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变频电机型号及参数_变频电机型号表示方法(2023-05-18)
变频电机型号及参数_变频电机型号表示方法; 变频电机型号及参数
变频电机可以在指定环境下连续使用工作，随着交流调速技术不断的完善，变频器的优异性，使得变频电机被广泛应用在大中小型电动机、起重......
变频电机调速方式_变频电机型号及参数(2023-03-24)
变频电机调速方式_变频电机型号及参数; 变频电机调速方式
变频电机的调速方式有多种，以下是其中常见的几种：
电压/频率调速
电压/频率调速是最常用的一种调速方式，也是......
第三代半导体企业大丰收：三安斩获38亿大单；华润微拟扩产(2022-11-08)
系围绕整体发展战略，在化合物半导体领域实现外延式扩张，通过对产业链的纵向布局以及资源整合，有利于公司在碳化硅等化合物半导体领域的话语权与核心竞争力
扬杰科技部分碳化硅型号已量产
近日，扬杰......
DG900函数/任意波形发生器的功能及产品特点分析(2023-04-20)
系列函数/任意波形发生器产品型号及参数：
......
永磁同步电机的型号及参数(2023-03-02)
永磁同步电机的型号及参数;永磁电机是一种新型电机，永磁同步电动机具有结构简单，体积小、高效节能、绿色环保、功率因数高、故障率低等优点。目前永磁电机的应用范围非常广泛。
永磁......
意法半导体拟投资约40亿美元 用于扩产12英寸晶圆及碳化硅(2023-01-30 10:22)
意法半导体拟投资约40亿美元 用于扩产12英寸晶圆及碳化硅;据外媒报道，意法半导体表示今年计划在资本支出上投资约40亿美元，主要用于扩产12英寸晶圆厂和增加碳化硅制造能力。近日意法半导体在2022......
51单片机对盒仔机器人的控制设计(2023-08-28)
了一个廉价的BOXZ。先上张图：
从图上不难看出，为了宝宝们易于接受，我把盒仔的手机摇控改成了用线控的方法，做了一个简易的摇控器。
二、材料准备
名称型号及参数数量备注5V稳压模块LM78051......
常用钳形电流表型号及测量范围(2022-12-20)
常用钳形电流表型号及测量范围;从读数显示方式分，钳形电流表包括指针式和数字式两大类；从测量电压分，有低压钳形表和高压钳形表；从功能分，钳形电流表包括普通交流钳形表、交直流两用钳形表、漏电......
先导中心推出技术“狠活”：1200V 100A 三电平全碳化硅模块新品发布(2024-04-30 09:53)
先导中心推出技术“狠活”：1200V 100A 三电平全碳化硅模块新品发布;
继首款1200V 100A H桥全碳化硅模块发布后，先导中心又推出1200V 100A 三电平全碳化硅模块新品。此模......
车规碳化硅功率模块 - 衬底和外延篇(2023-01-10)
粉到衬底的生产流程简图
图二 碳化硅衬底生产流程图
目前比较成熟的碳化硅晶体生长方法主要是PVT和CVD两种，它们都属于气象生长（vapor phase growth），而碳化硅型体主要是4H和6H两种......
全自动金刚石生长炉研发成功，晶盛机电破解“终极半导体”材料(2022-03-08)
了目前人工培育钻石过程中质量控制和规模化生产的瓶颈。
图片来源：晶盛机电
作为碳化硅、氮化镓之后具有代表性的新一代半导体材料，金刚石晶体又称钻石，被誉为“终极半导体”材料，此次金刚石晶体生长炉成功研制，标志......
车规碳化硅功率模块——衬底和外延篇(2023-01-10)
衬底生产流程图
目前比较成熟的碳化硅晶体生长方法主要是PVT和CVD两种，它们都属于气象生长（vapor phase growth），而碳化硅型体主要是4H和6H两种。
图三 碳化硅晶体生长方式
首先......
