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半导体器件击穿机理分析及设计注意事项(2023-09-25)
程简单示意如图[3]所示。
图[3]：雪崩击穿示意图
发生雪崩击穿的条件是：
其物理意义是碰撞电离率在整个耗尽区积分趋于1。由于αi随电场的变化强相关（如图[4]所示），因此......
TVS瞬态抑制二极管(2024-12-13 11:22:46)
TVS瞬态抑制二极管;
1、TVS瞬态抑制二极管的工作原理
TVS（Transient Voltage Suppressors），即瞬态电压抑制器，又称雪崩击穿......
电路设计少不了ESD，详述一下其理论，超详细！(2024-04-17)
PMOS)。以NMOS为例，原理都是Gate关闭状态，Source/Bulk的PN结本来是短接0偏的，当I/O端有大电压时，则Drain/Bulk PN结雪崩击穿，瞬间bulk有大......
干货分享丨一文讲透全电放电（ESD）保护，ESD细讲学问太深了！(2024-04-21 15:22:24)
)。
以NMOS为例，原理都是Gate关闭状态，Source/Bulk的PN结本来是短接0偏的，当I/O端有大电压时，则Drain/Bulk PN结雪崩击穿，瞬间bulk有大......
MOS的雪崩击穿(过电压)(2024-12-09 11:48:24)
MOS的雪崩击穿(过电压);
什么是雪崩击穿？
MOSFET在电源板上由于母线电压、漏感尖峰电压等系统电压叠加在MOSFET漏源之间，当该......
氮化镓在高压应用中提供强大的解决方案(2024-09-06 14:15)
暴露在高于725 V的电压下会导致雪崩击穿，导致局部加热和潜在的结构损坏。电压尖峰（如闪电袭击或电源接线错误）和电网不稳定导致的线路膨胀可以将这些器件推向极限，导致灾难性故障。
PowiGaN技术......
应用LMR38020优化PoE设备供电方案(2023-10-18)
中多选取工作电压58V的TVS，如SMAJ58A。从图2可以看到，雪崩击穿电压最大可达71.2V，超出LMR16020的极限耐压65V。因此第一级Buck芯片偶有概率性失效的事件发生。
图2 典型TVS参数......
瞬态电压抑制二极管 TVS 选型(2024-12-30 10:53:26)
电压抑制器
、
雪崩击穿二极管
等。其具有单向与双向之分，当两端经受瞬间高能量冲击时，就会......
SMU数字源表如何测试三极管IV特性曲线(2023-03-15)
极—基极间的反向 击穿电压；VCBO是指发射极开路时集电极—基极间的 反向击穿电压，它决定于集电结的雪崩击穿电压；VCEO 是指基极开路时集电极—发射级间的反向击穿电压， 它决定于集电结的雪崩击穿......
60v mos管万代ao4264E/威兆VS6410AS替代料SVGP069R5NSA(2023-09-12)
技术制造，开关速度快，内阻低，优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量，骊微电子供应的60v mos管SVGP069R5NSA广泛应用于二次同步整流及逆变器系统的电源管理领域。
......
压敏电阻的好坏，怎么测试？(2024-12-07)
作用：压敏电阻主要应用于雷击、浪涌等的瞬态过电压保护。失效模式：压敏电阻会在所加电压过大时短路。压敏电阻承受高压出现雪崩击穿后会使压敏电阻充当分流器，基于这一特性，可防止在未检测到保护电路故障时，可能......
专业与性能并行：顾邦半导体 GBS60020，为高功率应用量身定制！(2024-11-13)
体二极管：Trr=190ns, Qrr=1.72uC
• 可靠性：100%雪崩击穿测试
• 封装形式：TO247，低热阻设计
技术......
涨知识！氮化镓（GaN）器件结构与制造工艺(2024-06-17)
了一个标准的电压要求。
（2）没有雪崩击穿
没有雪崩击穿，一旦击穿，就是永久性的，类似于电容里面的介质击穿。对于650V的器件而言，如果是硅MOS管，一般实际击穿电压大约在750V左右（设计裕量10......
助工程师取代成本更高的电压基准器件。相比直接保护MOSFET，另一种替代方案更为经济，即将漏极-栅极路径与齐纳二极管并联。齐纳二极管被击穿后，MOSFET随即导通，防止漏极-源极发生雪崩击穿。
A-selection齐纳......
62亿！美国企业投建金刚石晶圆厂(2024-12-20)
/m·k)等材料特性，以及优异的器件品质因子(Johnson、Keyes、Baliga)，采用金刚石衬底可研制高温、高频、大功率、抗辐照电子器件，克服器件的“自热效应”和“雪崩击穿”等技......
