资讯
灯丝温度对于荧光灯的影响(2023-04-04)
灯丝温度对于荧光灯的影响;在昨天测试紫外线灯管击穿电压实验中， 灯丝没有加热。 对应的击穿电压为1308V， 如果将灯丝进行加热， 能够在多大程度上降低紫外线灯管的击穿电压呢？ 我们......
压控振荡器特性改良的研究(2024-01-17)
的抑制 温度对VCO的影响主要体现在变容管结电容的大小随温度的升高而增加上。由式（3）,（7）和（8）可知，温度的变化只影响了VCO电压频率特性曲线的各点斜率的大小，并不......
高压SiC MOSFET研究现状与展望(2023-02-06)
仿真研究了 ME 工艺下不同击穿电压器件的特性预测和 TFE工艺下回填外延区掺杂浓度对击穿电压的敏感性。结果表明，ME 工艺下 3.3 kV 等级器件的漂移区电阻为1.51 mΩ·cm2 ，是 4H......
二极管导通AB两端的控制条件藏在A中，而三极管却是藏在C中。(2024-01-15)
才能合而为一，形成合力。
以杨杰电子M1型二极管为例（https://item.szlcsc.com/212727.html）
参数1：最大反向击穿电压
外部施加的反向电压的极限，一旦击穿，具有破坏性。扬杰......
干货 | 11种防雷电路大剖析！(2024-11-07 21:13:11)
长使用寿命和确保安全）。
3、陶瓷气体放电管的通流容量根据要求的通流容量选择，直流击穿电压......
TVS瞬态抑制二极管(2024-12-13 11:22:46)
并联于电路中，当电路正常 工作时，TVS处于截止状态（高阻态），不影响电路正常工作。当电路出现异常过电压并达到TVS（雪崩） 击穿电压时，TVS迅速由高电阻状态突变为低电阻状态，泄放由异常过电压......
电路保护的意义是什么？常用的器件有哪些？(2024-11-09 18:53:35)
用晶闸管原理制成的，依靠PN结的击穿电流触发器件导通放电，可以流过很大的浪涌电流或脉冲电流。其击穿电压的范围，构成了过压保护的范围。固体放电管使用时可直接跨接在被保护电路两端。具有精确导通、快速响应（响应时间ns级......
为什么要设计保护电路，常用的保护器件有哪些？(2024-12-09 21:06:09)
流过很大的浪涌电流或脉冲电流。其击穿电压的范围，构成了过压保护的范围。固体放电管使用时可直接跨接在被保护电路两端。具有精确导通、快速响应（响应时间ns级）、浪涌吸收能力较强、双向对称、可靠......
这40个模拟电路基础知识太有用了！(2024-06-06)
;另外就是在设计电路时应仔细考虑各极限参数，不能超出范围。将J-FET当做可变电阻使用时应保证器件有正确的偏置，不能使之进入恒流区。
15、射极偏置电路：用于消除温度对静态工作点的影响(双电......
90%的工程师会忽略的 40 个实用模拟电路小常识，你是其中之一吗？(2024-10-20 23:26:13)
；另外就是在设计电路时应仔细考虑各极限参数，不能超出范围。将J-FET当做可变电阻使用时应保证器件有正确的偏置，不能使之进入恒流区。
15、射极偏置电路：用于消除温度对静态工作点的影响......
90%的人会忽略的40个实用模拟电路小常识(2024-11-30 17:23:02)
当做可变电阻使用时应保证器件有正确的偏置，不能使之进入恒流区。
15、射极偏置电路：用于消除温度对静态工作点的影响（双电......
电子工程师必备！40个模拟电路小常识！(2024-12-15 01:50:33)
射极偏置电路：用于消除温度对静态工作点的影响（双电......
有源钳位技术解析(2022-12-15)
IGBT两端电压远超击穿电压时，可以在前级动作前起到延缓IGBT关断的作用。该改进型的两级保护可以起到更好的保护效果，同时也要时刻关注正常工作电压下TVS的漏电流对于驱动电路的影响，对于TVS的电压......
开关电源整流滤波电路和钳位保护电路设计(2024-06-03)
需安装合适的散热器。
整流桥的主要参数有反向峰值电压URM(V)，正向压降UF(V)，平均整流电流Id(A)，正向峰值浪涌电流IFSM(A)，最大反向漏电流 IR(μA)。整流桥的反向击穿电压URR应满......
清纯半导体推出1200V / 3.5mΩ SiC MOSFET芯片(2024-02-07)
毫欧，击穿电压不低于1600V。本产品通过设计和工艺的改进，完成对芯片电流路径上高温分布电阻的优化，特别是沟道电阻与N型区电阻的折中设计，实现了优秀的电阻温度系数。测试结果表明在175℃下芯......
