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研发客服5月4日，法国半导体材料商Soitec宣称发布了首片8英寸SiC衬底，该衬底基于其专有的SmartSiC™工艺技术，有助于改善电力电子器件的性能，增强电动汽车的能源效率。
据介绍，Soitec在位于法国格勒诺布尔（Grenoble）CEA-Leti的衬底创新中心试产线上开发8英寸SmartSiC™ SiC衬底，通过产品的正式发布，Soitec向市场展示了其8英寸SiC衬底的质量和性能，并开展第一轮关键客户产品验证。
据化合物半导体市场观察，自2021年以来，Soitec从收购SiC相关企业、强强联盟、到建厂扩产等多个层面着手，积极为开拓SiC市场铺路，一步一步推动技术研发成果的产业化。
在布局8英寸SiC衬底方面，Soitec今年显然加快了研发及成果转化的步伐。
早在1月，Soitec就宣布与新加坡科技研究局A*STAR下属的全球性研究机构微电子研究所IME达成合作，结合自有的专利技术和IME的8英寸SiC试产线，共同制备8英寸SiC衬底，面向电动汽车及高压电子产品应用。
如今，首片8英寸SiC衬底的正式发布，对于Soitec而言有着里程碑式的意义。一方面，Soitec扩大了6英寸以上SiC的产品组合，将更好地满足汽车市场对SiC产品不断增长的需求。另一方面，Soitec证明了自身的技术实力，有利于其获得市场和客户的广泛认可，尤其是电动汽车市场。
作为SiC领域最强的驱动力，电动汽车市场近些年来一直处于全球聚光灯之下，Soitec预计在2030年之前，电动汽车在所有新车中的占比将达40%左右，而这将为SiC产品创造巨大的商机，也因此，Soitec加大对车用SiC产品的布局力度。
Soitec表示，SmartSiC™技术是将高质量SiC超薄层键合在超低电阻的多晶SiC（poly-SiC）晶圆上，对于实现高能效电动汽车来说，将起到关键的作用，持续丰富的SmartSiC™产品线也将成为Soitec打开更大应用市场空间的钥匙。现阶段，Soitec已与SiC器件主要厂商就SmartSiC™产品开展合作，预计2023年下半年产生第一笔收入。
技术、产品层面之外，Soitec也随着行业扩产的大潮，于今年3月宣布在法国柏林（Berlin）建设新工厂。该工厂将用于制造6英寸和8英寸SmartSiC™ SiC衬底，面向电动汽车和工业应用等终端市场。新工厂预计2023年下半年前投入运营，届时公司产能6/8英寸产品的产能将进一步扩大，产品的市场渗透率也有望逐渐提升。
封面图片来源：拍信网
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