资讯
4月新品推荐:MCU、PMIC、热敏电阻、存储(2022-04-29)
手机随意插接。全新USB3.2 GEN2高速协议,读取速度高达520MB/s,写入速度突破460MB/s,5GB的大文件拷贝只需要10秒左右时间,给用户带来极致狂飙的速度体验。
大华全新发布的高速SD影像......
西数发布首款消费级SSD:蓝盘、绿盘齐飞(2016-10-12)
是闪迪15nm TLC,容量250GB、500GB、1000GB(1TB)。
性能方面,持续读取速度540-545MB/s,持续写入速度500-525MB/s,随机读取速度97000-100000 IOPS......
PCIe 3.0x4高速存取+稳定效能 科赋CRAS C710 M.2 SSD评测(2020-12-15)
,1600 MB/s左右的顺序写入速度,高效稳定,在日常使用中无论是辅助转存文件、加载Adobe等大型应用程序,还是畅玩3A级游戏大作,都可以带来更极致的使用体验。
科赋CRAS......
铠侠出样最新一代 UFS 4.0 闪存芯片:连读写入速率提升 15%、封装面积减(2024-04-23)
与 UFS 主控,使用 JEDEC 标准 9mm x 13mm 封装,比前代产品的 11mm x 13mm 封装小 18%。
性能方面,新一代 UFS 4.0 闪存连续写入速度提升 15%、随机写入速度......
2000MB/s高速读写 强劲性能硬控职场(2024-09-24)
,平均写入速度1617MB/s。通过每秒记录的写入速度可以看到,致态灵·先锋版2TB的最低写入速度也在1100MB/s以上,能够在全盘范围内满足8K乃至12K超高分辨率视频记录的需求。对于......
Kioxia提供最新一代UFS Ver.4.0嵌入式闪存器件样品(2024-04-25 09:49)
UFS产品的增强性能可优化5G连接的利用率,从而加快下载速度、减少延迟并提升用户体验。较小的封装尺寸有助于提高电路板空间效率和设计灵活性。主要功能包括:• 读/写速度比上一代产品更快(3):连续写入速度......
明年Q1开始批量生产,三星成功开发企业服务器高性能PCIe 5.0 SSD(2021-12-23)
5.0接口和三星的第6代 V-NAND闪存技术,拥有13000MB/s的顺序读取速度和每秒2500K输入/输出操作(IOPS)的随机读取速度。写入速度方面,三星PM1743连续写入速度为6600MB......
Kioxia提供最新一代UFS Ver. 4.0嵌入式闪存器件样品(2024-04-27)
功能包括:
读/写速度比上一代产品更快(3):连续写入速度提高约15%,随机写入速度提高约50%,随机读取速度提高约30......
铠侠新款SSD上线(2023-12-23)
颗粒,以及节省空间的单面 M.2 2280外形设计,拥有1TB和2TB两种容量可选。
性能上,该系列产品顺序读取速度高达 5,000MB/s ,顺序写入速度 3,900MB/s,随机写入速度......
西部数据扩充旗下闪迪至尊超极速™ SDXC™ UHS-II存储卡系列(2023-03-22)
、成本以及耐用性等方面提出了更高的要求。
闪迪至尊超极速SDXC UHS-II存储卡(V60)拥有不低于60MB/s的写入速度,在标准录制模式下支持6K视频拍摄功能,时刻帮助用户记录高清瞬间,高达1TB......
SD NAND相对于NOR Flash的优势(2024-06-03)
成本
SD NAND相对较便宜
NOR Flash相对较昂贵
容量
1Gb~512Gb
512Kb-32Mb
擦除写入速度
SD NAND的读取速度较快,例如MK-米客方德8GB的......
Kioxia推出业界首款面向汽车应用的UFS 4.0版嵌入式闪存器件(2024-02-05)
]。Kioxia的UFS产品性能得到了改善[5]——包括顺序读取速度提高了约100%,顺序写入速度提高了约40%,使这些应用能够利用5G的连接优势,实现......
美光推出9550 PCIe Gen5数据中心SSD(2024-07-26)
/s,连续写入速度为10.0 GB/s,与同类竞争SSD 相比,性能提升高达 67%。其3,300K IOPS的随机读取速度比竞争产品高出 35%,400K IOPS 的随机写入速度比竞争产品高出 33......
高性价比PCIe4.0固态硬盘推荐 KLEVV科赋 C910值得选吗?(2024-05-09 11:37)
跑个分来得更为实际。CrystalDiskMark实测KLEVV科赋C910顺序读取速度达到了5262.9MB/s,顺序写入速度为4797.29MB/s,性能超出官方宣传数值,有超预期的表现。
相信......
