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中国研发再突破，北大团队制备迄今速度最快能耗最低二维晶体管(2023-04-06)
中国研发再突破，北大团队制备迄今速度最快能耗最低二维晶体管;近期，北京大学电子学院彭练矛院士、邱晨光研究员课题组制备了10纳米超短沟道弹道二维硒化铟（InSe）晶体管，成为世界上迄今速度最快、能耗最低的二维半导体晶体......
半导体领域突破性成果！我国科学家首创(2024-07-08)
菇”式的生长方式，可保证每层晶体结构的快速生长和均一排布，有效避免缺陷的积累，极大提高了晶体结构可控性。
“利用新方法，制备出的二维晶体单层厚度仅为0.7纳米，可以用作极限尺度的电子集成电路。”北京......
研究人员开发出新型 2D 晶体管，可模仿蝗虫大脑实现避障(2024-04-23)
研究人员开发出新型 2D 晶体管，可模仿蝗虫大脑实现避障;4 月 23 日消息，印度理工学院孟买分校和伦敦国王学院的研究人员合作开发了一种超低功耗的二维晶体管，能够......
中国科学院化学研究所等发展直写高性能原子级厚二维半导体薄膜新策略(2022-11-10)
性以及与不同衬底的兼容性而受到关注。目前，印刷的二维晶体管受到性能不理想、半导体层较厚和器件密度低的制约。同时，多数二维材料油墨通常使用高沸点溶剂，随之而来的问题包括器件性能退化、高材料成本和毒害性等，难以......
复旦最新成果：用于规模化集成电路制造的12英寸高质量二维半导体问世(2023-10-07)
材料（2D-OI）具有原子级的半导体沟道，在先进制程中可以充分发挥二维半导体的优势。此外材料表征结果证明，生长的二维薄膜晶粒间有着良好的原子级拼接，在室温下二维晶体管的电学性能和晶粒大小、多晶......
复旦最新成果：用于规模化集成电路制造的12英寸高质量二维半导体问世(2023-10-07)
薄膜晶粒间有着良好的原子级拼接，在室温下二维晶体管的电学性能和晶粒大小、多晶晶界并没有直接关联，统计结果显示了优异的器件电学均一性。这些发现为二维半导体提供了从实验室向产业界过渡的发展路径。
封面图片来源：拍信网......
半导体所等在氮化物外延方法及新型器件研究中取得系列进展(2022-10-19)
件设计提供新的自由度。研究团队于2021年利用石墨烯二维晶体作为缓冲层，借助纳米柱等底层微纳结构，实现了非晶衬底上的氮化物准单晶薄膜的异质异构外延。近期，研究团队在该领域取得进展，利用......
被“玩坏”的石墨烯，这回真能造芯片了？(2024-01-04)
同时温度不会升高到很离谱的程度。 石墨烯即单层石墨, 碳原子以sp2杂化轨道组成六角形，呈蜂巢晶格（honeycomb crystal lattice）排列的单层二维晶体。它具有超薄（1毫米......
Chip中国芯片科学十大进展公布(2024-09-04)
功能器件的实现及量子器件的发展奠定基础。
超越硅基极限的弹道二维晶体管
北京大学彭练矛院士、邱晨光研究员团队构筑了10 nm超短沟道弹道二维硒化铟晶体管，开创性的提出了「稀土元素钇诱导二维......
三维晶体中首次捕获电子，为探索超导性等稀有电子态打开大门(2023-11-10)
三维晶体中首次捕获电子，为探索超导性等稀有电子态打开大门;据最新一期《自然》杂志，美国麻省理工学院物理学家成功地在纯晶体中捕获到电子。这是科学家首次在三维（3D）材料中实现电子平带。通过......
集成高 k 钙钛矿氧化物和二维半导体的新型晶体管(2023-01-04)
集成高 k 钙钛矿氧化物和二维半导体的新型晶体管;
二维(2D)半导体，如二硫化钼和黑磷，可以与硅技术竞争，因为它们的原子级厚度，优异的物理性能，并与经典的互补金属氧化物半导体(CMOS)技术......