最高增长102%？这2家汽车IGBT厂商业务飙升(2024-03-26)
IGBT晶圆代工生产线上，实现芯片量产的国内企业。为加快产能扩充，目前已完成第2条IGBT模块生产线建设，并启动了第3条IGBT模块生产线和第1条碳化硅模块生产线的建设。
宏微科技：电动......
超越车规！国产SiC衬底致命缺陷降80%(2023-11-22)
单晶技术研发突破，开发出了直径为202mm的8寸SiC单晶，各项参数指标良好。该公司表示，接下来，他们将通过碳化硅生长工艺及生长设备研制，通过优化温场、炉体参数，提高良品率等技术手段，为客......
碳化硅肖特基二极管在光伏逆变器的应用(2023-03-20)
器件的规格也在不断提升，对器件的浪涌能力、击穿电压、雪崩能量以及正向电流等参数要求都在变高。
基本半导体面向光伏及储能领域推出了碳化硅肖特基二极管、碳化硅MOSFET和碳化硅功率模块三类产品。其中碳化硅......
基本半导体推出支持米勒钳位的双通道隔离驱动芯片(2024-06-24)
容易发生误导通风险。
以下表格为硅IGBT/ MOSFET和碳化硅MOSFET的具体参数......
碳化硅器件动态特性测试技术剖析(2023-01-10)
致测试结果能发挥的作用非常有限，同时下游的问题不能在上游就暴露并解决，对加快产业链闭环速度造成负面影响。
Part 1：碳化硅器件动态特性
提到动态特性，大家的第一反应一定是开关特性，这确实是功率器件的传统核心动态特性。由于其是受到器件自身参数......
唯样 x 瞻芯电子强强联手，助力SiC功率半导体国产化替代(2024-11-28)
唯样 x 瞻芯电子强强联手，助力SiC功率半导体国产化替代;
眼尖的采购可能会发现，瞻芯电子就是Inventchip,它是中国首个自主研发并掌握6英寸MOSFET产品和工艺的国产品牌，并拥有车规级碳化硅......
碳化硅器件动态特性测试技术剖析(2023-01-10)
结果是否接近芯片上的真实值，属于测量准确度的一方面。当我们关注开关过程、串扰的绝对值时，就需要尽量排除掉寄生参数的影响，获得芯片上真实的波形。
最后，我们再回到准确度和精确度上来。在为了获得更靠谱的碳化硅......
Wolfspeed 8英寸厂向中国客户批量出货SiC MOSFET！(2023-07-06)
MOSFET，首批供应的产品型号为C3M0040120K。莫霍克谷器件工厂后续还将开始更多产品型号碳化硅器件的样品申请，并批量出货中国市场。
C3M0040120K是一款1200 V/40 mΩ/66......
这种新材料终成半导体功率器件主流(2016-11-14)
定位能够充分因应上述市场挑战。这项全新的宽带隙技术，不仅是向前迈进的革命性发展(例如过去几年来每一代新型的硅功率装置)，也具有真正改变局势的能力。碳化硅型系统的革命性能力在于大幅提升效能，对于......
纳微推出TOLL封装版第三代快速碳化硅MOSFETs(2024-08-14 09:45)
温升低的性能，相比市场上其他厂商的碳化硅产品，可使器件的外壳温度降低高达25°C并且寿命长3倍。纳微最新发布的4.5kW高功率密度AI服务器电源参考设计，其采用了型号为G3F45MT60L（额定电压为650V......
1.2亿元！晶升股份与客户J签订碳化硅炉设备买卖合同(2023-08-30)
1.2亿元！晶升股份与客户J签订碳化硅炉设备买卖合同;8月28日，晶升股份发布公告表示，其与客户J签订了《【碳化硅炉】设备买卖合同》。合同价款合计暂估金额为1.2亿元，分三批执行，第一......
基于SiC的完整“傻瓜型”逆变器参考设计为先进电机应用铺平了道路(2024-02-29)
该参考设计的标准版本支持高达350KW/850V的电机驱动，其硬件如碳化硅功率模块、驱动板、母线电容等已有多种型号进行相互置换，以适应用户的特殊需求；而其控制板软件设计包含了对各种类型电机和各种算法控制等技术参数的选择设置，包括......
