资讯
米勒电容、米勒效应和器件与系统设计对策(2023-03-06)
门极电压在开关过程中展现出来的平台称为米勒平台。导致米勒平台的“罪魁祸首”是IGBT 集电极-门极之间寄生电容Cgc。由于半导体设计结构, IGBT内部存在各类寄生电容，如下图所示，可分为栅极-发射极电容......
变频器主回路中驱动电路和保护电路设计(2023-08-25)
流不同驱动功率有所变化，因此驱动电路的结构也有所不同。
门极驱动电阻RG对IGBT的动态特性有较大的影响。如图，IGBT的GE之间有个寄生电容CGE，该电容一般随IGBT容量增大而增大。RG越小，IGBT的栅极电容......
如何测量功率回路中的杂散电感(2024-03-19)
IGBT CE之间出现一个电压尖峰。因为有模块内部寄生电感的存在，IGBT芯片实际承受的电压大于在模块主端子上测得的电压，因此部分模块在定义RBSOA曲线时，会分别给出芯片级和模块级的曲线，模块......
IGBT驱动电路介绍(2024-02-29)
面图中可看出详细的栅极电流和栅极电压，CE电流和CE电压的关系：
从另外一张图中细看MOS管与IGBT管栅极特性可能更有一个清楚的概念：
开启过程
关断过程
尝试去计算IGBT的开启过程，主要......
MOS管开通过程的米勒效应及应对措施(2023-02-14)
引起积分过充振荡，要想解决解决这个米勒振荡，在频率和电压不变的情况下，一般可以提高MOS管的驱动电阻，减缓开关的边沿速度，其次比较有效的方式是增加Cgs电容。在条件允许的情况下，可以在Cds之间并上低内阻抗冲击的小电容......
有源钳位技术解析(2022-12-15)
表示，等效电路图如下。
母线电压Vs，电容C1与C3分压，在Q1与Q2 IGBT单个导通的时候，另外一个IGBT的稳态电压Vce为Vs，当Q1与Q2同时关断时，Vce电压为1/2Vs。
对半......
分享一个PMOS的电路设计，详细解析电路中各个元器件的作用(2024-09-20 13:53:37)
C
在PMOS的GS之间并联一个电容C。当开启PMOS时，先给电容C充电，此时PMOS的VGS从0开始上升，PMOS经过可变电阻再到饱和区，可以防止开通瞬间后级电路中，各种因素，导致......
三极管和MOS管下拉电阻的作用(2024-04-17)
管实际工艺制造模型，三极管BE、BC、CE之间分别有电容C1、C2、C3。这三个电容的存在一方面是我们不需要的，另一方面，又是工艺中无法避免克服的，是制造工艺过程中必然存在的现象。我们把这种电容一般称之为杂散电容......
谈谈SiC MOSFET的短路能力(2024-02-02)
市面上大部分IGBT都会在数据手册中标出短路能力，大部分在5~10us之间，例如英飞凌IGBT3/4的短路时间是10us，IGBT7短路时间是8us。
而 大 部 分 的 SiC 都 没 有 标 出 短 路......
必看！IGBT基础知识汇总！(2024-01-03)
复杂的半导体物理推导过程，下面是简化后的工作原理。
IGBT有N沟道型和P沟道型两种，主流的N沟道IGBT的电路图符号及其等效电路如下：
所以整个过程就很简单：
当栅极G为高电平时，NMOS导通，所以PNP的CE也导......
变频器主电路设计和计算(2023-08-25)
电流检测保护可以在软件中处理，也可以采用硬件比较电路实现。
VCE保护是对IGBT最底层的保护，给出一个原理图，大家参考一下：
驱动脉冲WG3#低电平有效时，B点为低电平。 当IGBT正常开通时，CE间电......
深度解析电磁炉的工作原理与常见故障(2023-03-23)
制电路发出的矩形脉冲驱动，IGBT导通时，流过L2的电流迅速增加。IGBT截止时，L2、C12发生串联谐振，IGBT的C极对地产生高压脉冲。当该脉冲降至为零时，驱动脉冲再次加到IGBT上使之导通。
上述......
【测试案例分享】Keithley电化学测试方法与应用(2024-07-23)
测定法用于诸如使用离子选择电极进行的 pH 测量 和电压测量等应用。这些电位测量通常使用两个电极和一个高阻抗电压表进行，例如 6517B 或 6514 静电计 ( 图 7)。
图 7 - 静电计测量两个电极之间......
无刷直流 (BLDC) 电机设计的新起点(2024-09-18)
枢绕组(U、V、W)。一个微控制器(MCU)实施各种控制和调制方案(梯形、正弦、带有SVM的FOC、DTC等)中的一种，以策略性地给电机绕组通电。这就产生了电磁场，导致转子磁铁和定子绕组之间......
