资讯
8月1日起！中国正式限制镓、锗等芯片关键材料出口(2023-08-01)
中指出，镓相关物项包含氮化镓、砷化镓、铟镓砷等;锗相关物项包含磷锗锌、锗外延生长衬底、二氧化锗等。
此举也引发了海外厂商囤货，因为没有这些是生产的关键材料，没有将没办法生产。
与铜......
2026年全球GaN射频器件市场预计超过24亿美元(2021-06-08)
2026年全球GaN射频器件市场预计超过24亿美元;氮化镓是一种无机物，化学式GaN，是氮和镓的化合物，是一种直接能隙（direct bandgap）的半导体，可以用在高功率、高速的光电元件中。
在......
半导体贵族砷化镓，蠢蠢欲动(2024-09-29)
用于制作LED；半绝缘砷化镓则应用到微电子领域，单晶生长方法有VGF、VB、液封直拉法（LEC），单晶尺寸有Φ4”和Φ6”，主要用于制作射频(RF)功率器件。此外，砷化镓还有另一种模拟生长工艺方法，是通过计算机来实现砷化镓的......
GaN在射频功率领域会所向披靡吗？(2017-08-01)
圆和大量射频硅代工厂。因此，它很快就会以价格为竞争优势对抗现有硅和砷化镓技术，理所当然会威胁它们根深蒂固的市场。
碳化硅衬底氮化镓： 这是射频氮化镓的“高端”版本，SiC衬底氮化镓可以提供最高功率级别的氮化镓......
三菱电机入局最强半导体，氧化镓将在10年后打败第三代半导体(2023-08-07)
。
氧化镓的禁带宽公开报道是4.9eV，砷化镓的禁带宽为1.6eV，氮化镓是3.36eV。另据报道，硅的禁带宽为1.1eV，如果干瘪的数字不好比较，那我们就打一个比方：假如4.9eV与3.36eV......
又贵又强的砷化镓电池 未来能便宜点吗(2024-04-10)
箭，其每千克载荷的发射成本也在两万元左右，而其他不可重复使用的火箭，发射每千克载荷上天的成本就更高了。
除了有利于降低航天发射成本，砷化镓的另一个优势也利于太空环境，那就是其超强的抗辐射性。
外太......
巨光东来第三代砷化镓太阳能电池项目签约天津(2024-10-31 14:17)
，到太阳能电池片，再到5G通信射频器件，砷化镓的需求日益明朗且不断上升，砷化镓产业链正迎来一个前所未有的增长机遇。......
下一代半导体：一路向宽，一路向窄(2021-09-28)
禁带可用于制造大功率的紫外光源。
在超宽禁带半导体中，氮化铝镓（氮化铝和氮化镓的合金材料）、氧化镓、金刚石是较有代表性的几个方向。
与氧化镓、金刚石等禁带宽度相对固定的材料不同，氮化铝镓的......
射频从业者必看，全球最大的砷化镓晶圆代工龙头解读(2017-02-08)
增长了对射频器件的需求。
由于3-5族的元件物理特性远优于Si制程元件(低耗、体积小、放大效率佳、高频线性度佳等等) , 故风水转回3-5族元件，这就让相关的产业链厂商大放异彩。其中砷化镓......
氮化镓在采用图腾柱 PFC 的电源设计中达到高效率(2023-10-08)
将这种效率效益外推到实际的例证，使用采用氮化镓的图腾柱PFC有助于100 MW数据中心在 10 年内节省多达1490万美元的能源成本，以及减少二氧化碳排放量的额外效益。 TI 氮化镓中......
苏州半导体激光创新研究院、中科院苏州纳米所“氮化镓激光器联合实验室”揭牌成立(2022-11-30)
开展相关方向的导向性研究，填补国内在氮化镓的蓝绿光激光器等第三代半导体光电器件领域的空白。
苏州半导体激光创新研究院董事长闵大勇表示，长光华芯正处于上市后的快速发展阶段，建设“氮化镓激光器联合实验室”是研......
