资讯
e络盟开售Littelfuse完整解决方案(2023-10-17)
：DST系列超低VF值肖特基势垒整流器旨在提供高温、低泄漏和更低VF值的产品，从而满足商业和工业应用的基本要求。该系列产品适用于高频开关电源、续流二极管和极性保护二极管。
客户......
e络盟开售Littelfuse完整解决方案(2023-10-17)
各种项目需求。Littelfuse是一家多元化的工业技术制造公司，为可持续、互联和更安全的世界赋能。
e络盟供应的产品包括、、、瞬态抑制二极管、二极管、晶闸管、二极管、MOS晶体管（MOSFET......
e络盟开售Littelfuse完整解决方案(2023-10-17)
VF值肖特基势垒整流器旨在提供高温、低泄漏和更低VF值的产品，从而满足商业和工业应用的基本要求。该系列产品适用于高频开关电源、续流二极管和极性保护二极管。
客户现可通过 Farnell（欧洲、中东......
万用表二极管档怎么用?万用表二极管档原理(2023-02-02)
曾vdx接入电路之后， a点电压由2.782v被箝位到二极管的正向压降vf(硅管为
0 .7v左右,锗管为0.3v左右)，而此时集成电路7106的输入电压变为
vin= (r15／(r14......
讨论下电动汽车的发电模式(2023-07-10)
乘以压降VF，也就是说，续流二极管（其实这时应该叫整流二极管）的压降VF决定了整流电路的效率。
那么对于发电电路，IGBT和SiC MOSFET哪个效率更高呢？
简单粗暴，直接上数据手册对比：
上图......
蓉矽半导体1200V碳化硅二极管产品“NovuSiC® EJBS™”系列实现量产(2022-06-23)
Rectifier）系列产品市场表现火热，MCR®是有高耐压、超低漏电、低导通压降和高结温性能的理想硅基二极管，可应用在工业电源、便携式储能、光伏等领域。
MCR®丨便携式储能应用
自主研发，注重......
Nexperia成功增强其CFP功率二极管的范围(2022-10-13)
程师仅从一家供应商即可获取市场上最为广泛的CFP封装二极管产品组合。
这些新平面肖特基二极管的工作范围为30-100 V和3-15 A。针对低正向电压优化的版本(VF)（包括 PMEG100V080ELPE/-Q）可在......
基础知识之二极管(2024-03-20)
性根据使用的金属不同而不同，ROHM利用多种金属，推出如下产品阵容。
低VF型 RB1系列 * 低IR型 RB0系列
车载用超低IR型 RB**8系列
特点
通过改变金属种类，可制造低VF型、低IR型产品。
关于热失控
肖特基势垒二极管......
功率MOS体二极管参数分析(2024-12-07 19:11:23)
导通阶段相关的能量损耗机制主要有两种。
因Vf引起的体二极管损耗
体二极管存在导通压降和电流，这部分会产生损耗可以表示为如下：基于该公式，为降低该损耗，可以......
Nexperia成功增强其CFP功率二极管的范围(2022-10-12)
的工作范围为30-100 V和3-15 A。针对低正向电压优化的版本(VF)（包括 PMEG100V080ELPE/-Q）可在防反应用中提供低导通损耗和高效率，实现经济高效的DC-DC转换器。这些二极管......
动态电压调节如何节省可穿戴设备的功耗(2024-06-11)
发光二极管可以与当前设置一起向上或向下调整，从而最大限度地降低功耗。系统可以调整V发光二极管以在适当的余量下最小化每个当前设置的以下表达式。
VLED – (VF + VDRV_COM)
即使......
蓉矽半导体顺利完成Pre-A轮融资，碳化硅NovuSiC® MOSFET 将于本月底亮相！(2022-08-10)
川首家专注于第三代宽禁带半导体碳化硅（SiC）功率器件设计与开发的高新技术企业，致力于开发世界一流水平的车规级碳化硅器件，产品涵盖碳化硅单管、模组系列和nA级超低漏电的理想二极管MCR®（MOS......
兼容C3D02065E，碳化硅肖特基二极管B1D02065E助力LED显示屏电源(2023-08-16)
显示屏体正常显示。肖特基二极管整流器因具有极快的开关速度、超低的正向电压降、极低的反向恢复时间、低泄漏和高结温能力而深受设计师们的喜爱。本文介绍了基本半导体碳化硅肖特基二极管B1D02065E在LED显示......
e络盟开售Littelfuse完整解决方案(2023-10-19)
特基势垒整流器旨在提供高温、低泄漏和更低VF值的产品，从而满足商业和工业应用的基本要求。该系列产品适用于高频开关电源、续流二极管和极性保护二极管。
客户现可通过 Farnell（欧洲、中东和非洲）、Newark（北美地区）和......
e络盟开售Littelfuse完整解决方案(2023-10-19 16:03)
漏和更低VF值的产品，从而满足商业和工业应用的基本要求。该系列产品适用于高频开关电源、续流二极管和极性保护二极管。客户现可通过 Farnell（欧洲、中东和非洲）、Newark（北美地区）和e络盟......
