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发一种光隔离的功率集成构建模块，该构建模块将增强对电力电子转换器的控制，从而实现更高效、更可靠的电网。 （(奖励金额：306万美元） 佐治亚理工学院（佐治亚州亚特兰大）将利用宽带隙 III 族氮化物材料开发一种新型半导体开关器件......
开关损耗测试方案中的示波器探头应用;　　如今的开关电源技术很大程度上依托于电源半导体开关器件，如MOSFET和IGBT。这些器件提供了快速开关速度，能够耐受没有规律的电压峰值。同时在On或Off状态......
的微型开关器件可承受极端温度，而且损耗非常低，可处理数千瓦的功率。此外，它们还可以使用传统的半导体制造设备进行大规模生产。Ideal Switch开关产品可用于测试和测量、医疗、电动车 (EV) 充电......
采用晶体管换向电路代替电刷与换向器的直流无刷电机就应运而生了。这种新型无刷电机称为电子换向式直流电机，它克服了第一代无刷电机的缺陷。 　　无刷直流电动机是采用半导体开关器件来实现电子换向的，即用电子开关器件......
开关产品兼具机电继电器和半导体开关的优势，让工程师无需再对它们进行妥协和权衡。这些快速、可靠、基于MEMS的微型开关器件可承受极端温度，而且损耗非常低，可处理数千瓦的功率。此外，它们还可以使用传统的半导体......
在关态的漏电流（亚微安量级）；利用单质Te晶态（半导体）到液态（类金属）纳秒级高速转变，产生类金属导通的大开态电流（亚毫安量级），驱动相变存储单元。单质Te开关器件......
里将为您介绍无需控制且具有成本优势的电路方式。本文引用地址：关键要点 ※ 要想使缓冲电路充分发挥出其效果，需要尽可能靠近开关器件进行安装。缓冲电路包括由R、L、C等无源元件组成的电路和由半导体元器件组成的有源电路。 ※ 本文......
使充分发挥出其效果，需要尽可能靠近开关器件进行安装。包括由R、L、C等无源元件组成的电路和由半导体元器件组成的有源电路。 ※ 本文介绍了无需控制而且具有成本优势的电路方式——C缓冲电路、RC缓冲电路、放电......
）材料？ 对于任何电力电子工程师来说，必须大致了解适用于功率半导体开关器件的半导体物理学原理，以便掌握非理想器件的电气现象及其对目标应用的影响。理想开关在关断时的电阻无穷大，导通时的电阻为零，并且......
对太阳能发电系统的能效至关重要，因此，领先的半导体公司如安森美半导体已大量投资，以不断提高性能。然而，该行业已到了采用硅器件几乎不可能进一步改进的程度。因此，基于宽禁带（WBG）材料的开关器件......
Nexperia推出新款600 V单管IGBT，可在电源应用中实现出色效率; 【导读】基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今日宣布，将凭借600 V器件......
Nexperia推出新款600 V单管IGBT，可在电源应用中实现出色效率;为功率电子设计人员提供带有全额快速恢复二极管的稳健型175℃标准IGBT。基础半导体器件......
+齿轮传动系统等集于一体早已不是什么新闻了，Mode 3甚至早已实现大批量生产。 然而，在功率电子层面的“多合一”——将OBC车载充电器+高电压DC/DC转换器+逆变器+PDU配电单元进行深度整合，比如共享功率开关器件......
。 这三款开关器件适用于 1.1V 至 2.0V 的供电电压，并与新款的 1.2V 应用芯片组无缝集成，确保易用性。该产品节能的架构可将1.2V下的......
比亚迪半导体推出集成PFC的IGBT模块; 【导读】随着变频电器的不断推广普及，电流谐波对电网的污染问题也愈发被重视，全球范围内行业对电流谐波的控制提出了更高要求。主动式PFC电路使用功率开关器件......
Nexperia推出新款600 V单管IGBT，可在电源应用中实现出色效率;为功率电子设计人员提供带有全额快速恢复二极管的稳健型175℃标准IGBT。  奈梅亨，2023年7月5日：基础半导体器件......
