资讯
中国科大实现硅基半导体自旋量子比特的超快操控(2022-01-17)
of a hole spin qubit in a germanium quantum dot”为题，于1月11日在线发表在国际知名期刊《自然⋅通讯》上。
硅基半导体自旋......
磁体传感器利用电子自旋实现宽带微波检测(2023-03-17)
检测微波磁场
研究人员通过四自旋波混频在固定磁偏置场下实现了约1 GHz的检测带宽，并通过差频产生在ESR频率以上的数GHz处实现微波检测。尽管存在数GHz失谐，但是泵浦可调谐检测频率能够表征自旋......
英特尔发布硅自旋量子芯片：用上EUV工艺(2023-06-16)
栅极和接触层加工技术。
在硅自旋量子比特中，信息(0/1)被编码在单个电子的自旋(上/下)中。
硅自旋量子比特本质上是一个单电子晶体管，因此英特尔能够采用与标准CMOS(互补金属氧化物半导体)逻辑......
中国科大在硅基半导体量子芯片的自旋调控上取得重要进展(2021-05-21)
轨道耦合场的方向显得尤为重要。
图1. 硅基锗纳米线空穴双量子点中g因子张量及自旋轨道耦合场方向。
李海欧、郭国平等人在制备的高质量的硅基锗空穴载流子双量子点中观察到了自旋......
中国科大实现硅基量子计算自旋量子比特的超快调控(2023-05-09)
量子比特操控的物理机制以及推动硅基半导体量子计算研究具有重要的指导意义。
图1. (a)样品结构示意图以及测量设置。(b)电场参数失谐量（ϵ）对自旋比特操控速率的调控。(c) 自旋比特操控速率随微波功率增加而增加，最快操控速率超过1.2 GHz......
英特尔发布硅自旋量子芯片：用上EUV工艺、95%良率(2023-06-16)
栅极和接触层加工技术。
在硅自旋量子比特中，信息（0/1）被编码在单个电子的自旋（上/下）中。
硅自旋量子比特本质上是一个单电子晶体管，因此英特尔能够采用与标准CMOS（互补金属氧化物半导体）逻辑......
linux驱动学习(3)--同步、信号量和自旋锁(2024-08-14)
linux驱动学习(3)--同步、信号量和自旋锁;在驱动程序中，当多个线程同时访问相同的资源时（驱动程序中的全局变量是一种典型的共享资源） ，可能会引发“竞态” ，因此......
英特尔发布全新硅自旋量子比特芯片Tunnel Falls，下一代量子芯片将于2024年推出(2023-06-20)
特尔的晶圆厂里，Tunnel Falls是在300毫米的硅晶圆上生产的，利用了英特尔领先的晶体管工业化制造能力，如极紫外光刻技术（EUV），以及栅极和接触层加工技术。在硅自旋量子比特中，信息（0/1）被编码在单个电子的自旋......
国家纳米科学中心在自旋分子存储器方面取得新进展(2022-03-19)
为存储器的非易失电信号，且该信号被外加磁场调控。单壁碳管通常被看作一种直径1.5纳米左右的分子，该存储器的研制成功表明自旋分子存储器可在室温下工作，为高性能非冯·诺依曼计算机的研制打下了基础。
图1.自旋......
英特尔发布全新硅自旋量子比特芯片Tunnel Falls，推动量子计算走向实用(2023-06-16 10:20)
Falls是在300毫米的硅晶圆上生产的，利用了英特尔领先的晶体管工业化制造能力，如极紫外光刻技术（EUV），以及栅极和接触层加工技术。在硅自旋量子比特中，信息（0/1）被编码在单个电子的自旋（上......
英特尔发布全新硅自旋量子比特芯片Tunnel Falls，推动量子计算走向实用(2023-06-16 10:20)
Falls是在300毫米的硅晶圆上生产的，利用了英特尔领先的晶体管工业化制造能力，如极紫外光刻技术（EUV），以及栅极和接触层加工技术。在硅自旋量子比特中，信息（0/1）被编码在单个电子的自旋（上......
