二极管有三种简化模型：理想二极管模型、简化模型和分段线性模型。理想的二极管模型是三个模型中最简单的，并且将二极管视为一个简单的依赖开关。简化模型忽略了二极管电阻的影响，由电池和理想二极管组成。分段线性模型以分段线性方式表示二极管。第一个近似是三个模型中最简单的。它将二极管视为一个简单的依赖开关：如果正向偏置则闭合，如果反向偏置则断开。第二种近似增加了正向电压的影响。第三种近似通过包括阻力效应来增加这一点。二极管建模是指用于近似真实二极管的实际行为以进行计算和电路分析的数学模型。二极管的I-V曲线是非线性的，因此在涉及二极管的电路中，通常使用更简单的模型来简化计算。
延伸阅读
资讯
如何通过优化模块布局解决芯片缩小带来的电气性能挑战(2023-03-13)
V2的IGBT 7开启过程，开关速度相同
当电流开始上升时，CE电压下降。两种不同布局之间的一个明显区别是，电压（Vce）在V1中显示出一个驼峰曲线，这是由二极管的恢复过程造成的。二极管的......
深入探讨噪声增益传递函数的推导(2022-12-05)
寄生电阻。该寄生电阻代表零偏置p-n光电二极管结。光电二极管的材料（及其光学范围）是硅（190nm - 1100nm），锗（400nm -1700nm），砷化铟镓（800nm - 2600nm），硫化......
数字万用表测试元器件方法大全(2022-12-06)
-negative),负正负，
不同型号的三极管他们的引脚排布不全一样。元件厂家一般都提供元件参数表，也可以用万用表判断引脚极性，类型和放大倍数。
（1）判别引脚极性和三极管的类型
首先将万用表打到测试二极管......
集成理想二极管、源选择器和eFuse有助于增强系统鲁棒性(2023-12-15)
解决方案。二极管是非常有用的器件，对许多应用都很重要。标准硅二极管的压降为0.6 V至0.7 V。肖特基二极管的压降为0.3 V。一般来说，压降不是问题，但在高电流应用中，各个压降会产生显著的功率损耗。理想二极管......
怎样用万用表测量二极管(2023-03-08)
档继续测量，同样表针应停在∞处而不应回返。 3、在路测二极管、三极管、稳压管好坏：因为在实际电路中，三极管的偏置电阻或二极管、稳压管的周边电阻一般都比较大，大都在几百几千欧姆以上，这样，我们......
4个常用的单片机防反接电路(2022-12-08)
就来简单说说常用的防反接电路。
1、最简单的在电路中串入一只二极管
优点：电路简单，成本较低，适用于小电流，且对成本要求比较严的产品。
缺点：由于二极管的PN结在导通时，存在一个压降，一般在0.7V以下......
这些单片机按键设计方案，请拿好，不谢！(2022-12-20)
不需要循环扫描，大大提高了效率。方案如图1.5所示。只需要每个按键对应地增加一个二极管，利用二极管的线与特性，可以实现按下任何按键，都能产生中断信号，但是按键之间互不影响。二极管选用普通整流二极管即可，本人......
万用表使用的测量技巧(2023-02-17)
管和PNP管方向实际上是不同的。
现在常见的三极管大部分是塑封的，如何准确判断三极管的三只引脚哪个是b、c、e？三极管的b极很容易测出来，但怎么断定哪个是c哪个是e？这里推荐三种方法：第一种方法：对于有测三极管......
集成理想二极管、源选择器和eFuse有助于增强系统鲁棒性(2023-12-15)
集成理想二极管、源选择器和eFuse有助于增强系统鲁棒性;本文引用地址：简介
理想二极管使用低导通电阻功率开关（通常为MOSFET）来模拟二极管的单向电流行为，但没有二极管的压降损失。借助......