三星电子宣布推出SSD 990 EVO(2024-01-25)
Plus)相比,990 EVO的性能提升高达43%。顺序读取速度高达5000MB/s,写入速度高达4200MB/秒。随机读取和写入速度也分别提升至每秒700K IOPS和800K IOPS。此外......
科赋CRAS C710 M.2 SSD晒物与Win To Go制作记录(2020-12-24)
跑分测试,测试平台为七彩虹CVN B460i+i7-10700。
测得最大读取速度是2078MB/s,写入速度是1673MB/s,速度和官方宣称的参数很接近。
AS SSD测试......
西部数据扩充旗下闪迪至尊超极速 SDXC UHS-II存储卡系列(2023-03-22 15:01)
高清分辨率的普及也推动了数字化内容的井喷式增长。这都对存储卡在性能、容量、成本以及耐用性等方面提出了更高的要求。闪迪至尊超极速SDXC UHS-II存储卡(V60)拥有不低于60MB/s的写入速度,在标......
特斯拉上架车规级移动固态硬盘,1TB卖2720元(2023-07-31)
达2300MB/s,顺序写入速度达1150MB/s,随机读取速度为270000 IOPS,随机写入速度达200000 IOPS。
据介绍,这款SSD附送一根USB-A和USB-C数据线,兼容......
读速高达14500MB/s!美光推出全球最快PCIe Gen 5 SSD(2024-02-25)
完整的Gen5效能。闪电般的循序读取和写入速度分别高达14500MB/s和12700MB/s(随机读取和写入速度则高达1550K/1800K IOPS),可实现更快的游戏、视频剪辑、3D渲染......
要速度更要颜值!科赋CRAS C700 RGB M.2 PCI-E固态硬盘使用评测(2021-01-04)
中当文件长度超过16KB之后写入速度就能保持在1.27GB/S,读取更是有1.48GB/S,由此可见科赋CRAS C700 RGB固态硬盘使用的NAND颗粒必定是高品质原厂特挑颗粒。
HDtune......
工作温度横跨400度!工研院VLSI发表世界顶尖“磁性存储器”技术(2022-06-16)
来已成为半导体先进制程、下一代存储器与运算的新星。
张世杰指出,存储器若在高写入速度的前提下,使用的电压电流越小,代表效率越高,工研院携手台积电共同发表具备高写入效率与低写入电压SOT-MRAM技术......
游戏内存怎么选?科赋BOLT X电竞内存超频测试(2020-12-22)
。
在2666MHz的主频下,内存读取速度为38135MB/s,写入速度为38658MB/s,复制速度为33035MB/s,延时为63.5ns。
在开启XMP时,内存......
Kioxia推出下一代兼容e-MMC 5.1标准的嵌入式闪存产品(2023-09-28 09:33)
Terabytes Written,写入总字节)衡量驱动器在其使用寿命内预计可以完成的累积写入次数。[6]: 如果设置了增强区域,则可配置的消费者可用总容量将会减少。读取、写入速度和TBW是在Kioxia特定......
铠侠发布2TB microSDXC存储卡(2023-12-20)
变成了现实。
EXCERIA PLUS G2 2TB 具有高达100 MB/s[2]的读取速度和高达90 MB/s[2]的写入速度,达到了UHS速度等级3(U3)[3]、应用等级1(A1)[4]和视频速度等级30(V30)[3......
三星推出基于第8代V-NAND闪存的车载PCIe 4.0 SSD(2024-09-25)
提高了约50%,提供了最高连续读取速度可达4400MB/s,最高连续写入速度为400MB/s。
搭配的5nm主控芯片还提供SLC命名空间功能,用户将初始的三层单元(TLC)状态切换至SLC模式,即可体验大幅提升的读写速度......
3.5ms超高速写入、支持125度工作的EEPROM"BR24H-5AC系列"(2021-01-05)
列产品是采用ROHM自有的数据写入/读取电路技术、实现了3.5ms(毫秒)的高速写入、支持125℃工作的EEPROM。与普通产品5ms的写入速度相比,写入时间可以减少30%。例如,在电子设备的制造过程中,对10......
3.5ms超高速写入、支持125度工作的EEPROM"BR24H-5AC系列"(2021-01-05)
列产品是采用ROHM自有的数据写入/读取电路技术、实现了3.5ms(毫秒)的高速写入、支持125℃工作的EEPROM。与普通产品5ms的写入速度相比,写入时间可以减少30%。例如,在电子设备的制造过程中,对10......
美光推出全球首款176层NAND移动解决方案,助力5G超快体验(2021-07-30)
176 层 UFS 3.1 解决方案相比上一代产品的顺序写入速度提升 75%,随机读取速度提升 70%,大幅提升应用性能。
更快的下载速度:高达 1,500 MB/秒的顺序写入速度意味着下载一部 10......