英特尔发布全新硅自旋量子比特芯片Tunnel Falls，推动量子计算走向实用(2023-06-15)
Falls是在300毫米的硅晶圆上生产的，利用了英特尔领先的晶体管工业化制造能力，如极紫外光刻技术（EUV），以及栅极和接触层加工技术。在硅自旋量子比特中，信息（0/1）被编码在单个电子的自旋（上......
英特尔发布全新硅自旋量子比特芯片Tunnel Falls(2023-06-16)
是在300毫米的硅晶圆上生产的，利用了英特尔领先的晶体管工业化制造能力，如极紫外光刻技术（EUV），以及栅极和接触层加工技术。在硅自旋量子比特中，信息（0/1）被编码在单个电子的自旋（上/下）中。硅自旋......
新型“触发器”量子比特问世，像电信号一样容易控制(2023-02-15)
成果发表在《科学进展》上。
托管“触发器”量子位的硅纳米电子设备的草图。核自旋（橙色的n）和电子自旋（蓝色的e）相互翻转，始终指向相反的方向。 图片来源：新南威尔士大学
新南......
耗要低得多。因此，TDK的目标是研发出一款能够以电子方式模拟人脑突触的设备：忆阻器。传统存储元件以数字0或1的形式存储数据，而“自旋忆阻器”则可以用作模拟存储元件，与人脑相仿。如此，该元......
耗要低得多。因此，TDK的目标是研发出一款能够以电子方式模拟人脑突触的设备：忆阻器。传统存储元件以数字0或1的形式存储数据，而“自旋忆阻器”则可以用作模拟存储元件，与人脑相仿。如此，该元......
(linux自学笔记)linux驱动并发控制、阻塞/非阻塞IO、异步通知(2024-09-23)
);
}
//sleep(1);
pthread_join(thread_one_id, NULL);
pthread_join(thread_two_id, NULL);
}
运行结果
自旋......
良率95%！英特尔测试完成以现有硅基半导体制程生产量子运算芯片(2022-10-10)
良率95%！英特尔测试完成以现有硅基半导体制程生产量子运算芯片;近日，处理器龙头英特尔实验室和组件研究组织在加拿大魁北克举行的2022年硅量子电子研讨会表示，实验室和零部件研究部门已展示硅自旋......
良率95%！英特尔测试完成以现有硅基半导体制程生产量子运算芯片(2022-10-09)
良率95%！英特尔测试完成以现有硅基半导体制程生产量子运算芯片;近日，处理器龙头英特尔实验室和组件研究组织在加拿大魁北克举行的2022年硅量子电子研讨会表示，实验室和零部件研究部门已展示硅自旋......
科学家首次证明通过超导体可控制磁体自旋波(2023-10-30)
科学家首次证明通过超导体可控制磁体自旋波;10 月 28 日消息，量子物理学家首次证明，在超导环境下有可能控制和操纵芯片上的自旋波（spin waves），为磁......
台积电再添“利器”SOT-MRAM 内存：功耗仅为类似技术百分之一(2024-01-18)
台积电再添“利器”SOT-MRAM 内存：功耗仅为类似技术百分之一; 1 月 18 日消息，台积电携手工业技术研究院（ITRI）在下一代 MRAM 存储器相关技术方面取得突破性进展，成功研发出“自旋......
国际研究团队新突破：室温下量子材料实现“自旋”控制(2023-08-17)
国际研究团队新突破：室温下量子材料实现“自旋”控制;据《自然》杂志16日报道，英国剑桥大学领导的一个国际研究团队找到了一种控制有机半导体中光和量子“自旋”相互作用的方法，即使......
自旋电子器件制造工艺获新突破，或成半导体芯片行业新标准(2023-03-24)
自旋电子器件制造工艺获新突破，或成半导体芯片行业新标准;美国明尼苏达双城大学研究人员和国家标准与技术研究院（NIST）的联合团队开发了一种制造自旋电子器件的突破性工艺，该工......
