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被“玩坏”的石墨烯，这回真能造芯片了？(2024-01-04)
，也曾经通过量子约束或化学功能化来改变带隙。但在这项成果发布前，都未能成功制造出可行的半导体石墨烯，要么操作难度太大， 要么太小了（比如，100meV左右），这对电子工程应用来说还是太小了。 关于石墨烯半导体带隙......
还在为用氮化镓设计高压电源犯难？试试这两个器件(2023-03-29)
的 WBG（宽带隙）器件已经推出，并达到了批量生产的程度。这些器件提供了更高的工作电压范围、更快的开关时间和更高的效率。
半导体的带隙......
宽带隙技术发展现状 不断演变的宽带隙半导体技术(2023-10-10)
宽带隙技术发展现状 不断演变的宽带隙半导体技术;
简介
几乎所有采用电气控制、通信、电力、驱动和传感的技术系统都已实现了电气化以及电气连接。从20世纪50年代开始，硅(Si) 一直......
上海微系统所在Nature Electronics报道新型碳基二维半导体材料基本物性研究重大进展(2021-11-02)
上海微系统所在Nature Electronics报道新型碳基二维半导体材料基本物性研究重大进展;以石墨烯为代表的碳基二维材料自发现以来受到了广泛关注。然而，石墨烯的零带隙半导体......
科索（COSEL）推出新一代工业用超紧凑高效率电源(2023-11-03)
科索（COSEL）推出新一代工业用超紧凑高效率电源;
【导读】COSEL株式会社今天宣布推出新一代工业用高紧凑电源TE系列。TE系列采用宽带隙氮化镓半导体、高频......
SiC 与半导体垂直整合的复兴，先进 SiC 解决方案的需求不断增长(2023-02-16)
械臂、飞行器等多个工业领域。其应用的范围也在不断地普及和深化，是一种应用 前景非常广泛、非常具有价值的材料。
第三代半导体材料禁带宽度远大于前两代。第一代和第二代半导体都是窄带隙 半导体，而从第三代半导体......
COSEL推出新型无风扇传导冷却式三相高效电源HCA3500TF(2023-04-25)
应用于高频放大器、激光加工机和机器人等工业设备。它的输入电压全球适用，三相三角形或三相星形网络都适用，输入电压范围为180V到528VAC。该电源使用了最新的能量优化、数字控制拓扑和宽带隙（WBG）半导体器件，可以......
三星电子第二季营业利润同比增53.4% 半导体带动业绩增长(2021-07-07)
三星电子第二季营业利润同比增53.4% 半导体带动业绩增长;新浪科技讯 北京时间7月7日上午消息，据韩联社，三星电子7日发布业绩报告，初步核实公司2021年第二季度营业利润为12.5万亿韩元（约合......
科索（COSEL）推出新一代工业用超紧凑高效率电源(2023-10-31)
. ）（6905: 东京）今天宣布推出新一代工业用高紧凑电源TE系列。TE系列采用宽带隙氮化镓半导体、高频平面变压器和增强型反激拓扑等先进技术，包括45W（TECS/TEPS45F）和65W（TECS......
科索（COSEL）推出新一代工业用超紧凑高效率电源(2023-11-03 11:51)
宣布推出新一代工业用高紧凑电源TE系列。TE系列采用宽带隙氮化镓半导体、高频平面变压器和增强型反激拓扑等先进技术，包括45W（TECS/TEPS45F）和65W（TECS/TEPS65F），安装......
下一代半导体：一路向宽，一路向窄(2021-09-28)
极低等瓶颈，难以实现大阵列、双色、多色焦平面以及甚远红外焦平面的制造。
“锑化物在具有高性能的前提下，带隙调控适用范围更广、成本更低、制造规模更大，锑化镓基半导体......
科索(COSEL)推出新一代工业用超紧凑高效率电源(2023-10-31)
系列采用宽带隙氮化镓半导体、高频平面变压器和增强型反激拓扑等先进技术，包括45W（TECS/TEPS45F）和65W（TECS/TEPS65F），安装面积分别为1 x 2.3（TEPS）和1 x 3......