增强光波的二维光子时间晶体创建(2023-04-07)
增强光波的二维光子时间晶体创建;
二维光子时间晶体增强光波的示意图。图片来源：芬兰阿尔托大学
芬兰阿尔托大学、德国卡尔斯鲁厄理工学院和美国斯坦福大学的研究团队开发出一种创造光子时间晶体的方法，并表......
复旦大学研发出晶圆级硅基二维互补叠层晶体管，集成度翻倍并实现卓越性能(2022-12-12)
复旦大学研发出晶圆级硅基二维互补叠层晶体管，集成度翻倍并实现卓越性能;IT之家 12 月 11 日消息，众所周知，传统集成电路技术使用平面展开的电子型和空穴型形成互补结构，从而......
国内科研团队在二维高性能浮栅晶体管存储器方面取得重要进展(2023-09-19)
国内科研团队在二维高性能浮栅晶体管存储器方面取得重要进展;近日，据华中科技大学官网消息，该校材料成形与模具技术全国重点实验室教授翟天佑团队在二维高性能浮栅晶体管存储器方面取得重要进展，研制了一种具有边缘接触特征的新型二维浮栅晶体......
复旦团队发明晶圆级硅基二维互补叠层晶体管(2022-12-12)
复旦团队发明晶圆级硅基二维互补叠层晶体管;传统集成电路技术使用平面展开的电子型和空穴型晶体管形成互补结构，从而获得高性能计算能力。其密度的提高主要通过缩小单元晶体管的尺寸来实现。
例如7nm节点......
上海微系统所在300mm SOI晶圆制造技术方面实现突破(2023-10-20)
了国内300mm SOI制造技术从无到有的重大突破。
为制备适用于300 mm RF-SOI的低氧高阻衬底，团队自主开发了耦合横向磁场的三维晶体生长传热传质模型，并首次揭示了晶体......
上海微系统所在300 mm SOI晶圆制造技术方面实现突破(2023-10-23)
了国内300mm SOI制造技术从无到有的重大突破。
为制备适用于300 mm RF-SOI的低氧高阻衬底，团队自主开发了耦合横向磁场的三维晶体生长传热传质模型，并首次揭示了晶体......
突破！复旦团队发明晶圆级硅基二维互补叠层晶体管(2022-12-12)
突破！复旦团队发明晶圆级硅基二维互补叠层晶体管;传统集成电路技术使用平面展开的电子型和空穴型晶体管形成互补结构，从而获得高性能计算能力。其密度的提高主要通过缩小单元晶体管的尺寸来实现。
例如......
登上《Nature》，南大团队在二维半导体领域取得新突破！(2023-01-13)
半导体界面的轨道杂化，将单层二维半导体MoS2的接触电阻降低至42Ω·μm，超越了以化学键结合的硅基晶体管接触电阻，并接近理论量子极限，该成果解决了二维......
中国石墨烯发展状况盘点，专利领先全球(2017-02-13)
中国石墨烯发展状况盘点，专利领先全球;
版权声明：本文内容来自中国产业发展研究网，如您觉得不合适，请与我们联系，谢谢。
石墨烯（Graphene）是从石墨材料中剥离出来、由碳原子组成的只有一层原子厚度的二维晶体......
复旦大学周鹏、包文中、万景团队合作发明晶圆级硅基二维互补叠层晶体管(2022-12-13)
复旦大学周鹏、包文中、万景团队合作发明晶圆级硅基二维互补叠层晶体管;传统集成电路技术使用平面展开的电子型和空穴型晶体管形成互补结构，从而获得高性能计算能力。其密度的提高主要通过缩小单元晶体......
中科院上海微系统所在Nature Electronics报道晶圆级范德华接触阵列研究重要进展(2022-05-26)
院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室狄增峰研究团队基于锗基石墨烯衬底开发出晶圆级金属电极阵列转印技术，在二维材料与金属电极的大面积无损范德华集成研究方面取得进展。相关工作于2022年5月23日以“Graphene-assisted metal transfer......
