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Vishay推出新型第三代650 V SiC肖特基二极管，提升开关电源设计能效和可靠性(2023-05-23)
Vishay推出新型第三代650 V SiC肖特基二极管，提升开关电源设计能效和可靠性;器件采用MPS结构设计，额定电流4 A~ 40 A，正向压降、电容电荷和反向漏电流低
美国 宾夕......
Vishay推出新型第三代650 V SiC肖特基二极管，提升开关电源设计能效和可靠性(2023-05-23)
%。
与接近的竞品解决方案相比，二极管室温下典型反向漏电流低30%，高温下低70%。因此降低了导通损耗，确保系统轻载和空载期间的高能效。与超快恢复二极管不同，第三......
Vishay推出新型第三代650 V SiC肖特基二极管，提升开关电源设计能效和可靠性(2023-05-23 15:21)
Vishay推出新型第三代650 V SiC肖特基二极管，提升开关电源设计能效和可靠性;器件采用MPS结构设计，额定电流4 A~ 40 A，正向压降、电容电荷和反向漏电流低日前，Vishay......
STM32学习日志——光敏传感器实验(2023-01-30)
照弱的时候，反向漏电流较小，当光照强的时候，反向漏电流较大。利用这个变化，串接一个电阻，就可转化成电压的变化，从而根据ADC读取的电压值判断光照强弱。
本次，将通过ADC3的通道6（PF8），来读取光敏二极管......
Vishay推出新型第三代1200 V SiC肖特基二极管，提升开关电源设计能效和可靠性(2024-06-28)
Vishay推出新型第三代1200 V SiC肖特基二极管，提升开关电源设计能效和可靠性;器件采用MPS结构设计，额定电流5 A~ 40 A，低正向压降、低电容电荷和低反向漏电流低
美国 宾夕......
Vishay推出新型第三代1200 V SiC肖特基二极管(2024-07-02)
型第三代1200 V碳化硅（SiC）肖特基二极管。Vishay Semiconductors器件采用混合PIN 肖特基（MPS）结构设计，具有高浪涌电流保护能力，低正向压降、低电容电荷和低反向漏电......
Vishay推出新型第三代1200 V SiC肖特基二极管，提升开关电源设计能效和可靠性(2024-07-01 09:46)
Vishay推出新型第三代1200 V SiC肖特基二极管，提升开关电源设计能效和可靠性;
器件采用MPS结构设计，额定电流5 A~ 40 A，低正向压降、低电容电荷和低反向漏电流低日前，威世......
【STM32】光敏传感器示例(2022-12-09)
芯是一个具有光敏特征的 PN 结，具有单向导电性，因此工作时需加上反向电压。无光照时，有很小的饱和反向漏电流，即暗电流，此时光敏二极管截止。当受到光照时,饱和反向漏电流大大增加，形成光电流,它随入射光强度的变化而变化。当光......
PMOS做双向开关电路-PMOS防倒灌、防反接电路(2024-12-04 14:45:57)
两张图的电路可用于防电源反接，但不防电源倒灌，来分析这个电路：
1、电源从左侧正常输入时：
当VCC有效时，PMOS的体二极管率先导通，随后S极的电压......
二极管导通AB两端的控制条件藏在A中，而三极管却是藏在C中。(2024-01-15)
M1型二极管具有50V的反向击穿电压，在可靠性设计中，在安全系数为2的前提下，所设计的电路所施加的反向击穿电压将不得超过25V。
参数2：最大反向电流
在最大额定反向电压的条件下测得，包含器件的漏电......
解析LLC谐振半桥变换器的失效模式(2024-04-26)
电流消耗很高的循环能量。
关于移相全桥拓扑中功率的失效问题，其主要原因是：在低反向电压下，MSOFET体二极管的反向恢复较慢。另一失效原因是：空载或轻载情况下，出现Cdv/dt直通。在谐振中的一个潜在失效模式与由于体二极管反向......
对标C4D40120D，1200V SiC肖特基二极管B2D40120HC1让车载充电机更高效(2023-10-24)
的拓扑结构为LLC谐振，如下图所示：
SiC二极管在LLC电路的应用
在上述PFC电路和LLC电路中，二极管的导通损耗和开关损耗越小、反向漏电流和反向恢复时间越小，开关频率就可以做到更高。反向耐压越高，工作电压......
基础知识之光二极管传感器(2024-03-07)
结，具有单向导电性，因此工作时需加上反向电压。无光照时，有很小的饱和反向漏电流，即暗电流，此时光敏二极管截止。当受到光照时,饱和反向漏电流大大增加，形成光电流,它随入射光强度的变化而变化。当光......
