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首创了掺氮中子嬗变硅单晶,解决了硅片的完整性和均匀性的问题;90年代初研究 MOCVD 生长超晶格量子阱材料,在晶体完整性、电学性能和超晶格结构控制方面,将中国超晶格量子阱材料推进到实用水平;他还......
金属魔法:用半导体量子点打造梦想材料; 研究人员开发出了一种半导体量子点的“超晶格”,它的功能类似于金属。图片来源:美国《赛特科技日报》 据最新一期《自然·通讯》杂志报道,包括日本RIKEN新兴......
维半导体材料WSe2中发现了一种被莫尔超晶格势场束缚和调控的里德堡激子态,即里德堡莫尔激子。 该成果以“里德堡莫尔激子的实验观测(Observation of Rydberg moiré......
氧化物的晶体结构跟硅不兼容,难以应用在当前芯片所采用的硅晶体管上。 另外,研究小组还指出,藉由将氧化锈和氧化锆结合在一个被称为超晶格的工程晶体结构中,实验也证实可以实现负电容效应,并且......
通过重构成核策略制备双层扭角过渡金属硫族化合物(TB-TMDCs)材料的新方法,实现了其层间扭转角度从0°到120°的制备。相关成果发表在国际期刊《自然·通讯》上。 双层扭角过渡金属硫族化合物(TB-TMDCs)以其与摩尔超晶格......
方案有以下特点: 高密度对称 50G PON 满足未来园区、工业互联、企业和家庭等场景不断提升的带宽需求 创新锥形放大器和超晶格反射结构实现光功率预算提升约 25%,支持现网 ODN 无改......
预报到体温检测及新冠筛查,红外技术被更加广泛地应用于人类生活的方方面面。 目前常用的红外光电探测器材料有碲镉汞、锑化铟、Ⅱ类超晶格等。其中,碲镉汞红外光电探测器由于量子效率高、波长......
堆栈会包含三层的SiGe和三层的硅。 制造一个 FinFET 一旦超晶格堆栈开发完成,FinFet就已经形成了。 在GAA里,Fin是在侧边的。当然,制程......
由电场及浓度驱动下氧空位重新分布主导的失效机制。 最后,团队针对性地提出了利用超晶格结构以及Hf:Zr比例调控,抑制电学刺激下的氧缺陷生成,成功缓解了上述失效行为,并实现了在128Kb铪基FeRAM芯片上的验证,推动了铪基铁电存储技术的更广泛应用。......
些地方则需要各向异性。 GAA晶体管需要单独的纳米片尺寸控制计量。通过超晶格形成鳍片需要对厚度、成分和硅片的厚度进行单独的层控制。 内隔......
易实现可控调制的合金和异质结结构,在高温热电方面展现出巨大的应用潜力。由于决定热电性能的塞贝克系数S、电导率σ、热导率k之间相互耦合和制约的关系,合理设计材料结构、采取最优化方案提高ZT值,一直是热电研究的重要课题。研究团队探索了合金化和低维超晶格......
很可能是晶体管技术发展的下一步。超晶格层(Superlittice)是突破性新设计,架构垂直于晶体管传输方向,促进晶体管小型化,并允许更精细电压控制。研究团队正在开发第一个采用CasFET技术的晶体管原型,处于......
是使用一个外延反应器(epitaxial reactor)在基底上构建一个超晶格结构。这个超晶格由交替的硅锗(SiGe)层和硅层构成。理想情况下,一个堆叠由 3 层 SiGe 和 3 层硅构成。 然后,就像 finFET 流程......
第三代半导体技术突破传来新进展。 MiG超晶格结构 YLC特聘助理教授王佳和名古屋大学先端研究所/未来材料与系统研究所Hiroshi Amano教授领导研究小组通过GaN和金属镁(Mg)之间的简单热反应形成了独特的超晶格......
基石创投完成投资超晶科技,助力新一代红外探测器产业化;近日,基石创投完成投资超晶科技(北京)有限公司。本轮投资是基石创投与上市公司汉威科技、深圳市高新投等共同完成,合计投资金额近亿元。超晶......
功能,可对各种生产过程进行详细分析。Inspire 还集成了生成式设计、无网格仿真和 physicsAI 等强大技术,可实现快速行为预测,最大限度地提高设计与生产效率,同时......
