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5 月推出全球首款基于 CXL 接口的服务器用内存扩展模块，采用 DDR5 颗粒制造，能够轻易将服务器内存扩展至 TB 级容量。 CXL 接口与协议于 2019 年推出，是英特尔与三星、思科、阿里......
AI时代加速 三星等韩国芯片制造商加快技术研发; 【导读】据韩媒Business Korea报道，业界透露，三星电子最近开发出了业界首个支持计算快速链接（CXL）2.0的128GB CXL......
电子宣布，其1Tb TLC第9代V-NAND已开始量产，巩固了其在NAND闪存市场的地位。 据三星介绍，第9代V-NAND配备了下一代NAND闪存接口“Toggle 5.1”，支持将数据输入/输出......
推出了采用SD Express接口的全新高性能microSD卡，这也是与客户成功合作开发定制产品的成果。 得益于三星的低功耗设计以及为实现产品优良性能和可靠热管理而专门优化的固件技术，三星SD Express......
V-NAND已开始量产，巩固了其在NAND闪存市场的地位。 据三星介绍，第9代V-NAND配备了下一代NAND闪存接口“Toggle 5.1”，支持将数据输入/输出速度提高33%，达到3.2Gbps......
8.2mm。至于其他规格，搭载了 6.5 英寸 AMOLED 显示屏，还有一个 USB-C 接口和一个 3.5mm 耳机接口。         三星 Galaxy A34 后置三摄像头，而不是四个。消息称三星......
韩媒：三星、SK海力士预计2026年量产新一代HBM4; 【导读】据韩媒报道，三星、SK海力士为了掌握快速成长的HBM市场，将大幅革新新一代产品制程技术，预计2026年量产新一代HBM产品......
位接口的 KGSD 的良率将会下降，因为生产具有数千个硅通孔 (TSV) 的存储器堆栈变得更加困难，但报告称，三星和 SK 海力士有信心他们将新型存储器能够实现“100%”的良率。 目前，具有......
最新NAND闪存标准Toggle DDR 5.0接口*的三星第8代V-NAND，其输入和输出（I/O）速度高达2.4 Gbps（千兆比特每秒），相比上一代提升了1.2倍，这可以满足PCIe 4.0和更......
最新NAND闪存标准Toggle DDR 5.0接口*的三星第8代V-NAND，其输入和输出（I/O）速度高达2.4 Gbps（千兆比特每秒），相比上一代提升了1.2倍，这可以满足PCIe 4.0和更......
外媒：三星正为下一代SSD做准备;据外媒TheLec 3月28日报道，三星准备大规模生产PCIe 5.0接口的SSD（固态硬盘），正在为SSD测试仪供应链做多样化处理。 TheLec引述......
“Toggle 5.1”，支持将数据输入/输出速度提高33%，达到3.2 Gbps。 除了这个新接口之外，三星还计划通过扩大对 PCIe 5.0 的支持来巩固其在高性能 SSD 市场的地位。 与上......
波雷达。 01 特斯拉二代 FSD 由三星代工，采用 7 纳米工艺 早在 2021 年，外界就有传闻 FSD 二代将由三星代工，也有一种说法是特斯拉与三星联合开发。 到了 2022 年下半年，又有......
的HW 4.0不仅拥有性能更强的芯片，摄像头分辨率、数量以及位置也发生了相应变化，同时 HW 4.0 还将新增一个4D毫米波雷达。 01 特斯拉二代FSD由三星代工，采用7纳米工艺 早在2021年......
和M.2接口，SATA接口位于底部卡扣位置，升级比较方便，而M.2接口则需要将整个后盖拆掉才能看到。 在三星300E5K的底部预留了SATA接口硬盘仓的挡板，只需要将螺丝拧出后就可以看到。比较......
iPhone15系列都将采用M13材料 并在明年升级成M14材料;一直以来，三星都会向苹果供应最顶级的OLED屏幕，甚至超过自家三星S系列旗舰机型。最近就有消息称，今年iPhone 15系列或将采用三星......
一种类似CXL这样全新的内存接口技术。   CXL和主内存之间共享的大型内存池，其允许服务器将其内存容量扩展至数十TB，带宽同时提升至每秒数TB数量级。 512GB CXL DRAM将是三星......
最新NAND闪存标准Toggle DDR 5.0接口*的三星第8代V-NAND，其输入和输出（I/O）速度高达2.4 Gbps（千兆比特每秒），相比上一代提升了1.2倍，这可以满足PCIe 4.0和更......