更低损耗、更快反向保护！思瑞浦推出汽车级理想二极管ORing控制器TPS65R01Q(2024-07-19 09:40)
的结温会显著升高，这不仅会加剧热问题，还可能因高温导致反向漏电流上升，进而影响整个系统的稳定性。因此，热管理在系统设计中显得尤为重要。 TPS65R01Q具备20mV正向调节功能，相比于肖特基二极管的VF值（0.3V......
更低损耗、更快反向保护！思瑞浦推出汽车级理想二极管ORing控制器TPS65R01Q(2024-07-19 09:40)
的结温会显著升高，这不仅会加剧热问题，还可能因高温导致反向漏电流上升，进而影响整个系统的稳定性。因此，热管理在系统设计中显得尤为重要。 TPS65R01Q具备20mV正向调节功能，相比于肖特基二极管的VF值（0.3V......
安森美的EliteSiC碳化硅系列方案带来领先业界的高能效(2023-01-04)
）和二极管的峰值重复反向电压之间提供了更好的余量。新器件还具有出色的反向漏电流性能，其最大反向电流（IR）在25°C时仅为40 µA，在175°C时为100 µA --明显优于在25°C时额......
安森美的EliteSiC碳化硅系列方案带来领先业界的高能效(2023-01-04)
率可再生能源应用中实现高能效至关重要。
在1700 V的额定击穿电压（BV）下，EliteSiC肖特基二极管器件在最大反向电压（VRRM）和二极管的峰值重复反向电压之间提供了更好的余量。新器件还具有出色的反向漏电......
万用表各种功能挡位的使用方法图解(2022-12-27)
测量都显示1，说明二极管内部开路；如果反向测量也有一定电压值，则说明二极管存在反向漏电。
使用数字式万用表测量二极管正向导通，反向截止，则该二极管为良好品。
现电路板上有一个二极管，测量......
思瑞浦推出汽车级理想二极管ORing控制器TPS65R01Q(2024-07-23)
降低正向功耗
传统的串联肖特基二极管虽然能够提供反向电压保护，但当负载电流增加时，二极管的结温会显著升高，这不仅会加剧热问题，还可能因高温导致反向漏电......
功率MOS体二极管参数分析(2024-12-07 19:11:23)
µJ，或者说只高出=1.6/0.128=12倍。
因Qrr引起的体二极管损耗
下管体二极管反向恢复时，上管还处在导通过程中，VDS维持在VIN，如下图所示：对应的反向......
【干货】二极管限幅电路理论分析，工作原理+作用(2024-06-25)
并出现在输出端。
（2）负偏差
负偏差电池与二极管反向连接，如下。
负偏差
在正半周期期间，二极管由于输入电压而正向偏置。因此，输入信号通过二极管并出现在输出端。
在负半周期期间，二极管变为反向......
二极管限幅电路理论分析，工作原理+作用，几分钟搞定(2024-12-19 17:54:04)
时，二极管才会正向偏置并导通。
正偏差
起初，输入电压低于电池电压，因此二极管反向偏置并且不导通。因此电池电压......
数字万用表测试元器件方法大全(2022-12-06)
和好坏的判断
首先要强调的是用数字万用表测量二极管时，实测的是二极管的正向电压值，而指针式万用表则测的是二极管正反向电阻的值。
二极管有锗管和硅管之分。锗管正向压降比硅管小，0.1- 0.3v 为锗二极管，0.5......
牛人剖析功率MOS，从入门到精通(2024-11-18 19:30:30)
继续放电直至零。
八、因二极管反向恢复引起的MOSFET开关波形
(1)实验......
安森美的EliteSiC碳化硅系列方案带来领先业界的高能效(2023-01-04)
（BV）下，EliteSiC肖特基二极管器件在最大反向电压（VRRM）和二极管的峰值重复反向电压之间提供了更好的余量。新器件还具有出色的反向漏电流性能，其最大反向电流（IR）在25°C时仅为40......
安森美的EliteSiC碳化硅系列方案带来领先业界的高能效(2023-01-04 15:25)
率可再生能源应用中实现高能效至关重要。在1700 V的额定击穿电压（BV）下，EliteSiC肖特基二极管器件在最大反向电压（VRRM）和二极管的峰值重复反向电压之间提供了更好的余量。新器件还具有出色的反向漏电流性能，其最大反向......
收藏总结：19种常见的二极管应用电路！(2024-11-23 18:23:13)
源连接器没有极化时，这种二极管应用很有用。反向保护二极管的缺点是，由于正向压降，它会引起一些电压损失。
二极管反向......
讲透三极管(2024-06-13)
一样，它的PN结具有单向导电性。因此，光敏二极管工作时应加上反向电压，如图所示。
当无光照时，电路中也有很小的反向饱和漏电流，一般为1×10-8 —1×10 -9A(称为......