应用材料公司以技术助力极紫外光和三维环绕栅极晶体管实现二维微缩(2022-04-22)
应用材料公司以技术助力极紫外光和三维环绕栅极晶体管实现二维微缩; 应用材料公司利用 Stensar™CVD取代旋涂镀膜以扩展二维极紫外光逻辑微缩
预览最广泛的三维环绕栅极晶体管技术产品组合，包括......
中国科学家在铁电多值存储器方面取得进展(2022-11-28)
铁电材料的特殊能带对齐方式，将金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）与非隧穿型的铁电忆阻器垂直组装，首次构筑了基于垂直架构的门电压可编程的二维铁电存储器。
据了解，基于垂直架构的二维纳米电子学器件，已经......
突破！中国科学家在铁电多值存储器方面取得进展(2022-11-28)
突破！中国科学家在铁电多值存储器方面取得进展;近期，中国科学院金属研究所（以下简称金属所）沈阳材料科学国家研究中心与国内多家单位合作，研究团队通过设计二维半导体与二维铁电材料的特殊能带对齐方式，将金属氧化物半导体场效应晶体......
2022年国内十大科技新闻：清华大学集成电路学院研究成果入选(2023-02-14)
通过在石墨烯表面沉积金属铝并自然氧化的方式，完成了对石墨烯垂直方向电场的屏蔽。再使用原子层沉积的二氧化铪作为栅极介质、化学气相沉积的单层二维二硫化钼薄膜作为沟道。具体器件结构、工艺流程、完成实物图如下所示：
△亚1纳米栅长晶体......
单元素二维拓扑绝缘体锗烯面世(2023-05-18)
单元素二维拓扑绝缘体锗烯面世;荷兰科学家研制出了首个由单元素组成的二维（2D）拓扑绝缘体锗烯，其仅由锗原子组成，还具有在“开”和“关”状态之间切换的独特能力，这一点类似晶体管，有望......
重新定义数据处理的能源效率，具有千个晶体管的二维半导体问世(2023-11-14)
重新定义数据处理的能源效率，具有千个晶体管的二维半导体问世;
研究人员创造了第一个基于二维半导体材料的内存处理器，包含1000多个晶体管，这是工业生产道路上的一个重要里程碑。图片来源：艾伦·赫尔......
集成电路学院任天令团队在小尺寸晶体管研究方面取得重大突破 首次实现亚1纳米栅长晶体管(2022-03-11)
实物图如下所示：
图3 亚1纳米栅长晶体管器件工艺流程，示意图，表征图以及实物图
研究发现，由于单层二维二硫化钼薄膜相较于体硅材料具有更大的有效电子质量和更低的介电常数，在超窄亚1纳米物理栅长控制下，晶体......
两大集成电路学院，“芯”突破！(2024-08-19)
升。
北京大学集成电路学院表示，该工作开创了伊辛计算芯片的新范式，在伊辛机的实际应用方面实现了突破，为伊辛机芯片的实用化奠定了重要基础。
浙大团队提出全二维无亚阈值摆幅晶体管
据......
应用材料公司推出全新Ioniq™ PVD系统助力解决二维微缩下布线电阻难题(2022-05-27)
应用材料公司推出全新Ioniq™ PVD系统助力解决二维微缩下布线电阻难题;2022年5月26日，加利福尼亚州圣克拉拉——应用材料公司宣布推出一种全新系统，可改进晶体管布线沉积工艺，从而......
科学家发现三维量子液晶 量子计算机有戏(2017-05-02)
茨尔在做胆甾醇苯酸酶加热实验时，发现晶体物质融化过程中，在不同温度下，颜色变得截然不同。
随后物理学家勒曼发现，晶体融化液体与晶体类似，具有双折射性质，于是将其命名为“液晶”。
20世纪至今，液晶技术不断提升，比如二维......
中国科学家在半导体领域获突破(2024-06-11)
法采用界面效应的颠覆性路线，工艺简单、效果稳定，并且可以有效保持二维半导体本征的优异性能。在此基础上，该研究团队利用垂直堆叠的方式制备了由14层范德华材料组成、包含4个晶体管的互补型逻辑门NAND以及SRAM等器......
