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理工大学应用物理学系柴扬教授课题组研发了能在室温下工作、基于“谷”输运机制的量子晶体管。该项研究成果利用新型拓扑半导体材料“碲烯”来制备谷晶体管，突破......
量子半导体器件实现拓扑趋肤效应，可用于制造微型高精度传感器和放大器;德国维尔茨堡—德累斯顿卓越集群ct.qmat团队的理论和实验物理学家开发出一种由铝镓砷制成的半导体器件。这项......
器等电路提供方便紧凑的全桥功率变换解决方案。 第二款模块A2U12M12W2-F2采用三电平T型逆变拓扑，导通能效和开关能效均很出色，输出电压质量稳定。 近日，意法半导体发布了两款采用主流配置的内置1200V 碳化硅(SiC) MOSFET的......
款模块A2U12M12W2-F2采用三电平T型逆变拓扑，导通能效和开关能效均很出色，输出电压质量稳定。这两款模块中的 MOSFET采用意法半导体的第二代 SiC 技术，RDS(on) x 芯片面积品质因数非常出色，确保......
无桥功率因数校正（PFC）设备，采用BARBI拓扑结构设计。 2023年6月2日 – 安富利旗下全球电子元器件产品与解决方案分销商e络盟现货发售来自意法半导体和伍尔特电子的1kW 模拟......
瓦的功率（对于803.2bt Type 4来说)，而EtherCAT P每个电压轨可提供24V x 3A ≥72W的功率。 这两种技术之间的重大区别在于，使用PoE时，你需要两个半导体......
开关MOS管关断时，MOS管会承受两倍于输入电压的应力，因此在该类拓扑应用中推荐瑞森半导体800V、900V的超高压MOS管，以应对电压变化带来的冲击。 双管正激，它是非常稳定的拓扑结构，工作......
国星光电NS62m功率模块上线; 【导读】近日，国星光电研究院基于宽禁带半导体碳化硅技术，全新推出“NS62m SiC MOSFET功率模块新品”，可应用于传统工控、储能逆变、UPS、充电......
是储能系统的一个重要考虑因素，而效率的关键是高速开关和高效拓扑结构，例如 NPC 逆变器拓扑结构。与相对简单的拓扑结构中配置的低速半导体相比，与相对复杂但高效的拓扑结构相结合的高开关速度半导体成本更高。然而，半导体......
e络盟开售来自意法半导体和伍尔特电子的1kW高效模拟无桥PFC;这款PFC设备采用BARBI拓扑结构设计，性价比高、性能强大，且简单易用 中国上海，2023年6月2日 – 安富......
意法半导体新200W和500W器件提升MasterGaN系列性能和价值;意法半导体的MasterGaN1L和MasterGaN4L氮化镓系列产品推出了下一代集成化氮化镓(GaN)电桥芯片，利用宽禁带半导体......
意法半导体新200W和500W器件提升MasterGaN系列性能和价值;意法半导体的MasterGaN1L和MasterGaN4L氮化镓系列产品推出了下一代集成化氮化镓(GaN)电桥芯片，利用宽禁带半导体......
意法半导体新200W和500W器件提升MasterGaN系列性能和价值;意法半导体的MaerGaN1L和MaerGaN4L系列产品推出了下一代集成化(GaN)，利用宽禁带半导体技术简化，实现......
意法半导体新200W和500W器件提升MasterGaN系列性能和价值;2023年12月15日，中国-意法半导体的MasterGaN1L和MasterGaN4L氮化......
意法半导体新200W和500W器件提升MasterGaN系列性能和价值; 【导读】意法半导体的MasterGaN1L和MasterGaN4L氮化镓系列产品推出了下一代集成化氮化镓(GaN......
结构配置芯片的模块，能够优化功率半导体的应用。供货情况EasyPACK 4B F3L600R10W4S7F_C22现已开放订购。全新Easy 4B封装将可用于其他规格的拓扑结构、额定电流和电压等级。更多信息，请访......
大联大友尚集团推出基于ST产品的11kW双向电池充电器方案; 【导读】致力于亚太地区市场的国际领先半导体元器件分销商---大联大控股宣布，其旗下友尚推出基于意法半导体（ST）STDES......
硅材料特性及优势介绍 碳化硅作为宽禁带半导体的代表性材料之一，其材料本征特性与硅材料相比具有诸多优势。以现阶段最适合用于做功率半导体的4H型碳化硅材料为例，其禁带宽度是硅材料的3倍，热导率是硅材料的3倍......
