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流的条件下，连接器材料必须能够耐高温、耐高压，并且具有良好的阻燃性能，这导致了新能源汽车的高压连接器的材料成本通常高于传统连接器。 综上，可以......
Pickering微型耐高压舌簧继电器可在125℃动作;2023年7月，英国Clacton-on-Sea——拥有超过50年经验的小型化和高性能的领导厂商 Electronics公司，今天推出了一款新型耐高温耐高压......
Pickering的微型耐高压舌簧继电器 现可在最高125°C的温度下动作;104HT系列适用于需要耐受高温的各种应用，包括电动车辆、太阳能、高压仪器、IC测试仪等。 2023年7月19日，于英......
和金属含量对于整个晶圆和芯片来说，就如沧海一粟，如此高的要求，为半导体材料行业设置了一个非常高的门槛。 同时，半导体制造的过程中需要用到一些高纯度化学品，这样就对加工配件、管路输送储存的材料提出了耐腐蚀、耐化......
Pickering的微型耐高压舌簧继电器现可在最高125℃的温度下动作;104HT系列适用于需要耐受高温的各种应用，包括电动车辆、太阳能、高压仪器、IC测试仪等。拥有超过50年经......
助力行业发挥碳化硅和氮化镓金属-氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的全部优势。我们很高兴与SABIC携手合作，将我们领先的工程技术能力与SABIC优异的材料创新能力整合起来。” 相较......
，现场展示其领先的技术（E19号展位）并进行两场内容丰富的专题演讲。作为公司在此次展会上聚焦的主要内容，SABIC将着重展示其新型ELCRES™ HTV150电容薄膜，该产品专门针对高温高压的......
终于解开，经检测这是杜氏盐藻在“作怪”。杜氏盐藻是迄今为止发现的最耐盐的真核生物之一，长不超过15微米，宽约10微米，只有在显微镜下才能看到，具有奇特的动植物双重特性，逐光、耐强酸强碱、耐高寒（-27℃）和酷......
晶体管是电能转换损耗的主要来源，因此是功率组件中最关键产品，而俗称功率芯片便是乘载晶体管之处。 从低压至高压需要用电的负载设备，几乎都需要功率组件。Si是最常用的功率组件材料，通常......
一代DriveONE 800V高压SiC黄金动力平台搭载了行业内量产最高转速的电机。这款电机的每分转速高达22000转，使得车辆在加速和行驶过程中能够获得更强的动力输出和更高的响应速度。 SiC作为第三代半导体材料......
一个放热过程。这种热能是可以利用的，热气流在燃煤锅炉里，被锅炉里的水吸收，然后再变成水蒸气，再去推动汽轮机做功，即常说的蒸汽轮机发电。比蒸汽轮机发电利用效率更高的，还有一种叫燃气轮机发电。由于该装置的材料要更加的耐高......
。 由于VT系列采用精密的镭射切割技术，相较于市场上的薄膜电阻，具备更好的耐高压能力，在承受高压的......
）。其中功率半导体的单车价值量，从燃油车到新能源汽车有望实现数倍增长，达到约450美元。 从功率器件种类来看，目前新能源汽车功率半导体以硅基的IGBT、MOSFET为主，但由于以SiC、GaN等为代表的第三代半导体材料在高压的......
硅功率器件的可靠性应用主要表现在以下几个方面： 　　高温环境下的可靠性：碳化硅器件在高温环境下的应用表现出较好的可靠性。由于碳化硅器件具有高热导率和低热膨胀系数，可以在高温下保持高效率和低热损耗，提高器件的可靠性和寿命。 　　耐压、耐高压的......
”），一家开发和销售氧化镓晶圆的日本公司。 以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)为代表的宽禁带半导体材料，凭借耐高温、抗高压......
助力行业发挥碳化硅和氮化镓金属-氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的全部优势。我们很高兴与SABIC携手合作，将我们领先的工程技术能力与SABIC优异的材料创新能力整合起来。” 相较......
助力行业发挥碳化硅和氮化镓金属-氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的全部优势。我们很高兴与SABIC携手合作，将我们领先的工程技术能力与SABIC优异的材料创新能力整合起来。”相较......
超充。 在原先的400V的高压平台之上，功率半导体多使用硅基IGBT，此类半导体承受电压的极限是650V，特点是不耐高温且热损耗高。800V高压......
