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异质结技术再突破！太阳井与客户签订GW级铜互连设备合同！(2024-01-12)
井总部座落于苏州吴中区，总面积约10000㎡，另外拥有3000㎡的独立研发实验室与金属化工艺中试线，同时在江阴、嘉兴拥有新型组件与化学品研发生产基地。太阳井掌握异质结太阳能电池领域多项核心技术,致力......
异质结技术再突破！太阳井与客户签订GW级铜互连设备合同！(2024-01-11)
井总部座落于苏州吴中区，总面积约10000㎡，另外拥有3000㎡的独立研发实验室与金属化工艺中试线，同时在江阴、嘉兴拥有新型组件与化学品研发生产基地。太阳井掌握异质结太阳能电池领域多项核心技术,致力......
三星NAND材料价值链生变 将引入钼元素(2024-07-04)
三星NAND材料价值链生变 将引入钼元素;
【导读】三星正在其第9代V-NAND的金属化工艺过程中应用钼（Mo）。消息人士称，三星已从泛林集团引进5台钼沉积机用于该工艺，并且......
SABIC的ULTEM DT1820EV树脂非常适用于溅射PVD金属化工艺。在溅射过程中，该材料凭借高耐热性和良好的PVD层结合力，能够......
SABIC推出ULTEM DT1820EV树脂 以高性价比打造炫目金属化效果，提升消费电子产品设计感(2022-12-06 11:36)
DT1820EV树脂非常适用于溅射PVD金属化工艺。在溅射过程中，该材料凭借高耐热性和良好的PVD层结合力，能够有效提高产率。此外，其高硬度和低热膨胀系数（CTE）有助于避免PVD层的开裂问题。使用......
实现夺人眼球的美学效果，同时客户也能受益于热塑性塑料在设计和制造方面的诸多优势。”
借助PVD工艺实现多彩金属化
SABIC的ULTEM DT1820EV树脂非常适用于溅射PVD金属化工艺。在溅射过程中，该材......
SABIC推出ULTEM™ DT1820EV树脂以高性价比打造炫目金属化效果，提(2022-12-06)
非常适用于溅射PVD金属化工艺。在溅射过程中，该材料凭借高耐热性和良好的PVD层结合力，能够有效提高产率。此外，其高硬度和低热膨胀系数（CTE）有助于避免PVD层的开裂问题。使用ULTEM DT1820EV树脂......
金属氢超导功能新发现(2024-08-26 10:23)
金属氢超导功能新发现;Wigner等在上世纪30年代曾理论预言，通过足够大的压缩，可以把氢从常压气态转化为像碱金属那样的固体金属、即”金属氢”。由于氢的德拜温度很高，基于BCS电声......
1GW叠栅组件制造项目即将落地！(2024-09-28 11:01)
发行费用后的募集资金净额将用于投入以下项目：
据悉，叠栅技术一种泛半导体金属化技术和电池组串技术，属于时创能源自行研发的行业首创技术，栅线工艺的演进是光伏行业的关注点之一，栅线越细越有利于减少银浆用量从而降低成本，同时......
晶圆厂产能提升，带动全球明年靶材市场至13.9亿美元(2023-09-01)
的需求。新矿山将需要上线以满足这一预测的金属需求，从采矿勘探到生产的时间为10年或更长时间。鉴于西方采矿业的限制和法规，新矿山可能会在采矿法规不太严格的国家选址和开发。这可能会阻碍半导体......
Manz亚智科技 RDL先进制程加速全球板级封装部署和生产(2024-03-19)
锁定更多的市场份额。
化学湿制程、电镀及自动化设备领导供应商Manz亚智科技，以RDL不断精进的工艺布局半导体封装市场。日前，Manz扩大RDL 研发版图，聚焦于高密度的玻璃通孔及内接导线金属化工艺，并将技术应用于下一代半导体......