CoolSi 肖特基二极管—IDH08G65C6(2023-10-12 15:12)
CoolSi 肖特基二极管—IDH08G65C6;
极高的效率和性价比
CoolSiC™ 肖特基二极管 650V G6是英飞凌先进的 SiC 肖特基势垒二极管技术，充分......
51单片机实现最小系统的原理和电路与编程设计说明(2023-06-13)
的材料、功率等不同，额定电流一般在10～40mA左右，发光二极管导通时的正向压降VF比较大，一般为1.5～3V（普通硅二极管约为0.7V）。因此在正常使用中，为了保证发光二极管在电源电压V的作......
Vishay推出具有高辐射强度和短开关时间的新型890 nm红外发光二极管(2024-07-24)
Vishay推出具有高辐射强度和短开关时间的新型890 nm红外发光二极管;高速器件采用表面发射器芯片技术，优异的VF温度系数达 -1.0 mV/K
美国 宾夕法尼亚 MALVERN、中国......
PMOS做信号开关NMOS做电平转换(2024-12-02 10:02:21)
的反向特性着手来理解这些疑问，下图是一个二极管的IV曲线：
由图可知，二极管反向偏压后，从0到-200mV，其反向电流随反向电压VF的（绝对值）增大而增加，近似......
自走式电器上的电池放电保护(2023-11-12)
提供更稳健可靠的解决方案。可采用的一种方式是通过简单的二极管配置。然而二极管正向偏置时，两端的压降会降低传输到电池的充电电压，进而导致不想要的功率耗损。
具有典型正向电压 VF = 0.55V 特性的二极管......
Vishay推出具有高辐射强度和短开关时间的新型890 nm红外发光二极管(2024-07-25 10:16)
Vishay推出具有高辐射强度和短开关时间的新型890 nm红外发光二极管;高速器件采用表面发射器芯片技术，优异的VF温度系数达 -1.0 mV/K日前，威世科技Vishay......
Vishay推出具有高辐射强度和短开关时间的新型890 nm红外发光二极管(2024-07-24)
Vishay推出具有高辐射强度和短开关时间的新型890 nm红外发光二极管;高速器件采用表面发射器芯片技术，优异的VF温度系数达 -1.0 mV/K
日前，威世科技Vishay......
汽车SoC电源架构设计(2022-11-28)
总线有可能面临危险的反向电源电压。如果系统不具备相应的保护功能，则所有器件都可能被损坏。为了防止反向电流流动，通常会在输入线上添加一个二极管。但二极管上有正向电压 (VF)；当电流正常流过二极管......
基于电机PWM输出方式的电流再生方法(2023-03-27)
）中相同。此时，路径中不仅包括导通电阻，还包括寄生二极管的正向电压VF。因此，电流会迅速衰减。另外，施加到电机的等效平均电压会损耗VF的量，因此会小于占空比相应的电压。
（d）是关......
Vishay推出新型890 nm红外发光二极管--- TSHF5211(2024-07-30)
Vishay推出新型890 nm红外发光二极管--- TSHF5211;
【导读】日前，威世科技Vishay 宣布，推出一款采用透明无色引线型塑料封装的新型890nm高速红外（IR）发光二极管......
ROHM推出实现业界超快trr的100V耐压SBD“YQ系列”(2024-01-24)
trr*1超快的100V耐压肖特基势垒二极管（以下简称“SBD”）“YQ系列”。
●采用沟槽MOS结构，使存在权衡关系的VF和IR相比......
ROHM推出实现业界超快trr的100V耐压SBD“YQ系列”(2024-01-23 15:34)
灯等高速开关应用全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）面向车载设备、工业设备、消费电子设备等的电源电路和保护电路，推出trr*1超快的100V耐压肖特基势垒二极管（以下简称“SBD”）“YQ系列”。
二极管......
选择合适的 ESD 器件(2023-10-30)
）后“开启”，并向 GND 提供电阻分流。同样，当达到电压 VF +VZ（通常为 6-8V）时，图 3 中的二极管阵列将引导正电流通过“上部”二极管并进入内部 TVS 器件。对于负 ESD 脉冲，两种......
）和SBD（肖特基势垒二极管）等，本文提到的基本半导体碳化硅肖特基二极管B1D30120HC基本没有开关损耗，而且VF具有正向温度系数，有利于提高车载充电机实际的效率。
......
升压型DC-DC转换器中高频噪声的产生原因(2024-03-07)
被正向偏置。即使正向偏置电压高于整流二极管的VF，由于整流二极管存在导通延迟，因此电流也不会开始流动，漏极电压上升至高于“输出电压+VF”的电压。经过数ns的导通延迟后，整流二极管变为导通状态，电感......
