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厂商纷纷加码SiC衬底，又一项目量产;11月初传出的晶盛机电碳化硅（SiC）衬底片项目正式签约启动相关消息的热度还未完全消退，晶盛机电近日披露的新进展再次引发关注。 晶盛机电SiC衬底......
超越车规！国产SiC衬底致命缺陷降80%;近日，国内一家SiC衬底厂商取得了车规级的技术成果。 据山西天成半导体介绍，他们新开发的6英寸导电型SiC衬底的缺陷得到了非常好的抑制，其中部分TSD缺陷......
共14家！8英寸碳化硅衬底企业进度一览;当下，电动汽车渗透率不断增高，同时整车电气架构向800V高压方向演进，这一趋势推动了市场对SiC器件的需求。其中，SiC衬底作为成本最高、技术......
中晶芯源8英寸SiC单晶和衬底项目正式备案;尽管目前市场上碳化硅（SiC）衬底供应仍然以6英寸为主，8英寸尚未大规模普及，但国内SiC衬底头部厂商普遍都在积极进军8英寸。近日，又有一家知名厂商旗下8......
近年来对碳化硅（SiC）衬底需求的持续激增;随着近年来对（）衬底需求的持续激增，市场研究公司TrendForce表示，对于的成本降低呼声越来越高，因为最终产品价格仍然是消费者的关键决定因素。本文......
对碳化硅 (SiC-MOSFET) 和关键碳化硅衬底本身的需求从未如此之大。据多位分析师预测，2023 年 SiC 市场价值将达到 10-20 亿美元，并且复合年增长率达到 30%。 然而，关于......
法国半导体材料厂商发布首片8英寸SiC衬底;5月4日，法国半导体材料商Soitec宣称发布了首片8英寸SiC衬底，该衬底基于其专有的SmartSiC™工艺技术，有助于改善电力电子器件的性能，增强......
有覆盖SiC粉料制备、单晶生长和晶片加工等的整套生产线，其中单晶生长设备有600台。 核心技术方面，烁科晶体掌握了SiC生产装备制造、高纯SiC粉料制备工艺、N型SiC单晶衬底和高纯半绝缘SiC单晶衬底......
龙头企业，产业涵盖碳化硅单晶炉制造、碳化硅单晶生长原料制备和碳化硅单晶衬底制备。 技术方面，作为国内最早实现SiC衬底产业化的企业之一，天科合达在国内率先成功研制出6英寸SiC衬底......
动半导体芯片市场从 2021 年的441亿美元增长到 2027 年的807亿美元，复合年增长率 (CAGR) 达到 11.1%。 电气化将需要SiC等新型衬底，预计2027年SiC晶圆......
成本可降低10%，日本推碳化硅衬底新技术;据日经中文网报道，日本中央硝子（Central Glass）开发出了用于功率半导体材料“碳化硅（SiC）”衬底的新制造技术。 据介绍，中央......
8英寸时代：国产碳化硅衬底如何升级？;当下，新能源汽车、5G通讯、光伏、储能等下游领域迸射出的强烈需求，正驱动着碳化硅（SiC）产业在高速发展，与此同时多方纷纷加强研发力度，旨在突破技术壁垒，抢占......
）及其他新型半导体产业关键技术。 2022年8月，保定市第三代半导体产业技术研究院项目签约，项目立足国际前沿的第三代半导体材料关键技术、产业化技术，拟搭建SiC单晶衬底......
项目签约落地或进行环评公示，这些项目都在进行开工前准备工作。 从投资规模来看，嘉兴国家高新区SiC半桥模块制造项目、赛达半导体SiC外延项目、连城数控第三代半导体设备研发制造项目、摩珂达SiC项目、江西罡丰第三代半导体衬底......
英寸n型4HSiC衬底，双方共同致力于扩大8英寸SiC器件的生产规模。 芯粤能SiC芯片制造项目加速一期产能爬坡 近日，据芯粤能晶圆厂厂长邵永华介绍，目前整个工厂正在扩产爬坡，预计......
晶盛机电：SiC生长设备自研自用，外延设备外销;12月19日，晶盛机电在投资者互动平台表示，公司碳化硅（SiC）生长设备为自研自用，对外销售SiC外延设备。SiC衬底......
南砂晶圆已生长出单一4H晶型8英寸SiC 晶体; 【导读】近期，在第八届国际第三代半导体论坛召开的“碳化硅衬底材料生长与加工及外延技术“分论坛上，山东大学教授、南砂......
