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浙大联合实验室制备出厚度达100 mm碳化硅单晶;近日,浙大杭州科创中心官微发文称,浙江大学杭州国际科创中心(简称科创中心)先进半导体研究院-乾晶半导体联合实验室(简称联合实验室)首次......
10万片SiC项目投产,60万片项目在路上,同光晶体拟科创板上市;9月5日,河北同光科技发展有限公司年产10万片直径4-6英寸碳化硅单晶衬底项目,在保定市涞源县经济开发区投产,成为......
浙江大学杭州国际科创中心50mm厚6英寸碳化硅单晶生长成功;近日,据浙大杭州科创中心消息,浙江大学杭州国际科创中心先进半导体研究院-乾晶......
研究中心创建项目(前期),中北高新区半导体硅材料产业基地项目,中国电科(山西)碳化硅材料产业基地二期项目,晋城经开区星心半导体封装项目,晋城智芯半导体封装封测项目,海纳半导体硅单晶生产基地项目,华芯......
多年的研发与积累,成功开发碳化硅单晶炉产品,并于2019年实现量产销售,于2020年开始批量化投入下游碳化硅功率器件(导电型衬底)应用领域验证及应用;2020年又完成6英寸半绝缘型碳化硅单晶炉研发、改进、定型,同年其半绝缘型碳化硅单晶......
总投资超34亿元,世纪金光6-8英寸SiC单晶衬底项目签约包头; 包头市人民政府与合肥世纪金芯半导体有限公司正式签署“年产70万片 6-8 英寸碳化硅单晶衬底项目”战略合作协议。据悉,该项......
时根据项目进展及需求情况及时归还至募集资金专用账户。 资料显示,天岳先进成立于2010年11月,是一家专注于碳化硅单晶衬底材料研发、生产和销售的科技型企业。 天岳先进上海工厂产量持续爬坡,建设......
生长用等静压石墨标准征求意见 由赛迈科先进材料股份有限公司牵头起草的标准T/CASAS 036—202X《碳化硅单晶生长用等静压石墨构件纯度测定辉光放电质谱法》、T/CASAS 048—202X《碳化硅单晶生长用等静压石墨》已完......
家专业从事8-12英寸半导体级单晶硅炉、6-8英寸碳化硅、砷化镓等半导体材料长晶设备及工艺开发的国家高新技术企业。 据相关信息显示,晶升股份的碳化硅单晶炉于2019年实现量产销售,目前已经拥有JSSD......
刻蚀机运往台积电海外工厂 50mm厚6英寸碳化硅单晶生长成功 全球首款238层4D NAND闪存问世 2022年8月3日,SK海力士宣布成功研发全球首款业界最高层数的238层NAND闪存。SK海力......
等极端环境应用领域里有着不可替代的优势。 “十三五”以来,山西省第三代半导体材料产业不断发展壮大,山西省省工信厅新材料工业处处长闫林此前介绍,山西在第三代半导体碳化硅单晶衬底材料处于国际领先水平,2020年销售3万余片,国内市场占有率达50......
产品供应华为/比亚迪等,河北一SiC晶片项目未来年产能达12万片;近日,位于河北邢台清河县的天达晶阳碳化硅晶片项目传来了新的动态。 据河北新闻联播报道,天达晶阳碳化硅单晶......
产业化制备系列技术,并实现了6英寸碳化硅单晶衬底的规模生产和批量供货,8英寸碳化硅单晶衬底的小批量生产及供货,向碳化硅晶体生长企业提供涵盖设备、材料......
次共同开发中,Resonac将向Soitec提供碳化硅单晶,Soitec将使用这些单晶制造碳化硅键合衬底。 键合技术加速碳化硅8英寸转型 据悉,Soitec拥有一种独有的SmartSiC™技术,该技术通过处理高质量的碳化硅单晶......
科友半导体产出直径超过8英寸碳化硅单晶;12月29日,哈尔滨科友半导体产业装备与技术研究院有限公司(以下简称“科友半导体”)宣布,公司通过自主设计制造的电阻长晶炉产出直径超过8吋的碳化硅单晶,晶体......
生长炉生长、加工、清洗和检测的厂房1座并建立配套的动力站、科研楼等配套。 2020年8月,天科合达第三代半导体碳化硅衬底产业化基地建设项目开工,当时项目总投资约9.5亿元,新建一条400台/套碳化硅单晶......
动建设,2025年满产达产,届时预计产值达到50亿元以上。 资料显示,广州南砂晶圆半导体技术有限公司成立于2018年9月,是一家从事碳化硅单晶材料研发、生产和销售的国家高新技术企业。公司......