全面升级！安森美第二代1200V SiC MOSFET关键特性解析(2024-04-09)
工作栅极电压
推荐的工作栅极驱动电压，是通过考虑性能（如 RDS（ON）、开关损耗（EON、EOFF）、体二极管的正向压降（VF）及其反向恢复损耗（EREC））和可靠性，特别是栅极氧化层质量来确定的。
如表2所示......
德欧泰克|SiC和硅基组件在电动汽车充电电路中的应用(2024-02-28)
显著降低。这表明，特别是对于极高的开关速度和频率，SiC器件是更优越的选择。
图2：SiC基二极管的开关损耗
观察两种二极管的正向电压（VF）规格，我们可以看到SiC二极管的VF相对于硅二极管......
了解升压转换器的操作(2024-03-29)
器电流将继续流动，采用唯一合理的可用路径：二极管。
在迫使其电流通过二极管的过程中，电感器必须提高节点VSW处的电压，直到二极管被正向偏置为止。为此，电感器必须产生至少等于（VOUT+VF）的VSW电压，其中VF表示二极管......
东芝最新款分立IGBT将大幅提高空调和工业设备的效率(2023-03-09)
＝56Ω）
- 低二极管正向电压：VF＝1.2V（典型值）（TC＝25℃、IF＝15A、VGE＝0V）
■ 主要规格：
（除非另有说明，Ta＝25℃）
器件型号
GT30J65MRB......
SemiQ推出高性能1700V SiC肖特基二极管和双二极管模块(2024-07-04 09:41)
SemiQ推出高性能1700V SiC肖特基二极管和双二极管模块;近日，半导体器件领域企业SemiQ宣布，其QSiC™产品系列中新增了1700V SiC(碳化硅)肖特基分立二极管和双二极管模块。这一......
Nexperia针对要求严苛的电源转换应用推出先进的650 V碳化硅二极管(2023-04-20)
SiC肖特基二极管设计电源的数据中心将更加符合严格的能源效率标准。
PSC1065K具备不受温度影响的电容开关和零恢复性能，提供先进的性能以及出色的品质因数(QC x VF)。其突......
SemiQ推出高性能1700V SiC肖特基二极管和双二极管模块(2024-07-04)
外壳之间的低热阻确保了即使在高功率水平下也能保持稳定性。此外，正向电压(Vf)的正温度系数(Tc)特性有助于模块的并联使用，进一步增强了系统的灵活性和可靠性。
SemiQ表示，这些新开发的1,700V SiC二极管......
Nexperia的锗化硅 (SiGe)整流器兼具一流的高效率、热稳定性，能够节省空间(2020-05-27)
，优化设计以实现更高效率。SiGe整流器增大低正向电压(Vf)和低Qrr，使传导损耗降低10-20%。
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PMEG SiGe设备(PMEGxGxELR/P)采用功率二极管......
东芝最新款分立IGBT将大幅提高空调和工业设备的效率(2023-03-09 14:13)
值）- 采用反向导通（RC）结构的内置续流二极管（FWD）- 快速开关时间（下降时间）：tf＝40ns（典型值）（TC＝25℃、IC＝15A、RG＝56Ω）- 低二极管正向电压：VF＝1.2V（典型值）（TC......
Diodes 公司发表首款碳化硅萧特基势垒二极管 (SBD)(2023-02-08)
Diodes 公司发表首款碳化硅萧特基势垒二极管 (SBD);Diodes 公司发表首款碳化硅萧特基势垒二极管 (SBD)
【2023 年 02 月 08 日美国德州普拉诺讯】Diodes......
车规碳化硅功率肖特基二极管有哪些应用(2024-06-14)
车规碳化硅功率肖特基二极管有哪些应用;在新能源汽车市场快速发展的背景下，车载功率半导体需求量激增，其中，碳化硅功率器件凭借更低的能量损耗、更小的封装尺寸、更高的开关频率、更强......
Vishay推出新型第三代650 V SiC肖特基二极管，提升开关电源设计能效和可靠性(2023-05-23 15:21)
Vishay推出新型第三代650 V SiC肖特基二极管，提升开关电源设计能效和可靠性;器件采用MPS结构设计，额定电流4 A~ 40 A，正向压降、电容电荷和反向漏电流低日前，Vishay......
Vishay推出新型第三代650 V SiC肖特基二极管，提升开关电源设计能效和可靠性(2023-05-23)
Vishay推出新型第三代650 V SiC肖特基二极管，提升开关电源设计能效和可靠性;
【导读】日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH......