二极管导通AB两端的控制条件藏在A中，而三极管却是藏在C中。(2024-01-15)
，为开路损坏
2.二极管的WorstCase需要哪些参数？
WorstCase就是检验真理的最好手段。
为此，首先要搞明白二极管的基本参数有哪些？
其次要知道常见的二极管模型是什么样子的，最后......
指针万用表与数字万用表的比较(2023-03-08)
言，对NPN管和PNP管方向实际上是不同的。
现在常见的三极管大部分是塑封的，如何准确判断三极管的三只引脚哪个是b、c、e？三极管的b极很容易测出来，但怎么断定哪个是c哪个是e？这里推荐三种方法：第一......
老司机怎么测量三极管管型、管脚和性能？(2023-03-14)
说它是电子电路中最重要的器件。它最主要的功能是电流放大和开关作用。三极管顾名思义具有三个电极。二极管是由一个PN结构成的，而三极管由两个PN结构成，共用的一个电极成为三极管的基极(用字母b表示)。其他......
基于音频放大器的模拟分压器解析(2023-06-15)
还具有无功负载保护和过压保护。
如果需要，许多 PAA 可以很容易地安装在额外的散热器上。
仅作为说明，在我们考虑基于放大器的 VS 之前，我们将研究几个基于二极管和晶体管的有用 VS。
基于二极管和齐纳二极管
的分压器 我们......
什么是电源交叉频率(2023-01-19)
内的寄生电感。当设置这些电感时，两个输出相互跟踪，因为当二极管在开关周期的1-D部分导通时，变压器的全耦合会促使两个输出相等。
图1 该反激式简化模型......
基础知识之激光二极管(2024-03-20)
LSI及Tr、Di等使用的Si跃迁概率（电流转变为光的概率）较差，因此不适用于激光二极管。
激光二极管和LED的区别
将激光二极管和LED的区别汇总在了下表中。 由于激光二极管的......
恒流电路，也可以这么简单(2024-03-04)
的电流等于R7电阻的电流，所以即使R2负载的电源为可变电压电源，R2负载的电流也是保持固定不变，达到恒流的效果。
3.稳压二极管恒流电路
除去运用三极管与运放设计的恒流电路，今天再介绍另外一种恒流方案，主要是利用稳压二极管的......
MOS管的三个极怎么判定？(2024-03-08)
沟道，由S极指向D极；P沟道，由D极指向S极。
4. 简单的判断方法
上面方法不太好记，一个简单的识别方法是：（想像DS边的三节断续线是连通的）
不论N沟道还是P沟道MOS管，中间衬底箭头方向和寄生二极管的......
聊聊IGBT功率模块的结温计算及其模型(2023-09-12)
控制器功率模块的可靠性和寿命极大地受到工作结温Tj的影响。虽然IGBT和二极管的PN结温度无法直接测量，但可以通过间接的测量和计算来获取。当前，电机控制器功率模块结温的计算已成为大家普遍关注的焦点。下面我们来聊聊功率模块的结温计算及其模型......
开关电源Buck电路CCM及DCM工作模式(2023-08-03)
原因有以下两个方面。a. 因为在开关闭合，将Vin作用到二极管的阴极，突然中断了二极管的导通周期。对于PN二极管，首先需要将正向导通时PN结变回到电中性时的PN结，移去所有的少数载流子。二极管......
全新4.5 kV XHP™ 3 IGBT模块让驱动器实现尺寸小型化和效率最大化(2023-12-25)
引用地址：
XHP3_IGBT
XHP系列包括一款带有一个发射极控制续流二极管的TRENCHSTOP™ IGBT4450 A半桥IGBT模块，以及一款带有发射极控制E4二极管的450 A二极管半桥模块。这两......
全新4.5 kV XHP™ 3 IGBT模块让驱动器实现尺寸小型化和效率最大化(2023-12-25)
TRENCHSTOP™ IGBT4450 A半桥IGBT模块，以及一款带有发射极控制E4二极管的450 A二极管半桥模块。这两个模块的绝缘电压均提高至10.4 kV。这对组合有助于在不降低效率的情况下简化......