延续摩尔定律，新型半导体研发实现新突破(2022-06-07)
半导体的研发上取得了新的进展。
据媒体报道，日前，一支由南洋理工大学、北京大学、清华大学和北京量子信息科学研究院的研究人员最近展示了利用范德华力成功地将单晶滴定锶一种高K钙钛矿氧化物）与二维半导体集成，这种方法可以为开发新型晶体......
二维材料成功集成到硅微芯片内，有望用于高级数据存储和计算(2023-03-29)
管中，但这些器件无法存储或处理信息。
最新研究将名为多层六方氮化硼的二维绝缘材料（约6纳米厚），集成到包含由互补金属—氧化物半导体技术制成的硅晶体管的微芯片内，实现了优异的集成密度、电子......
二维材料成功集成到硅微芯片内，有望用于高级数据存储和计算(2023-03-29)
大部分技术使用与目前的半导体工业不兼容的合成和加工方法，在无功能的基板上制造出大型器件，且成品率较差。例如，IBM曾试图将石墨烯集成到用于射频应用的晶体管中，但这些器件无法存储或处理信息。
最新研究将名为多层六方氮化硼的二维......
迄今最薄芯片级光线路2D波导面世(2023-08-15)
迄今最薄芯片级光线路2D波导面世;美国芝加哥大学科学家在最新一期《科学》杂志上发表论文称，他们研制出迄今最薄的芯片级光线路——二维（2D）波导。这款只有几个原子厚的玻璃晶体可捕获和携带光，而且......
迄今最薄芯片级光线路2D波导面世(2023-08-15)
迄今最薄芯片级光线路2D波导面世;美国芝加哥大学科学家在最新一期《科学》杂志上发表论文称，他们研制出迄今最薄的芯片级光线路——二维（2D）波导。这款只有几个原子厚的玻璃晶体可捕获和携带光，而且......
芯片巨头们已着手研发下一代CFET技术(2023-10-09)
管领域愿景。英特尔和台积电的努力，也突显 CFET 技术对半导体产业未来的重要性。
复旦大学研发出异质 CFET 技术
复旦大学研究团队：周鹏教授、包文中研究员及万景研究员，创新地提出了硅基二维异质集成叠层晶体......
GaN衬底研发获新突破！(2022-12-01)
阻率。
近年来，半绝缘SiC衬底上外延生长的GaN高迁移率晶体管(GaN-on-SiC HEMTs)已广泛应用于微波射频领域的功率放大器电路中，然而由于GaN和SiC晶体之间的晶格失配和热失配，导致......
半导体未来三大支柱：先进封装、晶体管和互连(2024-12-23)
键合（hybrid bonding）互连的间距缩放：实现异构组件间的高能效和高带宽密度连接。
模块化系统的扩展：通过连接解决方案降低网络延迟和带宽限制。
GAA晶体管的突破：物理和二维......
南京大学、东南大学在双层二维半导体外延生长核心技术取得新突破(2022-05-10)
果近日发表于国际学术期刊《自然》。
论文共同第一作者、东南大学教授马亮表示，这份研究不仅突破了大面积均匀双层二硫化钼的层数可控外延生长技术瓶颈，研制了最高性能的二硫化钼晶体管器件，而且双层二硫化钼层数可控成核新机制有望进一步拓展至其他二维......
光刻机将成为历史！麻省理工华裔研究出 2D 晶体管，轻松突破 1nm 工艺！(2023-05-29)
的制程工艺完全依赖于先进的光刻机设备，比如现阶段台积电最先进的第二代 3nm 工艺，离不开 EUV 光刻机。
然而，前不久麻省理工学院(MIT)华裔研究生朱家迪突破了常温条件下由二维(2D)材料制造成功的原子，每个晶体......