电动汽车OBC分类及其大功率PFC技术分析(2024-04-19)
的禁带宽度的半导体材料具有较低的本征泄漏电流和较高的工作温度。
临界击穿电场（Ecrit)：强的化学键会造成更大的禁宽带度，也会引起雪崩击穿时更高的临界击穿电场，器件击穿电压可以近似：VBR=1/2*Wdrift*Ecirt，因此器件的击穿......
英飞凌推出800V和950V AC－DC集成式功率级产品(2022-09-22)
后的产品组合包含市场上首款集成了950V具有耐雪崩击穿能力的超结 MOSFET的功率半导体器件，支持更宽的输入电压范围。新器件同时支持隔离和非隔离的拓扑结构包括Flyback和Buck，可以在100 kHz和......
功率MOS管总烧毁，看看是不是这些原因？(2024-09-27 19:49:51)
功率MOS管总烧毁，看看是不是这些原因？;
mos 管可能会遭受与其他功率器件相同的故障，例如过电压（半导体的雪崩击穿）、过电流（键合线或者衬底熔化）、过热（半导......
必看！IGBT基础知识汇总！(2024-01-03)
它存在锁存问题
04 IGBT的主要参数
1、集电极-发射极额定电压UCES是IGBT在截止状态下集电极与发射极之间能够承受的最大电压，一般UCES小于或等于器件的雪崩击穿电压。
2、栅极-发射极额定电压UGE......
QSPICE发明者随笔——利用宽带隙FET简化高压调节(2023-09-27)
稳定性分析的Bode图对最小相位系统的限制、为什么要使用缓冲器以及如何设计缓冲器、防止击穿的双极基极拉电流、SCR在高温下的使用等。其中，如何在高电压下调节低功率是最引人注目的创新；这对我来说极具价值，因为......
灯丝温度对于荧光灯的影响(2023-04-04)
的情况下， 重新测量紫外线灯管击穿电压的情况。
图1.2.2 灯管灯丝的伏安特性
三、击穿电压
下面通过编程自动测量灯管在阴极灯丝加热的情况下， 灯管击穿的情况。 灯丝驱动电压为3.5V......
垂直GaN JFET的动态性能(2024-01-02)
通道和漏极之间的漂移区分别约为8μm和10μm。相应的雪崩击穿电压估计为800V和1500V。
1.2kV JFET的阈值电压（VTH）在25°C时为1.6V，在150°C时降至1.45V。在20mA......
ADAS的种类与主要组成 LiDAR的用途与相关技术(2023-07-10)
）的缩写，称为单光子累崩二极管，是一种半导体光侦测器。当我们在SPAD两端施加更高的反向偏置电压（硅材料通常为100-200 V），此时光子进入硅材料后，利用电离碰撞（雪崩击穿）的效应，可以......
宇宙辐射对OBC/DCDC中高压SiC/Si器件的影响及评估(2022-12-01)
如此英飞凌在方面做出了很多的努力与研究使得门极氧化层鲁棒性已经达到了很高的水平。
在SiC和Si中，由宇宙辐射引起的失效率随入射时器件中存在的电场呈指数级增长。具有相似电场的器件失效率也相似。在过去的几十年中进行了许多加速试验，这些试验表明，当施加的电压被归一化为实际雪崩击穿......
TVS在汽车抛负载应用选型设计(2024-07-16)
计算展开分析，为新项目设计提供思路，该计算方式同样适用于工业TVS选型应用。
TVS二极管，既瞬态抑制二极管，又叫雪崩击穿二极管，其工作原理与核心参数在上一章TVS简介中已经充分展开说明，有需......
Nexperia优化齐纳二极管产品组合，以解决过冲和噪声现象(2024-09-19)
器或电源电压比较等应用，以及为MOSFET提供栅极和雪崩击穿保护。PZU系列提供SOD323、SOD323F、SOT23、DFN1006BD-2和DFN1006-2 (2.4 V-51 V)封装，包括汽车版本和标准版本。这为......
如何为汽车智能配电系统选择功率开关管(2023-01-10)
8. MOSFET 关断测试电路原理图
测试条件与单功率开关的电流分布相关，如图 9 所示：
图9. 单功率开关的电流分布
关断时，MOSFET 进入雪崩模式，漏源......
如何为汽车智能配电系统选择功率开关管(2023-01-10)
将大量电能注入eFuse和功率开关。
事实上，连接主电池和最终应用控制板的线束因寄生杂散电感而产生高阻抗，这会产生一个持续的电压尖峰，将MOSFET 引向雪崩区域。
在关断时，eFuse的失效模式与MOSFET漏源结的击穿......
湃睿半导体推出光强-时间激光测距套片(2023-10-15)
沿寻峰）的时间差来计算激光通过的距离，其基本原理如下图（1）所示。
图（1）光强-时间法激光测距原理
光强......