新能源汽车电机控制器功率损耗的计算(2023-07-20)
在线查2D表并标定修正来确定电机控制器损耗。
2. 理论计算模型
2.1 功率模块损耗
功率模块的损耗，即是IGBT和续流二极管的损耗,。导通和关闭的过程不是瞬时发生的，电流......
ST高集成度高压驱动器缩小高性能超声波扫描仪尺寸，简化设计(2023-07-18)
大增益时工作频率可达20 MHz，在最小增益设置时工作频率可达 25 MHz。两个通道都受益于最大限度减少失真的无二极管输出电路设计，同时......
意法半导体高集成度高压驱动器缩小高性能超声波扫描仪尺寸，简化设计(2023-07-18)
大增益时工作频率可达20 MHz，在最小增益设置时工作频率可达 25 MHz。两个通道都受益于最大限度减少失真的无二极管输出电路设计，同时......
解析LLC谐振半桥变换器的失效模式(2024-04-26)
电流消耗很高的循环能量。
关于移相全桥拓扑中功率的失效问题，其主要原因是：在低反向电压下，MSOFET体二极管的反向恢复较慢。另一失效原因是：空载或轻载情况下，出现Cdv/dt直通。在谐振中的一个潜在失效模式与由于体二极管......
有刷电机单开关电路驱动、半桥电路驱动方法(2023-04-11)
（-）侧的电压达到电源电压以上；在③中，电机（+）侧的电压达到GND以下。该电压超过电源电压的几倍。因此，在使用功率晶体管时，需要按照②和④电路图所示，将功率二极管与电机并联连接，并通过用二极管的......
基于电机PWM输出方式的电流再生方法(2023-03-27)
路也同样适用于后续的电流再生方法。
除了（b）以外，还有三种电流再生方法。（c）是在施加电压的状态下的只断开Q1（Q2和Q3保持关断，而Q4保持导通）的方法。
在这种情况下，再生电流经由关断中的Q2的寄生（体）二极管流动，与（b......
低电感ANPC拓扑结构集成新型950V IGBT和二极管技术，满足光伏应用的需求(2022-12-23)
950V IGBT和二极管的静态损耗和/或开关损耗显著降低。通过分析应用需求与功率模块设计的相互作用，本文确定了功率模块的应用结果和优化路径。得益于经优化的功率模块设计和采用950V技术，近期......
通过碳化硅(SiC)增强电池储能系统(2023-10-31)
种情况下，降压- 升压转换器是最常见的双向DC-DC 拓扑，因为它需要的组件少且易于控制。在此类双向系统中，两个带有并联二极管的650 V IGBT 或MOSFET 就足够了。例如，安森美的650 V......
如何通过SiC增强电池储能系统？(2024-03-25)
它需要的组件少且易于控制。在此类双向系统中，两个带有并联二极管的650V IGBT或MOSFET就足够了。例如，650V FS4 IGBT FGH4L75T65MQDC50集成了二极管，可在......
如何测量不同光源的光强度(2023-04-12)
了一个用于测量可见光谱范围内的光强度的电路设计，用于植物光合作用的实验。这里使用了三种不同颜色的光电二极管（绿光、红光和蓝光），它们响应不同的波长。通过光电二极管测量的光强度现在可以用来根据具体植物的要求控制光源。
图1. 用于......
可调二极管用于实现均流控制器设计(2022-11-30)
负责避免反向馈电及两个电源之间的交叉传导，同时保护系统免遭电源故障的损坏。
二极管“或”是一种简单的“赢家通吃”之系统，这里由电压的电源提供全部的负载电流。电压较低的电源则处于空闲状态，直到......
全新4．5 kV XHP 3 IGBT模块让驱动器实现尺寸小型化和效率最大化(2023-12-25 17:11)
TRENCHSTOP™ IGBT4450 A半桥IGBT模块，以及一款带有发射极控制E4二极管的450 A二极管半桥模块。这两个模块的绝缘电压均提高至10.4 kV。这对组合有助于在不降低效率的情况下简化......
