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泽华电子产品有限责任公司副总经理王作为在报道中表示，碳化硅封装测试生产线扩建项目于今年3月份开始建设，现在一期2700平生产厂房已进入装修阶段。项目‘十一’后可投产使用。用于生产碳化硅材料集成电路及大高功率晶体管封装，该项......
年来，电子领域的常规做法一直是用晶体管构建所有设备并使用相同的硅架构，”赫萨姆说，“通过简单地将越来越多的晶体管封装到集成电路中，我们已经取得了重大进展。” “你不能否认这一策略的成功，但它......
质量最高，这一指标包括了专利被其他公司引用的次数。三星电子在专利数量和质量方面排名第二，拥有 2404 项专利。英特尔则排名第三，拥有 1434 项专利。 随着在单块硅片上集成更多晶体管变得越来越困难，先进芯片封装......
电子在专利数量和质量方面排名第二，拥有 2404 项专利。英特尔则排名第三，拥有 1434 项专利。 随着在单块硅片上集成更多晶体管变得越来越困难，先进芯片封装技术对于改进半导体设计至关重要。该技......
进芯片的公司。 先进封装对于改进半导体设计至关重要，因为将更多晶体管封装到单片硅上变得更加困难。封装技术使业界能够将多个称为“Chiplets”的芯片（堆叠或彼此相邻）互联......
计使用了三个的SuperGaN® 功率管 (TP65H150G4PS)，该的导通电阻为150毫欧，采用为业界所熟悉且深受信赖的三引脚TO-220封装。在使用PFC架构、较高电流的电源系统中，这种晶体管封装......
为业界所熟悉且深受信赖的三引脚TO-220封装。在使用PFC架构、较高电流的电源系统中，这种晶体管封装形式具有出色的低压线路散热性能。 该参考设计旨在简化并加速电源系统的开发，适用于高功率密度的交直流电源、快充......
和SEPIC转换器。所以，尽管对功率密度的压力推动了元件厂商开发体积更小的封装，但这些元件必须适当地散发同样多的热量。 需要新的半导体封装用于晶体管和整流二极管，能节省空间同时具备极高的热效益。许多代产品的设计师们依赖已经确立的封装......
有一个模块需要引起行业内的重视，那就是电机驱动部分最核心的元件IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor绝缘栅双极型晶体管芯片）。作为电力电子行业里的“CPU”，IGBT（绝缘栅双极型晶体管）是国......
SuperGaN® 功率管 (TP65H150G4PS)，该氮化镓功率管的导通电阻为150毫欧，采用为业界所熟悉且深受信赖的三引脚TO-220封装。在使用PFC架构、较高电流的电源系统中，这种晶体管封装......
日月光拿下苹果先进封装大单，下半年起陆续贡献营收; 【导读】日月光投控先进封装布局报喜，传出拿下苹果新一代M4处理器先进封装大单，苹果成为日月光投控第一个先进封装大客户，下半......
电流的电源系统中，这种晶体管封装......
种科学研究路线的差异十分明显。从20世纪50年代至今的四十几年来半导体晶体管器件和集成电路的持续高速发展的事实来看，前者无疑是正确的方向。 发现曾经大佬的固执理论有错误，说明......
推出采用1.1-mm x 1-mm x 0.37-mm超薄DFN封装的晶体管;NXP推出首款采用1.1-mm x 1-mm x 0.37-mm超薄DFN（分立式扁平无引脚）封装的晶体管。全新......
半导体大厂万亿晶体管技术路线曝光，1nm芯片2030年完成？;在近日举办的IEEE国际电子元件会议（IEDM）上，台积电分享了一个包含1万亿晶体管的芯片封装路线。据悉，这或成为行业2030年以......
松下Panasonic RQ-517S型收录机拆解原理解析;收了一台松下的老收录机，Panasonic RQ-517S型，1975年左右生产的。全晶体管分立电路没有集成电路芯片，带调......
让单个设备包含1万亿个晶体管，英特尔会怎么做？;摘要： 英特尔不懈推进摩尔定律，在制程工艺基础创新方面有着深厚底蕴。 在推进摩尔定律的过程中，先进封装为架构师和设计师提供了新工具。 摘要： 英特......
台积电首提 1nm A10 工艺，计划到 2030 年实现 1 万亿晶体管的单个芯片封装;12 月 28 日消息，据 Tom's Hardware 报道，在本月举行的 IEDM 2023 会议......
英特尔继续推进摩尔定律，为在2030年打造出万亿晶体管芯片铺平道路;在晶体管诞生75周年之际，英特尔在IEDM 2022上宣布将把封装技术的密度再提升10倍，并使用厚度仅三个原子的新材料推进晶体管......