二极管选型指南(2024-04-08)
电流。由于反向电流很小，二极管处于截止状态。反向电压增大到一定程度后，二极管反向击穿。
正向导通压降与导通电流的关系
在二极管两端加正向偏置电压时，其内......
案例分享：二极管反向恢复电流如何测试？(2024-10-12 11:16:43)
案例分享：二极管反向恢复电流如何测试？;
最近在网上有看到测试二极管反向恢复时间的例子，大家可以看一下，加深印象。
从中......
峰值检测电路汇总(2024-11-14 11:24:55)
,
它的特性曲线如实图下所示。当交流电压较小时，检测得的直流电压往往偏离其峰值较多。
这里的泄放电阻R，是指与 C 并联的电阻、下一级的输入电阻、二极管的反向漏电阻、以及电容及电路板的漏电......
详解开关电源缓冲吸收电路~(2024-12-12 19:23:17)
尖峰是电感续流引起的。
引起电压尖峰的电感可能是：变压器漏感、线路分布电感、器件等效模型中的感性成分等。
引起电压尖峰的电流可能是：拓扑电流、二极管反向恢复电流、不恰......
东芝推出具有低导通电阻和高可靠性的适用于车载牵引逆变器的最新款1200 V SiC MOSFET(2024-11-13 10:40)
装芯片产品。[3] 电路中电流回流导致的电流从源极流向漏极的工作。[4] 当正向电压施加到漏极和源极之间的pn二极管时的双极性工作。[5] 相比使用条形形态的产品。[6] 与在......
万用表你真的会用吗？万用表各种功能使用方法图解(2022-12-21)
测量显示 “000”或数值很小，则说明二极管已短路；若正反向测量都显示1，说明二极管内部开路；如果反向测量也有一定电压值，则说明二极管存在反向漏电。
使用数字式万用表测量二极管正向导通，反向截止，则该二极管......
东芝推出适用于车载牵引逆变器的最新款1200 V SiC MOSFET(2024-11-12)
新的结构可实现低导通电阻和高可靠性。X5M007E120现已开始提供测试样品，供客户评估。
当典型SiC MOSFET的体二极管在反向......
开关电源整流滤波电路和钳位保护电路设计(2024-06-03)
需安装合适的散热器。
整流桥的主要参数有反向峰值电压URM(V)，正向压降UF(V)，平均整流电流Id(A)，正向峰值浪涌电流IFSM(A)，最大反向漏电流 IR(μA)。整流桥的反向击穿电压URR应满......
基础知识之二极管(2024-03-20)
）、高速开关型、低噪音等产品。
四、开关二极管
顾名思义，是指具有开关功能的二极管。此二极管具有正向施加电压时电流通过 (ON)，反向施加电压时电流停止 (OFF) 的性能。反向......
SiC功率半导体技术如何助力节碳减排？(2023-03-29)
了PIN和SBD的复合结构，由于PIN结构在器件反向阻断状态中用于屏蔽肖特基区电场从而降低反向漏电SBD结构可降低导通压降并且能获得单极导通模式。通过优化的工艺设计，能爱不增加工艺复杂度的同时，获得......
干货 | 图解二极管单向导通的原因(2024-10-28 19:03:53)
通也不是绝对的，一般会有很小的漏电流。随着反向电压如果继续增大，可能造成二极管击穿而急剧漏电。
图 5 ：反向......
专业与性能并行：顾邦半导体 GBS60020，为高功率应用量身定制！(2024-11-13)
体二极管反向恢复速度极快（Trr=190ns），恢复电荷低至1.72uC，同时具备较低的峰值反向恢复电流（Irrm=18A），减少系统损耗，适合......
满足市场对下一代碳化硅器件的需求(2023-10-31)
)之间的额外电压裕量，从而提高可靠性。此外，D1 肖特基二极管有着较低的最大正向电压 (VFM) 值和出色的反向漏电流，即使在高温条件下也能确保可靠的高压运行。
图 4：安森美的新型 1700 V......
光伏、充电桩、储能如何降低成本？这家SiC企业发布3大重磅利器(2022-07-04)
半导体购买MCR®全系列产品、知识产权及工艺平台，并于2021年1月25日协议正式生效。
相比普通硅基二极管，蓉矽的MCR®产品具有nA级反向漏电、高温特性稳定、高抗浪涌电流能力等优势，适用于中低压150V......
TVS在汽车抛负载应用选型设计(2024-07-16)
TVS重点是保护5A以外的小浪涌冲击。
TVS二极管反向动态特性可以用动态等效电阻Rc公式来体现，等效电阻斜率如图中红线所示。
Vc=Vbr+Ic*Rc
5A测试等效电路图如下，在钳......
