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有覆盖SiC粉料制备、单晶生长和晶片加工等的整套生产线，其中单晶生长设备有600台。 核心技术方面，烁科晶体掌握了SiC生产装备制造、高纯SiC粉料制备工艺、N型SiC单晶衬底和高纯半绝缘SiC单晶衬底的制备工艺......
取代CMP工艺，牛津仪器开发SiC衬底加工新方法;近日，英国半导体设备厂商Oxford Instruments（牛津仪器）宣布开发了全新的SiC衬底加工新工艺，并验证了兼容HVM的SiC衬底等离子抛光工艺......
品的发布填补了国内在这一领域的空白。 东方卫视相关报道视频截图 上海瞻芯电子也成为国内首家掌握6英寸SiC MOSFET工艺以及SiC MOSFET驱动......
：“专用于 SiC 的设备的主要挑战与晶圆处理有关，此外还有多个工艺要求。” “由于宽带隙材料固有的化学物理特性，我们在制造流程中使用了一些新的设备和工艺。与通常用于硅基功率器件的工艺相比，高温外延和离子注入工艺......
需要突破各项瓶颈。 在此背景下，IME与centrotherm旨在结合IME的工艺集成和器件特性描述能力以及centrotherm的专业设备，共同开发用于制造SiC器件的热处理技术，譬如，优化......
提高功率模块整体效率；开关频率高，降低了电容电感体积，利于电力电子变换器的整体小型化；工作环境温度理论上可达 600 ℃，远超 Si 基器件，利于在高温环境下的应用。随着 SiC 晶圆制造技术和栅氧工艺的日益成熟，已有......
设计的相关软件应用。 实际上，就算SiC晶圆厂拥有高端人才，也不代表就一定能量产SiC器件。SiC器件厂商一定要有成体系的发展，在器件设计、工艺开发、设备、生产、检测、动力、质量、供应链、市场、应用、投融......
模块，1200V 1040A SiC功率模块采用了双面烧结工艺，即SiC MOSFET上下表面均采用烧结工艺进行连接，具备更出色的工艺优势与可靠性。 该模块成功克服了模块空间限制的难题，在不......
价值和技术都可能根据原始设备制造商的选择而改变。 SiC设计技术演进 Yole SystemPlus在其报告中分析了目前可用的设备设计技术。该公司比较了多达14个1200伏晶体管的横截面。大多数玩家都在平面工艺......
美等海外大厂垄断，而近期，国产1200V SiC MOSFET又有了新进展。本土IDM厂商量产第三代SiC MOSFET工艺平台最近瞻芯电子宣布其第三代1200V SiC MOSFET工艺平台正式量产，该工艺......
瞻芯电子：第三代SiC MOSFET通过车规认证; 6月23日，瞻芯电子宣布，公司基于第三代工艺平台开发的1200V 13.5mΩ SiC MOSFET产品已经通过车规级可靠性(AEC-Q101......
芯片采用平面栅型结构，具有独立自主的知识产权、自主设计的新型终端结构具有更高的工艺可靠性，在同等耐压水平下，体积更小，可应用于新能源汽车主驱逆变器等车载电源系统。 中汽创智表示，通过以SiC模块为切入点，快速......
碳化硅涂层技术的研发及其在半导体产业中的应用，公司主要产品为LED芯片外延用SiC涂层基座、硅单晶外延基座、第三代半导体外延基座和组件、碳化钽涂层等。 值得注意的是，半导体涂层材料作为各类芯片工艺方面的关键耗材，一直......
器件的研发与产业化。公司拥有国际领先水平的SiC器件设计及工艺团队，核心团队从事SiC工艺和器件20余年，研发和产业化多代SiC功率器件，并通过车规级测试。 目前，清纯半导体依托国内SiC器件量产线研发自主工艺......
通过技术鉴定评审。 鉴定委员会认为，优晶科技8英寸电阻法SiC晶体生长设备及工艺成果技术难度大，创新性强，突破了国内大尺寸晶体生长技术瓶颈，拥有自主知识产权，经济效益显著。 资料显示，优晶科技成立于2010年12月......
瞻芯电子：第三代SiC MOSFET通过车规认证;6月23日，瞻芯电子宣布，公司基于第三代工艺平台开发的1200V 13.5mΩ SiC MOSFET产品已经通过车规级可靠性(AEC-Q101)测试......