特性对比： （资料来源于Yageo） 2 四种电介质材料属性数对比： （资料来源于Yageo） 根据这个表格，可能会发现PET或许是电压、温度和介电常数最佳组合的材料。同时PET也是最常见的薄膜电容介电材料......
Pickering Electronics 推出新款耐高压 SIL/SIP 舌簧继电器线圈电阻更高，功耗更低;2021 年 9 月 30 日，英国滨海克拉克顿：英国Pickering......
然相当重要，且造价并不便宜。 此类化合物半导体已被认为是第三代半导体，各国正积极投入生产及研究，还有如碳化硅等，具有耐高温、耐高压的特点，在电力电子系统上能有相当广泛的应用，当然也包括电动车，所以......
也发展了三代。碳化硅就是第三代半导体材料。由于SiC具有宽禁带宽度，从而导致其有高击穿电场强度等材料特性。受益于SiC的材料特性，SiC功率器件具有耐高压、体积小、功耗低、耐高......
技术也并非全是优点，由于其成本较高，需要更高的技术水平和更昂贵的材料。例如，为了实现耐高压和抗热性能，800V高压系统必须使用碳化硅或氮化镓等高性能半导体材料。然而，这些材料的价格远高于传统的硅材料，因此......
作为电子信息技术发展的 基础，经历了数代的更迭。随着应用场景提出更高的要求，以碳化硅、氮化镓为代 表的第三代半导体材料逐渐进入产业化加速放量阶段。相较于前两代材料，碳化硅 具有耐高压、耐高温、低损耗等优越性能，广泛......
定性高，熔点高达1700度，除了稳定性、耐高温、耐高压等优势，同时拥有良好的导电性与导热性，多应用于变压器和充电器等领域，如需要较大电压的笔电、平板，以及需要较小电压的手机和手表充电产品，能有......
阿尔法霍尔开关AH401F是一款耐高压双极霍尔开关芯片，采用高压bipolar工艺制程。该芯片内部由电压稳压单元、霍尔电压发生器、差分放大电路、温度补偿电路、集电极开路输出电路组成。工作形式为输入磁感应强度，输出......
还装有加热装置。 在洗衣机中必不可少的是无刷电机，霍尔在无刷电机中常起到换向和位置检测的作用。常用双极霍尔开关AH401F，该类元件高耐温，高耐压，频率高，可长时间稳定工作。 中科阿尔法霍尔开关AH401F是一款耐高压......
新能源汽车时代的半导体材料宠儿——SiC（碳化硅）;  前  言  本文引用地址： 1824年，一种全新的材料被瑞典科学家，贝采里乌斯合成出来，这是一种名为碳化硅的黑色粉末，平平无奇的样子，仿佛......
作为新能源汽车充电桩的核心零部件，SiC的有关特性又让它成了绕不开的材料。三安集团北京公司副总经理就陈东坡认为，SiC凭借耐高压、耐高温、更高频率的优势，性能非常优越，前景明朗。虽然现在对于SiC快速......
层和孔。 1、PCB基材：主要有玻璃纤维布、环氧树脂、聚酰亚胺等，是pcb电路板中非导体部分所需要的材料。如玻璃纤维布多用于在生产双面板和多层板，而环......
需采用低损耗磁芯材质设计，以降低高频应用下的磁芯损耗，减少发热，提升输出效率。 ●   耐高压：新能源汽车中有很多高压的零部件，如动力电池、驱动电机、车载控制器等等。其中，电机驱动系统电压在400V或者......
在商用交流电源电路中，HN1D05FE能够承受高电压的冲击，有效地保护电路中的其他元件不受损坏。其独特的结构和制造工艺使得它在高压环境下依然能够保持低损耗、高效率的工作状态，从而......
用寿命。特种电机及高温电机应用案例 石油测井爬行电机： 整个电机在高温高压的油里工作* 油温最高200°C* 井下深度达5000米* 工作时电机的内腔充满200°C的压力硅油* BLDC电机* 转速......
容量高（4200mAh/g，远大于碳材料的372mAh/g），适合快充的本征原因是嵌锂电位高——析锂风险小——可以容忍更大的充电电流。   电机轴承防腐蚀、绝缘要求增加。轴电压的产生：  电机......
