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应用的特殊驱动电路 灌流电路MOS管和普通晶体三极管相比有诸多的优点,但是在作为大功率开关管应用时,由于MOS管具有的容性输入特性,MOS管的输入端等于是一个小电容器,输入的开关激励信号。 实际......
,其开关管的损坏率大幅度的降低,近两年电视机开关电源采用MOS管代替过去的普通晶体三极管后,开关管......
温度升高是逐步下降,这就形成了管温继续上升、耐压继续下降最终导致晶体三极管的击穿,这是一种导致电视机开关电源管和行输出管损坏率占95%的破环性的热电击穿现象,也称为二次击穿现象。MOS管具......
因温度上升而导致沟道电流IDS下降的负温度电流特性,使之不会产生恶性循环而热击穿。也就是MOS管没有二次击穿现象,可见采用MOS管作为开关管,其开关管的损坏率大幅度的降低,近两年电视机开关电源采用MOS管代......
NMOS和PMOS详解(2023-12-19)
,虽然PMOS可以很方便地用作高端驱动,但由于导通电阻大,价格贵,替换种类少等原因,在高端驱动中,通常还是使用NMOS。 2. MOS开关管损失 不管是NMOS还是PMOS,导通......
STM32的GPIO介绍(2024-02-03)
责正负半周的波形放大任务。电路工作时,两只对称的功率开关管每次只有一个导通,所以导通损耗小、效率高。输出既可以向负载灌电流,也可以从负载抽取电流。推拉式输出级既提高电路的负载能力,又提高开关速度。 开漏输出和推挽输出的区别......
STM32中GPIO工作原理详解(2024-10-26 11:28:55)
式输出级既提高电路的负载能力,又提高开关速度。 开漏输出和推挽输出的区别? 开漏输出:只可以输出强低电平,高电......
以从负载抽取电流。推拉式输出级既提高电路的负载能力,又提高开关速度。 开漏输出和推挽输出的区别? 开漏输出:只可以输出强低电平,高电平得靠外部电阻拉高。输出端相当于三极管的集电极。适合于做电流型的驱动,其吸......
既可以向负载灌电流,也可以从负载抽取电流。推拉式输出级既提高电路的负载能力,又提高开关速度。 开漏输出和推挽输出的区别? 开漏输出:只可以输出强低电平,高电平得靠外部电阻拉高。输出端相当于三极管的集电极。适合......
既可以向负载灌电流,也可以从负载抽取电流。推拉式输出级既提高电路的负载能力,又提高开关速度。 2、开漏输出和推挽输出的区别? 开漏输出:只可以输出强低电平,高电平得靠外部电阻拉高。输出端相当于三极管的......
电压和其他参数可以看具体器件的SPEC。 对PMOS来说,Vs-Vg>Vgs(th),即S极和G极的压差大于一定值,MOS管会导通,同样的,具体参数看器件的SPEC。 ▉ 与三极管的区别 三极管是电流控制,MOS管是......
、开漏输出和推挽输出的区别? 开漏输出:只可以输出强低电平,高电平得靠外部电阻拉高。输出端相当于三极管的集电极。适合于做电流型的驱动,其吸收电流的能力相对强(一般20ma以内); 推挽输出:可以......
别受两互补信号的控制,总是在一个三极管或MOS管导通的时候另一个截止。高低电平由输出电平决定。 推挽电路是两个参数相同的三极管或MOSFET,以推挽方式存在于电路中,各负责正负半周的波形放大任务。电路工作时,两只对称的功率开关管......
式输出级既提高电路的负载能力,又提高开关速度。 2、开漏输出和推挽输出的区别? 开漏输出:只可以输出强低电平,高电平得靠外部电阻拉高。输出端相当于三极管的集电极。适合于做电流型的驱动,其吸收电流的能力相对强(一般......
电源 这里的单端指的是高频变换器的磁芯只会工作在其中一侧(二极管的作用),而反激的意思是当开关管导通时,高频变压器的初级线圈的感应电压为上正下负,整流二极管处于截至状态,初级......
导通损耗小、效率高。输出既可以向负载灌电流,也可以从负载抽取电流。推拉式输出级既提高电路的负载能力,又提高开关速度。 2、开漏输出和推挽输出的区别? 开漏输出:只可以输出强低电平,高电平得靠外部电阻拉高。输出端相当于三极管的......
既可以向负载灌电流,也可以从负载抽取电流。推拉式输出级既提高电路的负载能力,又提高开关速度。 2、开漏输出和推挽输出的区别? 开漏输出:只可以输出强低电平,高电平得靠外部电阻拉高。输出端相当于三极管的集电极。适合......
别受两互补信号的控制,总是在一个三极管或MOS管导通的时候另一个截止。高低电平由输出电平决定。 推挽电路是两个参数相同的三极管或MOSFET,以推挽方式存在于电路中,各负责正负半周的波形放大任务。电路工作时,两只对称的功率开关管......