崛起同样新增了代工需求。 首先来谈第三代半导体代工与CMOS代工模式的差异。 CMOS代工：Foundry开发以线宽为基础的工艺流程，客户围绕该基准流程设计芯片。 SiC/GaN代工：Fabless......
RTP快速退火炉提高SiC晶体生长质量;SiC器件制造过程主要包括“光刻、清洗、掺杂、蚀刻、成膜、减薄”等工艺，其中，离子注入工艺是SiC掺杂的重要步骤，以满足SiC器件耐高压、大电......
生产带来了相当大的变数。然而，凭借 SmartCut™ 工艺，每个晶圆都可以实现重复利用十次以上，从而降低了变异性。通过使用外延层作为供体，我坚信我们的下一代SiC 晶圆——SmartSiC™ 晶圆......
这只是具备了获得一个碳化硅器件的良好基础，高性能的碳化硅器件对于器件的工艺有着极高的要求，接下来我们来看看(onsemi)在SiC MOSFET器件上都获得了哪些进展和成果。本文引用地址：Die Layout 下图......
这只是具备了获得一个碳化硅器件的良好基础，高性能的碳化硅器件对于器件的设计和制造工艺有着极高的要求，接下来我们来看看安森美(onsemi)在SiC MOSFET器件......
幅高于 DBC 工艺的 15N / mm，更适合精密度高的陶瓷基板电路板，这一特性也使得 AMB 基板具备高温高频特性，导热率为 DBC 氧化铝的 3 倍以上，且使用过程中能降低 SiC 约 10% 的热......
优晶科技8英寸电阻法SiC单晶生长设备通过技术鉴定;6月7日，苏州优晶半导体科技股份有限公司（以下简称“”）宣布电阻法获行业专家认可，成功通过技术鉴定评审。本文引用地址：鉴定委员会认为，电阻法晶体生长设备及工艺......
晶能SiC半桥模块试制成功; 近日，晶能首款SiC半桥模块试制成功，初测性能指标达到国际一流水平。 晶能SiC半桥模块 该模块电气设计优异，寄生电感5nH；采用双面银烧结与铜线键合工艺，配合环氧树脂转模塑封工艺......
电子开发的第二代SiC MOSFET产品驱动电压(Vgs)为15-18V，可提升应用兼容性，简化应用系统设计。在产品结构上，第二代SiC MOSFET与第一代产品同为平面栅MOSFET，但进一步优化了栅氧化层工艺......
制造领域存在一个瓶颈：晶锭分割工艺过程。目前，SiC晶锭主要通过砂浆线/金刚石线切割，效率低和损耗高。 据悉，通用智能采用激光隐切技术完成SiC晶锭分割工艺过程，并成功实现8寸碳......
半导体相比可以更低。半导体制造是重资产行业，就算成熟工艺产线的投入低于先进工艺产线，也不意味着建设一个晶圆厂能有多“便宜”。 泰科天润应用测试中心主任高远大致估算了成熟工艺SiC晶圆厂的建厂成本。晶圆......
制约SiC 和GaN 解决方案推广的挑战包括成本、开发经验等。 ● 成本方面，SiC 功率器件因为生产工艺和良率等因素，其成本高于硅器件。但随着近年来技术、工艺和产能的持续改善，SiC 与硅......
韩国硅晶圆厂新签代工协议，发力8英寸GaN功率半导体;据韩媒报道，9月22日，东部高科（DB Hitech）与韩国半导体公司A-pro Semicon宣布签署了一项开发GaN功率半导体代工工艺......
亿元。 其中，省在建重点项目1409个，省预备重点项目171个，包括多个半导体产业项目，如士兰12英寸特色工艺半导体芯片制造生产线建设项目、士兰明镓SiC功率器件生产线建设项目、晋江......
国由于进口外延炉供货短缺，国产的外延炉仍需验证、外延工艺难度大，因此国内SiC外延厂商数量还比较少，且市占率也较低，其中以天域和瀚天天成的产能较为稳定。 天域的6英寸外延已经成熟，在8英寸外延上也有储备。其实，该公司的6英寸......
实现更低电阻的设计。 不过，既然这么强，为啥还会有厂商激进，有厂商保守？这是因为在SiC MOSFET面前，还存在工艺和应用两大的障碍。 一是槽角处容易高漏极电压下造成栅氧化层迅速击穿，同时......
晶体 作为国内SiC衬底领先厂商，烁科晶体此次重磅展示了6/8英寸的导电N型和半绝缘型SiC衬底。 烁科晶体在国内率先突破8英寸导电N型SiC单晶衬底制备工艺技术，并已......