RS瑞森半导体碳化硅二极管在光伏逆变器的应用(2023-01-03)
RS瑞森半导体碳化硅二极管在光伏逆变器的应用;碳化硅 (SiC) 是一种由硅 (Si) 和碳 (C) 组成的半导体化合物，属于宽带隙 (WBG) 材料系列。它的物理结合力非常强，使半导体......
COSEL为要求苛刻的应用提供输出功率为3500W的新型无风扇传导冷却式三相高效电源(2023-04-25)
电压为180-528VAC
•高达94%的效率
•最多可10台并联使用（31.5kW）
•数字控制拓扑和宽带隙半导体
•厚度：65mm，带盖子（1.5U）
•优化了传导水冷底板的设计
•5年保......
新一代化合物半导体有望在2027年大规模生产？(2024-02-28)
新一代化合物半导体有望在2027年大规模生产？;2月20日，据日刊工业新闻报道，电子元器件厂商Qualtec将于2027年开始大规模生产超宽带隙半导体材料二氧化锗 (GeO2) 晶圆。
据了......
村田推出面向GaN器件门驱动器的绝缘DC-DC转换器(2022-12-13)
之一，因为它与目前用于半导体的硅同样耐电压，并且具有更广的电感应控制范围（带隙）。
近年来，在需要快速充电的电动汽车（EV）充电站等场所，能够承受高电压且功率损耗低的下一代功率半导体......
新一代化合物半导体有望在2027年大规模生产？(2024-02-28)
新一代化合物半导体有望在2027年大规模生产？;2月20日，据日刊工业新闻报道，电子元器件厂商Qualtec将于2027年开始大规模生产超宽带隙半导体材料二氧化锗 (GeO2) 晶圆。本文......
简述碳化硅SIC器件在工业应用中的重要作用(2022-12-21)
动力电子转换器和电动执行器系统将需要在热发动机附近承受高温。同样，电动汽车的温度也可能在很宽的范围内变化。功率器件在恶劣环境中工作的能力对于许多新兴工业应用至关重要。幸运的是，与硅器件相比，第三代半导体......
宽带隙之战才刚刚开始，SiC和GaN谁更有优势？(2023-07-09)
宽带隙之战才刚刚开始，SiC和GaN谁更有优势？;
【导读】从2001年左右开始，化合物半导体氮化镓引发了一场照明革命，从某些方面来看，这是人类历史上最快的技术变革。根据......
美国能源部拨款4200万美元来增强电网的可靠性、弹性和可承受性(2023-11-24)
发一种光隔离的功率集成构建模块，该构建模块将增强对电力电子转换器的控制，从而实现更高效、更可靠的电网。 （(奖励金额：306万美元）
佐治亚理工学院（佐治亚州亚特兰大）将利用宽带隙 III 族氮化物材料开发一种新型半导体......
这种新材料终成半导体功率器件主流(2016-11-14)
项重要步骤就是采用SiC开关。
崩溃场强度超出10倍碳化硅多项特性胜出
为了了解硅和碳化硅解决方案之间的差异，必须明确指出：碳化硅装置属于所谓的宽带隙半导体。硅与SiC材料......
适用于高性能功率器件的 SiC 隔离解决方案(2023-08-21)
SiC 已经为新型电力电子产品铺平了道路阶段。带隙、击穿场、热导率、电子迁移率和电子漂移速度等特性是工程师可以从使用 GaN 和 SiC 等 WBG 半导体中获得的主要优势。基于WBG 半导体......
电动汽车充电站：技术的发展和未来市场趋势(2022-12-05)
是在高功率应用中。这些应用中的一个相关因素是半导体提供的带隙或能隙。当带隙高时，使用的电子设备可以更小、工作更快、更可靠。它还可以在比其他半导体更高的温度、电压和频率下工作。虽然硅的带隙约为
1.12eV，但......
村田将量产可应对高功率和高频率的下一代功率半导体的绝缘DC－DC(2022-12-15)
”（以下简称“本产品”）商品化。现已开始量产。
(1)GaN：由镓和氮的化合物制成的化合物半导体。被认为是下一代功率半导体之一，因为它与目前用于半导体的硅同样耐电压，并且具有更广的电感应控制范围......