用万用表检测塑封整流二极管(2023-03-23)
/1000V)、1N5401(3A/100V)三种塑封整流二极管。由下表可知，该仪表RX1挡测量负载电压的公式为U=0.03n'(V)。由此可求出被测管的Up值。全部测量数据列入表中。
为确......
功率放大器的基本知识(2023-06-26)
放大电流的特点
对功放电路的了解或评价，主要从输出功率、效率和失真这三方面考虑。
1、为得到需要的输出功率，电路须选集电极功耗足够大的三极管，功放管的工作电流和集电极电压也较高。电路设计使用中首先要考虑怎样充分地发挥三极管功能而又不损坏三极管......
自走式电器上的电池放电保护(2023-11-12)
电池充电电压降幅仅为 99mV，从而将功率耗损大幅降低至 0.297W (P = I2 x R)。
理想二极管控制器
Diodes 公司的 DZDH0401DW 简化控制 MOSFET 所需的电路设计。该器件是一款理想二极管......
通俗易懂讲解三极管(2023-10-11)
会自感产生很高的反向电动势，而续流二极管提供的续流通路，同时钳位反向电动势，防止击穿三极管。
续流二极管的选型必须是快恢复二极管或肖特基二极管，两者响应速度快。
如图5，对于某些控制信号为低电平时，可能......
英飞凌推出全新4.5kV XHP™ 3 IGBT模块让驱动器(2024-01-10)
模块，以及一款带有发射极控制E4二极管的450A二极管半桥模块。这两个模块的绝缘电压均提高至10.4kV。这对组合有助于在不降低效率的情况下简化并联并且缩小尺寸。以前，并联模块需要复杂的母线，令设......
电动车快速直流充电：常见的系统拓扑结构和功率器件(2022-12-07)
器更简单的控制。DAB可以被认为是传统的全桥移相ZVT转换器的演变，但漏电感器在初级端，这简化了繁琐的次级端整流，减少了二次开关或二极管的必要额定击穿电压。由于实现了ZVT，这些......
电动车快速直流充电：常见的系统拓扑结构和功率器件(2022-12-07)
器更简单的控制。DAB可以被认为是传统的全桥移相ZVT转换器的演变，但漏电感器在初级端，这简化了繁琐的次级端整流，减少了二次开关或二极管的必要额定击穿电压。由于实现了ZVT，这些......
基础电路学习（6）-- 从深度饱和谈三极管的开关响应(2022-12-07)
低2.5mV。我经常看到下面这个电路，并联一个二极管来降低三极管的受温度的影响，当Vbe下降或上升时，二极管VD1会有同样的温度特性，这样基级偏置电流Ib变化......
MOSFET共源放大器介绍(2024-02-27)
连接的MOSFET（左）及其小信号模型（右）。
在二极管连接的晶体管中，漏极电压总是等于栅极电压。因此，当电流流动时，它总是饱和的，就像我们在方程式3中看到的那样：
•方程式3。
如果我们将测试电压源连接到二极管连接的晶体管的......
MOSFET共源放大器介绍(2024-02-26)
极和漏极端子短路在一起，如图6的左侧部分所示。小信号等效模型如图右侧所示。
左：栅漏）。右：的小模型。
•图6。栅极-漏极连接的MOSFET（左）及其小信号模型（右）。
在二极管连接的晶体管中，漏极......
英飞凌推出全新4.5 kV XHP™ 3 IGBT模块(2023-12-27)
XHP系列包括一款带有一个发射极控制续流二极管的TRENCHSTOP™ IGBT4450 A半桥IGBT模块，以及一款带有发射极控制E4二极管的450 A二极管......