的出路 究其背后原因，高巍博士分析到，“一是新能源汽车应用涉及生命财产安全，对SiC器件的可靠性、工艺等方面都有着高要求；第二点是新能源汽车对功率器件要求的寿命是15至20年，技术门槛高；第三......
两家SiC材料厂完成新一轮融资;近日，碳化硅（SiC）产业资本市场风云再起，SiC衬底供应商江苏超芯星半导体有限公司（以下简称超芯星）和SiC原材料厂商湖南东映碳材料科技股份有限公司（以下......
的新方法”。 日本碍子表示，减少SiC衬底中的BPD是提高SiC功率器件产量和可靠性的重要手段。公司开发出了一种工艺，利用其陶瓷加工技术在多个衬底上生长具有低BPD密度的4H-SiC晶体。 今年3月，日本......
Tesla缩减75％ SiC用量，这项工艺或为关键！;Tesla最近表示将在不损害汽车性能和效率的前提下，在下一代电动汽车平台缩减75% SiC用量，这是Tesla提供......
瞻芯电子-车规级碳化硅(SiC)MOSFET; 申请奖项丨汽车芯片50强 申请产品丨车规级碳化硅(SiC)MOSFET 产品描述： 瞻芯电子车规级SiC MOSFET产品，电压......
于开发碳化硅功率器件、驱动和控制芯片、碳化硅功率模块产品。自公司成立后，瞻芯电子便启动6英寸Sic MOSFET产品和工艺的研发工作。 2018年4月27日，瞻芯电子SiC MOSFET第一......
了突破性进展。 报道指出，目前，中电科二所科研团队已掌握激光剥离技术原理与工艺基础，并利用自主搭建的实验测试平台，结合特殊光学设计、光束整形、多因素耦合剥离等核心技术，实现了小尺寸SiC（碳化硅）单晶......
立于上海自贸区临港新片区，其自主开发并掌握了6英寸SiC MOSFET产品以及工艺平台。今年9月，瞻芯电子正式宣布量产1200V 25mΩ Full-SiC（IV1B）半桥功率模块，在现有SiC MOSFET产品和SiC......
应用于 SiC，生产“工程衬底”，以解决“与碳化硅衬底的供应、产量和成本相关的挑战” 。Soitec 的 SmartSiC 工艺细节于 2021 年公布，而 2022 年Soitec 和意......
于新能源汽车、光伏储能、消费电子等领域的全球数百家客户。 今年3月1日，爱仕特宣布，公司成功中标中国电气装备集团旗下“SiC模块封装设计与工艺开发技术服务项目”。此次中标，公司将提供SiC功率模块封装设计与工艺......
新系统生产的成品晶圆表面粗糙度仅为机械减薄SiC 晶圆的五十分之一，是批式 CMP工艺系统的粗糙度的三分之一。 为助力行业向200毫米大尺寸晶圆转型，应用材料公司发布了全新的Mirra® Durum™ CMP系统， 它集成抛光、材料......
将在收到中国证监会予以核准的正式文件后另行公告。 此前不久，斯达半导发布公告表示，公司拟募资35亿元用于高压特色工艺功率芯片研发及产业化项目、SiC芯片研发及产业化项目、功率......
-2，8英寸晶体微管密度＜0.1个cm-2，位错缺陷密度＜5000个cm-2，晶体质量处于行业领先水平。 生长速率方面，科友半导体基于高热场稳定性、高工艺稳定性、和高装备稳定性，突破了8英寸SiC晶体快速生长工艺......
唯样 x 瞻芯电子强强联手，助力SiC功率半导体国产化替代; 眼尖的采购可能会发现，瞻芯电子就是Inventchip,它是中国首个自主研发并掌握6英寸MOSFET产品和工艺的国产品牌，并拥......
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顺利通过综合验收。 报道称，“第三代半导体核心装备国产化关键技术攻关”项目由中国电子科技集团公司第四十八研究所承担。项目突破了6英寸SiC（碳化硅）外延生长设备和高温高能离子注入机的工艺性能、产能、稳定......
2大厂即将量产8英寸碳化硅;随着8英寸碳化硅（SiC）工艺日趋成熟，不少SiC厂商开始加速6英寸向8英寸转型。近日，安森美和Resonac两家国际大厂在8英寸SiC投产方面传来新消息。 安森......

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