村田将量产可应对高功率和高频率的下一代功率半导体的绝缘DC－DC(2022-12-15 14:57)
”（以下简称“本产品”）商品化。现已开始量产。
(1)GaN：由镓和氮的化合物制成的化合物半导体。被认为是下一代功率半导体之一，因为它与目前用于半导体的硅同样耐电压，并且具有更广的电感应控制范围......
自动执行宽禁带SiC/GaN器件的双脉冲测试(2023-09-05)
的泄漏电流、更低的导通电阻以及更高的工作温度。结果是提高了运行效率，降低了能耗，有助于遵守法规和认证要求，以及符合当前的 JEDEC JC-70 宽带隙电力电子转换半导体标准。为了确保合规性，需要对这些先进的半导体......
自动执行宽禁带 SiC/GaN 器件的双脉冲测试(2023-09-05)
的频率响应、更小的泄漏电流、更低的导通电阻以及更高的工作温度。结果是提高了运行效率，降低了能耗，有助于遵守法规和认证要求，以及符合当前的 JEDEC JC-70 宽带隙电力电子转换半导体标准。为了......
KEMET推出了三个新系列的薄膜电容器(2020-07-10)
电容器还支持储能系统、IGBT和宽带隙(WBG)半导体器件的功率转换。
—— C44U-M、C44P-R和R75H系列提供可靠的功率转换和功率密度和性能
KEMET(“KEMET”或“公司”),Yageo......
适用于运输领域的SiC：设计入门(2023-04-19)
极性器件的优势较大（实现了开关权衡），宽带隙半导体也是一种可以尽量减少不利影响的替代性技术解决方案。图1重点介绍了宽价带的优势（粒子不能占据这个带区）。“宽带隙”材料的主要优点在于，在阻断模式下可成为较好的隔离器（更接......
SiC 半导体功率器件对能源效率的重要性(2023-02-16)
SiC 半导体功率器件对能源效率的重要性;
电力电子新技术的发展已将工业市场引向其他资源以优化能源效率。硅和锗是当今用于生产半导体的两种主要材料。损耗和开关速度方面的有限发展已将技术引向新的宽带隙......
自动执行宽禁带 SiC／GaN 器件的双脉冲测试(2023-09-06 10:16)
的频率响应、更小的泄漏电流、更低的导通电阻以及更高的工作温度。结果是提高了运行效率，降低了能耗，有助于遵守法规和认证要求，以及符合当前的 JEDEC JC-70 宽带隙电力电子转换半导体标准。为了......
自动执行宽禁带 SiC/GaN 器件的双脉冲测试(2023-09-06)
的频率响应、更小的泄漏电流、更低的导通电阻以及更高的工作温度。结果是提高了运行效率，降低了能耗，有助于遵守法规和认证要求，以及符合当前的 JEDEC JC-70 宽带隙电力电子转换半导体标准。为了......
基美电子新型KC－LINKTM电容器系列为快速开关宽禁带半导体应用提供业界领先性能(2019-10-08)
-LINKTM陶瓷表面贴装电容器提供完整的电容和电压产品。KC-LINK电容器具有极好的抗纹波电流性能，非常适合与快速开关的宽带隙（WBG）半导体一起使用，这使电源转换器能够以更高的电压、温度......
RS瑞森半导体碳化硅二极管在光伏逆变器的应用(2022-12-30)
RS瑞森半导体碳化硅二极管在光伏逆变器的应用;
一、前言
(SiC) 是一种由硅 (Si) 和碳 (C) 组成的半导体化合物，属于宽带隙 (WBG) 材料系列。它的物理结合力非常强，使半导体......
功率逆变器应用采用宽带隙半导体器件时，栅极电阻选型注意事项(2023-09-22)
功率逆变器应用采用宽带隙半导体器件时，栅极电阻选型注意事项;本文为大家介绍氮化镓 (GaN) 和碳化硅 (SiC) 等宽带隙半导体器件用作电子开关的优势，以及如何权衡利弊。主要......