基于SiC的完整“傻瓜型”逆变器参考设计为先进电机应用铺平了道路(2024-02-29)
力推动电机的先进应用，同时也会促使逆变器更加“智能化”和“傻瓜化”。
目前该参考设计的标准版本支持高达350KW/850V的电机驱动，其硬件如碳化硅功率模块、驱动板、母线电容等已有多种型号进行相互置换，以适......
台湾中山大学突破6英寸碳化硅晶体生长！(2023-03-08)
台湾中山大学突破6英寸碳化硅晶体生长！;今日，据台媒报道，台湾中山大学晶体研究中心已成功长出6英寸导电型4H碳化硅单晶，中心厚度为19mm，边缘约为14mm，生长速度达到370um／hr，晶体......
s3c2440裸机之中断向量的写法（二）(2022-12-07)
|label-expr}
其中的符号及参数说明如下：
●cond为可选的指令执行条件。
●register为目标寄存器。
●expr为32位的常量，编译器将根据expr的取值情况，处理LDR伪指令如下。
●当......
24万片，普兴电子即将扩产6英寸碳化硅外延片(2024-08-27)
年11月，致力于高性能半导体材料的外延研发和生产，主要产品为各种规格型号的硅基外延片、氮化镓和碳化硅外延片，可广泛应用于清洁能源、新能源汽车、航空航天、汽车、计算机、平板电脑、智能手机、家电......
碳化硅，跨入高速轨道(2024-08-19)
库、一般固废库、综合楼、门卫等。公司拟购置长晶及附属、晶体加工、晶片加工等工艺设备，新建6-8英寸碳化硅衬底生产线及研发中心，以及相关配套设施。
该项目用于扩大公司碳化硅晶体与晶片产能，同时建设研发中心以对生产工艺和参数......
SEMICON2024收官，第三代半导体赛道竞争激烈！(2024-03-25)
产品包括N形SiC衬底、SiC外延片等，并现场披露了直径、晶型、厚度等相关参数。2023年5月，天科合达与英飞凌签订了一份长期协议，其将为英飞凌供应用于制造碳化硅半导体产品的6英寸碳化硅衬底和晶锭，其供......
SEMICON2024收官，第三代半导体赛道竞争激烈！(2024-03-26)
-8英寸的碳化硅衬底，并首次展示8英寸碳化硅外延片产品，其中8英寸产品包括N形SiC衬底、SiC外延片等，并现场披露了直径、晶型、厚度等相关参数。2023年5月，天科......
碳化硅芯片设计公司至信微电子完成数千万元天使+轮融资(2023-02-15)
MOSFET晶圆厂合作开发出高可靠性的碳化硅产品。公司产品参数达到全球领先水平，并且一次流片成功，充分体现出公司在碳化硅领域的技术优势。同时，至信微的碳化硅MOSFET量产良率超过90%，业内......
碳化硅芯片设计公司至信微电子完成数千万元天使+轮融资(2023-02-15 15:05)
MOSFET晶圆厂合作开发出高可靠性的碳化硅产品。公司产品参数达到全球领先水平，并且一次流片成功，充分体现出公司在碳化硅领域的技术优势。同时，至信微的碳化硅MOSFET量产良率超过90%，业内......
Bourns推出10款新型号碳化硅肖特基势垒二极管产品(2023-10-06)
Bourns推出10款新型号碳化硅肖特基势垒二极管产品;
【导读】2023年9月26日 - 美国柏恩 Bourns 全球知名电源、保护和传感解决方案电子组件领导制造供货商，今日推出 10......
巨头之间强强联手！碳化硅车基市场已打开，参与者都想要分一杯羹(2023-06-26)
线也会朝汽车市场布局，丰富碳化硅MOSFET系列。据悉，公司预计在2023年针对650V/1200V/1700V SiC MOS 陆续推出各个型号的产品。
此外，基本半导体车规级碳化硅......
