三星电子有限公司今天宣布，其开始量产第九代V-NAND 1Tb TLC，巩固了其在 NAND 闪存市场的领导地位。

“我们很高兴能够推出业界首款第 9 代 V-NAND，这将带来未来应用的飞跃。为了满足 NAND 闪存解决方案不断变化的需求，三星突破了下一代产品的单元架构和操作方案的界限。”三星电子内存业务闪存产品和技术主管 SungHoi Hur 表示。 “通过我们最新的 V-NAND，三星将继续引领高性能、高密度固态硬盘 (SSD) 市场的趋势，满足下一代人工智能的需求。”

凭借业界最小的单元尺寸和最薄的模具，三星将第 9 代 V-NAND 的位密度比第 8 代 V-NAND 提高了约 50%。 避免单元干扰和延长单元寿命等创新技术已应用于提高产品质量和可靠性，同时消除虚拟通道孔也显着减小了存储单元的平面面积。

此外，三星先进的“通道孔蚀刻”技术展示了该公司在工艺能力方面的领先地位。 该技术通过堆叠，并最大限度地提高制造生产率。 随着单元层的增加，穿透变得至关重要，这就需要更复杂的蚀刻技术。

第9代V-NAND配备了下一代NAND闪存接口“Toggle 5.1”，支持将数据输入/输出速度提高33%，达到3.2 Gbps。 除了这个新接口之外，三星还计划通过扩大对 PCIe 5.0 的支持来巩固其在高性能 SSD 市场的地位。

与上一代相比，通过低功耗设计的进步，功耗也降低了 10%。 随着减少能源使用和碳排放对客户变得至关重要，三星的第 9 代 V-NAND 有望成为未来应用的最佳解决方案。

三星已于本月开始量产 1Tb TLC 第 9 代 V-NAND，随后将于今年下半年量产QLC型号。