资讯
什么是SMT分立器件？有哪些类型？内部结构是怎样的？(2024-10-28 11:57:14)
SMT分立器件的外形如图1所示，电极引脚数为2～6个。
图1 典型SMT分立器件的外形
二极管类器件一般采用2端或3端SMT封装，小功率晶体管......
下一代电动汽车充电的热管理技术(2024-08-22)
Devices的铝散热器和铜散热器与TO-218、TO-220、TO-252和TO-263晶体管封装以及BGA封装类型兼容，可在四种条件下方便地测量热阻，使您......
总投资2亿元 辽阳泽华电子碳化硅封装项目一期厂房预计10月投入使用(2021-08-17)
泽华电子产品有限责任公司副总经理王作为在报道中表示，碳化硅封装测试生产线扩建项目于今年3月份开始建设，现在一期2700平生产厂房已进入装修阶段。项目‘十一’后可投产使用。用于生产碳化硅材料集成电路及大高功率晶体管封装，该项......
三极管知识讲解，补课(2024-11-09 18:33:37)
型封装。引脚排列：管底面对自己，小等腰三角形的庵面朝下，左为E，右为B，两固定孔为C。其封装外形如图2（e）所示。¨
（6）G型：分为G－1～G－6共6种规格，主要用于低频大功率晶体管封装......
MIT开发出特殊晶体管模拟大脑的思考和记忆(2024-01-10)
年来，电子领域的常规做法一直是用晶体管构建所有设备并使用相同的硅架构，”赫萨姆说，“通过简单地将越来越多的晶体管封装到集成电路中，我们已经取得了重大进展。”
“你不能否认这一策略的成功，但它......
专利数据显示，台积电在先进芯片封装大战中处于领先地位(2023-08-02)
质量最高，这一指标包括了专利被其他公司引用的次数。三星电子在专利数量和质量方面排名第二，拥有 2404 项专利。英特尔则排名第三，拥有 1434 项专利。
随着在单块硅片上集成更多晶体管变得越来越困难，先进芯片封装......
专利数据显示，台积电在先进芯片封装大战中处于领先地位(2023-08-03)
电子在专利数量和质量方面排名第二，拥有 2404 项专利。英特尔则排名第三，拥有 1434 项专利。
随着在单块硅片上集成更多晶体管变得越来越困难，先进芯片封装技术对于改进半导体设计至关重要。该技......
机构：台积电先进芯片封装专利排名第一，超越三星英特尔(2023-08-02)
进芯片的公司。
先进封装对于改进半导体设计至关重要，因为将更多晶体管封装到单片硅上变得更加困难。封装技术使业界能够将多个称为“Chiplets”的芯片（堆叠或彼此相邻）互联......
Transphorm发布紧凑型240瓦电源适配器参考设计,该方案采用了高性能TO(2023-01-13)
计使用了三个的SuperGaN® 功率管 (TP65H150G4PS)，该的导通电阻为150毫欧，采用为业界所熟悉且深受信赖的三引脚TO-220封装。在使用PFC架构、较高电流的电源系统中，这种晶体管封装......
Transphorm发布紧凑型240瓦电源适配器参考设计(2023-01-13)
为业界所熟悉且深受信赖的三引脚TO-220封装。在使用PFC架构、较高电流的电源系统中，这种晶体管封装形式具有出色的低压线路散热性能。
该参考设计旨在简化并加速电源系统的开发，适用于高功率密度的交直流电源、快充......
汽车电气化需求正在刺激封装技术创新(2024-01-10)
和SEPIC转换器。所以，尽管对功率密度的压力推动了元件厂商开发体积更小的封装，但这些元件必须适当地散发同样多的热量。
需要新的半导体封装用于晶体管和整流二极管，能节省空间同时具备极高的热效益。许多代产品的设计师们依赖已经确立的封装......