。 这三款开关器件适用于 1.1V 至 2.0V 的供电电压，并与新款的 1.2V......
性和静音方面都表现出色。另外，MOSFET作为普通的半导体开关器件，可能会因过电流而损坏，而IPD则内置保护功能，可以用来构建更安全和更高可靠性的系统。   *2) 功能安全 功能安全是“通过......
ROHM确立可以更大程度激发GaN器件性能的“超高速驱动控制”IC 技术; 全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）确立了一项超高速驱动技术，利用该技术可更大程度地激发出GaN等高速开关器件......
几种常见的永磁电机做简单的梳理和归纳。 1、有刷直流电机和无刷直流电机 有刷直流电机是结构和控制最简单的直流电机，电机主要依靠电刷进行电流换向。使用一个电磁继电器或者半导体开关即可对其进行启停控制；如果有正反转要求，则需要4颗半导体开关器件......
可控制电子电路的ON/OFF，还可以保护电路免受电气故障（异常时的过电流）影响的器件。与传统的机械继电器不同，这种器件没有机械触点，因此在寿命、可靠性和静音方面都表现出色。另外，MOSFET作为普通的半导体开关器件......
时的过电流）影响的器件。与传统的机械继电器不同，这种器件没有机械触点，因此在寿命、可靠性和静音方面都表现出色。另外，MOSFET作为普通的半导体开关器件，可能会因过电流而损坏，而IPD则内置保护功能，可以......
性和静音方面都表现出色。另外，MOSFET作为普通的半导体开关器件，可能会因过电流而损坏，而IPD则内置保护功能，可以用来构建更安全和更高可靠性的系统。 *2) 功能安全 功能安全是“通过......
IGBT---“GT30J65MRB”。该产品于今日开始支持批量出货。 功率半导体器件经过业界验证，对于节能工作意义重大，其中包括助力实现碳中和目标。由于在高功率的工业设备和家用电器中，例如......
宣布推出一款用于空调和工业设备大型电源的功率因数校正（PFC）电路[1]的650V分立IGBT---“GT30J65MRB”。该产品于今日开始支持批量出货。 功率半导体器件......
宣布推出一款用于空调和工业设备大型电源的功率因数校正（PFC）电路[1]的650V分立IGBT---“GT30J65MRB”。该产品于今日开始支持批量出货。   功率半导体器件经过业界验证，对于......
引用地址： 元器件的特点 除了IGBT外，元器件（晶体管领域）的代表产品还有MOSFET、BIPOLAR等，它们主要被用作半导体开关。 根据其分别可支持的开关速度，BIPOLAR适用于中速开关......
能源汽车中的应用 IGBT是一种由BJT（双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，具有驱动容易、控制简单、开关频率高、导通电压低、通态电流大、损耗小等优点。在新......
电源应用进一步节能和小型化 全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）确立了一项超高速驱动控制IC技术，利用该技术可更大程度地激发出GaN等高速开关器件的性能。   近年来，GaN器件因其具有高速开关......
ROHM确立可以更大程度激发GaN器件性能的“超高速驱动控制”IC 技术;将GaN器件与控制IC相结合，助力电源应用进一步节能和小型化全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）确立......
ROHM确立可以更大程度激发GaN器件性能的“超高速驱动控制”IC 技术;全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）确立了一项超高速驱动控制IC技术，利用该技术可更大程度地激发出GaN等高速开关器件......
集成驱动器的环境很恶劣，因为除了振动和强磁场外，还可能存在较高的环境温度，这使得冷却开关器件变得更加困难。因此，最好首先使用产生尽可能低损耗的功率开关。 集成带来进一步的改进 纳微半导体的GaNSense技术将GaN开关......
IGBT／MOSFET 的基本栅极驱动光耦合器设计;本应用笔记涵盖了计算栅极驱动光耦合器 IC 的栅极驱动器功率和热耗散的主题。栅极驱动光耦合器用于驱动、开启和关闭功率半导体开关、/。栅极......
互通和打造更安全的世界提供动力，宣布最新发布保护集成电路产品系列中的五款多功能负载开关器件。 小尺寸和一流的效率使其成为物联网、移动......