IGBT模块中不同金属化方法覆铜氮化铝陶瓷基板的可靠性研究(2022-12-26)
IGBT模块中不同金属化方法覆铜氮化铝陶瓷基板的可靠性研究;本文引用地址：0 引言
在电力电子的应用中，大功率电力电子器件是实现能源控制与转换的核心，广泛应用于高速铁路、智能电网、电动......
Manz亚智科技 RDL先进制程加速全球板级封装部署和生产(2024-03-19)
及自动化设备领导供应商Manz亚智科技，以RDL不断精进的工艺布局半导体封装市场。日前，Manz扩大RDL 研发版图，聚焦于高密度的玻璃通孔及内接导线金属化工艺，并将技术应用于下一代半导体封装的TGV玻璃......
半大马士革集成中引入空气间隙结构面临的挑战(2023-12-18)
半大马士革集成中引入空气间隙结构面临的挑战;帮助imec确定使用半大马士革集成和空气间隙结构进行3nm后段集成的工艺假设
作者：泛林集团Semiverse™ Solution部门半导体工艺......
总投资约10亿元 弘远晶体半导体金刚石基片项目落户江苏如皋(2021-09-22)
总投资约10亿元 弘远晶体半导体金刚石基片项目落户江苏如皋;据如皋发布消息，9月16日，江苏弘远晶体科技有限公司（以下简称“弘远晶体科技”）与江苏省如皋高新技术产业开发区就半导体金......
江丰电子：拟2.50亿元参设江丰同创半导体材料和零部件产业基金(2022-01-06)
同创基金的首期认缴出资情况如下：
图片来源：江丰电子公告截图
公告显示，江丰同创基金的投资领域为半导体零部件、半导体金属材料、靶材等相关产业的未上市企业股权。江丰同创基金的投资方向为通过向具有良好成长性和发展前景的半导体......
晶圆的另一面：背面供电领域的最新发展(2023-09-08)
硅通孔的两端：晶圆的正面暂时粘到一个载体晶圆上，然后倒置硅中介层进行工艺处理，随后使用背面研磨和刻蚀来暴露硅通孔。Xilinx产品推出时，我已经离开这个行业，回到了研究生院。在课堂上，硅通孔的金属化是个热门话题，而随......
汉高为功率芯片应用提供高性能高导热芯片粘接胶(2023-03-14)
品是解决方案组合的最新成员，支持背面金属化或裸硅(Si)芯片的集成。本文引用地址：
运行温度升高是影响芯片性能的一个关键因素，因此良好的散热有助于确保功能执行和长期的可靠性。粘合剂电子事业部半导体......
使用半大马士革工艺流程研究后段器件集成的工艺(2023-10-23)
使用半大马士革工艺流程研究后段器件集成的工艺;SEMulator3D®虚拟制造平台可以展示下一代半大马士革工艺流程，并使用新掩膜版研究后段器件集成的工艺假设和挑战
作者：半导体工艺......
图形电镀工艺流程说明(2024-12-19 18:11:00)
→ D.孔金属化（湿区工序）→ E.外层干膜（光成像工序）→ F.外层线路→ G.丝印→ H.表面工艺→ I.后工......
SiC 功率器件中的沟槽结构测量(2024-06-17)
方法不提供直接的厚度信息，并且无法检测缺失的层或处理不当的晶圆。
对于具有沟槽结构的 SiC 功率 MOFET，皮秒超声波可用于金属化工艺控制；该应用包括监测接触势垒 (Ti/TiN)、沟槽金属化（W 基接......
晶圆的另一面：背面供电领域的最新发展 探讨晶圆背面的半导体新机遇(2023-10-13)
的正面暂时粘到一个载体晶圆上，然后倒置硅中介层进行工艺处理，随后使用背面研磨和刻蚀来暴露硅通孔。Xilinx产品推出时，我已经离开这个行业，回到了研究生院。在课堂上，硅通孔的金属化是个热门话题，而随......
-氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的全部优势。我们很高兴与SABIC携手合作，将我们领先的工程技术能力与SABIC优异的材料创新能力整合起来。”
相较......