意法半导体推出灵活多变的同步整流控制器，提高硅基或氮化镓功率转换器能效(2024-03-08 10:36)
提高额定输出功率。500kHz的最高开关频率允许使用小尺寸的电磁元件，当使用 GaN 晶体管时，还能最大限度地发挥宽带隙技术的优势。这款控制器采用意法半导体的绝缘体上硅 (SOI)制造工艺，在保证优异的鲁棒性的同时，还可......
意法半导体推出灵活多变的同步整流控制器，提高硅基或氮化镓功率转换器能效(2024-03-08 10:36)
提高额定输出功率。500kHz的最高开关频率允许使用小尺寸的电磁元件，当使用 GaN 晶体管时，还能最大限度地发挥宽带隙技术的优势。这款控制器采用意法半导体的绝缘体上硅 (SOI)制造工艺，在保证优异的鲁棒性的同时，还可......
外媒：格芯获得3000万美元政府基金研发GaN芯片(2022-10-19)
工厂研发和生产GaN芯片。该资金是2022年综合拨款法案的一部分。
这些芯片被用于智能手机、射频无线基础设施、电动汽车、电网等领域。格芯称，电动汽车的普及、电网升级改造以及5G、6G智能手机上更快的数据传输给下一代半导体带......
首个由石墨烯制成的功能半导体问世(2024-01-05)
。
据悉，石墨烯是由已知最强的键连接在一起的单片碳原子。半导体是在特定条件下导电的材料，是电子设备的基本组件。石墨烯电子学中长期存在的问题是石墨烯没有合适的带隙，并且......
清华团队探微揭秘：飞秒激光或可改写材料“基因”(2023-02-09)
能够拓展非平衡态物理知识的前沿，还将为未来新型、高速器件的开发和应用奠定重要的科学基础。
在材料体系方面，该研究组巧妙地选取黑磷这个具有小带隙、高迁移率的经典半导体材料。通过......
英飞凌GaN解决方案赋能欧姆龙社会解决方案公司的全新车联网（V2X）充电系统(2024-02-28)
获得了领先的应用技术知识并据此开发出让我们的客户和终端用户更加满意的全新和改进型充电与放电系统。我们期待与英飞凌一起进一步开发基于氮化镓和碳化硅（SiC）的功率解决方案，推动可再生能源和电动汽车的发展。”
由碳化硅和氮化镓制成的宽带隙半导体......
三合一电机加减速异响如何解决？(2022-12-08)
间隙测量方法设计图
3.2 改变测量垫片间隙的方法
通过采用外圈转变到内圈的测量方式，发现最大间隙为0.337mm @外圈，最小垫片间隙为0.038 mm @外圈，垫片间隙范围为0.050-0.100 mm @内圈。此外......
从测试角度看宽禁带技术的挑战，泰克为工程师提供简化工具(2022-12-28)
化硅（SiC）等宽带隙（WBG）半导体的驱动，这些半导体目前被应用于汽车和射频通信等要求苛刻的应用。碳化硅和氮化镓提供了增强的性能，包括比硅更高的功率密度、更小的尺寸、更好的高温性能、更高......
从测试角度看宽禁带技术的挑战，泰克为工程师提供简化工具(2022-12-28)
能充分发挥器件的性能等。泰克针对性的测试解决方案覆盖了从半导体材料、生产、可靠性到电源设计应用的全流程，帮助用好宽禁带技术，推动技术进步。
不断增长的电力电子市场受到氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）等宽带隙......
英飞凌将投资20亿欧元 提高半导体制造能力(2022-02-18)
英飞凌将投资20亿欧元 提高半导体制造能力;2月17日，德国半导体制造商英飞凌宣布，将投资20亿欧元（合计约144亿元人民币）提高在宽带隙（SiC和GaN）半导体领域的制造能力。英飞凌正在加强自身在功率半导体......