电控IGBT模块入门详解(2023-07-11)
有一个模块需要引起行业内的重视，那就是电机驱动部分最核心的元件IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor绝缘栅双极型晶体管芯片）。作为电力电子行业里的“CPU”，IGBT（绝缘栅双极型晶体管）是国......
SuperGaN® 功率管 (TP65H150G4PS)，该氮化镓功率管的导通电阻为150毫欧，采用为业界所熟悉且深受信赖的三引脚TO-220封装。在使用PFC架构、较高电流的电源系统中，这种晶体管封装......
硬件工程师基础面试题(2024-10-06 11:59:22)
%
请问电阻、电容、电感的封装大......
日月光拿下苹果先进封装大单，下半年起陆续贡献营收(2024-03-12)
日月光拿下苹果先进封装大单，下半年起陆续贡献营收;
【导读】日月光投控先进封装布局报喜，传出拿下苹果新一代M4处理器先进封装大单，苹果成为日月光投控第一个先进封装大客户，下半......
Transphorm发布紧凑型240瓦电源适配器参考设计(2023-01-13)
电流的电源系统中，这种晶体管封装......
探秘1956年出版的半导体科普书(2023-01-03)
种科学研究路线的差异十分明显。从20世纪50年代至今的四十几年来半导体晶体管器件和集成电路的持续高速发展的事实来看，前者无疑是正确的方向。
发现曾经大佬的固执理论有错误，说明......
推出采用1.1-mm x 1-mm x 0.37-mm超薄DFN封装的晶体管(2013-11-15)
推出采用1.1-mm x 1-mm x 0.37-mm超薄DFN封装的晶体管;NXP推出首款采用1.1-mm x 1-mm x 0.37-mm超薄DFN（分立式扁平无引脚）封装的晶体管。全新......
常见的二极管组件（整流桥、高压硅堆、二极管排）(2024-12-07)
的高压硅堆，其正向电阻值大于200KΩ，反向电阻值为无穷大。03
【二极管排】
二极管排是将两只或两只以上的二极管封装在一起组成的，其内电路有共阴（将各只二极管的负极接在一起）型、共阳（将各......
半导体大厂万亿晶体管技术路线曝光，1nm芯片2030年完成？(2023-12-29)
半导体大厂万亿晶体管技术路线曝光，1nm芯片2030年完成？;在近日举办的IEEE国际电子元件会议（IEDM）上，台积电分享了一个包含1万亿晶体管的芯片封装路线。据悉，这或成为行业2030年以......
松下Panasonic RQ-517S型收录机拆解原理解析(2023-03-21)
松下Panasonic RQ-517S型收录机拆解原理解析;收了一台松下的老收录机，Panasonic RQ-517S型，1975年左右生产的。全晶体管分立电路没有集成电路芯片，带调......
Intel制程和封装4大突破：封装吞吐量提升100倍(2024-12-09)
、全环绕栅极(GAA)等领域。
目前，Intel正在持续推进四年五个工艺节点的计划，计划到2030年在单个上封装1万亿个晶体管，因此先进的晶体管技术、缩微技术、互连技术、封装......
Nexperia推出采用空间和能源效率较高的DFN2020D-3封装的热门功率BJT(2024-09-02)
Nexperia推出采用空间和能源效率较高的DFN2020D-3封装的热门功率BJT;满足行业对采用更现代封装的功率双极结型晶体管的需求
奈梅亨，2024年 9月2日：Nexperia今日宣布其广受欢迎的功率双极结型晶体管......
让单个设备包含1万亿个晶体管，英特尔会怎么做？(2022-03-28)
让单个设备包含1万亿个晶体管，英特尔会怎么做？;摘要：
英特尔不懈推进摩尔定律，在制程工艺基础创新方面有着深厚底蕴。
在推进摩尔定律的过程中，先进封装为架构师和设计师提供了新工具。
摘要：
英特......
