资讯
半导体、集成电路、芯片有哪些区别?(2024-10-08)
材料的独特特性使得它们成为制造集成电路和芯片的理想材料，半导体材料如硅（Silicon）和锗（Germanium）可通过控制其电导性能来实现电子器件的功能，例如二极管和晶体管。
集成......
台积电、高通两大半导体巨头试水存储赛道？(2024-08-23)
台积电、高通两大半导体巨头试水存储赛道？;近日，晶圆代工巨头台积电和半导体芯片设计龙头厂商高通各自公布了多项半导体技术专利，其中都包括一项与存储领域相关的专利。
台积电：双端......
NMOS和PMOS详解(2023-12-19)
属-氧化物-半导体，而拥有这种结构的晶体管我们称之为晶体管。
MOS晶体管有P型MOS管和N型MOS管之分。由MOS管构成的集成电路称为MOS集成电路，由NMOS组成的电路就是NMOS集成电路，由管......
多层芯片实现新突破(2024-12-19)
成功制造出了多层芯片，其中高质量半导体材料层交替生长，直接叠加在一起。
随着计算机芯片表面容纳晶体管数量接近物理极限，业界正在探索垂直扩展——即通过堆叠晶体管和半导体......
电气电工丰富自己知识储备，老师傅也不教的东西？(2024-11-25 19:10:01)
NPN 型三极管
：由两块 N 型半导体中间夹着一块 P 型半导体所组成，也称为 NPN
型晶体管。在电路中，当给基极（B）输入......
ST推出驱动芯片和GaN晶体管的MasterGaN产品平台(2020-10-10)
效的环境友好型产品的开发。”
MasterGaN1是意法半导体新产品平台的首款产品，集成两个半桥配置的GaN功率晶体管和高低边驱动芯片。
MasterGaN1现已量产，采用9mm x 9mm GQFN封装，厚度......
ST推出驱动芯片和GaN晶体管的MasterGaN产品平台(2020-10-10)
效的环境友好型产品的开发。”
MasterGaN1是意法半导体新产品平台的首款产品，集成两个半桥配置的GaN功率晶体管和高低边驱动芯片。
MasterGaN1现已量产，采用9mm x 9mm GQFN封装，厚度......
ST推出驱动芯片和GaN晶体管的MasterGaN产品平台(2020-10-10)
效的环境友好型产品的开发。”
MasterGaN1是意法半导体新产品平台的首款产品，集成两个半桥配置的GaN功率晶体管和高低边驱动芯片。
MasterGaN1现已量产，采用9mm x 9mm GQFN封装，厚度......
英飞凌推出全新CoolGaN™ Drive产品系列， 包括带有集成驱动器的集成单开关和半桥(2024-08-14)
系列，进一步丰富了其氮化镓（GaN）产品组合。该产品系列包括CoolGaN™ Drive 650 V G5 单开关（集成了一个晶体管和栅极驱动器，采用PQFN 5x6和PQFN 6x8 封装）和......
世界半导体极简编年史(2023-01-02)
消费品出现
半导体开始出现在电池供电的助听器和袖珍收音机中，消费者愿意为便携性和低功耗支付高价。
图：Sonotone 1010助听器使用了一个晶体管和......
2亿美元，安世半导体德国基地扩产(2024-06-28)
续确保未来从研究到生产的无缝过渡。
安世半导体德国首席运营官兼董事总经理Achim Kempe称，未来，公司汉堡晶圆厂将覆盖宽带隙半导体的全系列，同时其仍然是最大的小型信号二极管和晶体管工厂。
此外，同月，安世半导体首批高压GaN......
英飞凌推出全新CoolGaN Drive产品系列，包括带有集成驱动器的集成单开关和半桥(2024-08-14 15:29)
产品系列，进一步丰富了其氮化镓（GaN）产品组合。该产品系列包括CoolGaN™ Drive 650 V G5 单开关（集成了一个晶体管和栅极驱动器，采用PQFN 5x6和PQFN 6x8 封装）和......