干货｜IGBT和SiC 栅极驱动器基础知识(2022-12-23)
功率水平、驱动方法和工作模式有所不同。功率 IGBT 和 MOSFET 在栅极均由电压进行驱动，因 为 IGBT 内部是一个驱动双极结型晶体管 (BJT) 的 MOSFET。由于 IGBT 的双极特性，它们......
【测试案例分享】Keithley电化学测试方法与应用(2024-07-25)
常用的电化学测量技术，通常使用3电极的蓄电池。图1展示了一个典型的电化学测量电路，它由蓄电池、可调电压源（VS）、电流表（AM）和电压表（VM）组成。蓄电池的三个电极分别是工作电极（WE）、参比电极（RE）和对......
智能暖通空调系统的设计可靠性和效率如何实现？(2023-07-25)
转换期间的功率损耗。请选择 V CE(Sat)低于 2 V 且栅极漏电流低于 1 µA 的 IGBT 晶体管以获得最大效率。半桥配置的三相 IGBT 模块采用单一、节省空间的封装。三个输出具有几乎相同的特性，从而......
科索新发布一款功率为6W的强隔离DC/DC转换器，适用于医疗、工业和ICT应用(2022-05-11)
降低传输噪音，科索研发人员将隔离电容降低到尽可能低的水平，电容最大值仅为20pF，这在为电机控制系统供电时是一个巨大的优势。
在某些情况下，工业设备和医疗设备会受到振动的影响，可能会对SIP引脚......
科索新发布一款功率为6W的强隔离DC/DC转换器，适用于医疗、工业和ICT应用(2022-05-11)
降低传输噪音，科索研发人员将隔离电容降低到尽可能低的水平，电容最大值仅为20pF，这在为电机控制系统供电时是一个巨大的优势。
在某些情况下，工业设备和医疗设备会受到振动的影响，可能会对SIP引脚......
科索新发布一款功率为6W的强隔离DC/DC转换器，适用于医疗、工业和ICT应用(2022-05-11)
降低传输噪音，科索研发人员将隔离电容降低到尽可能低的水平，电容最大值仅为20pF，这在为电机控制系统供电时是一个巨大的优势。
在某些情况下，工业设备和医疗设备会受到振动的影响，可能会对SIP引脚......
光伏逆变器系统设计从系统目标到解决方案，一次性讲透(2024-06-07)
更高的输出功率
应用
● 1500 V 分散式公用事业规模
NXH600B100H4Q2F2 原理图
使用 Elite Power来运行你的飞跨电转换器仿真! →
飞跨电容升压转换器的特性
● 只需一个电......
AN-1316：为IGBT电机驱动器生成多个隔离偏置轨(2023-10-27)
直流范围内。该高压轨可以直接来自三相整流桥式滤波器组合或功率因数校正升压整流器，后者从三相交流输入产生高压轨（见图3）。
图1.典型工业电机驱动器的框图。
IGBT是主要的电源开关，为三个电机相位中的每一个......
IGBT重要的动态参数解析(2024-11-11 14:18:47)
上升, 下半桥IGBT_L的集电极-门极之间的米勒电容会产生一个瞬间电流icg =Ccg x dVcg /dt ，电流给下桥IGBT门极充电，抬升门极电压，可能造成误导通，因此，需要......
特斯拉电控系统拆解(2024-10-13 10:02:16)
部分，其实也可以算在第三层，
因为它的倒扣着与 IGBT 板焊接在一起的，薄膜电容为 TDK 的 220U/650V 的订制电容......
特斯拉电控系统拆解！(2024-12-28 10:37:43)
出口设计。
再下面部分就是薄膜电容部分，其实也可以算在第三层，
因为它的倒扣着与 IGBT 板焊接在一起的，薄膜电容为 TDK 的 220U/650V 的订制电容......
如何优化隔离栅级驱动电路?(2022-12-09)
关瞬变，压摆率大于6kV/ μs 。这样巨大的瞬变会在输入和输出之间产生一个3 mA的峰值电流（当应用于一个只有0.5 pF的CIo的隔离器件时）参见图8。
图8 CMTI LED关闭
图8表明，电容耦合了耦合器输入和输出之间......
变频器中的器件选取(2023-08-25)
印制板空隙不够，可每4～8个芯片布置一个1～10pF的钽电容。
(3)对于抗噪能力弱、关断时电源变化大的器件，如RAM、ROM存储器件，应在芯片的电源线和地线之间直接接入退藕电容。
(4)电容......
变频器相关问题解答(2024-07-19)
两端的正极，也就是说这两个灯泡，串个电容在IGBT之间，保证不会炸模块。如果先给大电容充电，充好之后，模块短路了，大电容放电，绝对会爆炸。
所以，一般如果触发板有问题，把IGBT直流母线的正极断开，整流桥向电容......