工业级650V常关G-HEMT™ 晶体管，采用PowerFLAT 5x6 HV贴装封装，额定电流分别为15A和25A，在25°C时的典型导通电阻(RDS(on))分别为75mΩ和49mΩ。此外，3nC和......
已经陆续送样，月产能规划1.5万片。 《财讯》也发现，当先进封装产能供不应求之际，群创顺利搭上热门话题，因沿用70%以上薄膜晶体管设备，已折旧完毕，具竞争力，有机会与既有半导体封装大......
Nexperia的新型双极结晶体管采用DPAK封装，为汽车和工业应用提供高可靠性; 奈梅亨，2021年7月29日：Nexperia是基础半导体器件领域的专家，今日宣布推出9款新的功率双极性晶体管......
未来十年内持续推进，最终实现在单个封装中集成一万亿个晶体管。的研究人员展示了以下研究成果：3D封装技术的新进展，可将密度再提升10倍；超越RibbonFET，用于2D晶体管微缩的新材料，包括仅三个原子厚的超薄材料；能效......
电气化等应用的性能。 该系列先期推出的两款产品SGT120R65AL 和 SGT65R65AL都是工业级650V常关G-HEMT™ 晶体管，采用PowerFLAT 5x6 HV贴装封装，额定电流分别为15A和25A......
列先期推出的两款产品SGT120R65AL 和 SGT65R65AL都是工业级650V常关G-HEMT™ 晶体管，采用PowerFLAT 5x6 HV贴装封装，额定电流分别为15A和25A，在25°C时的......
未来十年内持续推进摩尔定律，最终实现在单个封装中集成一万亿个晶体管。英特尔的研究人员展示了以下研究成果：3D封装技术的新进展，可将密度再提升10倍；超越RibbonFET，用于2D晶体管微缩的新材料，包括......
6x5 Qorvo 提供多种高功率和高频RF晶体管，包括GaAs pHEMT和GaN HEMT，二者均提供裸片和封装两种形式。......
无法处理。 通过在与晶体管相同的SOT23 (250 mW Ptot)或SOT323 (235 mW Ptot)封装中组合偏置电阻和偏置发射极电阻，RET可以节省空间并降低制造成本。SOT363封装......
In Package)，力图压倒台积电。 通过立体堆叠的方式，单一芯片可以放进更多的晶体管，甚至完全不同制程的芯片颗粒也能封在一起，这也突破了传统的芯片制造概念。而通过3D封装技术，制造端可以制造较小规模晶体管......
晶圆上，而非封装中，成功实现了硅晶体管与氮化镓（GaN）晶体管的大规模单片3D集成。 英特尔公司高级副总裁兼组件研究总经理Sanjay Natarajan表示：“我们正在进入制程技术的埃米时代，展望‘四年......
英特尔继续推进摩尔定律，为在2030年打造出万亿晶体管芯片铺平道路;在晶体管诞生75周年之际，英特尔在IEDM 2022上宣布将把封装技术的密度再提升10倍，并使用厚度仅三个原子的新材料推进晶体管......
英特尔继续推进摩尔定律，为在2030年打造出万亿晶体管芯片铺平道路;在晶体管诞生75周年之际，英特尔在IEDM 2022上宣布将把封装技术的密度再提升10倍，并使用厚度仅三个原子的新材料推进晶体管......
可在发生短路的情况下防止负载损坏。供货OptiMOS线性场效应晶体管现可供货，有三个电压等级：100 V、150 V和200 V。它们可采用D2PAK或D2PAK 7pin封装。这些行业标准封装兼容简易替换元件。......
，分享了近期背面供电研发突破的扩展路径（如背面触点），并率先在同一块300毫米晶圆上，而非封装中，成功实现了硅晶体管与氮化镓（GaN）晶体管的大规模单片3D集成。 “ 我们......
了近期背面供电研发突破的扩展路径（如背面触点），并率先在同一块300毫米晶圆上，而非封装中，成功实现了硅晶体管与氮化镓（GaN）晶体管的大规模单片3D集成。“ 我们正在进入制程技术的埃米时代，展望‘四年......
列先期推出的两款产品SGT120R65AL 和 SGT65R65AL都是工业级650V常关G-HEMT™ 晶体管，采用PowerFLAT 5x6 HV贴装封装，额定电流分别为15A和25A，在25°C时的......
而得名，一般以树脂封装居多，这是其特点之一。 功率晶体管 一般功率晶体管的功率超过1W。相比小信号晶体管拥有更大的最大集电极电流、最大集电极功率，对于散热而言，它本身形状就很大 ，有的功率晶体管......