探秘1956年出版的半导体科普书(2023-01-03)
时代科学的进步，也表明约飞所在年代是半导体孕育的年代，是爆发的前夜。
而1952年，远在美国的贝尔实验室的技术研讨会和晶体管专利授权，已经开始大大促进半导体的......
目标不止2025！英特尔公布“赶超三星台积电”战略：3D堆叠晶体管(2021-12-13)
数量增长三成到五成。单位面积的晶体管数量越多，半导体的性能也就越强大，这正是全球半导体行业在过去50多年时间里不断发展的最重要原因和规律。
在接受新闻界采访时，英特尔“组件......
从原理到实例：GaN为何值得期待？(2021-11-30)
直流参数上，没有反向二极管（0 Reverse Recovery），主要原因在于GaN晶体管没有SJ MOSFET的寄生PN结。此外，两者在直流参数以及Vth等也有着不小的区别，同规格情况下，GaN晶体管......
稀土VS半导体，哪个更重要 ？(2021-03-15)
坦克使用的掺钕钇铝石榴石激光测距机，这是现代先进坦克的标配装备，从美国的M1到英国的“挑战者”和德国的“豹2”，无一例外，它的测量距离达到20公里，精度比普通的光学测距仪高很多。
稀土与汽车
稀土和半导体的......
闻泰科技IGBT系列产品已流片成功 近年许多新品进入收货期(2022-03-10)
封装测试的产业链拓展。
据悉，安世半导体是全球领先的车规级功率厂商，其前身为恩智浦(NXP)集团标准产品部门，其拥有60多年半导体行业经验。安世半导体在主要的车规级功率、逻辑和模拟细分品类占据前排位置，细分到产品上则是在小信号二极管和晶体管......
大突破：1nm晶体管在美国诞生！(2016-10-07)
，现在劳伦斯伯克利国家实验室走在了前面，它们的1nm晶体管由纳米碳管和二硫化钼（MoS2）制作而成。MoS2将担起原本半导体的职责，而纳米碳管则负责控制逻辑门中电子的流向。
眼下，这一......
突破工艺极限，美国开发出1nm制程技术与设备(2017-05-04)
劳伦斯伯克利国家实验室走在了前面，它们的1nm晶体管由纳米碳管和二硫化钼（MoS2）制作而成。MoS2将担起原本半导体的职责，而纳米碳管则负责控制逻辑门中电子的流向。
眼下，这一研究还停留在初级阶段，毕竟......
ch32f103c8t6与stm32f103c8t6的区别(2023-08-22)
ch32f103c8t6与stm32f103c8t6的区别;STM32F103C8T6是一款32位微处理器，属于STM32F1系列中的一员。它是一款廉价而且高性能的微处理器，被广泛应用于工控、通讯......
开拓环境新时代并为未来铁路提供支持的电容器(2022-02-11)
庭和办公室到大型系统和工厂，电力电子技术在高效利用电力能源方面发挥着重要作用。
2. 功率半导体：用于控制和转换电力的半导体的通称。常见的例子有功率晶体管、晶闸管和二极管。
3. IGBT：Insulated Gate......
基础知识之晶体管(2024-03-21)
工作原理不同分类，分为双极晶体管和单极晶体管。
双极晶体管
双是指Bi（2个）、极是指Polar（极性）。双极晶体管，即流经构成晶体管的半导体的电流由空穴（正极性）和电子（负极性）产生。一般而言的晶体管是指这种由硅构成的晶体管......
一文看懂3D晶体管(2016-11-01)
推出了3D 晶体管的的定义，而谈到3D 晶体管，就不能不谈Intel 的Tri-Gate 晶体管和台积电的FinFET 制程。我们来深入了解一下吧。
让硅半导体导电
硅半导体的......