互通和打造更安全的世界提供动力，最新发布保护集成电路产品系列中的五款多功能负载开关器件。本文引用地址： 超低功耗系列   这些新型是额定电流为2和4A的超高效负载开关，集成了真正反向电流阻断(TRCB)和压......
冲宽度按正弦规律变化而和正弦波等效的PWM波形即SPWM波形控制逆变电路中开关器件的通断，使其输出的脉冲电压的面积与所希望输出的正弦波在相应区间内的面积相等。通过改变调制波的频率和幅值，可以调节逆变电路输出电压的频率和幅值。 本文......
功率逆变器应用采用宽带隙半导体器件时，栅极电阻选型注意事项;本文为大家介绍氮化镓 (GaN) 和碳化硅 (SiC) 等宽带隙半导体器件用作电子开关的优势，以及如何权衡利弊。主要权衡因素之一是开关......
引用地址： 在我们的传统印象中，电机驱动系统往往采用IGBT作为开关器件，而 作为高速器件往往与光伏和电动汽车充电等需要高频变换的应用相关联。但在特定的电机应用中，仍然具有不可比拟的优势，他们是： 1. 低电......
来就是有刷与无刷的区别：有刷和无刷的字面意思是有无碳刷；有刷电机电机工作时需要线圈和换向器旋转， 磁钢和碳刷不转，线圈电流方向的交替变化是随电机转动的换相器和电刷来完成的。 无刷直流电动机是采用半导体开关器件......
永磁无刷电机系统具有最高的效率和转矩惯量比，在电动车 辆中得到了较广泛的应用。 ●永磁直流无刷电机 采用半导体开关器件实现电子换向，即用电子开关器件代替传统的接触式换向和电刷，定子磁场与转子永磁磁场之间的相互作用产生电 磁转矩。可靠性高、无换......
---“GT30J65MRB”。该产品于今日开始支持批量出货。本文引用地址： 功率半导体器件经过业界验证，对于节能工作意义重大，其中包括助力实现碳中和目标。由于在高功率的工业设备和家用电器中，例如......
家工业技术制造公司，致力于为可持续发展、互联互通和打造更安全的世界提供动力，最新发布保护集成电路产品系列中的五款多功能负载开关器件。 超低功耗负载开关集成电路系列 这些新型负载开关集成电路是额定电流为2......
根本买不到”。 IGBT又称绝缘栅双极性晶体管，是一种三端半导体开关器件，由BJT和MOS管组合而成，也可以看作BJT和MOS管的融合体，具有MOS的输入特性和BJT管的输出特性。IGBT在电路中作为电路开关......
家工业技术制造公司，致力于为可持续发展、互联互通和打造更安全的世界提供动力，宣布最新发布保护集成电路产品系列中的五款多功能负载开关器件。 这些新型负载开关集成电路是额定电流为2和4A的超高效负载开关......
PFC电路：栅极电阻的更改;在实际的电路设计工作中，降噪是的一项重大课题，通常，可以通过提高开关器件的栅极电阻来抑制噪声，但其代价是效率降低（损耗增加），因此......
千差万别，如何能量化评价在真实电源中的损耗成为非常在意的问题。 第三代宽禁带半导体器件GaN、SiC 出现，推动着功率电子行业发生颠覆式的变革。新型开关器件技能实现低开关损耗，又能处理超高速的dv/dt......
损耗与导通损耗的测量方法。 mosfet功率损耗测试电路如下图所示，使用示波器测量和计算开关损耗通常用差分探头测量漏源极电压( Vds )，电流探头测量漏电流( ID ) 。施加在开关半导体器件......
公司  是一家工业技术制造公司，致力于为可持续发展、互联互通和打造更安全的世界提供动力，最新发布保护集成电路产品系列中的五款多功能负载开关器件。   超低功耗负载开关集成电路系列 这些新型负载开关......
使得碳化硅材料可以很好地适用于高性能(高频、高温、高功率、抗辐射)电子器件。高的热导率有利于大的热耗散和高密度集成，高的载流子饱和迁移速率可以使之应用于高速开关器件；高的临界位移能使碳化硅器件的抗辐射性能优于Si器件。 主要......
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