氮化镓激光芯片终于实现国产，氮化镓正在向快充以外的市场进军(2023-08-29)
三代半导体，除了碳化硅，就是近几年声名鹊起，后来者居上的“氮化镓”了。
氮化镓作为第三代半导体材料的前沿代表，与前代半导体材料相比，多项指标有显著提升。氮化镓是氮和镓的......
“半导体口粮”出口管制影响多大？上市公司回应来了(2023-07-05)
大概率会引起下游产品价格变动。
以金属镓为例，目前我国金属镓的消费领域包括半导体和光电材料、太阳能电池、合金、医疗器械、磁性材料等。在半导体材料领域，金属镓是砷化镓、氮化镓的重要原料之一。
国金......
如果中国切断芯片制造材料供应，世界将付出高昂代价(2023-10-12)
如果中国切断芯片制造材料供应，世界将付出高昂代价;就在中国宣布限制对制造至关重要的锗和镓的出口一个月后，其材料的海外出货量降至零。北京表示，此后已批准了一些出口许可证，但这......
全球稀土之争(2023-12-28)
无法将中国排除在矿产供应链之外。
最近，美国宣布，五角大楼已经采取措施，增加国内锗和镓的开采和加工，同时展开废品回收提纯镓和锗再利用的工作。大宗商品巨头托克旗下Nyrstar正考......
摩尔定律对半导体行业的加速度已经明显放缓(2023-03-27)
都表现出了相当的渗透力。1.GaN在5G方面的应用射频氮化镓技术是5G的绝配，基站功放使用氮化镓。氮化镓（GaN）、砷化镓（GaAs）和磷化铟（InP）是射频应用中常用的半导体材料。与砷化镓......
最新回应！事关“芯片新粮食”出口管制(2023-07-04)
在第二次世界大战期间就被认为是一种战略性和关键金属，目前镓的世界总储量约23万吨，中国的镓金属储量居世界第一，约占世界总储量的80%-85%。其中：
被列入出口管制中的砷化镓作为第二代半导体材料的代表，在高频、高速......
3000W！GaN打入电动车无线充市场(2024-01-03)
3000W！GaN打入电动车无线充市场;最近，国内一家氮化镓企业实现市场应用新突破。
12月29日，致能科技宣布，他们与合作伙伴共同完成了基于氮化镓（GaN）技术......
Normally-off D-Mode 氮化镓晶体管的根本优势(2023-10-16)
自然特性协同工作，并且与今天的硅技术向后兼容。它允许平台元素，特别是2DEG，发挥它们的最佳作用。因此，与其通过Normally-off E-Mode（p-氮化镓栅极）限制氮化镓的优势，Normally-off......
英国格拉斯哥大学将由砷化镓制成的微型半导体打印到柔性表面(2022-07-19)
英国格拉斯哥大学将由砷化镓制成的微型半导体打印到柔性表面;据科技日报7月17日报道，英国格拉斯哥大学科学家找到一种新方法，可以将由砷化镓制成的微型半导体打印到柔性塑料表面，所得......
世界上最大的超6英寸GaN籽晶问世！(2022-03-17)
器件的低成本化。
Source：丰田合成
据介绍，为制造超过6英寸的GaN 衬底，丰田合成与大阪大学采用了钠助熔剂法（Sodium Flux Method），该方法是在钠和镓的液态金属中生长 GaN 晶体。基于......
Transphorm按功率段发布氮化镓功率管可靠性评估数据(2022-12-16)
Transphorm按功率段发布氮化镓功率管可靠性评估数据;高可靠性、高性能氮化镓(GaN)电源转换产品的先锋企业和全球供货商, Inc. (Nasdaq: TGAN)今日发布了针对其的最......
中国为何宣布对镓和锗实行出口管制？专家这么看(2023-07-04)
一份报告显示，镓早在第二次世界大战期间就被认为是一种战略性和关键金属，目前镓的世界总储量约23万吨，中国的镓金属储量居世界第一，约占世界总储量的80%-85%。其中被列入出口管制中的砷化镓......