国内首次报道!50mm厚6英寸碳化硅单晶生长获得成功;近日,浙江大学杭州国际科创中心先进半导体研究院-乾晶半导体联合实验室和浙江大学硅材料国家重点实验室在浙江省“尖兵计划”等研发项目的资助下,成功......
来源:长城汽车 据介绍,同光股份成立于2012年,依托中科院半导体所,专业从事碳化硅单晶的研发、制备和销售,是国内率先实现量产第三代半导体材料碳化硅单晶衬底的高科技企业。今年9月份,同光......
硅炉、碳化硅单晶炉和蓝宝石单晶炉等定制化的晶体生长设备。其中,碳化硅单晶炉主要应用于碳化硅单晶衬底制造,蓝宝石单晶炉主要应用于LED衬底及消费电子领域材料制造。2021年,碳化硅单晶......
衬底龙头企业,产业涵盖碳化硅单晶炉制造、碳化硅单晶生长原料制备和碳化硅单晶衬底制备。 技术方面,作为国内最早实现SiC衬底产业化的企业之一,天科合达在国内率先成功研制出6英寸SiC衬底......
产业化制备系列技术,并实现了6英寸碳化硅单晶衬底的规模生产和批量供货,8英寸碳化硅单晶衬底的小批量生产及供货,向碳化硅晶体生长企业提供涵盖设备、材料及技术服务等全产业链的解决方案。 2023年9月,科友......
浙大联合实验室制备出厚度达100 mm碳化硅单晶;近日,杭州科创中心官微发文称,浙江大学杭州国际科创中心(简称科创中心)先进半导体研究院-乾晶半导体联合实验室(简称联合实验室)首次生长出厚度达100......
衬底项目的承担单位。 融资方面,今年1月,乾晶半导体完成亿元Pre-A轮融资,本轮融资将用于碳化硅衬底的技术创新和批量生产。 研发成果方面,乾晶半导体于2022年7月成功生长出了厚度达到50mm的6英寸碳化硅单晶......
生产和研发的领军企业。公司通过自主创新和自主研发全面掌握了碳化硅生长装备制造、高纯碳化硅粉料制备工艺,N型碳化硅单晶衬底和高纯半绝缘碳化硅单晶衬底的制备工艺,形成了碳化硅粉料制备、单晶生长、晶片加工等整套生产线,并在......
科友半导体碳化硅晶体厚度突破80mm;5月29日,科友半导体碳化硅晶体生长车间传来捷报,自主研发的电阻长晶炉再次实现突破,成功制备出多颗中心厚度超过80mm,薄点厚度超过60mm的导电型6英寸碳化硅单晶......
科合达本次摘牌的地块位于北方芯谷新建区,计划建设碳化硅单晶生长炉、高温CVD真空炉等装备研发制造生产基地和半导体设备高温零部件碳化物涂层等终端产品生产基地。项目预计明年初开工建设,年底前投入使用。 作为全球碳化硅......
科友半导体已累计投入研发经费近2000万元,获得授权专利达133项。 科友半导体解决了大尺寸碳化硅单晶制备易开裂、缺陷密度高、生长速率慢等技术难题,突破了碳化硅衬底产业化系列关键技术,完成了6英寸设备研制、生产......
材料生产项目是由中核汇能陕西(能源)有限公司投资建设,属省级新材料产业链重点项目,项目总投资6亿元。 该项目占地15.6亩,新建年产50000片碳化硅衬底生产线,包括碳化硅粉料、高纯半绝缘碳化硅单晶......
半导体成功生长出厚度达27毫米的8英寸n型碳化硅单晶锭。据悉,其8英寸碳化硅晶体生长技术于2023年四季度转入萧山研发中心进行中试。 9月下旬,乾晶半导体与谱析光晶、绿能芯创签订三方战略合作协议。三方约定紧密配合、共同......
旅游等多个领域,总投资达93.4亿元。 当日签约仪式上,总投资亿元以上的项目有12个,15亿元以上的4个,其中江苏连云港亮晶新材料科技有限公司碳化硅单晶圆芯片项目总投资额20亿元,为当......
材料迎来商用加速期的当下,这里就覆盖了上游的碳化硅单晶及衬底加工,中游的芯片设计、制造、封测,下游的应用等产业链关键环节。本文引用地址:作为上游企业,广州半导体技术有限公司(下称“”)是目......
粉料、高纯半绝缘碳化硅单晶衬底、N型碳化硅碳单晶衬底以及碳化硅莫桑石材料,配套建设综合楼及附属生活区。 中核纪元之光碳化硅材料生产项目经理贺亚伟称,该项目是一个科技含量高、技术先进、能耗......
生长装备研发以及发展发展LED衬底材料,相继开发出全自动单晶生长炉、多晶铸锭炉、区熔硅单晶炉、蓝宝石炉、碳化硅炉等晶体生长设备,同时开发销售晶体加工、光伏电池和组件等装备。 根据7月19日晶......