如何用示波器测量稳压管稳压值(2022-12-29)
着改变二极管中的电流大小，将不影响二极管两端的电压，即二极管的反向击穿电压不随反向电流的变化而改变，这就是稳压二极管的稳压特性，测试电路如图。
测试方法：将示波器调到正常工作状态，两通道的输入耦合开关置“DC......
SiC 半导体功率器件对能源效率的重要性(2023-02-16)
值要高得多。
高电击穿场提供更高的击穿电压。该电压是击穿体二极管断开时的值，并且不断增加的电流在源极和漏极之间流动。PN结二极管的击穿电压与击穿电场成正比，与材料浓度成反比。
高电......
固体放电管雷击应用优势(2023-07-20)
工作状态下是关断的，此时漏电流较小，在浪涌电压超过击穿电压VBO时，电路导通进入低钳位状态。本文引用地址：本篇文章重点分析对于的雷击应用展开讲解。
结构：
固体放电管Sidactor具有可控硅的特性，通过......
发电机电压调节器原理一文读懂(2023-06-02)
关电路，开关控制由VTl承担。R4、R5、R6、R7是晶体管的偏置电阻，保证晶体管正常工作。
二极管VD3构成的自感电流闭合回路，保护了VT3管。
VD2为温度补偿二极管，用来［）减少温度对调节器调压值的影响......
指定高密度电源转换器中母线的方法(2024-02-29)
谐波可能会使系统过热。
图 2. 电感对浪涌电压的影响。图片由 Bodo’s Power Systems提供
图 3. 转换器的电气图。图片由 Bodo’s Power Systems提供......
SiC MOSFET真的有必要使用沟槽栅吗？(2022-12-28)
为了维持较高的击穿电压，将漏极放在芯片背面，整个漂移层承受电压。功率MOSFET的导通电阻，由几部分构成：源极金属接触电阻、沟道电阻、JFET电阻、漂移区电阻、漏极金属接触电阻。设计......
电路设计少不了ESD，详述一下其理论，超详细！(2024-04-17)
，此时的击穿电压为ESD击穿的临界电压(ESD failure threshold Voltage)。通常我们都是给电路打三次电压(3 zaps)，为了降低测试周期，通常起始电压用标准电压的70% ESD......
电容的参数_种类_应用(2024-10-15 14:49:34)
容值能做到几十微法。但是这种材质受温度影响和直流偏压（直流电压会致使材质极化，使电容量减小）影响很严重。下面我们看一下 几种材质电容容值受环境温度和直流工作电压的影响......
半导体器件击穿机理分析及设计注意事项(2023-09-25)
的升高，PN结内部产生热电子浓度增加，进而导致击穿电压VB降低，使得宏观上击穿电压VB呈现负温度特性。该过程微观示意如图[11]。
图[11] 隧穿效应VS温度示意图
在这里简单的对两种电压击穿......
干货分享丨一文讲透全电放电（ESD）保护，ESD细讲学问太深了！(2024-04-21 15:22:24)
再持续一段时间，再测电性，如此反复直至击穿，此时的击穿电压为ESD击穿的临界电压(ESD failure threshold Voltage)。通常我们都是给电路打三次电压(3 zaps)，为了降低测试周期，通常起始电压用标准电压的......
基础知识之二极管(2024-03-20)
基本上在ON状态下使用。 而TVS为了不影响IC的驱动电压，在电路正常工作期间处于OFF状态，当被施加了浪涌等突发过电压时，击穿电压值变得越发重要。 因此，规定了绝对不会导致击穿的两个电压——“截止电压......
了解SMT连接器性能关键指标绝缘电阻、介质耐压、和接触电阻如何检验，提升电子产品的可靠性与安全性。(2024-12-08 19:42:31)
因素
主要受绝缘材料、温度、湿度、污损、试验电压及连续施加测试电压的持续时间等因素影响......
LM4050数据手册和产品信息(2024-11-11 09:18:26)
较低的动态阻抗，能够在很宽的工作温度和电流范围内确保稳定的反向击穿电压精度。LM4050/LM4051在任意容性负载下都能保证稳定工作，无需外部稳定电容。
LM4050/LM4051工作于-40°C至......
MAX6138数据手册和产品信息(2024-11-11 09:20:35)
的温度系数为25ppm/°C，提供三级初始精度，范围从0.1%至0.5%。MAX6138可提供60µA至15mA并联电流，具有极低的动态阻抗，在较宽的工作温度和电流范围内保证稳定的反向击穿电压......