型半导体NiO由于禁带宽度大及可控掺杂的特点，是目前较好的选择。 该课题组基于NiO生长工艺和异质PN的前期研究基础，设计了结终端扩展结构（JTE），并优化退火工艺，成功制备出耐高压且耐高......
成为人造卫星等所必需的构件。 半导体材料是制作半导体器件和集成电路的电子材料。耐高压、大射频、低成本、耐高温，多重特性助推金刚石成下一代半导体材料。金刚石禁带宽度5.5eV超现有氮化镓、碳化硅等，载流子迁移率也是硅材料......
。耐高压、大射频、低成本、耐高温，多重特性助推金刚石成下一代。金刚石禁带宽度5.5eV超现有氮化镓、碳化硅等，载流子迁移率也是硅材料的3倍，同时......
我们要了解清楚一点，那就是两种电池的材料差异。 磷酸铁锂电池在新能源汽车发展的早期阶段就被应用，是一种使用磷酸铁锂作为正极材料、碳作为负极材料的锂离子电池。而三元锂电池则是指三元聚合物锂电池，是一种使用镍钴锰酸锂或镍钴铝酸锂作为三元正极材料......
平台方面都有所布局,基于高压平台的800V电驱系统也成为行业重点研究的关键技术｡ 本文主要从行业研究背景､用户开发驱动力､关键核心技术方面总结了800V电驱系统的发展趋势和技术难点,从材料､工艺......
特性的应用。例如在商用交流电源电路中，HN1D05FE能够承受高电压的冲击，有效地保护电路中的其他元件不受损坏。其独特的结构和制造工艺使得它在高压环境下依然能够保持低损耗、高效率的工作状态，从而......
市场一片火热，第三代半导体——碳化硅究竟用在哪？;SiC 是目前相对成熟、应用最广的宽禁带半导体材料，基于 SiC 的功率器件相较 Si 基器件具有耐高压、耐高温、抗辐射、散热能力佳、导通......
将在福冈县筑后市工厂今年开设的碳化硅功率半导体专用厂房实施量产，还计划为增产投资最多2200亿日元（约合人民币114亿元），并将2025年度的碳化硅销售额上调至1100亿日元。 公开资料显示， 碳化硅具备耐高压、耐高温、高频、抗辐......
镓对市场需求产生的带动作用。 氮化镓适用于1000V以下的中低压的市场，碳化硅适用于650V以上的中高压市场。氧化镓作为一种新型超宽禁带半导体材料，虽然......
平台方面都有所布局，基于高压平台的800 V 电驱系统也成为行业重点研究的关键技术。 本文主要从行业研究背景、用户开发驱动力、关键核心技术方面总结了800 V电驱系统的发展趋势和技术难点，从材料......
陶瓷电容容量衰减与电压的关系;陶瓷电容（ceramic capacitor）：用高介电常数陶瓷作为电介质材料而制成的电容器，将（陶瓷钛酸钡-氧化钛）挤压成圆管、圆盘或圆片作为介质，在陶......
器件有三大方面的性能优势。 #1 其一是材料本身，作为宽禁带半导体材料的代表，SiC具备良好的耐高温性、耐高压性和抗辐射性，显著提升器件功率密度； #2 其二是SiC功率器件拥有高击穿电场强度特性，有助......
年看不到任何缓解的迹象。 硅基器件受限，SiC功率器件突围 长期以来，车规级功率半导体主要采用硅基材料，但受自身性能极限限制，硅基器件的功率密度难以进一步提高，硅基材料在高开关频率及高压......
三类功率半导体CAGR达48% 目前最具发展潜力的材料即为具备高功率及高频率特性的宽禁带（Wide Band Gap；WBG）半导体，包含碳化硅（SiC）与氮化镓（GaN），主要应用大宗为电动车、快充市场。据......
电动汽车、5G等应用的发展，高功率、耐高压、高频率器件需求快速增长，SiC是高功率器件理想材料。当电压大于900V，要实现更大功率时，硅基功率MOSFET和IGBT就暴露出短板，其在转换效率、开关频率、工作......
的耗散损耗比聚对苯二甲酸乙二醇酯（PET）和聚萘二甲酸乙二醇酯（PEN）等其他耐高温材料低 40%。ELCRES HTV150A介电薄膜的损耗更低，有助于减少内部发热，提高运行效率，稳定热点温度，从而......

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