中国6英寸碳化硅衬底价格暴跌，将低至每片400美元; 【导读】自2024年初以来，6英寸碳化硅（SiC）衬底价格持续下跌，行业从供应短缺迅速转向供过于求，预计未来价格将进一步下降。随着......
迪在SiC领域的布局链条竟然比一般的SiC IDM企业还要广泛，从衬底、外延，到模块封装。一般来说，SiC IDM企业覆盖芯片设计、晶圆制造、封装测试，部分企业还会涉及外延的部分，一些......
汽车充电三合一系统，另外也助力布鲁姆能源(Bloom Energy)的燃料电池和电解系统效率提升。 SiC衬底方面，其在SiC功率元件中成本占比达49%，也是决定元件质量的关键，目前......
全新电驱的碳化硅成本减少50%等等。上游衬底、芯片产能和良率不断提升，SiC模块具备一定的降价空间。 全球 SiC 从 6英寸往 8英寸发展，有望带动芯片单价下降。正如硅片晶圆从 8 英寸往 12 英寸......
碳化硅渗透“踩油门”：衬底大厂释放积极信号;近期第三代半导体行业消息频出。种种迹象表明，第三代半导体——特别是碳化硅正进一步加速渗透。 17日，全球碳化硅（SiC）衬底......
罗姆宣布明年在日本生产8英寸SiC衬底;罗姆半导体（Rohm）株式会社社长松本功近日在2023年11月财报电话会议上宣布，将在位于日本宫崎县的第二家工厂生产8英寸SiC衬底，主要......
追赶国际步伐，国产碳化硅产业迎新进展，衬底材料将是未来竞争关键; 【导读】业界消息显示，天岳先进、天科合达这两家中国企业正在加紧进行8英寸SiC碳化硅晶圆产能建设，近期......
电力和能源等应用对意法半导体 SiC器件日益增长的需求 •三安光电还将单独建造一个8英寸 SiC衬底制造厂，以满足该合资厂的衬底需求 2023年6月7日，中国 -- 服务......
乾晶半导体全资子公司及生产基地，乾晶半导体（衢州）有限公司2023年10月发文称，公司SiC衬底项目中试线主厂房已封顶。 据悉，乾晶半导体6英寸SiC衬底已经通过客户验证，工艺......
到2026年，中国SiC产能、衬底产能将达460万片，可满足约3000万辆新能源汽车的SiC器件需求，也确实存在着产能过剩的风险。 天岳先进济南和济宁工厂年产能约6.7万片，主要为4~6英寸半绝缘型衬底......
年，英飞凌几乎与产业链上主要的SiC衬底供应商都开展了合作，追其原因，主要是全球领先的SiC器件供应商如罗姆、安森美、意法半导体等都已陆续买下和投资了不同的优质SiC衬底供应商，建立起了企业的内部衬底......
上演逼空行情？碳化硅衬底出货量2023年或劲增22%; 【导读】研究机构TECHCET日前预测，尽管全球经济普遍放缓，但2023年碳化硅(SiC)衬底......
昭和电工8英寸SiC外延片样品开始出货;9月5日，日本昭和电工（SDK）宣布，基于其单晶SiC衬底生产的8英寸SiC外延片样品已经开始出货，主要用于SiC功率半导体器件。 据悉，SiC功率......
飞凌的CoolSiC已导入台厂台达电（Delta）的双向逆变器中，应用于太阳能发电、储能、电动汽车充电三合一系统，另外也助力布鲁姆能源（Bloom Energy）的燃料电池和电解系统效率提升。 SiC衬底......
Energy）的燃料电池和电解系统效率提升。 SiC衬底方面，其在SiC功率元件中成本占比达49%，也是决定元件质量的关键，目前Wolfspeed的SiC衬底......
飞凌的CoolSiC已导入台厂台达电（Delta）的双向逆变器中，应用于太阳能发电、储能、电动汽车充电三合一系统，另外也助力布鲁姆能源（Bloom Energy）的燃料电池和电解系统效率提升。 SiC衬底方面，其在......
关注的是，过去一年中有获得投资的同光晶体、天域半导体、世纪金光、南砂晶圆均为SiC衬底厂。又因多笔融资未公布具体金额，我们无法做更详细的对比，但可以看出2021年投资方的数量也有增多，这代表资本看好国内SiC......
