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容易、不用缓冲电路和开关频率高等特点，鉴于此，开发高电压、大电流、频率高的高压IGBT并将其应用到变频调速器中以获得输出电压等级更高的装置成为人们关注的焦点。中压变频器的研发与电力电子器件如高压IGBT......
切入电力电子器件，LED企业在GaN领域谋转型;随着氮化镓（GaN）功率器件市场份额逐渐增加，近年来GaN功率器件供应链参与者日益增多。从参与企业类型来看，除了英诺赛科、纳微半导体、聚能......
系统中采用，但现在，越来越多的应用正在被解锁。在使用电力电子器件的设备和系统设计中都必须评估在系统中可能的潜力，以及利用这一潜力的最佳策略是什么。那么，你从哪里开始呢？本文引用地址： 工程......
中运行，而使用最基本的Simulink模块开发的模型不仅可以下载至CPU中运行，而且可以下载FPGA中运行。 随着SiC等器件的出现，电力电子系统的开关频率越来越高，自己......
只需要断断续续的打开大水管上的阀门就能保证桶内的水既不会干涸也不会溢出，这就是MOSFET与IGBT等可以快速开关的功率半导体的工作原理，由于晶体管不会处于常开状态，其损耗相对较小，发热较低，可靠性更高。 功率半导体器件又称为电力电子器件......
常用的功率元器件大全;常用的功率元器件有哪些？本文引用地址：电力电子器件（Power Electronic Device），又称为功率半导体器件，用于电能变换和电能控制电路中的大功率（通常......
半导体，如 SiC 和 GaN。如上所述，与传统硅器件相比，这些产品提供了一系列功能，包括更低的损耗、更高的开关频率、更高的工作温度、在恶劣环境下的稳定性和更高的击穿电压。SiC 被配......
了一系列高能效 GaN 功率器件，致力于打造更环保的电子器件。CGD 今日宣布推出其 ICeGaN™ 650 V 氮化镓 HEMT H2 系列产品，该器件具备业界领先的稳健性、易用性，可实现历史最高......
Si MOSFETs相比，SiC器件能够在更高的电压、更高的开关频率和更高的温度下工作。在这些条件下，SiC具有更高的性能、效率、功率密度和可靠性。这些优势正帮助设计人员降低功率转换器的尺寸、重量......
是在利润丰厚的细分市场中，比如航空、军工和电动汽车。 由于SiC s能够在基于更小元器件的设计中实现更高的能效，因此其在下一代功率转换设备开发中发挥着至关重要的作用。同时，这种转换还要求工程师重新审视在创建电力电子器件......
贸泽电子与Analog Devices和Bourns联手发布全新电子书 探讨基于GaN的电力电子器件的优势; 2024年12月3日 – 专注于推动行业创新的知名新品引入 (NPI) 代理商™贸泽电子......
之一，可以说该器件已成为轨道交通车辆牵引变流器和各种辅助变流器的主流电力电子器件。......
温度的升高，电流增益减小，驱动损耗增加。对于10 kV及更高电压，SiC IGBT非常合适。 结语 SiC功率器件所展示的卓越动态特性为以前不切实际的电路铺平了道路。与传统的硅功率半导体器件相比，SiC电力电子器件......
储能逆变器带动哪电力电子器件？; 储能逆变器的作用不仅有利于提升储能系统的效率及运行稳定性，而且......
在汽车和射频通信等其他低功率用途中的应用也在增长。相比之下，围绕SiC的技术比GaN发展得更好，也更适合于更高功率的应用，如电动汽车牵引逆变器、电力传输、大型HVAC设备和工业系统。 与Si MOSFETs相比，SiC器件能够在更高的电压、更高的开关频率和更高的......
Devices (CGD) 是一家无晶圆厂环保科技半导体公司，开发了一系列高能效 GaN 功率器件，致力于打造更环保的电子器件。CGD 今日宣布推出其 ICeGaN™ 650 V 氮化镓 HEMT H2......
。在许多应用中，较高的开关频率可提高其他系统组件（如滤波器、变压器或电机）的功率密度。因此，电力电子转换器变得更加紧凑，节省了材料和相关成本。 最新的SiC器件......