性能比硅优越的半导体材料，立方砷化硼取得研究进展(2022-07-25)
性能比硅优越的半导体材料，立方砷化硼取得研究进展;立方砷化硼是一种媲美金刚石的超高热导率半导体，自2018年以来受到广泛关注，更被称为可能是最好的半导体材料，但一直不确定是否商用化。直到最近，麻省......
PI推出900V氮化镓InnoSwitch3-AQ，加速取代12V铅酸电池(2023-03-30)
满足汽车中的不同电压和功率等级，PI已先后推出包括750V、900V硅功率开关以及1700V碳化硅产品，而900V氮化镓的推出，更是将功率提升至100W。
900V氮化镓的优势
最新的氮化镓......
Transphorm按功率段发布氮化镓功率管可靠性评估数据(2022-12-16)
戈利塔—2012年12月15 日--高可靠性、高性能氮化镓(GaN)电源转换产品的先锋企业和全球供货商Transphorm, Inc. (Nasdaq: TGAN)今日发布了针对其氮化镓功率管的最......
光电子先导院亮相第25届中国国际光电博览会(2024-09-11)
子先导院”）已连续八年参展。在时间沉淀与创新升级中，该公司已经具备砷化镓（GaAs）基化合物光电芯片研发、中试代工、检测等全流程技术服务能力，已经开发了基于砷化镓材料的VCSEL（垂直腔面发射激光器）单孔......
Transphorm按功率段发布氮化镓功率管可靠性评估数据(2022-12-22)
(GaN)电源转换产品的先锋企业和全球供货商Transphorm (Nasdaq: TGAN)今日发布了针对其氮化镓功率管的最新可靠性评估数据。评估可靠性使用的失效率（FIT）是分......
解读射频前端，5G的必争之地(2016-12-26)
%。
砷化镓器件应用于消费电子射频功放，是 3G/4G 通讯应用的主力，物联网将是其未来应用的蓝海；氮化镓器件则以高性能特点目前广泛应用于基站、雷达、电子战等军工领域，利润率高且战略位置显著，由于......
GaN将成PA主流技术，这家公司恐成最大赢家(2017-07-27)
回程网络等相关组件，同一时段CAGR各为12.5%、5.3%。 再者，鉴于效能较高、体积较小且稳定性较佳，砷化镓(GaAs)、GaN等固态技术将在国防应用上逐渐取代真空管，提供RF功率组件更多发展机会。 Yole预期......
无锡吴越半导体展出GaN晶体 全球首次厚度突破1厘米？(2021-12-16)
无锡吴越半导体展出GaN晶体 全球首次厚度突破1厘米？;据无锡高新区消息，12月15日，吴越半导体GaN晶体出片仪式在无锡高新区举行。仪式上，吴越半导体展出了全球范围内首次厚度突破1厘米的氮化镓......
“白菜化”的有源相控阵雷达(2024-01-12)
万吨，中国的镓金属储量居世界第一，约占世界总储量的 80%-85%，而我国的镓产量则是压倒性的占到了全球产量的90%到95%。而作为镓的化合物，砷化镓、则是重要的制造。不知......
纳微半导体在上海成立全球首家针对电动汽车的氮化镓功率芯片设计中心(2022-01-14)
达克代码：NVTS）宣布开设新的电动汽车 (EV) 设计中心，进一步扩展到更高功率的氮化镓市场。与传统的硅解决方案相比，基于氮化镓的车载充电器 (OBC) 的充电速度估计快 3 倍，节能高达 70%。据估......
日本大厂，布局汽车GaN器件，但高成本仍是障碍(2024-10-21)
成本仍是一个障碍。
功率损耗更小、效率更高的功率半导体器件被称为下一代产品，氮化镓正在与碳化硅（SiC）竞争电动汽车功率半导体器件的应用。
氮化镓的......