突破：中国科学家发现新磁子态，或可用于芯片和雷达(2023-03-13)
活低功耗、高集成化、高信息密度信息处理载体的出路。基于磁性材料发展建立的自旋电子学以及磁子电子学发展迅猛，为突破上述限制提供了出路。
宏观磁性的起源主要是材料中未配对的电子。电子......
英特尔在可扩展硅基量子处理器领域取得突破，向量子实用性更进一步(2024-05-15)
英特尔在可扩展硅基量子处理器领域取得突破，向量子实用性更进一步;英特尔在《自然》杂志上发表的研究展示了单电子控制下高保真度和均匀性的量子比特。
英特尔在《自然》杂志发表题为《检测300毫米自旋......
自旋芯片研发与制造安徽省重点实验室揭牌(2024-05-15)
自旋芯片研发与制造安徽省重点实验室揭牌;据合肥发布消息，5月13日，“科创硬核”新质生产力创新发展论坛在少荃湖科创中心举行。会上，自旋芯片研发与制造安徽省重点实验室正式揭牌。
消息显示，自旋......
研究人员在自旋电子器件制造工艺方面获新突破，或成半导体芯片行业新标准(2023-03-24)
研究人员在自旋电子器件制造工艺方面获新突破，或成半导体芯片行业新标准;据美国明尼苏达大学官网消息，近日，美国明尼苏达大学的研究人员与国家标准与技术研究院 (NIST) 的联合团队一起开发了一种制造自旋......
下一代节能计算机研究获突破：更快自旋波催生新型磁振子计算机(2023-08-21)
下一代节能计算机研究获突破：更快自旋波催生新型磁振子计算机;世界各地的科学家正在努力寻找当前电子计算技术的替代方案，而磁学领域正在出现一种新的信息传输方式：磁介......
半导体过热问题会通过量子波解决吗？(2024-06-18)
半导体过热问题会通过量子波解决吗？;
摘要
研究人员开发了一项技术，解决了下一代技术、自旋电子学和轨道电子学的缺点。韩国科学技术院（KAIST）物理系教授金世权和浦项科技大学（POSTECH）物理......
Linux移植之内核启动过程start_kernel函数简析(2024-08-26)
引导阶段已经分析过，接下来分析一下内核启动的第二阶段。
1、start_kernel函数全局概览
2、start_kernel函数调用层次
1、start_kernel函数全局概览，对start_kernel作一......
科学家用量子材料产生类似"3D眼镜"的视角将拓扑材料可视化(2023-07-28)
科学家用量子材料产生类似"3D眼镜"的视角将拓扑材料可视化;拓扑量子材料被视为节能电子和未来高科技的希望灯塔。这些材料的一个显著特点是能够在其表面传导自旋极化电子，而在内部则不导电。从这......
我国首次实现基于碳化硅中硅空位色心的高压原位磁探测(2023-03-29)
导量子干涉仪难以实现金刚石对顶砧中微米级样品的弱磁信号的高分辨率原位探测。为解决这一关键核心难题，金刚石NV色心的光探测磁共振技术已被用于原位压力诱导磁性相变检测。然而，由于NV色心具有四个轴向，并且其电子自旋......
光量子比特的存储保真度达95.2%：为大规模光量子网络铺平道路(2022-12-15)
光量子比特的存储保真度达95.2%：为大规模光量子网络铺平道路;
存储器是量子中继的核心器件。之前大家用的是发射型量子存储器，要么一次只能传输1个量子，效率低;要么一次传输多个量子，但精......
原子之舞把水晶变“磁铁”(2023-11-15)
通过混合强烈的红外光和扭曲电场来与手性声子相互作用创造光脉冲。此外，研究人员还采取了另外两个红外光脉冲，分别监测自旋和原子运动。
研究发现，将氟化铈暴露在超快光脉冲下，会使其原子“舞蹈”，这种舞蹈会瞬间激起电子的自旋......