意法半导体推出灵活多变的同步整流控制器，提高硅基或氮化镓功率转换器能效(2024-03-08)
提高额定输出功率。500kHz的最高开关频率允许使用小尺寸的电磁元件，当使用 GaN 晶体管时，还能最大限度地发挥宽带隙技术的优势。这款控制器采用意法半导体的绝缘体上硅 (SOI)制造工艺，在保......
官宣！国内又一老牌晶圆代工大厂即将“回归A股”(2022-03-22)
官宣！国内又一老牌晶圆代工大厂即将“回归A股”;2022年3月21日午间，港股公司华虹半导体带来好消息，正式官宣：拟赴科创板上市。受此消息刺激，港股华虹半导体直线拉升，一度大涨接近10%，收涨......
ST在SiC和GaN的发展简况(2023-10-16)
面临的技术挑战
在制造方面，充分发挥宽带隙半导体的潜力面临接二连三的挑战，其中包括提高晶圆良率，降低缺陷率和成本，以及通过严格的测试验证芯片的长期可靠性。设计人员必须仔细评估寄生参数和热特性，同时......
台积电熊本工厂开幕，日本将为二厂提供巨额补贴！(2024-02-26)
进一步提升晶圆供应链韧性，并表示熊本一厂将为日本半导体带来复兴。
刘德音则是在致词时感谢日本政府大力支持，他提到，日本的帮助对台积电与半导体产业相当重要，也特别感谢社区支持，以及SONY、DENSO等伙......
Smart Eye和意法半导体带来高灵敏、低成本的单LED驾驶监控系统(2022-09-20)
Smart Eye和意法半导体带来高灵敏、低成本的单LED驾驶监控系统;聚焦功耗和成本优化，近日在布鲁塞尔 AutoSens(9月12日至 14日)和 InCabin(9月15 日)展会......
相关企业
portfolio.;全球电力技术集团是全球机会基金的投资组合公司（GOF），这是一个风险投资基金唯一专注于宽带隙材料技术的发展应用频率高、温度高、高效的电力半导体器件。 2007组建，GOF催生
;艾慧文电子有限公司;;本公司已国贸发展为主,销售范围主要在珠三角洲这一地带,以半导体晶体管为主要经营项目.
;无锡卓海科技有限公司;;无锡卓海科技有限公司是一家专业的半导体设备销售、服务公司。自2009年开始的3年间，卓海公司（Best Ocean）为众多半导体生产线服务过。卓海公司集成了大陆地区半导体行业的资深工程师和具有国外大型半导体
;高科特;;高科特半导体有限公司在全国各地电子市场均设有销售点。江苏、浙江均有分厂。主要业务范围代理销售世界名厂电子元器件。随着市场供求量的日益增长，
;深圳康高电子有限公司;;深圳市康高电子有限公司（Congo Technology）是一家专注于高科技半导体IC授权代理和经销商。主要为客户提供 音频功率放大器IC、电源管理IC、接口芯片、ESD
;深圳市乐原科技有限公司;;深圳乐原科技有限公司致力于电子元器件行业，本着链接起半导体电子元器件生产商与贸易商和终端成品生产制造产家的供需关系，架起各方的经贸桥梁，经过多年积累和努力，建立并成为了数个半导体
;深圳中航微射半导体有限公司;;深圳中航微射半导体有限公司，经营世界知名品牌电子元器件，配合专业技术支持，信息服务为一体的高科技企业。在美洲、欧洲、亚洲建立了良好的长期供货渠道，并在
;上海光宇睿芯微电子有限公司市场部;;上海光宇睿芯微电子有限公司专业从事半导体过压保护器件和集成电路的设计、研发与销售，是国内掌握半导体过压保护器件和集成电路核心技术的供应商之一。公司
;飞利浦半导体广东有限公司;;飞利浦半导体（广东）有限公司是飞利浦电子集团创办的在中国的第一家独资半导体生产基地，于2000年9月1日正式投产，主要业务为半导体器件生产，产品
;上海扬灵电子科技公司;;上海扬灵电子科技有限公司创建于2002年8月8日,主要从事半导体、通信及其相关电子产品的销售，系统集成和技术服务。业务范围包括： ◆销售半导体