中科大在氧化镓功率电子器件领域取得重要进展(2022-05-27)
特性表明器件具有良好的栅极控制能力。此外，器件的导通电阻得到了很好的保持，为151.5Ω·mm，并且击穿电压达到了980V。
▲图2.基于异质PN氧化镓结型场效应晶体管（a）结构示意图及工艺流程图，（b）不同漏极偏压的......
宇宙辐射对OBC/DCDC中高压SiC/Si器件的影响及评估(2022-12-01)
：
Vstess1.nor=400V
此外，假设过冲和异常情况下电压为额定击穿电压的80%：
Vstress1.os=520V
假设在 OBC 的整个工作时间内，每个......
驱动电动汽车先进性能解决方案-电池技术和驱动方案(2022-12-10)
已证明自己是电动汽车和其他应用的选择，具有多项优势，例如：
· 对于给定的芯片面积，优于任何其他 GaN 器件的击穿电压和电流能力
· 唯一可以提供 1.2 kV 及以上击穿电压的 GaN 技术......
揭秘碳化硅芯片的设计和制造(2023-04-04)
。
2. JTE的锥角和深度：JTE的锥角和深度影响电场分布和击穿电压。较小的锥角和较深的JTE可以减少电场并提高击穿电压。
3. 表面钝化：表面钝化层对于减少表面泄漏并提高击穿电压......
揭秘碳化硅芯片的设计和制造(2023-04-04)
JTE设计的一些关键考虑因素： 1. JTE区域的宽度和掺杂：JTE区域的宽度和掺杂浓度确定器件边缘处的电场分布。较宽和重掺JTE区域可以减少电场并提高击穿电压。 2. JTE的锥角和深度：JTE的锥角和深度影响电场分布和击穿电压......
温度对电磁阀驱动影响的计算分析(2022-12-21)
势主要取决于漆包线绕制的匝数、线圈骨架的内外径,同时受线圈温度、驱动电压的影响;电磁力和开阀压力差是衡量电磁阀性能的主要指标,电磁力除了受线圈因素影响外,还与阀总成内部的气隙长度、气隙面积相关;基于......
涨知识！氮化镓（GaN）器件结构与制造工艺(2024-06-17)
宽度：硅的禁带宽度为1.1eV，低于氮化镓和碳化硅几乎三倍。因此，氮化镓和碳化硅可以轻松支持更高电压的电路，而不能像硅一样支持较低电压的电路。
击穿电场：氮化镓和碳化硅的击穿电场是硅基的10倍以......
日本开发新技术，可实现GaN垂直导电(2023-11-15)
公司将进一步合作开发垂直GaN功率器件，并与制造这些器件的公司合作，让这些器件能应用到实际生产生活中。
GaN功率器件因兼具高频率与低功耗特性而备受关注，尤其在1800V以上高击穿电压的......
氮化镓在高压应用中提供强大的解决方案(2024-09-06 14:15)
在高压应用中的优势相比之下，PowiGaN器件不表现出硅器件固有的雪崩击穿机制。它们的内部级联结构和高击穿电压（通常是额定电压的两倍以上）使它们能够承受高电压尖峰和长期的线路膨胀。这些器件在电压......
稳压、TVS二极管和压敏电阻的区别(2024-04-29)
结构
贴片是主要以氧化锌为基础的陶瓷半导体产品。主要采用下图所示的积层结构，通过积层张数、层间的调整，可以控制击穿电压、静电容量。而是P型半导体和N型半导体结合而构成的，是硅基ESD防护器件。在二......
新能源电驱系统高压绝缘零件设计(2023-09-04)
时， 沿固体绝缘子表面放电的现象 。前面我们谈到的保持电气间隙，是为了防止通过气隙放电，也就是说保持爬电距离是为了防止另外一种区别于空气击穿的高压绝缘失效。
实验表明： 沿固体介质表面的闪络电压不但要比同体介质本身的击穿电压......
SMU数字源表如何测试三极管IV特性曲线(2023-03-15)
体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区。
设计电路中常常会关注的参数有电流放大系数β、极间反向电流ICBO、ICEO、集电极最大允许电流ICM、反向击穿电压VEBO、VCBO、VCEO以及......
东芝发布旗下首款200V晶体管输出车载光耦(2021-11-18)
极电流IC（mA）
50
工作温度Topr（℃）
-40至125
电气特性
集电极-发射极击穿电压
V(BR)CEO最小值（V）
@IC......
罗姆（ROHM）第4代：技术回顾(2023-01-31)
表示：“750 V击穿电压可确保设计裕度不受VDS浪涌影响”。我们发现这是一个正在席卷整个行业的有趣发展。然而，实际上，在静态条件下测试的新型第4代器件的实际击穿电压约为1000 V，实际......