Microchip推出碳化硅电子保险丝演示板(2023-05-10)
Microchip推出碳化硅电子保险丝演示板;为保护电动汽车应用中的电子设备提供更快、更可靠的方法
新器件有6种型号，适用于400—800V电池系统
电池电动汽车（BEV）和混合动力汽车（HEV......
8英寸碳化硅！天科合达北京二期项目正式开工(2024-11-13)
固废库、综合楼、门卫等。
公司拟购置长晶及附属、晶体加工、晶片加工等工艺设备，新建6-8英寸碳化硅衬底生产线及研发中心，以及相关配套设施。
项目用于扩大公司碳化硅晶体与晶片产能，同时建设研发中心以对生产工艺和参数......
Microchip抢攻三代半导体市场，推完全配置SiC MOSFET数字栅极驱动器(2021-09-23)
Microchip抢攻三代半导体市场，推完全配置SiC MOSFET数字栅极驱动器;随着电动公共汽车和其他电气化重型运输车辆需求增加，满足更低碳排放目标，基于碳化硅（SiC）的电......
电驱逆变器SiC功率模块芯片级热分析(2024-06-11)
在上下桥臂开关管之间以及开关管内部裸片之间均衡分配电流，前提是它们的静态参数差异不大。此外，良好的电路布局意味着，只有裸片之间互热效应合理，热应力才能分布均衡[1]。
本文介绍一个电驱逆变器模块连续工作测温系统的开发步骤和过程，并分析了影响功率模块使用寿命的并联碳化硅......
全方位剖析：英飞凌如何领跑“低碳转型”绿色赛道？(2025-01-06)
因就在于英飞凌的沟槽栅技术可以通过更厚的氧化层和更高的筛选电压，来最大限度地降低门极氧化层的缺陷密度，从而更好地保障可靠性。
二是，碳化硅性能的评价原则。有人说，碳化硅性能主要看单位面积导通电阻RSP，电阻越小，产品越好。还有人说，英飞凌的参数......
全面升级！安森美第二代1200V SiC MOSFET关键特性解析(2024-04-09)
的性能实现了大幅提升，但它针对的是通用领域，设计参数折中，没有特别针对某个领域。一些工程师在产品设计时，希望选择更针对他们应用领域的特定产品。
安森美第二代1200V碳化硅MOSFET分为......
Bourns 推出首款650 V – 1200 V碳化硅肖特基势垒二极管(2023-07-08)
– 1200 V 碳化硅 (SiC) 肖特基势垒二极管 (SBD) 正式上市。 Bourns® SiC SBD 系列提供六款型号，旨在提供出色的载流和散热能力以及高功率密度，从而......
9月即将量产，东芝纯碳化硅产品提上日程(2021-09-15)
9月即将量产，东芝纯碳化硅产品提上日程;2021年9月9日-11日，PCIM Asia 2021在深圳国际会展中心举办。作为德国顶尖专业电力电子展会PCIM Europe的姐妹展，自2002年在......
晶驰机电8英寸碳化硅设备开始交付(2025-01-09)
晶驰机电8英寸碳化硅设备开始交付;据晶驰机电官微消息，晶驰机电开发的8英寸碳化硅（SiC）电阻式长晶炉近日通过客户验证，并正式开启了小批量交付。
据介绍，该设备采用独特的结构设计，结合......
5.2亿！天科合达加码碳化硅设备(2024-09-18)
单晶衬底和外延生产线。
而在今年8月，北京市生态环境局公示了天科合达碳化硅衬底产业化基地建设二期项目（以下简称：二期项目）环评审批。
二期项目用于扩大天科合达碳化硅晶体与晶片产能，同时建设研发中心以对生产工艺和参数......
碳化硅MOSFET在新能源行业有怎样的应用和发展(2024-03-22)
碳化硅MOSFET在新能源行业有怎样的应用和发展;1、碳化硅场效应管SiC-MOSFET
在碳化硅电力电子器件的研究中，SiC-MOSFET是最受关注的器件。在Si材料接近理论性能极限的今天，SiC......