具二维亚铁磁性石墨烯系统首次合成(2022-12-21)
得堡国立大学的研究人员与托木斯克州立大学、德国和西班牙的科学家一起，首次对石墨烯进行了修饰，并赋予了它钴和金的特性，即磁性和自旋轨道相互作用（在石墨烯中的运动电子与其自身磁矩之间）。当与......
我国存储技术突破！(2024-08-14)
for reconfigurable logic-in-memory）为题，在线发表在《自然·通讯》（Nature Communications）上。
图1 多铁性磁振子自旋......
原子钟在数据中心的作用：原子从对数据造成不利影响到带来各种益处的转变过程(2023-03-13)
如半导体技术随着时代不断发展，应用需求也在不断变化。手机、金融交易和DNA图绘制等应用都非常依赖单片机每秒可执行的运算次数，而这一数字与芯片上的晶体管数量密切相关。
图1. 极具讽刺意味的图片：工程......
原子钟在数据中心的作用：原子从对数据造成不利影响到带来各种益处的转变过程(2023-03-13)
一数字与芯片上的晶体管数量密切相关。
图1. 极具讽刺意味的图片：工程师试图遵循摩尔定律
摩尔定律的消亡
遗憾的是，由于物理学限制，摩尔定律正在迅速走向终结。随着晶圆生产工艺节点现已达到10纳米......
英特尔在量子点阵列的有效产量方面达到了关键里程碑(2022-10-09)
英特尔在量子点阵列的有效产量方面达到了关键里程碑;英特尔在为高性能计算机的新时代制造量子芯片方面已经超越了一个关键的里程碑。在英特尔位于俄勒冈州希尔斯伯勒的戈登·摩尔晶体管研发机构，实验室和组件研究部门宣称已经为硅自旋......
北京工业大学理学部王晓蕾副教授团队在磁-电多态存储器研究领域取得重要进展(2023-02-23)
揭示了范德华多铁CuCrP2S6材料面内的电学各向异性，以及极化电压、通电时间和极化方向调制的忆阻行为；二、观察到温度和磁场调控的自旋翻转和反铁磁相变，获得了不同晶轴方向上的磁各向异性参数；三、首次......
mr头显设备有哪些功能 MR成像原理是什么(2024-06-07)
的主要原理：
1. 原子核自旋：人体内的原子核（主要是氢核）具有自旋，这是指它们围绕自身轴线旋转。
2. 磁共振现象：当原子核暴露在强磁场中时，其自旋会在磁场方向上产生一个微小的旋转（称为......
Spectrum仪器被应用于更小、更轻且更具成本效益的新一代EPR波谱仪(2024-04-17)
Spectrum仪器被应用于更小、更轻且更具成本效益的新一代EPR波谱仪;Spectrum仪器数字化仪及AWG成为设备核心电子顺磁共振（EPR）波谱仪或电子自旋共振（ESR）波谱仪与核磁共振（NMR......
挣足钱的三星进攻下一代存储，MRAM成为目标？(2017-04-28)
者方向相反时，磁场表现为互斥弱磁场，电阻变高，电流变小，相反的情况也可以。工程人员只需要测试电流的高低差值、或者电压差，就可以很自如的给出1和0两种状态定义，从而存储数据。
不仅如此，由于自由层的磁场方向改变是由于外部条件引发电子自旋......
量子处理器上首次造出任意子，有望促进容错量子计算机开发(2023-05-11)
成果有望促进容错量子计算机的研发。相关报告已经提交论文预印本网站。
H2量子处理器。图片来源：《新科学家》网站
组成物质世界的基本粒子通常根据其携带的自旋分为两类：自旋为整数的玻色子（如光子）和自旋......