在一个三极管或 MOS 管导通的时候另一个截止。高低电平由输出电平决定。 推挽电路是两个参数相同的三极管或 MOSFET,以推挽方式存在于电路中,各负责正负半周的波形放大任务。电路工作时,两只对称的功率开关管......
较小的电磁干扰。 贝岭型号推荐: 3.2  手机充电器对功率MOSFET技术需求2 手机充电器中整流开关管和VBUS开关管技术需求如下: 1.高击穿电压:保证开关MOS能够不被击穿; 2.低内阻:导通......
到稳定输出的目的; 交流电源输入时一般要经过厄流圈一类的东西,过滤掉电网上的干扰,同时也过滤掉电源对电网的干扰; 在功率相同时,开关频率越高,开关变压器的体积就越小,但对开关管的要求就越高; 开关......
这两种增强型MOS管,比较常用的是NMOS,原因是导通电阻小且容易制造,所以开关电源和马达驱动的应用中,一般都用NMOS,下面的介绍中也多以NMOS为主。 MOS管的......
计中需要类似的功率器件。在这期间,随着电机、螺线管和燃油喷射器日益普及,车用功率MOSFET也不断发展壮大。 汽车电子 在汽车电子领域,MOS管的应用是非常普遍的。其中大部分是用作开关管的,从电......
导通门限电压,Q2导通,也就是说Vout输出导通。 开关管Q1 可以选择NMOS或者NPN三极管,根据MCU的IO电压来选择MOS管的开启电压要大于三极管的......
基极均为低电平,驱动电路简单。 主要缺点 :变压器绕组利用率低、对开关管的耐压要求比较高(至少......
SiC MOS管的大量使用,在开关过程中会出现尖峰,这与电压电流的瞬态变化以及寄生参数 (电感、电容) 有关,特别是针对高频开关。在SiC MOS开通过程中,伴随很大的电压瞬变,即dv/dt,从而......
扇区,其仿真结果也是符合要求的。 合成向量的表示方法: 接下来就是我们通过控制开关管的开通顺序来产生所需的向量了。目前常用的分为5段式和7段式两种开关方式。但是考虑到散热以及谐波问题,我采用了7段式开关......
放的电路中用于放大作用。 MOS管,大多都是TO-220的封装,用在开关电源中,用作开关管,频率高,内阻小。 可控硅,有TO-92的封装和TO-220的封装,可以控制交流,可以控制直流,应用......
外一个电容加大。 22、将共模电感前加一个小的几百 uH 差模电感。 23、将开关管和散热器用一段铜箔包绕起来,并且铜箔两端短接在一起,再用一根铜线连接到地。 24、将共......
关断驱动 MOS管一般都是慢开快关。在关断瞬间驱动电路能提供一个尽可能低阻抗的通路供MOSFET栅源极间电容电压快速泄放,保证开关管......
电感 6. DC/DC 变压器 ● PFC 开关管和DC/DC 开关管的辐射原理如上面所述,属于电压驱动模式的驱动源,升压电感和变压器属于差模骚扰源,主要......
MOS管的开通和关断时间都非常短,平台电压也非常窄,可有效降低开关损耗。 图8:电机调速电路 关于三极管和MOS管的特性,前面......
几种常用的驱动电路!(2024-12-20 15:49:48)
减少了关断时间,开关管能快速开通且避免上升沿的高频振荡。 三、加速关断驱动 MOS管一......
中储存增长,在L2中则因为开关管的基极为正,发射极为负的正反馈电压,此时开关管会很快处于饱和状态,同时感应电压会给电容C1充电,C1充电的电压增高会使得开关管VT1的基极电压逐渐减小,当它......
显得尤其重要了。 二、MOS管驱动要求 一个好的MOSFET驱动电路有以下几点要求: (1)开关管开通瞬时,驱动电路应能提供足够大的充电电流使MOSFET栅源极间电压迅速上升到所需值,保证开关管......
管取代续流二极管,然后通过控制器同时控制开关管和同步整流管,要保证两个 MOS 管不能同时导通,负责......
) , 可以等效看做是MOS管和三极管的结合体。 图片来源:华秋商城 回顾三极管和MOS......
。 III.有源整流电路设计方案 整流电路设计采用 90 nm BCD 工艺,由四个合理控制的功率开关管构成。这四个NMOS 晶体管起到等效二极管的作用,当晶体管导通时,正电流从源极流向漏极,实现......
驱动好处是提升电流提供能力,迅速完成对于栅极输入电容电荷的充电过程。这种拓扑增加了导通所需要的时间,但是减少了关断时间,开关管能快速开通且避免上升沿的高频振荡。 加速关断驱动 MOS管一般都是慢开快关。在关......
故障很容易高压烧毁低压端的单片机。 低压控制高压,最好做隔离,上图为使用光耦隔离的控制方式,也可以使用其它物理隔离芯片。 (2)使用三极管、MOS管的控制方式 上图是使用MOS管作开关的电路原理图,因为是交流电,使用两个N......