三极管知识讲解，补课(2024-11-09 18:33:37)
想办法增加反偏时少数载流子的数量即可。所以，如图B，如果能够在P区或N区人为地增加少数载流子的数量，很自然的漏电流就会人为地增加。其实，光敏二极管的原理就是如此。光敏二极管与普通光敏二极管一样，它的PN结具有单向导电性。因此，光敏二极管工作时应加上反向电压......
光伏微逆变器应用中的拓扑及工作原理分析(2023-02-14)
较小的输出滤波电容，并且有低纹波额定值
2.减小输出二极管损耗
3.具有较小的瞬态输出电压尖峰
4.EMI性能更好
5.若使用SiC的二极管，反向恢复损耗可以降到最低
以下......
Vishay推出四款新系列200 V FRED Pt超快恢复整流器(2023-06-21)
-1EAH02xM3、VS-2EAH02xM3、VS-3EAH02xM3和VS-5EAH02xM3反向漏电流小于1 μA，工作温度-55 C至+175 C，同时正向压降低至0.71 V，有助......
学子专区—ADALM2000实验：有源整流器(2023-05-12)
工作电源电流足够低的运算放大器时，其电流通常可以低于大肖特基二极管的反向漏电流。
问题：
能否说出有源整流器的若干实际应用？您可以在学子专区 论坛上找到答案。
......
SMU数字源表如何测试三极管IV特性曲线(2023-03-15)
电流
ICBO是指三极管发射极开路时，流过集电结的反向漏电电流；IEBO是指集电极开路时，发射极到基极的电流，测试时推荐使用一台普赛斯S系列或P系列源表。
反向击穿电压
VEBO是指集电极开路时，发射......
PMOS做信号开关NMOS做电平转换(2024-12-02 10:02:21)
特性着手来理解这些疑问，下图是一个二极管的IV曲线：
由图可知，二极管反向偏压后，从0到-200mV，其反向电流随反向电压VF的（绝对值）增大而增加，近似......
如何判断变频器滤波电解电容是否损坏？(2024-03-06)
现象是烧开关管及其他限流元器件，如保险与开关电源中的限流电阻。电容短、断路损坏工作在高电压、大电流中的滤波电容器，当因某种原因使电压升高，并超过其耐压值时，使之击穿短路损坏，或由于整流二极管......
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;厦门蓝江电子有限公司;;SIRECT高压萧特基专业代理 高压肖特基,具有高耐电压（60-200V）,低逆向漏电（0.1-0.01ma）及高工作温度特性(175℃),所用障壁材料为铂材料(PT
恢复损耗,提高EMI正常在5％个DB左右.具有很低的Vf电压. GaN产品,GaN的二极管具有0反向恢复时间.是代替SIC产品的理想材料,且价格比SIC低许多.适合高频工作.可达800KHZ. 模块
国独立生产半导体的厂商。产品种类超过40多种封装形式和10000多种型号。产品分为稳压二极管、肖特基、可控硅二极管、ＴＶＳ.桥式整流器等.瞬变(瞬态)抑制二极管简称TVS器件,在规定的反向应用条件下,当承
快捷。 长期供应2CL系列高压二极管电压范围从4千伏到20千伏；电流范围从5毫安到450毫安；反向恢复时间小于100毫微秒;2CLZ系列高压二极管整流组件电压范围从30千伏到200千伏；电流范围从0.1安到2安
品种如下：产品名称 规格型号 峰值波长(nm) 主波长(nm) 正向电压vf(If=20mA) 反向漏电流Ir(vr=5v)红光芯片 FEMC-A-W635 646 635±5 1.8-2.2 <10红光
已达到正向电流300安培以上，反向电压200V以上；快恢复二极管已达到正向电流240安培以上。 伴随着公司的不断扩大与发展，公司通过了ISO9001国际质量体系认证。为顺
管芯片、电阻芯片、植物生长灯芯片、齐纳二极管、光敏芯片、光敏二极管、光敏、接收头芯片、接收管芯片、红、黄绿、黄、橙芯片、双色点阵芯片、背光芯片、数码管芯片、指示灯芯片、显示屏芯片、反向红光芯片、昭和
在半导体器件的研发领域一直处于国内领先水平。2000年，我司研制出大电流、高反压的肖特基与快恢复二极管，其中，肖特基势垒二极管已达到正向电流300安培以上，反向电压200V以上；快恢复二极管已达到正向电流240安培
、2DW16A-2DW16C)、普通稳压二极管（2DW、2CW系列）、稳压二极管（0.25W-50W）、1W、2W、3W、5W塑封稳压二极管，稳定电压从7V-220V等。大功率稳压二极管、玻璃钝化封装硅整流二极管