MOS管的导通条件和MOS驱动电流计算(2023-12-20)
能承受的最大脉冲漏极电流，也是对最大耗散功率进行了限制。
绿色：MOS管所能承受的VDS最大电压，如果VDS电压过高，PN结会发生反偏雪崩击穿，造成MOS管损坏。
......
测试共源共栅氮化镓 FET(2024-04-09)
到的发散振荡是由结构中低压 Si MOSFET 的雪崩击穿引起的。[1] 图 2 中所示的 Vgs 振荡与 MOSFET 源极和 GaN HEMT 栅极之间的电感导致的 Vgs 不平衡有关。Cascode GaN FET......
高压SiC MOSFET研究现状与展望(2023-02-06)
到多区 JTE，再到空间调制 JTE，在 JTE 技术的保护下功率器件越来越逼近雪崩击穿的理论击穿电压，并且其终端区域的利用效率也不断提高，如 2018 年 NAKAYAMA 等人利用空间调制 JTE......
电机定子绕组匝间短路故障的判断方法(2023-10-27)
感应电压是否相同，可以判断出是否有匝间短路故障。针对电动机定子匝间的短路故障问题，在电机维修中一般通过更换电机绕组的方法来解决。
电动机匝间绝缘击穿怎么办？
电动机匝间绝缘击穿的问题，包括电动机匝间绝缘材质不良，绕线......
业界 5000 万级像素赛道上首颗采用 100% 全像素对焦功能的 0.7μm 芯片横空出世(2022-11-29)
以从 CCD 的结构和功能开始。
1 CMOS 光电探测器
大多数 CMOS 光电探测器都基于 PN
结光电二极管的操作。当光电二极管反向偏置(且反向电压小于雪崩击穿电压)时，与入......
PCB设计小技巧：pcb的爬电距离(2024-12-21 16:26:10)
绝缘孔和增加绝缘层等方法，可以有效地提高 PCB 的爬电距离，降低电气击穿的风险，从而确保电路板在正常工作条件下能够安全有效地运行。
pcb爬电......
安森美的EliteSiC碳化硅系列方案带来领先业界的高能效(2023-01-04)
周美国拉斯维加斯消费电子展览会(CES)上，将展示 系列的3款新成员：一款1700 V MOSFET和两款1700 V雪崩EliteSiC肖特基二极管。这些......
轻松了解功率MOSFET的雪崩效应(2024-02-29)
轻松了解功率MOSFET的雪崩效应;在关断状态下，功率的体二极管结构的设计是为了阻断最小漏极-源极电压值。体二极管的击穿或表明反向偏置体二极管两端的电场使得漏极和源极端子之间有大量流动。典型......
安森美的EliteSiC碳化硅系列方案带来领先业界的高能效(2023-01-04)
显安森美在工业碳化硅方案领域的领导者地位。
安森美的1700 V EliteSiC MOSFET（NTH4L028N170M1），提供高功率工业应用所需的更高击穿电压（BV）的SiC方案。两款1700 V雪崩EliteSiC肖特......
车规MOSFET技术确保功率开关管的可靠性和强电流处理能力(2023-02-09)
配电系统出现一次能量巨大的放电事件。
在ECU电控单元情况中，这种能量释放可以视为 MOSFET 关断时的单次雪崩事件来处理，或用有源钳位电路强制MOSFET回到线性工作模式。TL325N4LF8AG可以在40A的雪崩击穿......
RS瑞森半导体低压MOS在小家电的应用(2022-11-28)
及工艺制造技术；极大的ID电流能力，高雪崩耐量，可靠性高；较低的导通电阻，优异的EMI性能；输入阻抗高，驱动电流低；器件参数具有良好的一致性。
三、客户端产品型号应用案例
瑞森......
X-FAB推出针对近红外应用的新一代增强性能SPAD器件(2023-11-19)
X-FAB推出针对近红外应用的新一代增强性能SPAD器件;
【导读】全球公认的卓越的模拟/混合信号晶圆代工厂X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）宣布，推出专用近红外版本的单光子雪崩......
安森美的EliteSiC碳化硅系列方案带来领先业界的高能效(2023-01-04)
显安森美在工业碳化硅方案领域的领导者地位。
安森美的1700 V EliteSiC MOSFET（NTH4L028N170M1），提供高功率工业应用所需的更高击穿电压（BV）的SiC方案。两款1700 V雪崩EliteSiC肖特......
安森美的EliteSiC碳化硅系列方案带来领先业界的高能效(2023-01-04 15:25)
显安森美在工业碳化硅方案领域的领导者地位。
安森美的1700 V EliteSiC MOSFET（NTH4L028N170M1），提供高功率工业应用所需的更高击穿电压（BV）的SiC方案。两款1700 V雪崩EliteSiC肖特......