反激隔离式开关电源的工作过程;反激隔离式变压器,首先其是反激式,符合“反激”的定义,即:反激是开关管截止时,传输能量;其次,其有一个隔离式变压器,这个变压器起到隔离作用,同时会有一个匝数比,匝数比与开关管的......
硬件工程师入门基础元器件与电路原理; 本文介绍了硬件工程师入门的基础元器件,包括二极管、三极管、MOS管和IGBT。对比了肖特基二极管与硅二极管的特性,探讨了三极管作为开关......
电机是意大利YSA公司研制的高速主轴电机,电机具体参数如表1所示。电机控制方式为有速度FOC,如图4所示为IPM的W相桥臂开关管的dv/dt。 表1 高速电机参数 实验工况一 在空......
半桥不对称 PWM 控制变换器; 不对称脉宽调制半桥 DC/DCZVS变换器通过改变控制策略而不需增加额外的电子元器件,就能保持谐振变换器中的主开关管零电压导通,同时......
需要介绍一些开漏输出和开集输出。这两种输出的原理和特性基本是类似的,区别在于一个是使用MOS管,其中的"漏"指的就是MOS管的漏极;另一个使用三极管,其中的"集"指的就是MOS三极管的集电极。这两......
升压电路(防反接)+控制电路(推挽式) 在DC-DC升压电路中,选用MOSFET作为开关器件,场效应管所需承受的最大电压约为20-30V左右,选型时MOS管的最大耐受电压应留有余量一般会选择40V以上......
芯片可以分为单驱芯片与双驱芯片。其中双驱芯片通常用于半桥、全桥等电源拓扑,因为需要一对互补的控制信号。而单驱芯片则更适用于buck、boost、反激等电源拓扑。 二、功率开关管常用驱动 1、MOSFET驱动......
过电子电路控制使它可以任意调节它的频率的交流电。 逆变器与变频器的后半部差不多,就是把直流电变为交流电。那么逆变器高频的频率一般是多少?一般在30-50HZ,太高的频率下,功率开关管的工作有可能会异常,包括......
针对LED而设计,集成PFC,功率因数很高。工作在临界导通模式,降低了开关管的开关损耗;省去光耦和相关电路,降低了成本;采用独特的开关管控制技术,对开关管和快恢复二极管的要求大大降低,与一些必须选择昂贵开关管和二极管的......
导致GaN开关管损坏。 NSD2621上下管的驱动输出都集成了内部稳压器LDO,可以有效抑制VDD或BST引入的高频干扰,避免损坏GaN开关管。此外NSD2621可以灵活地选择6V/5.5V/5V不同......

相关企业

;深圳富邦科技有限公司;;我司代理电源管理IC,现在有很多内置三极管和MOS管的电源IC方案,100W以内的都有方案,主要品牌有:亚成微,微盟,芯联,芯龙,信安,BYD。各种性IC和MOS管的性价比非常高。
经营范围为设计、制造真空开关管(真空灭弧室)及销售本企业产品,提供本企业产品的售后服务。 合资公司的前身是锦州华光电力电子(集团)公司的陶瓷真空开关管(真空灭弧室)生产线。锦州华光电力电子(集团)公司是中国专业生产真空开关管的
;深圳市正瑞恩电子有限公司;;〈MOS、FET场效应管〉、三端稳压、肖特基、开关管、高频、整流、快恢复、变容管、稳压管、升压IC、降压IC、复位IC、〉、封装: SOD-523、SOT-523
;杭州中通电子有限公司;;是一家专业的电子元器件供应商。主要产品有:贴片二极管(肖特基、整流管、稳压管、变容管、开关管)、三极管(高频管、达林顿、带阻管、MOS场效应管)、电容、钽电容、电阻、集成
管、场效应管、达林顿管,MOS、FET场效应管、三端稳压、肖特基、开关管、高频、整流、快恢复、变容管、稳压管、升压IC、降压IC、复位IC、集成IC,高压电容,电容,电感,光藕,发光管,瓷珠,电阻等贴片电子元器件
;菱威有限公司;;我司代理台湾富鼎的MOS管和亿光的LED.有代理证.
应管、三端稳压、肖特基、开关管、高频、整流、快恢复、变容管、稳压管、升压IC、降压IC、复位IC、〉、 封装: SOD-523、SOT-523、《SOT-323-4、5、6、》、《SOT-23-4、5、6
牌。我们的产品包括微波管,高频低噪声MMIC扩音,放大管,开关管,PIN,肖特基混频检波管,RF功率,功放管,场效应管。高频二、三极管、检波、微波器件、大功率高频管和基准电压源等。公司以“信誉
;梅安茶庄;;清香型安溪铁观音和浓香型安溪铁观音最主要的区别就在于:浓香型在精制工艺上多了一道烘焙工序,因而冲泡时汤色较浓。 浓香型产品精制工艺:毛茶→验收→归堆→投放→筛分→风选→拣剔→号茶
;晶顺昌科技有限公司;;销售半导体器件.如:三极管,可控硅,MOS管,三端稳压管和部分IC