如何通过优化模块布局解决芯片缩小带来的电气性能挑战(2023-03-13)
V2的IGBT 7开启过程，开关速度相同
当电流开始上升时，CE电压下降。两种不同布局之间的一个明显区别是，电压（Vce）在V1中显示出一个驼峰曲线，这是由二极管的恢复过程造成的。二极......
电动压缩机设计-ASPM模块篇(2024-04-18)
产生的Vce尖峰吸收效果越好；
5.自举电容和稳压管放置在距离模块引脚最近的地方，每一路之间应考虑电气间隙和爬电距离要求；自举电容的充放电让其本身成为一个干扰源，应注意他与其他易被干扰的弱电电路之间......
科索(COSEL)发布医疗和工业类的3W高隔离DC／DC转换器(2020-08-31)
科索(COSEL)发布医疗和工业类的3W高隔离DC／DC转换器;• 高输入／输出绝缘电压3KVAC，4.2KVDC• 医疗隔离2MOPP、250VAC工作隔离电压• 低输入／输出电容......
科索(COSEL)发布医疗和工业类的3W高隔离DC／DC转换器(2020-08-31)
科索(COSEL)发布医疗和工业类的3W高隔离DC／DC转换器;• 高输入／输出绝缘电压3KVAC，4.2KVDC• 医疗隔离2MOPP、250VAC工作隔离电压• 低输入／输出电容......
PWM控制型IGBT的EMI机理与抑制优化设计方法探讨(2024-04-30)
PWM控制型IGBT的EMI机理与抑制优化设计方法探讨;1. 运行过程中的dv/dt特性分析
（1）波形边沿叠加特性
驱动器类IGBT控制方式，特别是变频器类，有无PG V/f 控制、带PG V/f......
电动汽车dcdc转换器的功能 dcdc变换器电路(2023-08-04)
是电气隔离？
百度来的一段话：电气隔离，就是将电源与用电回路作电气上的隔离，即将用电的分支电路与整个电气系统隔离，使之成为一个在电气上被隔离的、独立的不接地安全系统，以防......
汽车电动压缩机如何应对高压化挑战？(2024-09-27)
的地最好接到控制地而非功率地；
PN两端的吸收电容放在距离模块越近，对IGBT产生的Vce尖峰吸收效果越好；
自举电容和稳压管放置在距离模块引脚最近的地方，每一路之间应考虑电气间隙和爬电距离要求；自举电容的充放电让其本身成为一个......
采样保持电路工作原理+电路案例(2024-11-20 12:53:06)
保持电路功能及工作原理
采样保持电路的工作原理可以通过其组件的工作原理来简单理解。构建采样保持电路的主要部件包括一个 N 沟道增强型 MOSFET、一个电容和一个高精度运算放大器。
作为开关元件，使用......
电容使用误区及参数公式！(2024-11-17 01:29:56)
流电源输入端，一般需要增加三个电容来抑制 EMI 传导干扰。
交流电源的输入一般可分为三根线：火线（L）/零线（N）/地线（G）。在火线和地线之间及在零线和地线之间并接的电容......
VCC（电源）和 GND（地）之间电容的作用(2023-07-20)
来滤波。
实际应用
在直流电源（Vcc）和地之间并接电容的电容可称为滤波电容．滤波电容滤除电源的杂波和交流成分，压平滑脉动直流电，储存电能．取值一般 100－4700uF．取值......
应对 PCS 创新，德州仪器全方位保驾护航(2024-01-12)
助力可再生能源系统的发展，以及德州仪器在解决 发展痛点上的产品及方案。
详解
在可再生能源系统中，PCS（功率变换系统）是一个重要的组成部分，其位于电网或光伏面板与储能电池包之间，负责交流/直流......
IGBT驱动到底是做什么的?(2023-08-21)
到底是做什么的？”
这个问题说来简单，就像《极简电力电子学》中所说：“IGBT本质上就是一个电子开关，就好比你家里墙上的开关，按一下，开关闭合，电灯亮起；再按一下，电灯熄灭。
当然，操作IGBT，不再是手，而是......
小小的电容，也能写出一篇干货？(2024-03-07)
与温度的效应指数。
十、电源输入端的 X,Y 安全电容
在交流电源输入端，一般需要增加三个电容来抑制 EMI 传导干扰。
交流电源的输入一般可分为三根线：火线（L）/零线（N）/地线（G）。在火线和地线之间及在零线和地线之间并接的电容......
变频器的30个基础知识（一）(2024-04-03)
逆变器部分的存在是 VFD 和直流驱动器之间的主要区别。
4.什么是变频器中的 IGBT？
隔离栅双极晶体管 (IGBT) 是电子驱动非常快的半导体开关。通过在 IGBT 的栅极和发射极之间施加一个......