Qorvo器件可以实现更高的效率，更低的结温，以及可能更高的开关频率，从而减小系统尺寸和降低成本。 更小的芯片尺寸带来诸多优点的同时，也增加了热阻。在高功率密度的应用中，有效的散热设计至关重要。Qorvo通过......
被广泛应用于高功率、高频率的电力电子设备中。IGBT模块通常由多个IGBT芯片、驱动电路、保护电路、散热器、连接器等组成。通过内部的绝缘隔离结构，IGBT芯片与外界隔离，以防止外界的干扰和电磁干扰。同时，模块......
GaN技术：挑战和未来展望;氮化镓 (GaN) 是一种宽带隙半导体，其在多种电力电子应用中的应用正在不断增长。这是由于这种材料的特殊性能，在功率密度、耐高温和在高开关频率下工作方面优于硅 (Si......
将来选择的DSP或者Micro Controller的处理能力相关了。此外，实际应用中，还存在变开关频率的情况，此时控制器模型的仿真频率也是变化的。 总之，当我们在Simulink环境下，搭建电力电子......
流回路，以及不完美的正弦波交流输入。更高的开关频率可以通过减少高次谐波引起的涡流损耗和提高正弦波输入的质量来进一步降低损耗来解决这两个问题。 不断......
决目前遇到的哪些问题？ 能效。能效是电源的重要指标，业界一直在致力于提高电力电子的效率，从原来的线性电源提升到开关电源，包括现在有的电力电子达到99%的效率。因此，电源的效率在各领域都是大家绕不开的话题。如果......
，辅逆变器有较低的开关电流。同上面提到的交直交电压型逆变器相比较，该拓扑结构具有低开关损耗，整个系统的效率比较高。其缺点也是显而易见的，大量电力电子器件的使用导致成本的上升以及更加复杂的控制算法，另外......
人兼CEO Rob Gwynne和qGaN模块 氮化镓晶体管对下一代电力电子的重要性在于其能够在超高频率下工作，以实现开启和关闭。缓慢的转换会浪费能源，因为在晶体管既不开启也不关闭的开关时间内，它要......
人兼CEO Rob Gwynne和qGaN模块 氮化镓晶体管对下一代电力电子的重要性在于其能够在超高频率下工作，以实现开启和关闭。缓慢的转换会浪费能源，因为在晶体管既不开启也不关闭的开关时间内，它要......
电动汽车、5G等应用的发展，高功率、耐高压、高频率器件需求快速增长，SiC是高功率器件理想材料。当电压大于900V，要实现更大功率时，硅基功率MOSFET和IGBT就暴露出短板，其在转换效率、开关频率、工作......
，就与将来选择的DSP或者Micro Controller的处理能力相关了。此外，实际应用中，还存在变开关频率的情况，此时控制器模型的仿真频率也是变化的。 总之，当我们在Simulink环境下，搭建电力电子......
证明您选择 SiC 作为开关模式设计的首选功率半导体是正确的，请考虑以下突出的特性。与标准或超级结 MOSFET 甚至 IGBT 相比，SiC 器件可以在更高的电压、更高的频率和更高的温度下运行。其他器件......
到30% （资料来源：Yole 2023） 电力电子应用看好宽禁带化合物半导体功率器件，是因为基于GaN或者SiC的开关电源损耗小、工作频率高，在功率密度、可靠性和降低（系统）成本......
SiC 已经为新型电力电子产品铺平了道路阶段。带隙、击穿场、热导率、电子迁移率和电子漂移速度等特性是工程师可以从使用 GaN 和 SiC 等 WBG 半导体中获得的主要优势。基于WBG 半导体的功率开关......
硅（SiC）是一种宽带隙半导体材料，具有高击穿电场、高热导率、高电子饱和迁移率等优点。相比于硅基IGBT，碳化硅功率器件具有更低的导通电阻和更高的开关频率，能够显著提升新能源汽车的性能和能效。 电机......
热导率，随着硅接近其理论极限，SiC在电力电子领域越来越受欢迎。碳化硅基MOSFET在损耗、开关频率和功率密度方面比硅基MOSFET更高效。 当人们尝试提高电动汽车的效率和续航里程，同时降低其重量和价格以提高控制电子......