1nm芯片采用比2nm芯片更先进的工艺，将会用到铋电极的物质(2023-01-28)
的晶体管架构并采用新的材料。
而1nm芯片是比2nm芯片更先进的工艺，在2nm芯片上可以采用二维材料，但在1nm芯片就不太可行了。
因为台积电与麻省理工学院一直都在研发1nm......
一文看懂MOS器件的发展与面临的挑战(2017-07-10)
，是FD-SOI晶体管的剖面图。
另外，1989年，Hitachi公司的工程师Hisamoto对传统的平面型晶体管的结构作出改变提出的基于体硅衬底，采用局部氧化绝缘隔离衬底技术制造出全耗尽的侧向沟道三维晶体......
基于零维材料的光电探测器原子结构(2023-04-07)
光电导体的胶体量子点探测器的原理图；（c）基于光电二极管的胶体量子点探测器的原理图；（d）基于场效应光电晶体管的胶体量子点探测器的原理图
基于二维材料的光电探测器：目前的二维......
关于二维/石墨烯材料及电子器件测试介绍(2023-04-18)
关于二维/石墨烯材料及电子器件测试介绍;纳米材料电学测试方案将在本文中阐述，包括《纳米线/碳纳米管测试方案》、《二维/石墨烯材料测试方案》。纳米材料电学测试SMU 应用场景、测试......
四张图看懂晶体管现状(2022-11-29)
个几乎无法想象的数字背后，是晶体管价格的持续下降，因为工程师们已经学会将越来越多的晶体管集成到同一硅片区域。
缩小硅平面二维空间中的晶体管取得了巨大的成功：自 1971 年以来，逻辑电路中的晶体......
1纳米以下制程重大突破！台积电等研发出“铋”密武器(2021-05-18)
1纳米以下制程重大突破！台积电等研发出“铋”密武器;在IBM刚刚官宣研发成功2nm芯片不久，台积电也有了新的动作！中国台湾大学、台积电与麻省理工学院共同发表研究成果，首度提出利用半金属铋（Bi）作为二维......
单颗芯片容纳1万亿个晶体管？我们的世界是否还需要更好的晶体管?(2023-01-10)
宜的节点来实现密度改进较小的其他一些功能的能力。
在不久之前，我们曾披露，复旦大学微电子学院的周鹏教授，包文中研究员及信息科学与工程学院的万景研究员，创新地提出了硅基二维异质集成叠层晶体管技术。
该技术利用成熟的后端工艺将新型二维......
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;深圳市勤维晶科技有限公司;;深圳市勤维晶科技有限公司是LED显示屏、led等产品专业生产加工的有限责任公司,公司总部设在深圳,深圳市勤维晶科技有限公司拥有完整、科学的质量管理体系。公司以诚信、实力
;深圳多维晶;;
;深圳市多维晶电子科技有限公司;;
;深圳多维晶电子科技有限公司;;深圳市多维晶电子科技有限公司是一家专业从事高反压三极管（自己封装）、场效应晶体管、集成电路、电子整机销售并同时提供技术服务的综合型进出口电子企业。本公
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;深圳市科维晶鑫科技有限公司;;深圳科维晶鑫科技有限公司是集研发、生产 、销售、服务于一体的LED直插全系列及LED显示屏基地。公司设备先进、采用全自动一条龙.技术力量强大，拥有
;深圳市科维晶鑫科技有限公司-销售部;;公司简介 深圳市科维晶鑫科技有限公司是一家从2004年开始从事LED发光二极管的生产型企业，凭着先进的LED生产设备、富有
;信码互通北京科技有限公司;;关于信码互通 信码互通（北京）科技有限公司致力于二维条码技术及相关应用的研究和开发工作，是国内外知名的二维码技术提供商。公司拥有强大的技术团队，产品全部自主研发，拥有
;灵马二维码科技公司灵动快拍济南;;二维码可以用于各个行业及领域。灵动快拍二维码团队由移动互联网、图像识别、数据算法、自动识别技术、市场营销等领域资深专家组成。 主要功能有移动营销、会议签到、防伪
;信码互通（北京）科技有限公司;;专业的手机二维码技术服务运营商