三星发布PM9C1a系列PCIe 4.0 SSD(2023-01-19)
接口,与其前一代存储产品PM9B1相比,PM9C1a
SSD拥有快1.6倍的顺序读取速度和快1.8倍的顺序写入速度,测试数值分别高达6000MB/s和5600MB/s,随机读写入速度分别高达900K......
闪迪与你 共赴下一场璀璨星海(2023-09-21)
UHS-II存储卡(V60)凭借高达150MB/s[3]的写入速度,在延时摄影的过程中保证即便是1s的间隔也能无间断的写入,每一次的闪烁、每一颗星的滑落、每一帧的动态变化都能被完美捕捉;以视频速度......
科赋发布USB3.2 S1 / R1移动固态硬盘,打造高效便捷存储利器(2021-10-13)
更快的读取/写入速度能大幅缩短档案下载与资料载入时间,轻松即可将珍贵文件随身携带。此外,科赋S1移动硬盘还提供1TB与2TB两种容量版本,并贴心配备Type-C to C传输线与Type-C......
三星电子:正按计划推进 eMRAM 内存制程升级,8nm 版本基本完成开发(2024-06-03 14:20)
eMRAM 的技术开发已基本完成。作为一种新型内存,MRAM 基于磁性原理,具有非易失性,不需要同 DRAM 内存一样不断刷新数据,更为节能高效;同时 MRAM 的写入速度又是 NAND 的 1000 倍......
Kioxia推出下一代兼容e-MMC 5.1标准的嵌入式闪存产品(2023-09-29)
配置的消费者可用总容量将会减少。
读取、写入速度和TBW是在Kioxia特定测试环境中获得的最佳值,并且Kioxia不保证单个器件的读取或写入速度或TBW。读取、写入速度和TBW可能......
三星电子:正按计划推进 eMRAM 内存制程升级,8nm 版本基本完成开发(2024-05-31)
的制程升级,目前 8nm eMRAM 的技术开发已基本完成。
作为一种新型内存,MRAM 基于磁性原理,具有非易失性,不需要同 DRAM 内存一样不断刷新数据,更为节能高效;同时 MRAM 的写入速度......
三星发布PM9C1a系列PCIe 4.0 SSD(2023-01-19)
于打造多样化的存储产品,以满足不断变化的市场需求。
三星的PM9C1a SSD采用PCIe 4.0接口,与其前一代存储产品PM9B1相比,PM9C1a SSD拥有快1.6倍的顺序读取速度和快1.8倍的顺序写入速度......
美光全新SSD 5100发布:3D eTLC闪存(2016-12-06)
容量最大,2.5寸、M.2规格最大容量是8TB、2TB,连续读取速度540MB/s,连续写入速度最高520MB/s,随机读取4K性能为93000IOPS,随机写入4K性能最高31000IOPS,最高数据写入......
闪迪与你 共赴下一场璀璨星海(2023-09-25)
记录过不少流星奇景,但当再次亲眼目睹这广袤大地上空一道道划破天际的行星碎片时,龍柏山人依旧激动不已。闪迪至尊超极速™ SDXC™ UHS-II存储卡(V60)凭借高达150MB/s[3]的写入速度,在延......
瑞萨推出集成STT-MRAM的MCU测试芯片,瞄准物联网与边缘智能(2024-02-26)
于自旋的磁存储原理而非传统的电荷或电流存储方式。尽管MRAM的写入速度已被证明相当高,但其读取操作传统上却存在延迟——这正是瑞萨电子此次研发工作的重点。为了提升读取速度,瑞萨电子的测试芯片采用了两种新机制:一是......
瑞萨推出集成STT-MRAM的MCU测试芯片,瞄准物联网与边缘智能(2024-02-23)
于自旋的磁存储原理而非传统的电荷或电流存储方式。尽管MRAM的写入速度已被证明相当高,但其读取操作传统上却存在延迟——这正是瑞萨电子此次研发工作的重点。
为了提升读取速度,瑞萨电子的测试芯片采用了两种新机制:一是......
西部数据扩展闪迪移动microSDXC Nintendo Switch 专用存储卡系列(2023-06-01 11:27)
量型号。该存储卡系列的读取速度高达 100MB/s[ii],写入速度高达90MB/s2,助力玩家更快一步进入精彩纷呈的游戏世界。高达90MB/s的写入速度也可支持高速的游戏下载。该存......
全球两大存储厂新消息!(2024-04-25)
5.0和UniPro 2.0,支持每通道23.2 Gbps或者每个设备46.4 Gbps的理论接口速度,并向后兼容UFS 3.1。
性能方面,与上一代UFS 4.0产品相比,新闪存芯片的顺序写入速度......