Intel制程和封装4大突破：封装吞吐量提升100倍(2024-12-09)
Intel制程和封装4大突破：封装吞吐量提升100倍;
2月8日消息，最新一届IEEE国际电子器件会议IEDM
2024上，Intel代工展示了四大半导体制程工艺突破，涵盖新材料、异构......
聚焦半导体封装材料研发商宣布已完成A轮融资交割(2022-03-30)
优化、产品研发和设备升级，加速市场拓展和团队扩建。
资料显示，博志金钻成立于2020年，是一家专门从事半导体封装材料研发生产的公司。公司产品包括氮化铝热沉、单晶碳化硅热沉、金刚石铜热沉等定制金属化......
英特尔展示下一代晶体管微缩技术突破，将用于未来制程节点(2023-12-10)
尔将展示高迁移率（high-mobility）的过渡金属二硫属化物晶体管原型，用于NMOS（n型金属氧化物半导体）和PMOS（p型金属氧化物半导体）这两大CMOS关键组件。此外，英特......
英特尔在IEDM 2023上展示3D堆叠、背面供电、背面触点研究成果(2023-12-10)
材料让晶体管物理栅极长度有机会微缩到10纳米以下。在IEDM 2023上，英特尔将展示高迁移率（high-mobility）的过渡金属二硫属化物晶体管原型，用于NMOS（n型金属氧化物半导体）和PMOS（p型金属氧化物半导体......
英特尔在IEDM 2023上展示3D堆叠、背面供电、背面触点研究成果(2023-12-11 11:28)
尔将展示高迁移率（high-mobility）的过渡金属二硫属化物晶体管原型，用于NMOS（n型金属氧化物半导体）和PMOS（p型金属氧化物半导体）这两大CMOS关键组件。此外，英特......
半大马士革集成中引入空气间隙结构面临的挑战(2023-12-18)
）。它也可以与传统的双大马士革或混合金属化方案相结合。
我们支持了的一项研究，对先进3nm节点后段集成方案进行分析。研究中，我们使用SEMulator3D®工艺......
晶圆的另一面:背面供电领域的最新发展(2023-09-04)
的正面暂时粘到一个载体晶圆上，然后倒置硅中介层进行工艺处理，随后使用背面研磨和刻蚀来暴露硅通孔。Xilinx产品推出时，我已经离开这个行业，回到了研究生院。在课堂上，硅通孔的金属化是个热门话题，而随着异构集成不断发展，晶圆......
Electroninks推出全球首款铜MOD墨水从而为先进半导体封装带来革命性变化(2024-09-05 09:46)
Electroninks推出全球首款铜MOD墨水从而为先进半导体封装带来革命性变化;新型铜墨水取代化学镀铜和其他工业标准制造工艺，显著加快生产速度，降低拥有成本并提高可持续发展水平用于增材制造和先进半导体封装的金属......
连接器电镀小课堂系列三 打底电镀、基体金属、润滑、电压(2024-07-25 15:59)
连接器电镀小课堂系列三 打底电镀、基体金属、润滑、电压;摘要/前言电镀会影响连接器系统的寿命和质量，包括耐腐蚀性、导电性、可焊性，当然还有成本。【小课堂背景】 这是 Samtec质量......
连接器电镀小课堂系列三 | 打底电镀、基体金属、润滑、电压(2024-07-24)
连接器电镀小课堂系列三 | 打底电镀、基体金属、润滑、电压;摘要/前言
电镀会影响连接器系统的寿命和质量，包括耐腐蚀性、导电性、可焊性，当然还有成本。
【小课堂背景】
这是......
-氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的全部优势。我们很高兴与SABIC携手合作，将我们领先的工程技术能力与SABIC优异的材料创新能力整合起来。”
相较......
SABIC即将在PCIM ASIA上展示其首次商业化应用于电容器的ELCRES HTV150A薄膜(2024-08-13 11:08)
-氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的全部优势。我们很高兴与SABIC携手合作，将我们领先的工程技术能力与SABIC优异的材料创新能力整合起来。”相较......