台积电首提 1nm A10 工艺，计划到 2030 年实现 1 万亿晶体管的单个芯片封装(2023-12-28)
台积电首提 1nm A10 工艺，计划到 2030 年实现 1 万亿晶体管的单个芯片封装;12 月 28 日消息，据 Tom's Hardware 报道，在本月举行的 IEDM 2023 会议......
英特尔继续推进摩尔定律，为在2030年打造出万亿晶体管芯片铺平道路(2022-12-05)
英特尔继续推进摩尔定律，为在2030年打造出万亿晶体管芯片铺平道路;在晶体管诞生75周年之际，英特尔在IEDM 2022上宣布将把封装技术的密度再提升10倍，并使用厚度仅三个原子的新材料推进晶体管......
意法半导体量产PowerGaN器件，让电源产品更小巧、更清凉、更节能(2023-08-03)
工业级650V常关G-HEMT™ 晶体管，采用PowerFLAT 5x6 HV贴装封装，额定电流分别为15A和25A，在25°C时的典型导通电阻(RDS(on))分别为75mΩ和49mΩ。此外，3nC和......
Nexperia的新型双极结晶体管采用DPAK封装，为汽车和工业应用提供高可靠性(2021-07-29)
Nexperia的新型双极结晶体管采用DPAK封装，为汽车和工业应用提供高可靠性;
奈梅亨，2021年7月29日：Nexperia是基础半导体器件领域的专家，今日宣布推出9款新的功率双极性晶体管......
Nexperia推出采用空间和能源效率较高的DFN2020D－3封装的热门功率BJT(2024-09-02 14:36)
Nexperia推出采用空间和能源效率较高的DFN2020D－3封装的热门功率BJT;满足行业对采用更现代封装的功率双极结型晶体管的需求Nexperia今日宣布其广受欢迎的功率双极结型晶体管(BJT......
Nexperia推出采用空间和能源效率较高的DFN2020D－3封装的热门功率BJT(2024-09-02 14:36)
Nexperia推出采用空间和能源效率较高的DFN2020D－3封装的热门功率BJT;满足行业对采用更现代封装的功率双极结型晶体管的需求Nexperia今日宣布其广受欢迎的功率双极结型晶体管(BJT......
英特尔继续推进摩尔定律，为在2030年打造出万亿晶体管芯片铺平道路(2022-12-06)
未来十年内持续推进，最终实现在单个封装中集成一万亿个晶体管。的研究人员展示了以下研究成果：3D封装技术的新进展，可将密度再提升10倍；超越RibbonFET，用于2D晶体管微缩的新材料，包括仅三个原子厚的超薄材料；能效......
意法半导体量产PowerGaN器件，让电源产品更小巧、更清凉、更节能(2023-08-03)
电气化等应用的性能。
该系列先期推出的两款产品SGT120R65AL 和 SGT65R65AL都是工业级650V常关G-HEMT™ 晶体管，采用PowerFLAT 5x6 HV贴装封装，额定电流分别为15A和25A......
意法半导体量产PowerGaN器件，让电源产品更小巧、更清凉、更节能(2023-08-03 15:36)
列先期推出的两款产品SGT120R65AL 和 SGT65R65AL都是工业级650V常关G-HEMT™ 晶体管，采用PowerFLAT 5x6 HV贴装封装，额定电流分别为15A和25A，在25°C时的......
半导体未来三大支柱：先进封装、晶体管和互连(2024-12-23)
半导体未来三大支柱：先进封装、晶体管和互连;
英特尔在前沿技术领域的探索和布局具有行业标杆意义，其发布的技术路线图和成果为半导体行业提供了重要参考方向。
在IEDM 2024大会......
大陆厂商拿下全球70%大尺寸面板市场，台厂失去优势被迫转型(2023-09-25)
已经陆续送样，月产能规划1.5万片。
《财讯》也发现，当先进封装产能供不应求之际，群创顺利搭上热门话题，因沿用70%以上薄膜晶体管设备，已折旧完毕，具竞争力，有机会与既有半导体封装大......