直面线性CMOS PA的挑战与机遇，地芯科技发布基于CMOS工艺的多频多模线性PA(2023-05-19)
基于CMOS工艺打造的射频芯片能够完全解决高压击穿的问题，那么毫无疑问未来CMOS工艺将大有可为，而这也是CMOS PA设计最重要的课题之一。
据介绍，GC0643是一款4*4mm多模......
电路保护的意义是什么？常用的器件有哪些？(2024-11-09 18:53:35)
气体放电管都能起到很好的防护作用。其最大的特点是通流量大，级间电容小，绝缘电阻高，击穿电压可选范围大。
2、半导体放电管：
半导体放电管是一种过压保护器件，是利用晶闸管原理......
为什么要设计保护电路，常用的保护器件有哪些？(2024-12-09 21:06:09)
电压可选范围大。
2.半导体放电管
半导体放电管是一种过压保护器件，是利用晶闸管原理制成的，依靠PN结的击穿电流触发器件导通放电，可以......
车规MOSFET技术确保功率开关管的可靠性和强电流处理能力(2023-02-09)
单元情况中，这种能量释放可以视为 MOSFET 关断时的单次雪崩事件来处理，或用有源钳位电路强制MOSFET回到线性工作模式。TL325N4LF8AG可以在40A的雪崩击穿测试中保持正常工作，如图5所示......
上海贝岭“功率器件&电源IC”在PD快充中的应用(2024-09-20)
状态下产生的功率小，发热少；
3.低热阻：正常工作时发热量小；
4.高雪崩耐量：发生异常短路情况时会产生较大的电压电流尖峰，高雪崩耐量可使MOS管不被击穿；
5.短路电流能力强：短路瞬间会产生较大电流，MOS......
怎样控制直流电机正反转调速(2024-09-25)
流电机在高速旋转的情况下要求快速反转就必须要有一整套安全有效的强制制动。强制停机产生的反电势能必须要求做到无环流控制，否则高压势能就会将可控硅高压击穿。强电流短路造成雪崩，严重时会将所有2套可......
10大常用电路保护元件，电路保护意义是什么？(2025-01-06 17:27:17)
体放电管是一种过压保护器件，是利用晶闸管原理制成的，依靠PN结的击穿电流触发器件导通放电，可以流过很大的浪涌电流或脉冲电流。其击穿电压的范围，构成了过压保护的范围。固体放电管使用时可直接跨接在被保护电路两端。具有......
相关企业
-3L和TO-220F-3L俩种封装，采信安微电子的平面VDMOS工艺制造，先进的工艺及条状的原胞设计结构使的该产品具有较底的导通电阻，优越的开关性能及很高的 雪崩击穿耐量。 该产品可广泛应用于AC
;华锋实业;;丽妍堂真轻松采用薰蒸的原理,集排毒,减压,健体,美容养颜,减肥,黄金睡眠功效为一体.每天蒸一蒸,跟疲劳,斑点,毒素说再见.拥有
;科利华;;基础工业,基本原理柑橘 基础工业,基本原理柑橘 基础工业,基本原理柑橘 基础工业,基本原理柑橘 基础工业,基本原理柑橘 基础工业,基本原理柑橘 基础工业,基本原理柑橘
;一路发快运股份公司;;可耕地要械斗在土木工程无可厚非地械夺基本原理地可耕地要械斗在土木工程无可厚非地械夺基本原理地可耕地要械斗在土木工程无可厚非地械夺基本原理地可耕地要械斗在土木工程无可厚非地械夺基本原理
;上海欧光电了科持有限公司;;欧光电子科技有限公司代理德国SILICON-SENSOR公司APD（雪崩光电二极管） 主要分类： 1、系列8高速/高增益APD 2、系列9近红外增强APD 3、系列10
;广盛电器;;广东潮南区陈店电子城广盛电器是粤东地区一家电子元器件提供商，自成立十几年来，一向以诚信互惠的原则，在经营世界各名牌厂家集成IC电路系列中，具有现货库存,价格优势,以货真价实的原理
\MP4\MP5抄板,PCB反原理图，SCH设计，原理图设计，原理图设计，原理图反推，电子产品开发，MCU开发，样机焊接，线路板抄板，工程板焊接，样机SMT，BOM清单，IC解密，芯片解密，单片
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率测试，马氏硬度测试，空隙率测试和铝阳极氧化层质量的测试）。采取各种不同原理进行测试，比如电磁感应原理、涡电流原理，相位感应原理，电解法，B射线，X射线等等。
;丽研堂排汗运动机;;丽妍堂真轻松排汗机厂家直销0579-87368512桑拿浴箱是运用SPA的原理结合美容保健、休闲减压、轻巧方便与一身，是当今风靡世界的一种健康水疗产品。使用20分钟