电流可达600 A。ANPC是组串式光伏逆变器常用的拓扑结构，它的特点是运行效率高、功率损耗低。按照拓扑结构配置芯片的模块，能够优化功率半导体的应用。 供货......
IGBT7芯片技术，最大电流可达600 A。ANPC是组串式光伏逆变器常用的拓扑结构，它的特点是运行效率高、功率损耗低。按照拓扑结构配置芯片的模块，能够优化功率半导体的应用。 供货......
GaN+SiC！纳微全球首发8.5kW AI数据中心服务器电源; 【导读】纳微半导体 (纳斯达克股票代码: NVTS) 今日发布全球首款8.5kW AI数据中心服务器电源，其采......
同步整流器和反激式转换器，并针对零电压开关非互补有源钳位拓扑优化了微控制器，因为在高功率时，零电压开关非互补有源钳位能效高于传统准谐振反激式变换拓扑。 ST-ONEMP与意法半导体的MasterGaN......
意法半导体ST－ONEMP数字控制器简化高能效双端口USB－PD适配器设计;意法半导体的高集成度、高能效ST-ONE系列USB供电(USB-PD)数字控制器新增一个支持双充电口的ST-ONEMP芯片......
意法半导体ST－ONEMP数字控制器简化高能效双端口USB－PD适配器设计;意法半导体的高集成度、高能效ST-ONE系列USB供电(USB-PD)数字控制器新增一个支持双充电口的ST-ONEMP芯片......
意法半导体车规MDmesh DM9超结MOSFET提升硅片能效;STPOWER MDmesh DM9 AG系列的车规600V/650V超结 MOSFET为车载充电机(OBC)和采用软硬件开关拓扑......
e络盟开售来自意法半导体和伍尔特电子的1kW高效模拟无桥PFC;这款PFC设备采用BARBI拓扑结构设计，性价比高、性能强大，且简单易用安富利旗下全球电子元器件产品与解决方案分销商e络盟现货发售来自意法半导体......
e络盟开售来自意法半导体和伍尔特电子的1kW高效模拟无桥PFC;这款PFC设备采用BARBI拓扑结构设计，性价比高、性能强大，且简单易用 安富利旗下全球电子元器件产品与解决方案分销商e络盟现货发售来自意法半导体......
国星光电 NS62m 碳化硅功率模块上线：可用于传统工控、储能逆变、充电桩等;IT之家 12 月 12 日消息，研究院基于宽禁带半导体技术，全新推出“ SiC 功率模块新品”，可应......
高抗噪能力。 4. 低延迟的实时控制技术能够可靠地控制使用 GaN 或 IGBT 开关的复杂电源拓扑，提高高压系统的稳健性和功率密度。 第三代半导体的优势 在功率级方面，越来越多的第三代半导体......
有较强的EAS能力，高频桥臂要求MOS的开关性能好，低频桥臂要求MOS导通小；后级LLC谐振电路，要求的Body Diode具有较强的di/dt能力，较小的Qrr。 服务器电源市场应用，龙腾半导体的高压SJ......
提高充电效率，TI从半导体技术方面入手，做了一系列突破与创新。大功率的充电势必会给核心控制器带来拓扑上的变化，比如一些老旧、经典的PFC或者DC-DC的变换拓扑会慢慢地转向APEC多电平拓扑技术。“这种拓扑......
意法半导体车规MDmesh DM9超结MOSFET提升硅片能效;2024 年 3 月 28 日，中国– STPOWER MDmesh DM9 AG系列的车规600V/650V超结 MOSFET为车......
几个重要技巧能够帮助您在设计新的电力电子产品时，创建出基于SiC半导体的开关电源，以更小的尺寸和更低的成本提供更高的功率。 01 拓扑选择 除了标准半桥和全桥电路外，还有两种拓扑广泛用于 SiC 器件。这两种拓扑......
柱 PFC 所需的功率半导体元件数量较少，综合考虑整体元件数量、效率和系统成本，它非常富有吸引力。 图 2：各种助力效率提升的 PFC 开关拓扑 在图腾柱 PFC 中的作用 传统的硅金属氧化物半导体......
断状态时使用两个低频 FET 和一个 SiC 二极管导电。 相比之下， PFC 在导通和关断状态下都只用一个高频 FET 和一个低频硅 FET 导电，在三种拓扑中的功率损耗最低。此外，图腾柱 PFC 所需的功率半导体......