5.1"，可将数据输入/输出速度提高33%，最高可达每秒3.2千兆位（Gbps）。除了这个新接口，三星还计划通过扩大对PCIe 5.0的支持来巩固其在高性能固态硬盘市场的地位。 与上一代产品相比，基于三星......
加速器，内存缓冲区和智能I / O设备）之间进行高速，低延迟的通信，同时扩展内存容量和带宽远远超过了今天的能力。   除了CXL硬件创新之外，三星还采用了多种控制器和软件技术，例如内存映射，接口......
三星与SK海力士角逐CXL; 【导读】韩国芯片竞争对手三星电子和 SK 海力士之间的竞争正在升温，以在持续的高带宽内存芯片霸主战争中抢占 Compute Express Link（CXL......
被迫永久性停产、销售Galaxy Note7。现在，三星正在重建受损的品牌形象，计划在明年春天发布Galaxy S8。 2.iPhone 7移除耳机接口 在硬件设计上，苹果通常要比其他厂商超前。在某......
数据输入/输出速度提高33%，最高可达每秒3.2千兆位（Gbps）。除了这个新接口，三星还计划通过扩大对PCIe 5.0的支持来巩固其在高性能固态硬盘市场的地位。与上一代产品相比，基于三星......
格低廉。 NVMe标准的存储产品将会逐渐占据市场                        TLC攻占主流存储市场后，SSD也会朝着多元化方向发展：高性能、大容量、多接口等。2016年以三星......
持PCIe4.0x4和PCIe5.0x2接口，满足支持PCIe4.0M.2插槽的PC的需求，同时还为即将推出的应用中的PCIe5.0接口提供兼容性、热控制和节能功能。 性能上，与三星之前的型号（970 EVO......
三星、SK 加快 AI 半导体开发以响应 ChatGPT;5 月 15 日消息，三星电子和 SK 海力士正在加速下一代半导体技术的开发，以响应人工智能 (AI) 时代中 ChatGPT 等应......
掌握快速成长的HBM市场，三星将大幅革新新一代产品制程技术，并推出HBM4产品。据悉，HBM4内存堆栈将采用2048位内存接口 。此前所有HBM堆栈都采用1024位接口。接口宽度从每堆栈1024位增......
布了一项计划，将于2026年推出第六代HBM芯片：HBM4。三星也在重点开发更高性能的DDR5，以及CXL，公司高管表示，CPU与PIM、CXL接口的整合，将进一步扩大DRAM的使......
三星召回Note 7拒退Gear VR眼镜 老外发飙;三星Note 7的全球召回正在紧张进行中，按照，计划持续到今年底结束。 不过，因为涉及的面广，尽管三星在操作细节上考虑到非常周道，但难......
新思科技与三星扩大IP合作，加速新兴领域先进SoC设计;面向三星8LPU、SF5 (A)、SF4 (A)和SF3工艺的新思科技接口和基础IP，加速先进SoC设计的成功之路 摘要：  新思科技接口......
持续突破，概伦电子NanoSpice通过三星代工厂5nm工艺技术认证;概伦电子(股票代码：688206.SH)宣布其高性能并行SPICE仿真器NanoSpice™通过三星代工厂5nm工艺......
量和高性能的高端电路仿真需求。 据介绍，NanoSpice™的认证属于三星代工厂的EDA认证项目，该仿真器可支持最新版的OMI接口（开放模型接口），在模拟IP的大......
（CXL™）基础设施。 三星称，这是该基础设施的首个成果，公司于本月成功验证了其CMM-D产品，这也是三星在业界首例。据了解，CMM-D是三星的CXL存储模组内存解决方案，它是基于PCIe接口......
化服务的实现需要缩小存储和内存的尺寸，提高带宽。考虑到端侧大语言模型服务未来的发展，现在就必须开始提升 UFS 接口速度。 三星正在研发一款新产品，这款产品使用 UFS 4.0 技术，但将通道数量从目前的 2 路提升到 4 路同......
存储大厂新一代PCIe 5.0 SSD要来了？;近期，媒体报道三星正在准备新一代的990 Pro SSD，采用PCIe 5.0 x4接口，该款SSD日前已经通过PCI-SIG的确认。 此前......