PA去库存临近尾声 2023或成模组化元年(2023-02-19)
更稳健的渠道布局。
在下游吃紧的形势下，寒气早已弥散至产业链各大环节。从代工方面看，受手机厂商库存去化影响，在2022年里稳懋、宏捷科、全新等上游砷化镓代工厂的产能利用率一再下滑，营收都跌至近年来的最低点。据一......
SiC与GaN助力宽禁带半导体时代到来！(2021-01-04)
了她对宽禁带半导体市场发展的分析以及对特定新兴市场的预测。
Power Electronics News（PEN）: 您是YoleDéveloppement半导体和新兴材料部门的成员，研究范围涉及碳化硅、氮化镓、砷化镓和磷化铟以及新兴材料趋势。您认为，宽禁......
氧化镓商业化脚步临近，或将与碳化硅直接竞争(2023-09-22)
的吸收截至边界及超强的透明导电性等优异的物理性能。此外，氧化镓的化学和热稳定性也很好，能够在恶劣环境或者高温环境下保持稳定性。同时能以比碳化硅和氮化镓更低的成本获得大尺寸、高质量、可掺......
Power Integrations推出具有里程碑意义的1250V氮化镓开关IC(2023-10-31)
技术的开发和商业应用推进至业界最高水平。这甚至淘汰了业界最好的高压硅MOSFET的使用。我们于2019年即率先向市场大批量出货了基于氮化镓的电源IC产品，并于今年早些时候推出了基于氮化镓的900V的InnoSwitch新品。我们持续开发更高电压的氮化镓......
Transphorm按功率段发布氮化镓功率管可靠性评估数据(2022-12-16)
转换产品的先锋企业和全球供货商Transphorm, Inc. (Nasdaq: TGAN)今日发布了针对其氮化镓功率管的最新可靠性评估数据。评估可靠性使用的失效率（FIT）是分......
Transphorm按功率段发布氮化镓功率管可靠性评估数据(2022-12-16 09:12)
制造商。此后，该公司定期分享其氮化镓器件可靠性成果，以帮助潜在客户在选择半导体供应商时, 能根据数据做出正确的判断。Transphorm 2022年第一季度发布的最近......
Power Integrations推出具有里程碑意义的1250V氮化镓开关IC(2023-10-31 11:04)
至淘汰了业界最好的高压硅MOSFET的使用。我们于2019年即率先向市场大批量出货了基于氮化镓的电源IC产品，并于今年早些时候推出了基于氮化镓的900V的InnoSwitch新品。我们持续开发更高电压的氮化镓技术，比如......
高通PA杀入供应链，大补贴抢市场吓慌Skyworks(2017-08-02)
供应商采用砷化镓（GaAs）工艺不同。但是由于CMOS的性能问题始终没能得到有效解决，于是在今年早期，高通开始转向GaAs工艺。
高通更宣布与日系零组件大厂TDK合资，拟在......
35亿元，山东菏泽砷化镓半导体晶片项目开工(2024-02-29)
35亿元，山东菏泽砷化镓半导体晶片项目开工;菏泽市牡丹区吴店镇消息显示，2月26日，吴店镇举办2024年春季吴店镇省重点项目建设现场推进会暨砷化镓半导体晶片项目开工奠基仪式。
据悉，菏泽市牡丹区砷化镓......
GaN材料成本直降90%，“挤掉”SiC提上日程？(2023-09-19)
亿颗。
Doug Bailey也表达了类似的观点。“其他公司可能会存在价格、数量或供应链问题，但我们没有。因为Power Integrations发现，使用氮化镓的最佳方法是围绕它构建一个系统。"
他以......
总投资60亿元的先进化合物半导体项目落户江苏宜兴(2022-03-16)
科技先进化合物半导体材料及元器件项目总投资60亿元。
项目建成后，将应用以砷化镓为主，包括磷化铟、氮化镓及碳化硅等在内的新一代半导体材料，开发新一代显示和照明芯片、超高效率薄膜太阳电池、高性能激光器，以及......