半导体一代宗师施敏离世，其著作被称为半导体界《圣经》(2023-11-08)
System Technical Journal）上发表第1篇关于NVSM的论文《浮闸非挥发性半导体内存单元元件》，第1次阐述了形象数据存储的原理技术，由贝尔实验室取得专利。
这项技术使得晶体管......
延续摩尔定律，新型半导体研发实现新突破(2022-06-07)
研发上取得了新的进展。
据媒体报道，日前，一支由南洋理工大学、北京大学、清华大学和北京量子信息科学研究院的研究人员最近展示了利用范德华力成功地将单晶滴定锶一种高K钙钛矿氧化物）与二维半导体集成，这种方法可以为开发新型晶体管和......
集成高 k 钙钛矿氧化物和二维半导体的新型晶体管(2023-01-04)
集成高 k 钙钛矿氧化物和二维半导体的新型晶体管;
二维(2D)半导体，如二硫化钼和黑磷，可以与硅技术竞争，因为它们的原子级厚度，优异的物理性能，并与经典的互补金属氧化物半导体(CMOS)技术......
安世半导体将在汉堡投资2亿美元 研发下一代宽禁带半导体产品(2024-06-28 14:58)
首席运营官兼常务董事Achim Kempe表示：“这项投资巩固了我们作为节能半导体领先供应商的地位，使我们能够更负责任地利用可用电能。未来，我们的汉堡晶圆厂将覆盖全系列的宽禁带半导体，同时仍是最大的小信号二极管和晶体管......
安世半导体将在汉堡投资2亿美元 研发下一代宽禁带半导体产品(2024-06-28)
，同时仍是最大的小信号二极管和晶体管工厂。我们将继续坚定执行我们的战略，为标准应用和高耗能应用生产高质量、具有成本效益的半导体，同时应对我们这一代人面临的最大挑战之一：满足日益增长的能源需求，同时......
Nexperia将在汉堡投资2亿美元(2024-06-28)
，同时仍是最大的小信号二极管和晶体管工厂。我们将继续坚定执行我们的战略，为标准应用和高耗能应用生产高质量、具有成本效益的半导体，同时应对我们这一代人面临的最大挑战之一：满足......
西门子S7-200smart PLC不同类型CPU的区别(2024-02-03)
20、30、40或者60，为CPU性能参数等级。
1、SR和ST****的区别
表 1
ST可变为SR，加中间继电器即可，但是SR不能变为ST，因为继电器达不到晶体管的开关速度。
2、20、30、40......
干货总结｜晶体管的应用知识(2023-03-28)
。
它还有三个引脚：
· Gate(G)
· Source(S)
· Drain(D)
MOS的工作原理类似于BJT晶体管，但有一个重要的区别：
对于BJT晶体管，电流......
芯片算力创新、3D IC、Chiplet...2023芯和半导体用户大会专家论道热点技术(2023-10-26)
与高科技系统领域的众多前沿技术、成功应用与生态合作方面的最新成果。
主旨演讲部分，由中国集成电路协会副理事长于燮康作开幕致辞。芯和半导体的几位重量级用户和生态合作伙伴大咖纷纷上台，从汽......
3D DRAM时代即将到来，泛林集团这样构想3D DRAM的未来架构(2023-08-07)
是我们对架构的设想，涉及六个方面：
l 微缩问题
l 堆叠挑战
l 面积缩小
l 创新连接
l 通孔阵列
l 工艺要求
微缩问题
DRAM单元电路由一个晶体管和......
半导体未来三大支柱：先进封装、晶体管和互连(2024-12-23)
半导体未来三大支柱：先进封装、晶体管和互连;
英特尔在前沿技术领域的探索和布局具有行业标杆意义，其发布的技术路线图和成果为半导体行业提供了重要参考方向。
在IEDM 2024大会......
stm32引脚的VCC与VDD如何连接(2023-08-31)
作为单片机中的电源引脚，是最为关键的两个引脚之一。本文将介绍VCC和VDD的区别及其在单片机中的应用。
一、VCC与VDD的区别
在单片机中，VCC是最常见的电源引脚，通常......