精密线性恒流仪的设计和应用分析(2023-05-30)
场效应晶体管型（3DJ系列）、恒流二极管型（2DH系列）、集成恒流元件型（LM334等）、稳压管-三极管型以及固定或可调的三端集成稳压器型（如LM78XX、LM317）等等（详见图1、2、3、4、5）。用精......
MCS-51单片机控制跑马灯的三种方法(2023-09-13)
MCS-51单片机控制跑马灯的三种方法; 在MCS一51单片机的控制系统中，它的四个并行8位输入输出端口P0一P3是我们经常使用的。在并行端口的编程学习中，“跑马灯”是单......
意法半导体高集成度高压驱动器缩小高性能超声波扫描仪尺寸，简化设计(2023-07-19)
小增益设置时工作频率可达 25 MHz。两个通道都受益于最大限度减少失真的无二极管输出电路设计，同时最大限度减少毛刺注入的专用电路配合快速开关时间可以捕获近场图像。脉冲发生器通道是半桥驱动器，高低边晶体管的......
意法半导体高集成度高压驱动器缩小高性能超声波扫描仪尺寸，简化设计(2023-07-19)
小增益设置时工作频率可达 25 MHz。两个通道都受益于最大限度减少失真的无二极管输出电路设计，同时最大限度减少毛刺注入的专用电路配合快速开关时间可以捕获近场图像。脉冲发生器通道是半桥驱动器，高低边晶体管的......
PI发布效率达98.5%的高压BLDC电机驱动器IC产品系列(2018-11-14)
机驱动器IC产品系列。BridgeSwitch IC内部集成了两个性能加强的FREDFET（具有快恢复外延型二极管的场效应晶体管）分别用于半桥电路的上管和下管，且具有无损耗的电流检测功能，可使300 W以内......
简述碳化硅SIC器件在工业应用中的重要作用(2022-12-21)
代半导体材料氮化镓（GaN）和SiC功率器件表现出越来越优越的特性。从理论上讲，SiC器件的WBG是硅的三倍，因此可以实现约600°C的结温。
以下是对有前途的碳化硅功率器件的简要介绍。
二极管
碳化硅肖特基势垒二极管......
相关企业
、FAIRCHILD、ON、PHILIPS、MIC等知名品牌IC和二极管的公司，专业为客户提供一站式的供应配套服务。 公司主导产品： TO-92、TO-220、SOT-89、SOT-23等封装的三极管（高频、射频
;深圳市吉福电子有限公司（销售公司）;;我们公司是全国最大的肖特基二极管和DB双向触发管的生产厂家之一.我们拥有近400位高科技科研人员，我们的三极管生产线被中国国防科工委指定为唯一军用生产线.我们
;鹏忠电子;;卖二极管的
;南京轩旭科贸有限公司;;本公司主营二极管玻壳与各种二极管,竭诚为各家生产二极管的企业与电子厂家服务,提供各种型号和优质的二极管与玻壳产品.我公司期待着与您的合作.
;临华光电有限公司;;公司具有完整的LED发光二极管的生产线,有员工厂百来人,能生产各种型号的LED发光二极管,和发射管.
;汕头市潮南区陈店东行电子商行;;东行电子商行 经销批发的三极管、快恢复二极管、场效应管、肖特基二极管、可控硅畅销消费者市场，在消费者当中享有较高的地位，公司
;昆山江捷电子;;公司主要经营 电容电阻二极管三极管的代工, 以后转向生产
产品有近十多个系列上百个品种。集多年半导体器件生产的丰富经验和先进的生产设备，使我们的产品达到了世界一流水平。本公司拥有长期研发制造二极管的技术和管理优势，建立了从硅片扩散至成品包装的全套生产线。产品
;深圳佳辉光电;;成立1999年，主要从事发光二极管的生产经营，包括表贴灯，常规发光二极管等产品。光色有红，兰，绿，白，黄光等。欢迎来电联系。
;天水天微混合集成电路有限公司;;军品IC，肖特基二极管，高频三极管的生产厂家