功率密度，降低导通和开关损耗，从而提升能效 美国 宾夕法尼亚 MALVERN、中国 上海......
管的电流放大倍数和b-e间的电压分别是： β = 318 ，    U b e = 0.561 V eta = 318，，，U_{be} = 0.561Vβ=318，Ube=0.561V3.对外引出线 为了......
CTL1 和V CTL2 ）以实现高达15 dB的可变增益控制。 HMC8120提供出色的线性度并针对E频段通信和高容量无线回程无线电系统进行优化。 所有数据均利用50 Ω测试夹具中的芯片获取，通过......
; //1602液晶数据/命令选择端 sbit RW = P2^1; //1602液晶读写端 sbit E= P2^2; //1602液晶使能端 // Function Prototypes void......
多年的电子元器件分销经验，e络盟对嵌入式芯片市场有着深刻了解。目前市场上有三种具有竞争性的产品：x86、ARM和RISC-V微处理器。这三种指令集架构（ISA）代表了截然不同的方法。 这些ISA并不......
的电子元器件分销经验，e络盟对嵌入式芯片市场有着深刻了解。目前市场上有三种具有竞争性的产品：x86、ARM和RISC-V微处理器。这三种指令集架构（ISA）代表了截然不同的方法。这些ISA并不......
IGBT，用万用表的二极管挡测量上桥臂“+”与“～”之间的导通性，显示导通，压降为0.379 V。 在触发上桥臂中的1号IGBT后，断开电源，1号IGBT的控制极C与控制级E仍保持导通。用万......
了新能源汽车市场的全方位覆盖，以解决OBC等对成本控制较高的场景。 安森美新的D3 1200 V SiC 二极管系列可实现导通损耗和开关损耗的最小化，使终端的应用能效比得到提升，1200 V M3S SiC......
e络盟社区与Bourns联合发起反激式变压器实验设计挑战赛; 中国上海，2023年9月25日——安富利旗下全球电子元器件产品与解决方案分销商e络盟与美国柏恩(Bourns)联合......
Vishay推出具有业内先进性能水平的新款650 V E系列功率MOSFET;第四代器件，提高额定功率和功率密度，降低导通和开关损耗，从而提升能效日前，威世科技Vishay......
首款采用新型PowerPAK® 8 x 8LR封装的第四代600 V E系列功率MOSFET---SiHR080N60E，为通信、工业和计算应用提供高效的高功率密度解决方案。与前代器件相比，Vishay......
e络盟社区与Bourns联合发起反激式变压器实验设计挑战赛;中国上海，2023年9月25日——安富利旗下全球电子元器件产品与解决方案分销商e络盟与美国柏恩（Bourns）联合......
e络盟社区与Bourns联合发起反激式变压器实验设计挑战赛;安富利旗下全球电子元器件产品与解决方案分销商e络盟与美国柏恩（Bourns）联合发起反激式变压器实验设计挑战赛。这项......
的电子元器件分销经验，e络盟对嵌入式芯片市场有着深刻了解。目前市场上有三种具有竞争性的产品：x86、ARM和RISC-V微处理器。这三种指令集架构（ISA）代表了截然不同的方法。 这些ISA并不专门用于嵌入式应用。x86......
。为7—9 V的稳压二极管，这就是说，只有当P端电压为9.5~ 11.5 V时，三极管VT才能导通。因此，它有很强的抗干扰能力。图b为电压调节器集成电路的管脚图，管脚符号与图a一一对应。该电......
电极将会产生同时垂直于磁场方向和液体流动方向的感应电动势E。感应出的电动势E正比于磁通密度B与平均流速V的乘积：E=BLV。电动势E（流量信号）由电极检出并通过屏蔽电缆送到转换器内参与运算得出管道内的实际流速V，再根据Qv=πd2V/4，即可......
e络盟社区与Bourns联合发起反激式变压器实验设计挑战赛;安富利旗下全球电子元器件产品与解决方案分销商e络盟与美国柏恩（Bourns）联合发起反激式变压器实验设计挑战赛。本文引用地址：这项......
e络盟社区与Bourns联合发起反激式变压器实验设计挑战赛;安富利旗下全球电子元器件产品与解决方案分销商e络盟与美国柏恩（Bourns）联合发起反激式变压器实验设计挑战赛。 这项......
出货量的两倍。 然而，工程师们似乎不相信这种向RISC-V的迁移将会成为现实。他们中的大多数人参加了e络盟社区最近的一项调查，他们认为该行业将由32位架构主导。 模块化RISC ISA......
Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出新型第四代650 V E系列功率MOSFET---SiHP054N65E，提高通信、工业......
象文件的大小。 语法 strip [ -V ] [ -r [ -l ] | -x [ -l ] | -t | -H | -e | -E ] [ -X {32 |64 |32_64......
ADM209数据手册和产品信息;ADM2xx系列线路驱动器/接收器主要用于所有EIA-232-E和V.28通信接口，尤其是无法提供±12 V电源的应用。ADM205、ADM211和ADM213具有......
并联以满足不同的电容和电流需求。整个电容范围满足汽车标准AEC-Q200(修订版E)和IEC TS 63337:2024的要求。 xEVCap提供两种连接方式：其中B25654A001型为......
3.0 mV。其电池测量范围为0 V至5 V，适合用于大多数电池化学应用。ADBMS1818可在290µs内测量所有18个电池单元，并且可以选择更低数据采集速率来实现高降噪。 e络盟......
ADM223数据手册和产品信息;ADM2xx系列线路驱动器/接收器主要用于所有EIA-232-E和V.28通信接口，尤其是无法提供±12 V电源的应用。 ADM223、ADM230L、ADM235L......
ADM236L数据手册和产品信息;ADM2xx系列线路驱动器/接收器主要用于所有EIA-232-E和V.28通信接口，尤其是无法提供±12 V电源的应用。ADM223、ADM230L、ADM235L......
ADM238L数据手册和产品信息;ADM2xx系列线路驱动器/接收器主要用于所有EIA-232-E和V.28通信接口，尤其是无法提供±12 V电源的应用。ADM223、ADM230L、ADM235L......
ADM235L数据手册和产品信息;ADM2xx系列线路驱动器/接收器主要用于所有EIA-232-E和V.28通信接口，尤其是无法提供±12 V电源的应用。ADM223、ADM230L、ADM235L......
内经过余弦乘法器和正弦乘法器以及一个比较器后可得： △V=K* E*sin(ω*t)*sinθ*cosβ- K* E*sin(ω*t)*cosθ*sinβ     简化后可知：  △V=K* E*sin(ω*t)*sin......
安全裕度：± 20 V 抗噪性：4 V 电阻温度系数（TCR）比 e-mode 器件低 20% 驱动方式更灵活：利用硅基控制器/驱动器中现成的标准驱动和保护电路 器件规格 该650V SuperGaN TOLL......
动系统技术指标 2020年12月2日，现代汽车集团全球首发了全新电动汽车专用模块化平台E-GMP(Electric-Global Modular Platform，E-GMP)。平台采用800 V电压......
s3c2440裸机-电阻触摸屏编程(6.触摸屏校准实现-五点校准法);前面我们讲过触摸屏触摸屏校准原理就是让lcd能够与触摸屏坐标对应起来。 一、五点法校准实现 一、我们取A,B,C,D，E这五......
荷泵电容便可产生RS-232电平。ADM203封装内置这些电容，因此无需外部电容。这些转换器可产生±10 V RS-232输出电平。 ADM202/ADM203均符合或超过EIA-232-E及V.28规范要求。驱动......

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