特斯拉要削减碳化硅使用量，相关芯片制造商股价应声下跌(2023-03-03)
在谈到特斯拉的声明时写道：“新传动系统的逆变器将使用混合结构，”让硅晶体管和碳化硅晶体管一起工作，这样就能够处理诸如汽车加速期间所带来的负载峰值。而且“这种混合架构仅适用于新平台，也就是价格低、性能......
意法半导体ST－ONE系列USD PD控制器功率提高到140W(2023-04-12 13:53)
-ONEHP 非常适合与意法半导体的单封装集成了公司的第三代氮化镓 (GaN) 功率晶体管和优化的栅极驱动器的MasterGaN芯片一起使用。与传统的硅晶体管相比，该SiP解决......
意法半导体ST－ONE系列USD PD控制器功率提高到140W(2023-04-12 13:53)
-ONEHP 非常适合与意法半导体的单封装集成了公司的第三代氮化镓 (GaN) 功率晶体管和优化的栅极驱动器的MasterGaN芯片一起使用。与传统的硅晶体管相比，该SiP解决......
意法半导体ST-ONE系列USD PD控制器功率提高到140W(2023-04-12)
控制器有64KByte 闪存，可以存储定制功率转换固件。
ST-ONEHP 非常适合与意法半导体的单封装集成了公司的第三代氮化镓 (GaN) 功率晶体管和优化的栅极驱动器的MasterGaN芯片一起使用。与传统的硅晶体管......
中资芯片制造商安世半导体遭黑客攻击(2024-04-15)
中资芯片制造商安世半导体遭黑客攻击;
业内消息，近日中资荷兰 Nexperia（安世半导体）遭遇网络攻击：3 月份未经授权的第三方访问了安世半导体的服务器。RTL Nieuws 称犯......
2022年全球功率半导体销售额同比增长11％(2022-10-09)
大流行爆发和2020年全球紧急封锁后开始增加产量。电力晶体管和其他广泛使用的半导体的供应紧张和短缺，使许多制造业工业部门（尤其是汽车和工业设备）的平均销售价格居高不下，尽管最近经济增长放缓，消费......
英特尔展示下一代晶体管微缩技术突破，将用于未来制程节点(2023-12-10)
进一步微缩和高能效比供电的前沿技术。”
晶体管微缩和背面供电是满足世界对更强大算力指数级增长需求的关键。一直以来，英特尔始终致力于满足算力需求，表明其技术创新将继续推动半导体行业发展，也仍然是摩尔定律的“基石......
帮助电源解决方案遵循摩尔定律(2024-05-06)
能量存储为主。与低压半导体一样，这类元件每十年的关键品质因数 (FOM) 往往会比每年翻一番。与电源解决方案有什么关系？对电子和电气设备路线图发展速度的考虑通常会围绕[2]，这更多的是晶体管缩放的经济趋势，而不......
英特尔在IEDM 2023上展示3D堆叠、背面供电、背面触点研究成果(2023-12-10)
尔始终致力于满足算力需求，表明其技术创新将继续推动半导体行业发展，也仍然是摩尔定律的“基石”。英特尔组件研究团队不断拓展工程技术的边界，包括晶体管堆叠，背面供电技术的提升（有助于晶体管......
英特尔在IEDM 2023上展示3D堆叠、背面供电、背面触点研究成果(2023-12-11 11:28)
进一步微缩和高能效比供电的前沿技术。”——英特尔公司高级副总裁兼组件研究总经理Sanjay Natarajan晶体管微缩和背面供电是满足世界对更强大算力指数级增长需求的关键。一直以来，英特尔始终致力于满足算力需求，表明其技术创新将继续推动半导体......