Nexperia针对要求严苛的电源转换应用推出先进的650 V碳化硅二极管(2023-04-20)
Nexperia针对要求严苛的电源转换应用推出先进的650 V碳化硅二极管;
【导读】基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今日宣布推出650 V碳化硅(SiC)肖特基二极管......
使用PWM输出方式驱动有刷直流电机 : 损耗和注意事项(2023-04-11)
（d）中，由于电流经由两个MOSFET的寄生二极管，因此损耗是各寄生二极管的VF之和×电流。
在（c）中，由于电流经由导通的MOSFET和关断的MOSFET的寄生二极管，因此损耗是导通的MOSFET......
变频器进线端加熔断器的作用和原理(2023-07-20)
么要在这个地方加装熔断器呢。其实此处的熔断器为快速熔断器，如图所示。
我们可以看到这种熔断器的符号上加了一个二极管，此二极管并不是代表它内部有二极管，而是说明它是快速熔断器，因为它响应够快，可以......
REASUNOS瑞森半导体碳化硅二极管在大功率电源上的应用(2023-08-21)
产品优势
瑞森半导体-碳化硅二极管(SiC SBD)产品优势：
1、极小的反向恢复电流，降低开关损耗；
2、低VF值，高浪涌电流能量；
3、更高频率的运行，能让被动元器件做得更小；
4、具有......
RS瑞森半导体碳化硅二极管在光伏逆变器的应用(2022-12-30)
RS瑞森半导体碳化硅二极管在光伏逆变器的应用;
一、前言
(SiC) 是一种由硅 (Si) 和碳 (C) 组成的半导体化合物，属于宽带隙 (WBG) 材料系列。它的物理结合力非常强，使半......
Nexperia针对要求严苛的电源转换应用推出先进的650 V碳化硅二极管(2023-04-20 11:10)
Nexperia针对要求严苛的电源转换应用推出先进的650 V碳化硅二极管;
合并PIN肖特基结构可带来更高的稳健性和效率基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今日宣布推出650 V......
瑞森半导体（REASUNOS）诚邀参加2023慕尼黑上海电子展(2023-07-11)
年，将扩大第三代半导体的布局，继续加大研发投入，优化产品设计的同时也优化生产制程，开发更低VF值的二极管产品、完善650V和1700V
MOS产品系列，还将就更高耐压、更大电流，模块......
相关企业
等的产品服务于大中华地区. 肖特基产品,全系列,是低于0.14V压差的VF产品.低反向电流.总体低功耗. 快恢复二极管,以具有软恢复在行业一直领先.均与各大厂商对比在反向的波形上有明显的优势.减少
钝化芯片生产线和SMD系列封装生产线。通过汽车电子TS-16949质量体系认证，具备AEC-Q101测试能力，可提供专业汽车级的产品系列。 公司产品涵盖整流二极管、肖特基整流二极管(低VF值贴片肖特基二极管
、快恢復整流器、超快恢復、肖特基（含LOW VF值）二极管，稳压二极管、桥堆等，主要应用於电源、LED照明、工业控制、消费电子、汽车电子等行业领域， 主要客戶群包括TCL集团、格力电器、美国
产品包括低VF肖特基和超低VF肖特基，PFS5V45，PFS5V60，P3L300B，PTS10L100，PFR20V100CT，PFR40L45CT，PFR30V60CT等 天津中环： 主要
如下: NIEC日本英达电子肖特基产品具有全世界最低压差VF的产品,只有0.14V,最高电压达200V.高性价比,与对手公司在损耗上有明显特点,具体参数如下 NIEC日本英达电子公司的功率模块产品,二极管
向电压与温度之间有如下关系： 在窄温区内：一般表达式 VF=VF0+St (1) 在宽温区内：精确表达式 VF=VF0（1+At+Bt2+Ct3） (2) 式中VF为二极管
;深圳市佰盛泰科技有限公司;;本公司经销台湾智威ZOWIE、WORLD、EXAR、NXP、、ADI等各知名品牌。主要产品有低VF肖特基二极管，低VF桥式整流器等。我们始终开发更高可靠度要求，更高
吸收电容，D-clink 电容， 通用直流电容，高温交流电容，大功率大电流薄膜电容 2.美国国际整流器公司 IR 整流模块，整流二极管，整流桥堆，MOS管，电路。 3、厦门宏发继电器 汽车，电力，功率，信号
;深圳市芯诚科技有限公司;;深圳市芯诚科技有限公司专业生产和经营二、三极管。如直插二极管、贴片二极管、稳压二极管、肖特基二极管、开光二极管、整流二极管、快恢复二极管、超快恢复二极管、变容二极管、瞬变二极管
;东莞电子贸易有限公司;;供应类型： PIN 二极管 功率三极管 开关二极管 低电压二极管 达林顿管 整流二极管 稳压二极管 微波三极管 肖特基二极管 高频三极管 桥式整流桥 快恢复二极管 射频三极管