营商增强宽带竞争力,打开万亿增长空间。 超宽接入:华为发布业界首个商用50G PON解决方案。高密度对称50G PON满足未来园区、工业互联、企业和家庭等场景不断提升的带宽需求;创新锥形放大器和超晶格......
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模组以及应用解决方案。据悉,高芯科技建立了8英寸0.11μm氧化钒非制冷红外探测器、8英寸0.5μm碲镉汞制冷红外探测器、8英寸0.5μm二类超晶格制冷红外探测器三条批产线,可自主完成原材料提纯、生长......
半导体所在激子-声子的量子干涉研究中获进展;近日,中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室报道了二维半导体WS2中暗激子与布里渊区边界声学声子之间量子干涉导致的法诺(Fano)共振行为(图......
东宇阳工业类超微型超高容片式多层陶瓷电容器生产项目正式封顶;5月7日,据宇阳科技官方消息,宇阳新华南生产基地“东宇阳工业车规级超微型超高容片式多层陶瓷电容器生产项目”正式封顶。 公开......
未来汽车&科技狠活ChatGPT能否成就人类超级幻想; ......
晶格领域:公司液相法生长碳化硅晶圆项目开始试生产;4月8日消息,日前,北京晶格领域半导体有限公司(以下简称“晶格领域”)投资设立的液相法生长碳化硅半导体晶圆项目厂房已装修完毕,第一......
阻抗分析仪设计适用于各类超声器件阻抗特性的测量;阻抗分析仪是一种电子测试仪器,它可以测量复数电阻随测试频率的变化。阻抗是表征电子元器件,电子电路和元件材料的一个很重要的参数。阻抗......
的续航里程从而得以延长。 刘晓兵进一步解释了钻石量子传感器的科学原理。他表示,NV中心是钻石晶格中的一个碳原子被氮原子替代,并伴随一个相邻位置的空位形成的复合缺陷,具有可操控和读出的电子自旋态。通过光学激发,可读......
堆叠在另一片石墨烯上时,扭曲结构会产生略微偏移的“波纹”图案或超晶格,能够支持许多令人惊讶的电子行为。 2018 年,麻省理工学院的 Pablo Jarillo-Herrero 和他......
晶格领域获得投资,加速推进液相法SiC衬底研发和生产;据北京顺义消息,截至10月底,北京市政府投资基金共完成全市139个项目的投资决策。其中,北京晶格......
-100nm)上自由运动(平面运动)的材料,如纳米薄膜、超晶格、量子阱。以石墨烯为代表的二维层状材料(two-dimensional layered materials,2DLMs)具有独特的电学、光学......
我国首次建立基于硅晶格常数溯源的集成电路纳米线宽标准物质;近日,市场监管总局批准建立平面结构纳米线宽标准物质([2024]国标物证字第5975号)和立体结构纳米线宽标准物质([2024]国标......
作为首要任务。 成果简介 清华大学何向明教授团队发现,Al和阳离子空位可以以不同的方式抑制Li/Ni的混排,然而在相同的Li/Ni混排条件下,不可逆容量显著不同。Al使H2-H3相之间的晶格......
阻率。 近年来,半绝缘SiC衬底上外延生长的GaN高迁移率晶体管(GaN-on-SiC HEMTs)已广泛应用于微波射频领域的功率放大器电路中,然而由于GaN和SiC晶体之间的晶格失配和热失配,导致......
的控制电压,最后由控制电压与三角波比较生成开关管的驱动信号。 电流环设计: 根据状态平均法: 忽略输入电压与输出电压的扰动: 考虑到电感电流的感测衰减与PWM的增益可知: 针对一阶系统,电流误差放大器可以采用二类......
市顺义区人民政府与北京国联万众半导体科技有限公司、北京特思迪半导体设备有限公司、清控华创(北京)能源互联网技术研究院有限公司、北京晶格领域半导体有限公司、北京铭镓半导体有限公司、北京漠石科技有限公司等在会上进行一系列项目签约,总投......
限制了晶体种类多样性,也会随着原子数目不断增加,缺陷逐渐累积,进而限制了晶体质量。 北京大学科研团队首创并自主命名为“晶格传质-界面生长”的一种全新晶体制备方法,即“从界面生长,顶着上方结构往上走”的“顶蘑......
