1月2日，平煤神马集团党委书记、董事长李毛带队考察了乾晶半导体和浙江大学杭州国际科创中心先进半导体研究院。浙江大学杭州国际科创中心先进半导体研究院首席科学家杨德仁和乾晶半导体董事长皮孝东等接待了李毛一行，介绍了浙江大学杭州国际科创中心先进半导体研究院在碳化硅（SiC）材料研究方面的成果，以及乾晶半导体在SiC材料产业化方面的进展。

考察期间，平煤神马集团旗下中宜创芯与乾晶半导体签订战略合作协议，双方将在推进行业技术创新、高层次人才培养、以及SiC材料质量标准建设等方面开展合作。

资料显示，乾晶半导体于2020年7月成立于浙江大学杭州国际科创中心，专注于第三代半导体材料领域，从事SiC单晶生长、晶片加工和设备开发。公司已与浙大科创中心先进半导体研究院成立联合实验室，共同承担SiC材料的产业化任务。

SiC材料研发及项目进展方面，作为乾晶半导体全资子公司及生产基地，乾晶半导体（衢州）有限公司2023年10月发文称，公司SiC衬底项目中试线主厂房已封顶。

据悉，乾晶半导体6英寸SiC衬底已经通过客户验证，工艺技术将转入衢州生产基地开展产业化，项目拟月产6英寸SiC衬底5千片，计划于2024年二季度达产。同时，乾晶半导体8英寸SiC晶体生长技术于2023年四季度转入萧山研发中心进行中试。随着衢州生产基地项目一期到三期的建成达产，乾晶半导体将逐步实现年产60万片6/8英寸SiC衬底产能。

值得一提的是，2023年初，乾晶半导体宣布完成亿元Pre-A轮融资，本轮融资由元禾原点领投，紫金港资本等机构跟投，融资资金将用于公司SiC衬底的技术创新和批量生产。

中宜创芯成立于2023年5月，是由中国平煤神马控股集团和平顶山发展投资控股集团共同出资设立的合资公司，主要开展电子级高纯SiC粉体和SiC衬底的生产和经营业务。

2023年9月21日，中宜创芯年产2000吨电子级SiC粉体项目启动试生产。2023年国庆期间，经权威机构检测，中宜创芯首炉SiC产品纯度为99.99996%，达到国内优等品标准。

与中宜创芯战略合作，有助于乾晶半导体获得SiC原材料供应，进而巩固自身的SiC衬底产能。

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