年。该宗地由市规划和自然资源局宝安管理局委托深圳交易集团有限公司土地矿业权业务分公司组织交易。该宗地将用于建设碳化硅单晶和外延片生产线,包括生产及辅助设施、动力及环保设施、研发办公大楼等,将在1.5......
应用”等环节。 4.1碳化硅高纯粉料 碳化硅高纯粉料是采用PVT法生长碳化硅单晶的原料,其产品纯度直接影响碳化硅单晶的生长质量以及电学性能。 碳化硅粉料有多种合成方式,主要有固相法、液相法和气相法3......
始环评公示,预计年产40万片碳化硅半导体衬底;顶立科技碳化钽及碳化硅涂层石墨部件研发及产业化项目进行首次环评公示,计划年产60000套碳化钽涂层石墨件、5000套SiC涂层石墨基座/盘。 图表来源:全球......
能等均开始涉足。 第三代半导体项目进展 2021年以来,国内已频繁签约上马多个相关产业项目,与此同时,一大批重大项目也迎来了新的进展。 东源高纯石英和碳化硅单晶硅一体化硅......
英飞凌、博世集团等全球知名企业。 碳化硅单晶衬底材料是一种宽禁带半导体材料,和传统材料相比具有更加优异的物理性能,可以有效提升下游器件的功率密度和整体性能,在电......
已申请3项发明专利!国内8英寸碳化硅单晶取得新突破;近日,中国科学院物理研究所在其官网宣布,已成功研制出单一4H晶型的8英寸SiC晶体,晶坯厚度接近19.6 mm,同时加工出了厚度约2mm的8英寸......
碳化硅衬底企业同光股份完成15亿元F轮融资;近日,第三代半导体材料碳化硅单晶衬底制造企业河北同光半导体股份有限公司(以下简称“同光股份”)宣布完成F轮融资。 本轮融资规模为15亿元,由深......
台湾中山大学突破6英寸碳化硅晶体生长!;今日,据台媒报道,台湾中山大学晶体研究中心已成功长出6英寸导电型4H碳化硅单晶,中心厚度为19mm,边缘约为14mm,生长速度达到370um/hr,晶体......
先进自主扩径实现了2-8英寸碳化硅单晶和衬底的开发。目前该公司还在开发了液相法长晶技术,这在行业内仅有的极少数。阶段性成果显著,包括公司通过液相法实现了8inchN型4H-SiC单晶及衬底、P型4H-SiC单晶......
总投资180亿元,这个半导体产业项目签约广东河源;近日,广东省河源市东源县与华润水泥控股有限公司举行广东东源高纯石英和碳化硅单晶硅一体化硅产业项目框架协议签约仪式。 东源发布指出,该项......
。 近期,国内8英寸碳化硅市场传来消息:天科合达第三代半导体碳化硅衬底产业化基地建设二期项目开工;晶升股份研发出8英寸电阻法碳化硅单晶炉。 11月12日,天科合达第三代半导体碳化硅......
为代表的第三代半导体材料业务,晶升装备已成功开发出碳化硅单晶炉产品,产品于2019年实现量产销售。 据披露,晶升装备的主要产品包括8英寸及12英寸半导体级单晶硅炉、6英寸及8英寸的碳化硅单晶......
衬底产品的小规模量产。 科友半导体于2022年10月在6英寸碳化硅晶体厚度上实现40毫米的突破,后又在12月份宣布,其通过自主设计制造的电阻长晶炉产出直径超过8英寸的碳化硅单晶,晶体......
天科第三代半导体材料产业园 第三代半导体产业园项目由重投集团联合国内第三代半导体龙头企业天科合达等各方设立项目公司深圳市重投天科半导体有限公司建设,着力建设国内领先的6英寸碳化硅单晶和外延生产线。 项目......
展进程,实现高端特高压功率器件国产化。 据介绍,针对高压大功率电力电子器件用P型碳化硅单晶衬底存在的成本高、电阻率高、缺陷控制难度大等技术难题,天岳先进布局液相法技术,在2023年公......
产业政策的大数据中心、光伏新材料及应用(单晶硅、多晶硅、晶体切片、组件等)、稀土新材料及应用、半导体材料(电子级晶体材料、碳化硅等)行业生产用电及新能源汽车充电站、5G基站(包括配套机房、核心......

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和销售于一体的综合性企业。公司专业生产刚玉、碳化硅,刚玉莫来石耐火材料,产品广泛应用于磁性材料厂、陶瓷厂和玻璃窑炉等行业。现主要产品有:规格为25KG-1T的刚玉-碳化硅坩埚、浇口;粉体煅烧匣钵;氧化
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