的特点和优势， 需要对现有电机控制器进行大量优化和改进。首先控制主系统必须具备更小的延迟、更高的开关频率和更短的保护动作时间。这需要采用更先进更高频率的 SOC 片上系统，才能发挥 SiC 器件高开关频率、低损......
玩转DC-DC电路的技巧！(2024-11-09 18:53:35)
。较高的开关频率1.2M到2M的也有，由于频率高开关损耗增加IC散热设计要好，故主要集中在5V低压输入小电流的产品。开关频率关系到电感电容的选用，其它如EMC，轻载......
常用的开关频率多数在500kHz以上。较高的开关频率1.2M到2M的也有，由于频率高开关损耗增加IC散热设计要好，故主要集中在5V低压输入小电流的产品。开关频率......
成了一个半桥驱动器和智能自举二极管。经过优化的死区时间或可编程死区时间接近零，开关频率最高可达3 MHz。5 uA的静态电流（VIN = 48 V、VOUT = 5 V、仅CH1）可实......
成了一个半桥驱动器和智能自举二极管。经过优化的死区时间或可编程死区时间接近零，开关频率最高可达3 MHz。5 uA的静态电流（VIN = 48 V、VOUT = 5 V、仅CH1）可实......
成了一个半桥驱动器和智能自举二极管。经过优化的死区时间或可编程死区时间接近零，开关频率最高可达3 MHz。5 uA的静态电流（VIN = 48 V、VOUT = 5 V、仅CH1）可实......
降低整个系统的成本。 体积小：碳化硅功率器件可以实现更高的开关频率和更小的导通电阻，从而减小了电路中所需的电感和电容的尺寸，使得整个电路体积更小，有利于实现汽车电子的集成化和紧凑化。 耐压耐热：碳化......
深度解析电源转换器和测试;在最近几年中，我们见证了电力电子的重要性迅速增长。可以通过查看当前趋势来解释。在全球变暖和环境污染等社会挑战的推动下，绿色能源和替代能源等技术主题备受关注。高效，可靠的电......
器。 据介绍，相比传统基于IGBT模块变换器产品，中车的变换器开关频率提升4倍以上、功率密度提升3倍以上，系统平均效率大于97%，最高效率可达99%。 说起碳化硅功率器件......
的B25647A*系列元件不仅具有超高的开关频率，还提供六款新开发型号，覆盖900 V至1600 V的额定电压和640 µF至1850 µF的电容范围，额定电流范围为160 A至210 A（具体......
) IGBT 可用来将输入电压提升至高压（升压级），和用于为高开关频率能源基础设施应用提供交流输出的逆变器。FS7 器件的低开关损耗可实现更高的开关频率，减小磁性组件的尺寸，提高......
电动汽车的充电过程。作为一款电力电子设备，车载充电机功率电路主要由AC-DC和DC-DC电路组成。如图所示： 车载充电机充电框图 传统的Si器件由于其耐压和开关频率的限制，已经......
可能能够突破这些限制。例如燃料电池中的空压机。空压机最高转速超过15万rpm，空压机电机控制器的输出频率超过2500Hz，功率器件需要很高的开关频率（超过50kHz），因此-MOSFET是这类应用的首选器件。 3. 恶劣......
集成了一个半桥驱动器和智能自举二极管。经过优化的死区时间或可编程死区时间接近零，开关频率最高可达3 MHz。5 uA的静态电流（VIN = 48 V、VOUT = 5 V、仅CH1）可实......
集成了一个半桥驱动器和智能自举二极管。经过优化的死区时间或可编程死区时间接近零，开关频率最高可达3 MHz。5 uA的静态电流（VIN = 48 V、VOUT = 5 V、仅CH1）可实......
集成了一个半桥驱动器和智能自举二极管。经过优化的死区时间或可编程死区时间接近零，开关频率最高可达3 MHz。5 uA的静态电流（VIN = 48 V、VOUT = 5 V、仅CH1）可实......
集成了一个半桥驱动器和智能自举二极管。经过优化的死区时间或可编程死区时间接近零，开关频率最高可达3 MHz。5 uA的静态电流（VIN = 48 V、VOUT = 5 V、仅CH1）可实......

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