总投资超68亿元 百识电子半导体、宽能半导体等11个项目签约江都经济开发区(2022-01-21)
亿元。
其中，九上半导体金属镀膜产业项目计划投资20亿元，主要生产智能功能纳米涂层；宽能半导体项目计划投资14亿元，生产六寸硅基集成电路芯片及功率器件；百识电子半导体项目计划投资8亿元，主要生产第三代半导体......
英特尔展示下一代晶体管微缩技术突破，将用于未来制程节点(2023-12-11 09:36)
物晶体管原型，用于NMOS（n型金属氧化物半导体）和PMOS（p型金属氧化物半导体）这两大CMOS关键组件。此外，英特尔还将展示其率先实现的两项技术：GAA 2D过渡金属二硫属化物PMOS晶体......
英特尔展示下一代晶体管微缩技术突破，将用于未来制程节点(2023-12-11)
物晶体管原型，用于NMOS（n型金属氧化物半导体）和PMOS（p型金属氧化物半导体）这两大CMOS关键组件。此外，英特尔还将展示其率先实现的两项技术：GAA 2D过渡金属二硫属化物PMOS......
中微半导体入股志橙半导体 后者经营范围含半导体器件等(2021-09-14)
材料有限公司。该公司的经营范围包含电子元器件、半导体产品、化合物半导体产品、光学电子产品、太阳能产品、金属材料和金属化合物材料；半导体器件生产设备的销售、维修服务等。
封面......
SABIC即将亮相2023上海国际电子元器件展览会(2023-08-10)
的标准电气和寿命测试，容值变化小，绝缘电阻稳定。此外，这款材料还具有其他性能优势，包括在整个温度范围内具有较高的击穿强度、良好的自愈性以及在金属化过程中，对铝和锌具有出色的附着力。
经客户验证，该薄膜产品可同时适用于金属箔电极和金属化蒸镀电极工艺......
英特尔IEDM 2024技术突破：超快速芯片间封装、业界首创晶体管、减成法钌互连(2024-12-25)
体管的栅极长度微缩到了30nm。该研究还报告了行业在2D TMD（过渡金属二硫化物）半导体领域的研究进展，此类材料未来有望在先进晶体管工艺中成为硅的替代品。
GaN是一......
振华风光半导体启动上市辅导 拟闯关科创板(2021-08-12)
阳和成都分别设有芯片设计中心，在贵阳建有单片集成电路（国军标）、后膜混合集成电路（国军标）和高可靠塑封3条生产线和1个检测中心，具备6英寸晶圆减薄、背面金属化、芯片划片、封盖等工艺能力。
根据......
6. SMT BGA设计与组装工艺： BGA封装的标准化(2024-10-13 19:55:22)
的正方形或长方形封装，封装的本体有一
个带有金属化电路图形的绝缘结构。对于封装本体，半导体芯片安置在上面或下面。在绝缘
结构底部是金属化球/柱状阵列图形，这在封装
本体与配合特征（如印制板）之间......
Intel展示全新3D晶体管：氮化镓都用上了(2023-12-12)
Intel展示全新3D晶体管：氮化镓都用上了;
2023 IEEE国际电子器件会议(IEDM 2023)上，Intel展示了多项新的半导体技术突破，继续推进摩尔定律。
一是3D堆叠CMOS......
X－FAB最新的无源器件集成技术拥有改变通信行业游戏规则的能力(2023-09-15)
此次活动的人员可与X-FAB技术人员（位于438C展位）就这一创新进行交流。
X-FAB XIPD晶圆上的电感器测试结构
XIPD源自广受欢迎的X-FAB XR013 130nm RF SOI工艺——该技术利用工程基底和厚铜金属化......
液体RAM在可穿戴设备、机器人和植入物领域展现出其强大的性能，可能还会推出非挥发(2024-01-22)
中国清华大学的研究人员从生物模仿的长期传统中汲取灵感，开发出了一种可以经受几乎任何变形的终极柔性存储器。这种存储器被称为FlexRAM，是一种全柔性的阻性随机访问存储器设备，采用了液体金属的方法。
在《先进材料》杂志......