2026年全球GaN射频器件市场预计超过24亿美元(2021-06-08)
GaN外延片方面，主要有两种衬底技术，分别是GaN-on-Si（硅基氮化镓）和GaN-on-SiC（碳化硅基氮化镓）。此外还有GaN-on-sapphire，以及GaN-on-GaN技术。
从性......
Axcelis宣布：向碳化硅芯片制造商批量出货Purion Power系列离子注入机(2023-07-13)
Axcelis宣布：向碳化硅芯片制造商批量出货Purion Power系列离子注入机;7月11日，半导体离子注入解决方案供应商Axcelis Technologies，Inc.（以下......
纳微发布第三代快速碳化硅MOSFETs， 促进AI数据中心功率提升，加快电动汽车充电速度(2024-06-13 10:04)
纳微发布第三代快速碳化硅MOSFETs， 促进AI数据中心功率提升，加快电动汽车充电速度;具备行业领先的温控性能，全新650V和1200V碳化硅MOSFETs可低温运行和快速开关，为AI数据......
RS瑞森半导体碳化硅二极管在光伏逆变器的应用(2022-12-30)
涌电流耐量； 符合军工民用考核标准：GJB 7400-2011，器件参数一致性较好;
三、碳化硅在器的应用
碳化硅(SiC)是一种非常适合电力应用的半导体，这主要归功于它能够承受高电压，比硅......
相关企业
硅管）,规格有:2寸,3寸,4寸,5寸,6寸碳化硅管;碳化硅舟,规格有:2寸,3寸,4寸,5寸,6寸;型号有:棒型舟（或叫四方舟）,半圆型舟,平板舟.桶型舟等;悬臂梁.和碳化硅浆（可以替代进口）可以
;江苏环能硅碳陶瓷有限公司;;泰州市环能硅碳棒制造有限公司是一家专业生产碳化硅制品企业，公司致力于研发高性能硅碳棒及碳化硅陶瓷，并与高等科研所合作开发新型高温电热元件，是一
;淄博兴德碳化硅有限公司;;本公司目前致力于开发｜磁性材料炉用推板 碳化硅莫来石结合新型耐火材料
;枣庄市鑫阳磨料磨具有限责任公司;;碳化硅 枣庄市鑫阳磨料磨具有限责任公司 地址：山东省滕州市经济工业园区 电话：0632－5883388 5883366 传真：0632－5883366 电子
和销售于一体的综合性企业。公司专业生产刚玉、碳化硅，刚玉莫来石耐火材料，产品广泛应用于磁性材料厂、陶瓷厂和玻璃窑炉等行业。现主要产品有：规格为25KG-1T的刚玉-碳化硅坩埚、浇口；粉体煅烧匣钵；氧化
;苏州英能电子科技有限公司;;苏州英能电子科技有限公司，成立于2011年5月，是一家专注碳化硅二极管研发、生产、销售的半导体制造公司，其以优秀的归国博士团队为基，与浙江大学电力电子中心密切合作，引进国外碳化硅
;潍坊通用工程陶瓷有限公司;;潍坊通用工程陶瓷有限公司是一家专业从事研究、生产、销售真空反应烧结碳化硅制品的股份制高新技术企业。本公 司引进德国真空反应烧结碳化硅生产工艺和软件技术，拥有
;山东天岳先进材料科技有限公司;;山东天岳先进材料科技有限公司是专业从事蓝宝石和碳化硅单晶生长加工的高新技术企业。公司的主要产品有2-6英寸蓝宝石和2-4英寸碳化硅单晶衬底，其产
全自动液压震动成型机和高速升温烧成梭式窑（1750℃）可生产大面、超厚、超薄耐火材料制品，主要产品有：碳化硅、莫来石、刚玉-莫来石、堇青石-莫来石、硅线石（红柱石）-莫来石系列产品，其中二氧化硅结合碳化硅转、莫来石结合碳化硅砖、刚玉
;潍坊六方碳化硅陶瓷有限公司;;