罗姆（ROHM）第4代：技术回顾(2023-01-31)
。我们正在开展自己的开关基准测试。
罗姆提出的一项声明涉及将额定电压范围从650 V提高至750 V。罗姆表示：“750 V击穿电压可确保设计裕度不受VDS浪涌影响”。我们......
罗姆（ROHM）第4代：技术回顾(2023-02-01)
正在开展自己的开关基准测试。
罗姆提出的一项声明涉及将额定电压范围从650 V提高至750 V。罗姆表示：“750 V击穿电压可确保设计裕度不受VDS浪涌影响”。我们发现这是一个正在席卷整个行业的有趣发展。然而......
Vishay推出新型第三代650 V SiC肖特基二极管，提升开关电源设计能效和可靠性(2023-05-23)
降低了导通损耗，确保系统轻载和空载期间的高能效。与超快恢复二极管不同，第三代器件几乎没有恢复拖尾，从而能够进一步提升效率。
与击穿电压相当的硅二极管相比，SiC二极管热导率高，反向电流低，反向恢复时间短。二极管反向恢复时间几乎不受温度变化的影响......
ZS2934SL-24W电源适配器方案(2024-02-22)
期电流检测保护等。
2.技术规格
示例：
名称
参数
输出功率
24W
ESD
2000V
VDD供电电压
14V-24V
漏源击穿电压
650V
工作环境温度
-40℃~85℃
最大......
贸泽电子开售各种面向电源转换应用的英飞凌通用MOSFET(2022-12-06)
-源击穿电压范围介于500V至900V，漏-源电阻范围介于77mΩ至4.68Ω，持续漏电流范围介于1A至54.9A。这些器件的最低工作温度为-40°C，功耗范围介于5W至500W。
贸泽......
贸泽电子开售各种面向电源转换应用的英飞凌通用MOSFET(2022-11-29)
30Ω，连续漏电流范围介于100mA至260A。这些低压MOSFET的工作温度范围介于-55°C至+175°C，符合AEC-Q101标准。
高压MOSFET的漏-源击穿电压范围介于500V至......
异步电动机的交接试验(2024-06-14)
电阻不低于1MΩ/kⅤ；转子绕组绝缘电阻不低于0.5MΩ/kⅤ。
（2）额定电压1kV及以上的电动机应测量吸收比，吸收比不应低于1.2。
3）注意事项
（1）应考虑绕组温度对绝缘电阻的影响，必要时可进行温度......
相关企业
;广州市昆德科技有限公司;;本公司由数位曾在广州半导体材料研究所获得半导体测试仪多项成果奖的高级工程师主持产品开发，他们已完成过的研制项目有：硅产品寿命测试仪数字电阻率测试仪硅外延层击穿电压
;无锡市超缘电子有限公司;;本公司是专业生产放电管的企业,提供多种规格的气体放电二极管和三极管.本公司产品具有气密性好.机械强度高,反应速度快.准确的击穿电压.较高的耐工频脉冲电流的能力.静电
、40KA、65KA、100KA、150KA等各种耐流等级和直流击穿电压70V-5000V的气体放电管。
损坏和对人身伤害。 本公司产品满足国标GB9043-1999和YD/Y941 ITU-TK12的要求，试验方法是根据CCITT新建议测试，因此本产品具有气密封性好，反应速度快，击穿电压准确，耐脉冲电流能力强，极间
要考虑的因素主要有三项，一是压敏电阻本身的电容量（几十到几万PF），二是在系统电压下的漏电流，三是压敏电阻的非线性电流通过源阻抗的耦合对其他电路的影响。
。 3.绝缘 膜层电阻率极大，经封闭处理（浸绝缘漆或石蜡）后击穿电压高达 2，000伏，适用于各种电器绝缘零件。作为用的膜层，一般厚度需20-40微 米 。
完成对信号及电源产品各项指针可靠性测试。包括:最大放电电流Imax、残压Ur、冲击限制电压Up、点火电压U、脉冲放电电压、标称击穿电压Un、漏电流、插入损耗、驻波系数、冲击耐受能力、动作负载、最大持续运行电压Uc等各
加热减度:≤1.00≤0.60≤2.00弯曲强度:≥23≥20击穿电压:>25>20>15高温绝缘电阻:100－600标准尺寸：1000×600 1000×1200 测试标准：GB5019－85
进一步攻克LED的散热问题，公司成立了铝基板事业部，并配备了导热测试议，击穿电压测试议，数控锣边机，自控微割机，冲床等专业生产和试验设备。并与国内驰名品牌材料供应商建立了研发试验室，志在
、 吸水率≤0.5%。7、 自然收缩率：在30℃下环境储存≤0.5%。8、 体积是电阻系数≥1×1015Ω/cm3（常温相对湿度≤65%）。9、 电气性能：壁厚（mm） 击穿电压 击穿