QORVO GAN－ON－SIC晶体管提高战术和公共安全电台的效率和带宽(2017-06-29)
6x5
Qorvo 提供多种高功率和高频RF晶体管，包括GaAs pHEMT和GaN HEMT，二者均提供裸片和封装两种形式。......
英特尔继续推进摩尔定律，为在2030年打造出万亿晶体管芯片铺平道路(2022-12-06)
未来十年内持续推进摩尔定律，最终实现在单个封装中集成一万亿个晶体管。英特尔的研究人员展示了以下研究成果：3D封装技术的新进展，可将密度再提升10倍；超越RibbonFET，用于2D晶体管微缩的新材料，包括......
深度丨半导体知识及芯片发展史(2023-12-17 23:26:32)
器，逻辑器件，模拟器件
。通常我们统称他们为芯片。
提起芯片，很多人可能见过，就是一块黑色类似于小盒子的东西，它是由晶体管......
Nexperia推出采用空间和能源效率较高的DFN2020D-3封装的热门功率BJT(2024-09-05)
Nexperia推出采用空间和能源效率较高的DFN2020D-3封装的热门功率BJT;
【导读】Nexperia宣布其广受欢迎的功率双极结型晶体管(BJT)产品组合再次扩展，推出......
工业马达驱动设计中IGBT的作用(2024-08-13)
功率因子校正 (PFC) 输入整流器
为了在不同的马达驱动设计部分将 IGBT 维持在它的 SOA 额定值以下，必须移除晶体管封装的热能。Bourns BID IGBT 系列采用更好的散热 TO-247 功率封装......
Nexperia首次推出 用于48 V汽车和其他更高电压总线电路的80 V RET(2021-01-12)
无法处理。
通过在与晶体管相同的SOT23 (250 mW Ptot)或SOT323 (235 mW Ptot)封装中组合偏置电阻和偏置发射极电阻，RET可以节省空间并降低制造成本。SOT363封装......
英特尔展示下一代晶体管微缩技术突破，将用于未来制程节点(2023-12-10)
晶圆上，而非封装中，成功实现了硅晶体管与氮化镓（GaN）晶体管的大规模单片3D集成。
英特尔公司高级副总裁兼组件研究总经理Sanjay Natarajan表示：“我们正在进入制程技术的埃米时代，展望‘四年......
五个延续摩尔定律的方法(2023-03-28)
In Package)，力图压倒台积电。
通过立体堆叠的方式，单一芯片可以放进更多的晶体管，甚至完全不同制程的芯片颗粒也能封在一起，这也突破了传统的芯片制造概念。而通过3D封装技术，制造端可以制造较小规模晶体管......
摩尔定律没有死去，而是一直在推进：看英特尔如何延续摩尔定律(2024-06-26)
数量达到数十亿个，英特尔预计，到2030年，单个封装中集成的晶体管数量将达到一万亿。这一增长节奏仍然符合摩尔定律。
英特尔与摩尔定律的故事
摩尔定律发迹于英特尔，所以......
OptiMOS线性场效应晶体管兼具低R值与大安全工作区(2017-07-31)
可在发生短路的情况下防止负载损坏。供货OptiMOS线性场效应晶体管现可供货，有三个电压等级：100 V、150 V和200 V。它们可采用D2PAK或D2PAK 7pin封装。这些行业标准封装兼容简易替换元件。......
英特尔继续推进摩尔定律，为在2030年打造出万亿晶体管芯片铺平道路(2022-12-06)
英特尔继续推进摩尔定律，为在2030年打造出万亿晶体管芯片铺平道路;在晶体管诞生75周年之际，英特尔在IEDM 2022上宣布将把封装技术的密度再提升10倍，并使用厚度仅三个原子的新材料推进晶体管......
英特尔继续推进摩尔定律，为在2030年打造出万亿晶体管芯片铺平道路(2022-12-06 11:18)
英特尔继续推进摩尔定律，为在2030年打造出万亿晶体管芯片铺平道路;在晶体管诞生75周年之际，英特尔在IEDM 2022上宣布将把封装技术的密度再提升10倍，并使用厚度仅三个原子的新材料推进晶体管......