中国科研团队在半导体领域实现新进展(2024-09-27)
存储技术提出了越来越严格的要求。磁性半导体作为一类新的自旋电子材料，具有同步实现逻辑运算、信息处理和存储的潜力。
因此，低维磁性半导体已成为纳米级自旋电子器件构建的必然趋势，旨在使器件尺寸最小化，实现......
三星7nm工艺揭秘，摩尔定律还能继续(2017-03-13)
是对应的最好答案。
在这里我们详细介绍一下GAA和三五族沟道材料：
（1）Gate-all-around (GAA)
GAA有时候被称作横向纳米线场效应管。这是一个周边环绕着 gate 的 FinFet 。GAA......
无刷直流电机的三相六臂全桥驱动电路讲解(2023-03-20)
无刷直流电机的三相六臂全桥驱动电路讲解;无刷直流电机在运行时，永磁矩力推动电路中有± 自旋转距，经电路中断后转台旋回，再次上电时产生新的自旋转距，从而形成转子旋转，实现电机运动。该原......
6分钟充满电！新技术突破电池容量理论极限(2023-06-26 10:16)
为氧化铁的异质结构化合物，然后使用水热法制造了具有扩大表面积的纳米厚锰铁氧体片。这种方法利用了高度自旋极化的电子，显著提高了大量锂离子的存储容量，这项创新最终超出了锰铁氧体阴极材料的理论容量50%以上......
6分钟充满电！新技术突破电池容量理论极限(2023-06-26)
内部为氧化锰、外部为氧化铁的异质结构化合物，然后使用水热法制造了具有扩大表面积的纳米厚锰铁氧体片。这种方法利用了高度自旋极化的电子，显著提高了大量锂离子的存储容量，这项创新最终超出了锰铁氧体阴极材料的理论容量50......
厚度仅100nm！新型超薄晶体薄膜半导体被成功研制(2024-07-19)
统铜线中则更慢。
研究人员将这种薄膜半导体比作“不堵车的高速公路”，认为这有助于研制更高效、更可持续的电子设备，如自旋电子设备和可将废热转化为电能的可穿戴热电设备。
研究团队指出，即使......
相关企业
and transmit information.;NVE系公司开发和销售使用自旋电子学，纳米技术，我们帮助的先驱，它利用电子自旋而不是收购，储存和传递信息的电子收费设备。
电子元器件行业协会授予我公司为磁敏专业委员会主任单位。2004年10月我公司与清华大学微电子学研究所合作的GMR磁声传器芯片集成化项目获得国家863计划的支持。2008年6月我公司获得国家发明专得证书（发明名称：自旋阀巨磁电阻的验钞机磁头传感，专利
;田瑞科技电子有限公司;;1 177827-3 208486-1 2-794632-0 103975-1 1-1877845-1 1546876-2 177898-1 208486-3 2
：HT7130-1/HT7133-1/HT7136-1/HT7140-1/HT7144-1/HT7150-1/HT7130A-1/HT7133A-1/HT7136A-1/HT7140A-1/HT7144A-1
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的售后服务体系建立起了其在航空航天领域的坚实地位。 西安中航高新技术有限公司一级代理AMP/TYCO连接器,也可接受长期订货。 593007-1 592624-4 205413-1 592629-8 211540-2 2-592631-2
-3 206044-1 206062-3 206070-8 206136-1 206138-1 206153-1 206322-1 206358-1 206425-1 206426-1 206433
（Fe）64%、硼（B）1%等为基本原材料，少量添加镝（Dy）、铽（Tb）、钴（Co）、铌（Nb）、镓（Ga）、铝（Al）、铜（Cu）等元素，应用粉末冶金工艺制造的一种铁基永磁材料。烧结
;恩特科技香港有限公司;;08550124 TYCO 20000 10112023 TYCO 10000 104257-2 TYCO 1000 1-104479-0 TYCO 15000
（18V与28V） 最大输出电流500MA 功耗2UA。 HT7015A-1 HT7020A-1 HT7022A HT7024A-1 HT7027A-1 HT7033A-1 HT7039A-1