三星加码氮化镓功率半导体(2024-09-05)
司正式宣布：“我们将在2025年为消费电子、数据中心和汽车领域推出8英寸GaN功率半导体代工服务。”
根据这一战略，三星电子第二季度在其器兴工厂引入了德国爱思强（Aixtron）的有机金属化......
使用半大马士革工艺流程研究后段器件集成的工艺(2023-10-23)
使用半大马士革工艺流程研究后段器件集成的工艺;本文引用地址：
● 介绍
随着技术推进到及更先进节点，将会遇到新的难题，比如需要降低金属间距和支持新的工艺流程。为了强化电阻电容性能、减小......
近20亿元浙江大和半导体产业园三期建设项目竣工(2023-08-04)
缘性等特点，被广泛运用于半导体、LED液晶显示、激光、医疗设备等高精尖领域。
项目全部满产后，浙江大和半导体产业园将成为年产值近50亿元，集高纯石英部件、精密半导体金属部件、热电半导体制冷器件、高纯......
IPC标准解读：IPC-9702金属化陶瓷封装元器件的检验标准(2024-11-28 07:18:07)
IPC标准解读：IPC-9702金属化陶瓷封装元器件的检验标准;
IPC-9702标准是由国际电子零部件工业协会（IPC）发布的一项针对金属化......
相关企业
广泛应用于电子工业中的厚膜电路、大规模集成电路、混合IC、半导体封装、网络电阻器、聚焦电位器等；金属化瓷片主要应用于半导体致冷器、整流器、可控硅等行业。 公司可根据用户要求加工生产各种规格的金属化瓷片及96氧化铝陶瓷基片。
补偿型圆片瓷介电容器CT1高介电常数型圆片瓷介电容器CS1半导体瓷型圆片瓷介电容器CC81、CT81高压型圆片瓷介电容器HR系列高压型圆片瓷介电容器CT7交流型（X1、Y2型，X1、Y1型）圆片
;安徽赛福电子有限公司（金属化电容器膜部）;;安徽赛福电子有限公司是冠瑞国际贸易集团的全资子公司。我公司现形成电容器膜和电容器两块，公司以开发、设计、制造、销售一体化的电容器及金属化电工膜,晶体
;上海天鲸电子设备制造有限公司;;金属化薄膜电容器焊接机、24工位金属化薄膜电容器自动赋能焊接机、金属化薄膜电容器自动包裹机、4工位金属化薄膜电容器自动焊接机、36工位金属化
;深圳市日月贵金属化工有限公司;;本公司主要经营氯化钯，铑水，欢迎来电联系。
;深圳精博贵金属化工有限公司;;精博贵金属化工有限责任公司是一家专注贵金属钯、铑相关化学品专业生产和研究单位,旨在电化学工业、化工工业、制药工业和石化工业等相关行业提供专业的优质产品和技术服务。主导
;上海晟芯微电子有限公司（深圳办事处）;;晟芯SENCHIP芯片采用了严格的半导体前道工艺，高标准的玻璃钝化工艺加之先进的烧结和封装工艺，保证了器件的电学，机械和热学性能上的可靠。晟芯SENCHIP
;鹤壁富华电子有限责任公司;;公司主要生产金属化有机薄膜、箔式有机薄膜、金属化纸介、箔式油
;海安县海燕电器有限公司;;海安海燕电器元件厂位于江苏海安中山工业园区内，系生产金属化有机介质薄膜电容器专业工厂，主要生产装备和制造工艺都从外国引进。经过二十多年的不断开发，产品
;河南省辉 富贵金属有限公司;;本公司位于河南省开封市洧川开发区，公司一直致力于贵金属催化剂、贵金属化合物、 贵金属回收的研究和开发，目前已形成多系列贵金属催化剂和化合物的生产能力。公司产品逐步进入医药化工