Nexperia首次推出 用于48 V汽车和其他更高电压总线电路的80 V RET(2021-01-12)
Nexperia首次推出 用于48 V汽车和其他更高电压总线电路的80 V RET;奈梅亨，2021年1月12日：半导体基础元器件领域的高产能生产专家今天首次宣布推出80 V RET（配电阻晶体管......
功率晶体管，连续六年创新高(2022-10-09)
年增长率 (CAGR) 为 5.5% 。
自 2021 年以来，功率晶体管价格一直走高，当时许多系统制造商在 Covid-19 病毒大流行和 2020 年全球紧急封锁爆发后开始提高产量。功率晶体管和其他广泛使用的半导体......
基于晶体管的测试仪电路(2023-06-25)
结。
下面介绍的第一个电路是基于晶体管的测试仪，非常容易开发，并且具有良好的安全优势，因为它的探头对被测电路产生的电流不超过50μA。
因此，它可以安全地用于对大多数标准IC和半导体......
抢占竞争制高点？国内氧化镓功率器件研发取得重要进展(2022-08-31)
器件在相同耐压情况下具有更低的导通电阻，应用于电能转换领域将实现更低的功耗和更高的转换效率。因此，近年来，氧化镓半导体已成为半导体国际研究热点和大国技术竞争制高点。
西安电子科技大学研究团队通过一系列技术创新实现了氧化镓功率二极管和功率晶体管......
摩尔定律是否走到尽头？半导体巨头CEO观点出现严重分歧(2022-09-30)
求提高制程技术。
Gelsinger表示摩尔定律依然有效，但黄仁勳却觉得增加晶体管和摩尔定律进步已走到尽头，摩尔定律已死。两家公司CEO看法不同，可说是半导体业界的严重分歧。
市场人士表示，英特......
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Rectifier)（不包括平面高压MOSFET）的产品线。
威世半导体的产品系列包括整流器、快速恢复二极管、高功率二极管和半导体闸流管、小信号二极管、齐纳二极管和抑制器二极管、RF晶体管、光电元件、电源块（功率
;香港奥创物资有限公司;;我公司专门制造半导体元件，如二极管，晶体管和集成电路。希望与你建立业务关系。
. 通用逻辑IC（CMOS逻辑IC） e. 通用线性IC（运放和比较器,马达驱动IC,电源IC, etc） f. 光电半导体（LD,LED,光传感器,光耦合和光中继,etc） g. 晶体管（小信号双极晶体管和
;无锡固电半导体股份有限公司;;isc固电半导体的事业始于1991年，位于江苏省无锡新区创新产业园，拥有40亩土地及一万多平方米厂房，主营双极型晶体管、场效应晶体管MOSFET、可控硅、肖特
;深圳市品电科技有限公司销售部;;深圳市品电科技有限公司是一家专业的电力半导体器件制造、销售商，公司以设计、生产、销售半导体功率器件芯片、功率模块为主。凭借公司数十位专业工程师的共同协作努力，公司拥有一套自主的生产半导体功率芯片和半导体
;杭州贝琪半导体有限公司;;主代理“长电”晶体管
;中策科技;;代理华晶\BCD等IC 晶体管\半导体器件\MP3方案
于绿色节能节能照明设备、开关电源等领域）、肖特基二极管、可控硅、变容二极管和MOSFET系列功率晶体管等半导体功率器件产品。目前公司用于节能灯、电子镇流器、电子变压器等领域的大功率晶体管
;安丘市科威电子有限公司;;我公司已有13年半导体器件生产历史,设备先进,测试仪器齐全,例行实验设施完善。主要产品有:１．ＮＰＮ硅低频大功率晶体管 3DD1-3DD12,3DD21
公司成立于1974年，主要提供多种超小型贴片封装和低功耗 的分立半导体器件。将推出一系列超小封装二极管，晶体管，肖特基整流器，新一代小信号场效应管低，全新400V晶闸管 (SCR)。Central还将