 XMC4200微控制器和CFD7 CoolMOS™ MOSFET推出3.3KW高功率密度双向相移全桥（PSFB）方案，其通过先进的半导体器件及控制算法将PSFB拓扑设计的效率达到了全新水平。     图示2......
具 15μA IQ的 42V 多拓扑 DC／DC 控制器,在高达 10A 输出电流提供 5 种转换器拓扑;亚德诺半导体 (Analog Devices, Inc.，简称 ADI) 旗下......
意法半导体ST-ONEMP数字控制器简化高能效双端口USB-PD适配器设计; 【导读】意法半导体的高集成度、高能效ST-ONE系列USB供电(USB-PD)数字......
优化的基础上，实现了超快开关速度和体二极管特性，专为高频大功率应用场景设计，适合硬开关（如PFC）和软开关（如LLC、移相全桥）等高效电源拓扑结构。   顾邦半导体......
转换器。 在输入端，最广泛使用的单相拓扑PFC升压转换器并不支持双向操作，而图腾柱PFC通过消除桥式整流器级来提高效率，将传导路径中的半导体器件数量从三个减少到两个。 图二 如图二所示，从升压拓扑......
功率段覆盖了主流移动电子设备(手机、平板电脑、笔记本电脑)的快充需求，传统的QR准谐振反激拓扑又兼顾了消费类电子市场的性价比需求和成熟的上下游产业供应链。 图2：PD快充电源产品功率分布 图3：PD快充电源拓扑方案分布 与传统硅基功率半导体......
应用于高频放大器、激光加工机和机器人等工业设备。它的输入电压全球适用，三相三角形或三相星形网络都适用，输入电压范围为180V到528VAC。该电源使用了最新的能量优化、数字控制拓扑和宽带隙（WBG）半导体器件，可以......
意法半导体车规MDmesh DM9超结MOSFET提升硅片能效; 【导读】这些硅基晶体管具有出色的单位芯片面积导通电阻RDS(on)和非常低的栅极电荷，兼备......
其目标是 800 伏汽车应用；但对于400伏汽车应用，我们认为 GaN 是最理想的解决方案。问：使用宽禁带半导体器件和传统硅基器件之间有何权衡？Doug Bailey：这是一个复杂的答案，但我......
品中使用碳化硅，因为其目标是 800 伏汽车应用；但对于400伏汽车应用，我们认为 GaN 是最理想的解决方案。 问：使用宽禁带半导体器件和传统硅基器件之间有何权衡？ Doug Bailey：这是......
利用现成变压器驱动碳化硅SiC FET;碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFETs 或 SiC FETs）作为宽带隙（WBG）器件，与传统的硅（Si）和绝缘栅双极型晶体管（IGBTs......
材料允许电子在材料边缘不受阻碍地运动，但不能穿过中间。电子沿着材料边缘的“高速公路”朝一个方向行进，该“高速公路”被构成材料中心的中线隔开。因此拓扑材料的边缘是完美导体，而中心是绝缘体。 这一成果为研究强相关、拓扑......
意法半导体推出具超强散热能力的车规级表贴功率器件封装ACEPACK SMIT; 【导读】意法半导体推出了各种常用桥式拓扑的ACEPACK™ SMIT 封装功率半导体器件。与传统 TO 型封......
意法半导体ST-ONEMP数字控制器简化高能效双端口USB-PD适配器设计;的高集成度、高能效ST-ONE系列USB供电(USB-PD)新增一个支持双充电口的芯片。本文引用地址：基于市场首个ST......
提供经过十亿个周期测试的可靠重复雪崩功能。  此外，与升压拓扑相比，这一产品系列可以减少多达15个板载器件，将器件管脚尺寸效率提高多达30%，从而简化设计。 奈梅亨，2020年12月16日：半导体......

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;飞利浦半导体广东有限公司;;飞利浦半导体（广东）有限公司是飞利浦电子集团创办的在中国的第一家独资半导体生产基地，于2000年9月1日正式投产，主要业务为半导体器件生产，产品
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;上海世灏半导体有限公司;;半导体放电管,TVS二极管,M1-M7等半导体器件专业制造商！
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;匹克半导体有限公司;;匹克半导体有限公司成立于2007年，本公司宗旨就是致力于发展中的中国半导体行业。本公司的主要任务是从西方引进半导体工艺设备和技术，并提供优质的售后服务。 匹克半导体有限公司采用了西方的客