[3]。衬底方面，ST 目标是到2024 年实现40% 以上SiC 衬底的内部供应。为达成上述目标，ST 收购了Norstel 以将其转化为ST的技术并扩大产能，并在意大利卡塔尼亚建设一座投资8亿美元的衬底......
年第二季度备案和申报，规划投资25亿元，项目全部达产后，SiC衬底的产能约为30万片/年。从投资规模和产能规划来看，上海基地项目有望让天岳先进的市场地位再进一步。 近年来，随着......
亿元，项目全部达产后，SiC衬底的产能约为30万片/年。从投资规模和产能规划来看，上海基地项目有望让天岳先进的市场地位再进一步。 近年来，随着全球尤其是国内市场掀起一股SiC投资扩产热潮，天岳......
最多份额的Cree在2019年宣布五年内投资10亿美元，以便在2024年将产能提升30倍，8英寸SiC衬底也将在2022年量产；II-VI则表示将把6英寸SiC衬底的产能提升5至10倍，其中也包括量产8英寸衬底......
三安半导体有限责任公司和意法半导体（中国）投资有限公司共同出资成立安意法半导体有限公司，注册资金6.12亿美元，双方持股比例分别为51%、49%。 同时为了满足该合资厂的衬底需求，三安光电计划利用自有SiC衬底......
意法半导体 ST在全球整体的SiC业务中（从晶圆到器件甚至延伸至衬底）均占据着较大的竞争优势。受纯电动汽车（BEV）应用的推动，碳化硅功率器件行业保持强劲增长，而ST长期以来在SiC功率......
表面面积需要至少达到 40mm²。但在标准单晶 SiC 衬底上制造这些器件无法达到必要的良率，而且经济上也不可行。此外，用于制造 SiC 晶锭的 PVT 工艺固有的缺陷范围，直到......
碳化硅器件合资制造工厂。此外，三安光电还将利用自研的碳化硅衬底工艺，单独建造和运营一个新的8英寸碳化硅衬底制造厂。 重庆三安意法SiC项目总规划投资约300亿元人民币，项目达产后将建成全国首条8英寸SiC衬底......
两家SiC材料厂完成新一轮融资;近日，碳化硅（SiC）产业资本市场风云再起，SiC衬底供应商江苏超芯星半导体有限公司（以下简称超芯星）和SiC原材料厂商湖南东映碳材料科技股份有限公司（以下......
，两家国内厂商将为英飞凌供应6英寸SiC材料； 三安光电和意法半导体共同宣布，将斥资50亿美元在重庆建立一座8英寸SiC衬底厂，据意法半导体的估算，到2030年该厂将帮助意法半导体实现50亿美......
汽车特别工作组质量管理体系”（IATF16949）认证，进军新能源汽车芯片衬底市场。 SiC产业从6英寸向8英寸迈进 国内外企业加速布局 目前，SiC/GaN热度高涨，其中SiC产业6英寸向8英寸......
法半导体新签协议，扩大碳化硅衬底供应；世纪金芯与日本某客户签订了SiC衬底片订单；创微微电子中标碳化硅设备订单；羲和未来科技与英飞凌签订一份合作伙伴备忘录，后者将为前者提供SiC等功率半导体器件；全球......
阻率。 近年来，半绝缘SiC衬底上外延生长的GaN高迁移率晶体管(GaN-on-SiC HEMTs)已广泛应用于微波射频领域的功率放大器电路中，然而由于GaN和SiC晶体之间的晶格失配和热失配，导致......
，ESTech预计将扩大设备产品组合，多元化利润增长渠道。 作为合作方，Senic正在开发SiC衬底产品以满足功率半导体客户及电动汽车市场客户的需求，并表示将联合国内企业共同为振兴韩国SiC材料......
国内8英寸碳化硅加速布局！;近期，三安半导体发布消息称，公司携全产业链产品亮相SEMICON Taiwan 2023。除了推出650V-1700V宽电压范围的SiC MOSFET外，三安半导体还首发了衬底......
业务涵盖碳化硅、氮化镓化合物半导体功率芯片的研发、设计、制造及服务，目前建立具有自主知识产权的衬底（碳化硅）、外延、芯片及封装产业生产基地。湖南三安半导体是三安光电在SiC领域布局的重点项目。 从产......

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