GaAlA 红外发光二极管，与硅光电晶体管光学耦合。SOP-4 微型扁平封装额定隔离电压为 3750V，爬电距离和电气间隙 ≥ 5mm。器件耦合电容仅为 1.2 pF，符合 RoHS 和Vishay绿色......
列先期推出的两款产品SGT120R65AL和SGT65R65AL都是工业级650V常关G-HEMT™晶体管，采用PowerFLAT 5x6 HV贴装封装，额定电流分别为15A和25A，在25°C时的典型导通电阻(RDS......
Diodes公司的双极晶体管采用 3．3mm x 3．3mm 封装并提供更高的功率密度;Diodes 公司 (Nasdaq：DIOD) 为领先业界的高质量应用特定标准产品全球制造商与供货商，产品......
继续缩小下去而不漏电，在不改进光刻技术的情况下增加晶体管密度，这也是延续摩尔定律的关键所在。 　　先进封装 　　当通过缩小晶体管特征尺寸实现的经济学和性能推动力受阻后，封装......
学子专区—ADALM2000实验：光耦合器;目标 在本次实验中，将使用红外LED和NPN光电晶体管构建光耦合器。还将......
晶圆上，而非封装中，成功实现了硅晶体管与氮化镓（GaN）晶体管的大规模单片3D集成。英特尔公司高级副总裁兼组件研究总经理Sanjay Natarajan表示：“我们正在进入制程技术的埃米时代，展望‘四年......
晶圆上，而非封装中，成功实现了硅晶体管与氮化镓（GaN）晶体管的大规模单片3D集成。 英特尔公司高级副总裁兼组件研究总经理Sanjay Natarajan表示：“我们正在进入制程技术的埃米时代，展望‘四年......
管”迈入“晶体管”时代的标志，也为后来集成电路的发明乃至整个信息产业的发展奠定了基础。 同样是在2022年，英特尔CEO宣布了一个宏伟计划，那就是到2030年，一个芯片封装上可以有1万亿个晶体管......
收音机因其便携性和易用性而成为业余爱好者和无线电爱好者的热门选择。它展示了调谐和放大的基本思想，同时允许在小封装中接收无线电信号。 总之，单晶体管无线电电路是电气工程创造力的一座丰碑。它只需一个晶体管......
必须安装散热器。使用最终晶体管有两种选择。如果使用TIPXX型晶体管，则使用的冷却可能是散热器板。但是，如果晶体管与TO-3封装类型一起使用，则可以将其用于散热器，并将短线连接到每个晶体管......
台积电首提1nm工艺，实现1万亿晶体管的单个芯片封装; 业内消息，近日在IEDM 2023会议上制定了提供包含1万亿个的路线，来自单个上的3D封装小芯片集合，与此......
什么是晶体管呢？ 世界需要更好的晶体管吗？; 泛指一切以半导体材料为基础的单一元件，包括各种半导体材料制成的二极管、三极管、场效应管、晶闸管等。晶体管具有检波、整流、放大、开关、稳压、信号......
5x6 HV 紧凑型贴装封装，其典型应用是PC适配器、USB壁式充电器和无线充电。 正在开发的 650V GaN 晶体管现在有工程样品提供，其中120mΩ Rds(on)的 SGT120R65A2S......

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扬州彤欣电子有限公司是生产硅中、低频功率器件的专业厂家，以设计、开发、生产硅中、低频大功率器件芯片为主。现有晶体管芯片生产线二条，后道封装线二条,其中φ3英寸硅片生产线年生产能力达20万片。 　　公司主导产品有3DD、2SA、2SD
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;安丘市科威电子有限公司;;我公司已有13年半导体器件生产历史,设备先进,测试仪器齐全,例行实验设施完善。主要产品有:１．ＮＰＮ硅低频大功率晶体管　3DD1-3DD12,3DD21
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余人，其中技术人员占25％。公司邻近广州火车站、新白云国际机场和环城、广佛、广清高速公路，交通便利。 公司现有年产能力为36亿只的晶体管封装生产线，年产1200万只的微型电机装配生产线、电子
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;西安卫光电工厂;;我厂先后从美国、瑞士、日本等国引进了一流的晶体管管芯生产线和后部封装设备，建成5000平方米的净化生产厂房和自动化生产线，能够大量生产数十种外型的塑料封装、金属封装功率晶体管
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对管;S系列晶体管;达林顿系列晶体管;单、双可控硅;快恢复肖特基系列;三端稳压集成电路;STR电源等产品。代理经销压敏电阻器。封装有：TO-220，TO-220F，TO-3P，TO-126