新思科技与三星扩大IP合作，加速新兴领域先进SoC设计; 面向三星8LPU、SF5 (A)、SF4 (A)和SF3工艺的新思科技接口和基础IP，加速先进SoC设计的成功之路摘要：• 新思科技接口......
能取消3.5mm耳机接口，代之以三星自主接口或者USB Type-C，但还在权衡之中。 不过，，，基本是没跑了。 责任编辑：mooreelite......
能取消3.5mm耳机接口，代之以三星自主接口或者USB Type-C，但还在权衡之中。 不过，，，基本是没跑了。 责任编辑：mooreelite......
了解，2.5D 封装技术可以将多个芯片，例如 CPU、GPU、I / O 接口、HBM 等，水平放置于中间层上。台积电将这种封装技术称为 CoWoS，而三星则称之为 I-Cube。英伟达的 A100 和 H100......
、I / O 接口、HBM 等，水平放置于中间层上。台积电将这种封装技术称为 CoWoS，而三星则称之为 I-Cube。英伟达的 A100 和 H100 系列 GPU 以及英特尔的 Gaudi 系列......
工艺（SF2A）完成量产准备。为实现这一目标，三星晶圆代工正加强其在模拟、内存接口、高速接口、信息安全和晶片到晶片（D2D）方面的IP准备，及设计基础设施准备。 面向未来汽车的下一代LED科技 三星......
量产准备。为实现这一目标，三星晶圆代工正加强其在模拟、内存接口、高速接口、信息安全和晶片到晶片（D2D）方面的IP准备，及设计基础设施准备。面向未来汽车的下一代LED科技三星还将展示出色的高度定制化LED照明......
-to-End）人工智能的需求，实现大语言模型的端侧运行，三星半导体计划提升UFS接口速度并正在研发一款使用UFS 4.0技术的新产品，将通道数量从目前的2路提升到4路。同时，三星半导体也在积极参与UFS 5.0......
工艺（SF2A）完成量产准备。为实现这一目标，三星晶圆代工正加强其在模拟、内存接口、高速接口、信息安全和晶片到晶片（D2D）方面的IP准备，及设计基础设施准备。 面向未来汽车的下一代LED科技 三星......
好。 PM9E1系列SSD采用了PCIe 5.0接口和八通道设计，存储容量可选512GB、1TB、2TB、以及4TB。其最大顺序读取速度为14.5GB/s，最大顺序写入速度为13GB/s。三星表示，即使......
Amplitude Modulation，PAM）接口进行高频操作的 JEDEC 标准 DRAM。其 PAM3 接口提高了高频操作的信噪比（SNR），同时提高了能源效率。通过使用 3 个级别（+1，0，-1......
有更大内存带宽和容量的系统的需求也在迅速增加。CXL 作为一种统一的接口标准，通过 PCIe® 接口连接 CPU、GPU 和内存设备等各种处理器，解决了现有系统在速度、延迟和可扩展性方面的限制。 三星......
有更大内存带宽和容量的系统的需求也在迅速增加。CXL 作为一种统一的接口标准，通过 PCIe® 接口连接 CPU、GPU 和内存设备等各种处理器，解决了现有系统在速度、延迟和可扩展性方面的限制。三星电子内存产品规划执行副总裁Yongcheol......
产品将旗舰智能手机上搭载的低功耗移动内存（LPDDR5）和UFS3.1接口的NAND闪存合二为一，为智能手机制造商提供高配置解决方案。 三星电子介绍，与之前的基于LPDDR4X 的UFS 2.2解决......
，不仅可以减少表面积并降低高度，同时避免了缩小时通常会发生的单元间的干扰。 通过3D缩放技术，三星可显著提升每片晶圆的存储密度。基于最新NAND闪存标准Toggle DDR 5.0接口的三星第8代V......

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;深圳森景科技有限公司;;深圳市森景科技有限公司，是专业研发生产彩色自动聚焦一体化摄像机的。本公司生产的22倍、27倍自动聚焦一体化摄像机，恒速球，球机，三星摄像机，仿三星摄像机，带RS485接口
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;深圳佰瑞特商贸有限公司销售部;;佰瑞特公司系韩国三星LED产品的一级代理商，专业代理韩国三星LED系列光源，主要产品包括三星5630、三星2323、三星3623、三星3535、三星AC LED等
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;深圳荣品电子科技有限公司;;深圳荣品电子科技有限公司（www.rpdzkj.com）是一家从事三星4418开发板、5260开发板评估板及相关arm解决方案定制的专业公司，可电联0755