国电机及电子工程师学会(FIEEE)院士Tom Jahns表示：“看到基于氮化镓的双向开关距离商业化量产越来越近，非常令人激动。电力电子工程师们一直焦急地期待着MOS栅极双向开关产品上市，因为......
60亿元德融科技先进化合物半导体材料及元器件项目落户宜兴(2022-03-15)
正式落户宜兴经济技术开发区。
据悉，该项目总投资60亿元，项目建成后，将应用以砷化镓为主，包括磷化铟、氮化镓及碳化硅等在内的新一代半导体材料，开发新一代显示和照明芯片、超高效率薄膜太阳电池、高性能激光器，以及......
中国研发再突破！15亿美元的氧化镓市场如何引发多国博弈？(2022-05-12)
中国研发再突破！15亿美元的氧化镓市场如何引发多国博弈？;近日，国内对第四代半导体材料——氧化镓的研发迎来了新的突破。
据“浙大杭州科创中心”消息，该中心先进半导体研究院发明了全新的熔体法技术路线来研制氧化镓......
格创·华芯砷化镓晶圆生产基地设备进机(2024-08-06)
格创·华芯砷化镓晶圆生产基地设备进机;据珠海高新区消息，8月3日上午，格创·华芯半导体园区落成暨设备进机仪式举行。
格创·华芯半导体园区总投资33.87亿元，是格......
三安集成于EDICON24展示新一代砷化镓射频器件制造工艺(2024-04-10 14:07)
三安集成于EDICON24展示新一代砷化镓射频器件制造工艺;EDICON CHINA 2024 （电子设计创新大会）于4月9日-10日在北京会议中心正式举行，暌违三年有余，作为......
相关企业
;深圳市科莱特电子有限公司;;深圳市科莱特电子有限公司自2002年开始，在国内率先采用美国ANADIGICS砷化镓(GaAs)集成芯片与国外技术机构合作共同研制、开发出第一代、第二代砷化镓（GaAs
善的配套设施和优良的生产环境，致力于高科技产品的规模化生产。 主导产品有砷化镓霍尔元件及其衍生产品、锑化铟霍尔元件、GPS传感器、光电器件等，其中砷化镓霍尔元件拥有自主知识产权、获得
;连达近距离无线通讯公司;;我公司主要生产蓝芽耳机及其他蓝芽配套设备.
manufacturing in Taiwan.
; EPC设计，开发，市场，销售基于氮化镓的电源管理设备，采用成熟的晶圆代工厂。使最高效的能源转换，利用优越的半导体材料，EPC是率先推出增强型氮化镓
信的生产厂家及军工等领域的科研院所。公司主要同美国、欧洲、韩国、台湾的著名微波、毫米波、光电子零部件生产厂家合作，为国内广大生产企业及科研院所提供超优性价比及最稳定、快捷的供货保证。 公司主营：微波、毫米波（砷化镓场效应管、砷化镓
and passive components and unique in our ability to provide integrated solutions.;TriQuint 半导体公司采用砷化镓
指定为Fujitsu富士通量子器件的光及微波器件的亚太区授权代理商,专业代理激光器及砷化镓(GaAs)功率放大器(PA). 雅加科技有限公司专业代理日Eudyna微波器件,可应用于无线通讯、微波通讯、卫星通讯、卫星
业务为专业代理各光纤产品及各种计算机配件和接口设备. 2000年11月被指定为Fujitsu富士通量子器件的光及微波器件的亚太区授权代理商,专业代理激光器及砷化镓(GaAs)功率放大器(PA).我们亦经销各知名品牌的系列产品,例如: MOT
于安防，计算机通信等需要远距离，近距离以有线或无线方式传输各种信息的领域。 我们是微波传输器材的专业制造商，多年来致力于音像微波无线远距离传输的研究，服务于广播电视，数据信息传输，电视监控，公安消防等各个领域。
anadigics;;;ANADIGICS成立于1985年，总部位于新泽西州华伦市。主要生产高性能砷化镓集成电路，为宽带和无线通讯市场设计生产射频IC。ANADIGICS公司生产的射频IC使通