联仕半导体用超净高纯材料智能制造暨研发中心项目签约落户;据昆山市人民政府官网消息,9月26日,总投资6亿元的联仕半导体用超净高纯材料智能制造暨研发中心项目落户昆山市千灯。 联仕半导体用超净高纯材料智能制造暨研发中心项目主要从事各类超......
百天内实现出货。 南方基地是联想集团生产复杂性最高的智能制造工厂,基地生产产品品类超过50种,研发生产近10万种配置,此外还涵盖台式机、个人工作站、服务器、高性能计算集群、显示器、选件、FRU等传统业务,承载......
市场需求极高。和硅比较,SiC本身较为坚硬,其原生缺陷可能会导致电气性能、功率效率、可靠性和产能下降。所以,需要更先进的材料工程技术来优化裸晶圆的生产,并建构对晶格损害最小的电路。 另外,应材......
了电子谱学空间能量分辨率的世界纪录(1μeV)。 项目背景 磁性与超导一般被认为是两种互斥的量子态,然而物理巨匠 Matthias 和 Anderson 早在 1958 年就考虑过二者在晶格......
漏电流和噪声,从而提高器件的性能和可靠性。通过氧化退火,可以填补晶格缺陷,降低残余应力,提高氧化物和晶体的结合质量,改善电学性能‌,这对于提高碳化硅功率器件的整体性能和稳定性具有重要意义。 在高温下,碳化......
互联自2018年成立以来,聚焦于模拟信号链芯片的研发,已自主研发模数/数模转换器(ADC/DAC)、电压基准源、时钟、运放、以太网PHY、精密电源、比较器、高速SerDes等十大类超过600个型号的芯片。产品......
技术推出了TMR3016和TMR3017角度传感器芯片产品,并已开始量产。该芯片采用DFN4L(0.8mm × 0.4mm × 0.23mm)的超小封装,适合各类超......
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大学团队与合作者通过结合大规模硅基集成光学与拓扑光学,成功研制出一种完全可编程的拓扑光子芯片。这款芯片基于可重构的集成光学微环阵列,在仅11mm×7mm的面积内集成了2712个元件,首次成功实现了完全可编程的光学人造原子晶格。 同时,研究......
三星电机:IC基板潜能远超晶圆代工,目标全球第三;据韩国媒体报道,三星电机计划于第三季度开始在韩国量产用于服务器的FC-BGA。 三星电机宣布,该公司的半导体基板产量持续提高,已经从2019......
土氢化物——氢化镧晶格中故意制造大量的缺陷和纳米微晶,研发出首个室温环境下超快氢负离子导体。相关研究成果4月5日发表于《自然》杂志。 在某些条件下,一些材料经历有序—无序相变,而转......
稳定控制系统ESP、混动系统控制、安全气囊控制、电池热管理等。 第二类:功能独立且安全等级较低的车身控制模块,如网关、照明控制、雨刮控制、车门车窗控制、无钥匙启动、天窗控制、座椅记忆控制、后视镜控制、功放......
人工智能将10万个方程的量子物理问题减少到只有4个;科学家们训练了一种机器学习工具来捕捉电子在晶格上运动的物理现象,所使用的方程比通常所需的少得多,所有这些都没有牺牲准确性。到目前为止,一个......
对标EDA三巨头,国产企业级硬件仿真系统新突破;谈到提供数字芯片验证服务提供商,也许大家会想到EDA三巨头——Cadence、Synopsys、西门子EDA(Mentor Graphics)。由于......
结耗尽区反向电场增加,耗尽区中电子(或者空穴)从电场中获得的能量增加。当电子(或者空穴)与晶格发生碰撞时传递给晶格的能量高于禁带宽度能量(Eg),迫使被碰撞的价带电子跃迁到导带,从而......
红色表示手性声子模式下运动幅度最大的离子。铈离子用茶色表示。罗盘指针代表旋转原子引起的磁化。图片来源:美国莱斯大学  美国莱斯大学量子材料科学家发现,当原子做圆周运动时,它们也能创造奇迹:稀土晶体中的原子晶格......

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