变频器的30个基础知识（之一）(2024-03-28)
器本身有时被称为逆变器，因为逆变器部分的存在是 VFD 和直流驱动器之间的主要区别。
4.什么是变频器中的 IGBT？
隔离栅双极晶体管 (IGBT) 是电子驱动非常快的半导体开关。通过在 IGBT 的栅极和发射极之间施加一个......
TI超小型5.5V DC/DC降压电源模块实现真正的6A性能(2018-5-10)
的负载以确保高效率和均流操作。其他功能还包括可调节软启动、支持多级处理器的电压选择（VSEL），以及电源状态良好指示。
TPSM82480的主要特性和优势
超小尺寸：两个输入/输出电容器和两个电......
MOSFET器件的高压CV测试详解(2024-06-06)
扫描到400V的电容特性
图17 400V扫描的输出数据
图16显示了由4200A-SCS中测试MOSFET上高达400V的C-V扫描图。差分电压为一个计算值。区别在于漏极和源极之间的电压不同。图17......
【干货分享】MOSFET器件的高压CV测试详解(2024-06-06)
【干货分享】MOSFET器件的高压CV测试详解;MOSFET、IGBT和BJT等半导体器件的开关速度受到元件本身的电容的影响。为了满足电路的效率，设计者需要知道这些参数。例如，设计一个高效的开关电源将要求设计者知道设备的电容......
浅谈电动汽车光储充一体化中PCS拓扑结构及电流检测(2024-05-30)
双级型变流器拓扑在大容量储能系统，可以接入多组电池，各电池组之间通过独立的 DC/DC 环节控制，实现对多组电池组的独立充/放电控制，电池组的电压工作范围宽，不存在电池组之间的环流，实现对整个电......
新能源电动汽车电机控制器构成及工作过程(2023-07-10)
板支架，（3）高压母线采样线束，（4）三相输出叠层铜排，（5）三相铜排，（6）母线一体霍尔，（7）日立双面水冷IGBT模块，（8）叠层母排，（9）出水口盖板，（10）IGBT冷却水道，（11）母线电容......
变频器和IGBT的基础知识(2024-05-30)
值电压，有一个容性输入阻抗，因此IGBT对栅极电荷非常敏感，故驱动电路必须很可靠，保证有一条低阻抗值的放电回路，即驱动电路与IGBT的连线要尽量短。
②用内阻小的驱动源对栅极电容充放电，以保证栅极控制电压UCE......
SiC MOSFET 器件特性知多少？(2023-10-18)
的栅极电阻。RHI 和 RGATE 的阻值大约为几欧姆，但对于 SiC MOSFET，RGI 可能达到数十欧姆的数量级，比高压 Si MOSFET 高一个数量级。由于这三个电阻器与 SiC 内部栅极电容......
相关企业
经营的加拿大EACO薄膜电容器，德国SEMIKRON的IGBT、可控硅畅销消费者市场，与多家零售商和代理商建立了长期稳定的合作关系。大连弘基电力新技术有限公司实力雄厚，重信用、守合同、保证产品质量，以多
;上海睿萨电子科技有限公司;;专业电子元器件经销商，产品包括薄膜电容,无感电容,充油电容,螺栓式电解电容,功率IGBT,IGBT驱动板,可控硅,大功率IGBT,电源模块等。
;北京利隆达电子;;专业销售MOSFET,IGBT,IR全系列 主要经营销售IR的MOSFET,IGBT,型号有:IRF540N,IRF640N,IRF730,IRF740,IRF830
;成都商港科技有限公司;;Koocall热线：是融合了多种通讯技术，基于互联网的互动交流平台，为企业与客户之间建立零距离的交流空间，企业只需在网页、互联网其他页面中嵌入Koocall热线代码实现一个电
;福田区金星辉电子商行;;给我一个电话 回你一个答复
;邓贻军;;我是一个电子牛.
;齐山岭;;一个电子爱好者
;深圳市速成科技有限公司株洲办事处;;深圳市速成科技有限公司 经销批发的IGBT模块、IGBT驱动、电解电容、薄膜电容、吸收电容畅销消费者市场，在消费者当中享有较高的地位，公司
;深圳市高通达远电子有限公司;;主营英飞凌,富士，三菱，西门康IGBT模块，LEM莱姆传感器，SUNON建准风扇，EPCOS,EACO电解电容器主营英飞凌,富士，三菱，西门康IGBT模块，LEM莱姆
;上海工品;;工品实业主要代理经销产品包括：三菱IGBT. IPM， IXYS, 西门康IGBT, 富士整流桥,Ferraz熔断器，HINODE熔断器,Arcotronics电容