英特尔在IEDM 2023上展示3D堆叠、背面供电、背面触点研究成果(2023-12-10)
，分享了近期背面供电研发突破的扩展路径（如背面触点），并率先在同一块300毫米晶圆上，而非封装中，成功实现了硅晶体管与氮化镓（GaN）晶体管的大规模单片3D集成。
“ 我们......
英特尔在IEDM 2023上展示3D堆叠、背面供电、背面触点研究成果(2023-12-11 11:28)
了近期背面供电研发突破的扩展路径（如背面触点），并率先在同一块300毫米晶圆上，而非封装中，成功实现了硅晶体管与氮化镓（GaN）晶体管的大规模单片3D集成。“ 我们正在进入制程技术的埃米时代，展望‘四年......
意法半导体量产PowerGaN器件，让电源产品更小巧、更清凉、更节能(2023-08-03)
列先期推出的两款产品SGT120R65AL 和 SGT65R65AL都是工业级650V常关G-HEMT™ 晶体管，采用PowerFLAT 5x6 HV贴装封装，额定电流分别为15A和25A，在25°C时的......
相关企业
扬州彤欣电子有限公司是生产硅中、低频功率器件的专业厂家，以设计、开发、生产硅中、低频大功率器件芯片为主。现有晶体管芯片生产线二条，后道封装线二条,其中φ3英寸硅片生产线年生产能力达20万片。 公司主导产品有3DD、2SA、2SD
;安丘市科威电子有限公司;;我公司已有13年半导体器件生产历史,设备先进,测试仪器齐全,例行实验设施完善。主要产品有:１．ＮＰＮ硅低频大功率晶体管 3DD1-3DD12,3DD21
;东莞灿域电子有限公司;;我司是一家生产代理.二三极管 .产品系列有各种封装的 晶体管 场效应管 可控蛙 三端稳压IC等品种达800遇种. 产品用于;显示器 电源 音响 电话机 电脑 玩具 节能
余人，其中技术人员占25％。公司邻近广州火车站、新白云国际机场和环城、广佛、广清高速公路，交通便利。 公司现有年产能力为36亿只的晶体管封装生产线，年产1200万只的微型电机装配生产线、电子
类电子元器件，主要产品包括：高频中、小功率晶体管、玻璃封装硅功率二极管、高压硅堆、单相、三相桥式硅整流器、高频大功率晶体管、低频大功率PNP、NPN晶体管、功率晶体开关管、达林顿PNP、NPN功率晶体管、功率MOS
;达林顿系列晶体管;单、双可控硅;快恢复肖特基系列;三端稳压集成电路;STR电源等产品。代理经销压敏电阻器。封装有：TO-220，TO-220F，TO-3P，TO-126，TO-3PN
;安丘市中惠电子有限公司;;安丘市中惠电子有限公司，毗邻美丽的世界风筝都－潍坊，是国内生产半导体分离器件的专业厂家。主要生产高、低频大功率晶体管，高频小功率晶体管，高反压大功率晶体管、三极管、达琳顿晶体管
，其中技术人员占25％。公司邻近广州火车站、新白云国际机场和环城、广佛、广清高速公路，交通便利。 公司现有年产能力为30亿只的晶体管封装生产线，年产1200万只的微型电机装配生产线、电子
;西安卫光电工厂;;我厂先后从美国、瑞士、日本等国引进了一流的晶体管管芯生产线和后部封装设备，建成5000平方米的净化生产厂房和自动化生产线，能够大量生产数十种外型的塑料封装、金属封装功率晶体管
对管;S系列晶体管;达林顿系列晶体管;单、双可控硅;快恢复肖特基系列;三端稳压集成电路;STR电源等产品。代理经销压敏电阻器。封装有：TO-220，TO-220F，TO-3P，TO-126