全球两大存储厂新消息!(2024-04-25)
每个设备46.4 Gbps的理论接口速度,并向后兼容UFS 3.1。
性能方面,与上一代UFS 4.0产品相比,新闪存芯片的顺序写入速度提升15%,随机写入速度提升了50%,随机读取速度提升30%,顺序读取速度......
铠侠发布 2TB microSDXC 存储卡(2023-12-21 09:54)
把SDXC支持的最大 2TB规格变成了现实。EXCERIA PLUS G2 2TB microSDXC存储卡具有高达100 MB/s[2]的读取速度和高达90 MB/s[2]的写入速度,达到了UHS......
超高写入速度的QspiNAND:汽车OTA升级新选择(2020-12-28)
超高写入速度的QspiNAND:汽车OTA升级新选择;近日,宝马集团宣布将对全球逾75万辆汽车进行OTA(Over-The-Air Technology)升级,将车内的宝马7.0操作......
存储大厂宣布232层3500系列SSD已发售(2023-12-07)
最高可达7000MB/秒,随机读取速度为1150k IOPS,随机写入速度为1150k IOPS,2TB总写入量为1200TBW。
安全性方面,该产品提供了符合TCG/Pyrite2.02标准......
春日有礼,西部数据和“她”一起开启存储焕新计划(2024-03-04)
迪至尊超极速 SDXC UHS-II存储卡(V60),具备高达150MB/s的写入速度及280MB/s的读取速度[iii],极具性价比。它在标准录制模式下支持6K视频拍摄功能[iv],高速......
春日有礼,西部数据和“她”一起开启存储焕新计划(2024-03-04)
-II 存储卡(V60),具备高达150MB/s的写入速度及280MB/s的读取速度[iii],极具性价比。它在标准录制模式下支持6K视频拍摄功能[iv],高速连拍和延时摄影统统满足,让你......
针对数据写入密集型应用,佰维推出4TB大容量SSD解决方案,全盘稳定写入470MB/s(2022-07-16)
芯片等资源,同时依托自身的硬件设计、固件开发以及先进封测制造工艺等优势,最终使得该产品具有大容量、稳定写入、高可靠性、高安全性和低功耗等特点。
2、全盘写入速度保持在470MB/s以上,并提......
UFS 4.0发布到普及用时一个季度 它为何如此吸引手机?(2022-12-15 11:33)
/s,写入速度更是只有125MB/s,更严重的问题是eMMC只能以半双工的模式工作,无法同时写入、读取闪存上的文件。比如手机在录制视频时,SoC是无法同时读取eMMC闪存上的数据,因此......
UFS 4.0发布到普及用时一个季度,它为何如此吸引手机?(2022-12-14)
最高只有250MB/s,写入速度更是只有125MB/s,更严重的问题是eMMC只能以半双工的模式工作,无法同时写入、读取闪存上的文件。比如手机在录制视频时,SoC是无法同时读取eMMC闪存上的数据,因此......
相关企业
,AUTORUN自动播放; 8、读写速度快:USB2.0 写入速度:4~8MB/s 读取速度:8~12MB/s; 9、数据存储持久稳定,根据存储介质不同,最高使用的次数达10万次。 10
)卡锁控制电路.及程序写入.单片机的程序写入.可按客户要求开发线路板,欢迎来电来函资询.
;深圳市顺科电子有限公司;;本公司是从事FLASH存贮器IC芯片测试分类和数据写入服务的专业公司
信号发生器, 综合测试仪等. 积开发、研制、生产于一体。 由公司自行研制的快速恒温石英晶体振荡器,具有体积小、重量轻、功耗低、进入速度快、抗冲击能力强、高稳定、高可靠性等特点。各项
声鼎源科技厂家生产的平板电脑采用了ANDROID高版本的操作系统,运行和输入速度更快; 深圳声鼎源科技有限公司现面向全国承接OEM订定。 还在徘徊什么?机不可失,失不再来。马上拨打财富热线吧!
家专业代理、分销世界知名品牌电子元器件及技术开发、代理加工程序写入、清出、IC贴片等一系统IC相关服务的科技公司,是集元器件销售和技术咨询、信息服务、代理加工等为一体的高科技企业。本公
;三速度速度公司;;阿速度撒旦萨大苏打速度撒旦萨达
;吴月星;;深圳现代豪方科技有限公司,一级代理世界知名品牌位移传感器 加速度传感器 流量传感器 速度传感器 温湿传感器和测厚仪等产品,产品包括:美国GST(Global Sensor
;深圳现代豪方仪器仪表有限公司;;深圳现代豪方科技有限公司,一级代理世界知名品牌位移传感器 加速度传感器 流量传感器 速度传感器 温湿传感器和测厚仪等产品,产品包括:美国GST(Global
;速度发放;;大散发速度分散阿飞